JPH07201798A - Single wafer processing method and its apparatus - Google Patents

Single wafer processing method and its apparatus

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JPH07201798A
JPH07201798A JP105794A JP105794A JPH07201798A JP H07201798 A JPH07201798 A JP H07201798A JP 105794 A JP105794 A JP 105794A JP 105794 A JP105794 A JP 105794A JP H07201798 A JPH07201798 A JP H07201798A
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JP
Japan
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substrate
atmosphere
processing
circulation line
processing chamber
Prior art date
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Application number
JP105794A
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Japanese (ja)
Inventor
Kiyohiro Kawasaki
清弘 川崎
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a method for single wafer processing which can reduce the running cost of a clean room and improve the yield CONSTITUTION:A method for single wafer processing comprises the step for treating a substrate 1 with a liquid in a cup-shaped container, 2 and the step for drying the substrate 1 while the atmosphere of the cup-shaped container 2 is circulated via a circulation line 20 as the container 2 keeps almost closed and while dust and moisture in the atmosphere in the container 2 is separated by a separation means 21 in the circulation line 20.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、液晶パネル等に用い
られるガラス基板等の基板を処理する枚葉基板処理方法
およびその装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single-wafer processing method and apparatus for processing substrates such as glass substrates used in liquid crystal panels and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶デバイスは、ガラス基板上に数μm
程度の微細な薄膜パターンを多数回形成して得られる電
子装置であり、その微細加工においては、薬液や純水を
使用した様々な処理が必須である。図2は、そのような
処理装置の中で、ガラス基板等の基板1を枚葉で処理す
る処理室の概略断面図を示す。処理室であるSUSまた
は塩ビ製のカップ状容器2内には基板1を搭載する基板
チャック3と処理手段4が配置されている。5はたとえ
ば基板1の乾燥時等に基板チャック3に回転を与えるた
めのモータ6と基板チャック3とを連結するシャフトで
ある。
2. Description of the Related Art A liquid crystal device has a glass substrate of several μm.
This is an electronic device that can be obtained by forming a fine film pattern of a large number of times many times, and various processes using a chemical solution or pure water are essential in the fine processing. FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of a processing chamber in which a substrate 1 such as a glass substrate is processed in a single wafer in such a processing apparatus. A substrate chuck 3 on which a substrate 1 is mounted and a processing means 4 are arranged in a cup-shaped container 2 made of SUS or PVC which is a processing chamber. Reference numeral 5 denotes a shaft that connects the motor 6 for rotating the substrate chuck 3 to the substrate chuck 3 when the substrate 1 is dried, for example.

【0003】処理手段4としては、例えば洗浄装置であ
れば純水や適当な薬液を超音波ジェットまたは超高圧ジ
ェット状に基板1に吹き付けて基板1上の異物やパーテ
ィクルを洗い流すノズルであり、乾燥装置であればドラ
イエアや窒素ガスを吹き出すノズルである。カップ状容
器2内で処理手段4を動作して基板1を処理すると、カ
ップ状容器2内に処理水が生じるとともに薬液およびそ
れらのミスト7が雰囲気中に含まれる。このため、これ
ら処理水や雰囲気は排水口8で集められ、適当な水切り
のためのミストセパレータ9で水滴を分離され、処理水
または薬液は排水を含む廃液ライン10に、また雰囲気
は排気ライン11に接続されて図示はしないが別置の処
理装置に送られる。
The processing means 4 is, for example, a cleaning device, which is a nozzle for spraying pure water or an appropriate chemical liquid onto the substrate 1 in the form of an ultrasonic jet or an ultra-high pressure jet to wash away foreign matters and particles on the substrate 1, and to dry it. If it is an apparatus, it is a nozzle that blows out dry air or nitrogen gas. When the processing means 4 is operated in the cup-shaped container 2 to process the substrate 1, treated water is generated in the cup-shaped container 2 and the chemicals and their mist 7 are contained in the atmosphere. For this reason, these treated water and atmosphere are collected at the drainage port 8, water drops are separated by the mist separator 9 for appropriate draining, the treated water or the chemical liquid is discharged to the waste liquid line 10 including the waste water, and the atmosphere is exhaust line 11. Although not shown, it is sent to a separate processing device.

【0004】この場合、カップ状容器2内の雰囲気は排
気ライン11で吸引されるが、これらの生産設備は通常
クリーンルーム内に設置されるので、カップ状容器2の
上方のダストの少ないクリーンエア12はカップ状容器
2に常時吸い込まれている。13はガラス基板1の破損
時にガラス破片が飛び散らないための安全カバーであ
り、クリーンエア12の取り込みのため複数個の吸気口
14が設けられている。
In this case, the atmosphere in the cup-shaped container 2 is sucked by the exhaust line 11, but since these production facilities are usually installed in a clean room, the clean air 12 above the cup-shaped container 2 with little dust. Is always sucked into the cup-shaped container 2. Reference numeral 13 is a safety cover for preventing glass fragments from scattering when the glass substrate 1 is broken, and is provided with a plurality of intake ports 14 for taking in the clean air 12.

【0005】図3は、カップ状容器2を上方から見たも
ので、15は基板1を基板チャック3に搭載して基板チ
ャック3を回転しても基板1が飛んで行かないために基
板1の隅部に配置されたストッパであり、16は処理時
に基板1が撓んで基板チャック3と接触するのを防止す
る突起状の支えである。17は処理手段4のノズルを回
転走査するアームであり、基板1上での処理を均等にす
るためガラス基板1上を走査することが一般的に行なわ
れている。
FIG. 3 is a top view of the cup-shaped container 2. Reference numeral 15 is the substrate 1 because the substrate 1 does not fly even if the substrate 1 is mounted on the substrate chuck 3 and the substrate chuck 3 is rotated. Is a stopper disposed at the corner of the substrate, and 16 is a protrusion-like support that prevents the substrate 1 from bending and coming into contact with the substrate chuck 3 during processing. Reference numeral 17 denotes an arm that rotationally scans the nozzles of the processing means 4, and generally scans the glass substrate 1 to make the processing on the substrate 1 uniform.

【0006】なお、図2および図3において、その他の
構成要素、例えば基板1を搬送する機構や、処理水およ
び薬液が処理室から漏れないためのシール機構等は省略
しており、カップ状容器2の上流側と下流側に設置され
た領域18,19は、例えば薬液を用いた食刻装置や、
基板1のローダあるいはアンローダ等が配置される。
2 and 3, other components such as a mechanism for transferring the substrate 1 and a sealing mechanism for preventing the processing water and the chemical solution from leaking from the processing chamber are omitted, and the cup-shaped container is omitted. Areas 18 and 19 installed on the upstream side and the downstream side of 2 are, for example, an etching device using a chemical solution,
A loader, an unloader, etc. for the substrate 1 are arranged.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】この従来の枚葉基板処
理装置は、カセット等の収納容器に多数枚のガラス基板
を収納して一括で処理するバッチ型と比較して、基板1
の乾燥時の基板1の高速回転に伴う周囲の空気の乱れま
たは乾燥したガスを大量に吹き付けることにより、また
洗浄時の薬液または純水を超音波ジェットまたは高圧ジ
ェット状に噴射することにより、大量のミストが発生す
る。
This conventional single-wafer substrate processing apparatus is different from the batch type substrate processing apparatus in which a large number of glass substrates are stored in a storage container such as a cassette and processed in a batch.
By turbulence of the surrounding air accompanying high speed rotation of the substrate 1 at the time of drying or by spraying a large amount of dry gas, and by spraying a chemical solution or pure water at the time of cleaning into an ultrasonic jet or a high-pressure jet, The mist of is generated.

【0008】薬液ミストは安全および設備保全の観点か
ら、また処理水のミストは跳ね返りによる基板1上への
付着や乾燥時の染み防止の観点から、カップ状容器2内
の雰囲気は常にカップ状容器2から排気する必要があ
る。基板1が小さい場合には、カップ状容器2内の体積
も小さいために排気量が少ないが、基板サイズが大きく
なると排気量が飛躍的に増大してくる。例えば400×
300mmサイズのガラス基板1のカップ状容器2の排
気量はカタログ値では10m3 /分程度が必要とされて
おり、今後の液晶デバイス分野における基板サイズの更
なる拡大に対してますます排気量が増大することは予測
に難くない。
The atmosphere in the cup-shaped container 2 is always the cup-shaped container 2 from the viewpoint of safety and facility maintenance of the chemical liquid mist, and from the viewpoint of preventing the mist of the treated water from adhering on the substrate 1 due to splashing and stains during drying. It is necessary to exhaust from 2. When the substrate 1 is small, the exhaust volume is small because the volume inside the cup-shaped container 2 is also small, but when the substrate size is large, the exhaust volume increases dramatically. For example 400x
The exhaust volume of the cup-shaped container 2 of the 300 mm size glass substrate 1 is required to be about 10 m 3 / min in the catalog value, and the exhaust volume will increase with further expansion of the substrate size in the liquid crystal device field in the future. Increasing is not difficult to predict.

【0009】その結果、排気量の増大は当然のことであ
るが、高度に純化されダストを排除されたクリーンエア
を大量に消費することになるので、クリーンルームのラ
ンニングコストの上昇が回避できないという問題があ
る。また装置周りのクリーンエアを大量に吸引するの
で、例えば上記したカップ状容器2の全開口面積が1m
2であると、カップ状容器2に吸い込まれるクリーンエ
アの風速は0.16m/秒となり、クリーンルーム内を
天井から装置または床に向かって流れる垂直層流の風速
0.3m/秒のほぼ半分に匹敵する量となり、クリーン
ルーム内の気流の調整や維持が困難となるだけでなく、
処理装置の吸気口に向かって同時にクリーンエア中のダ
ストも吸引されるので生産品の歩留りが低下する課題も
発生してくる。
As a result, the amount of exhaust gas is naturally increased, but a large amount of clean air that is highly purified and dust is removed is consumed, so that an increase in running cost of the clean room cannot be avoided. There is. Also, since a large amount of clean air around the device is sucked in, for example, the total opening area of the cup-shaped container 2 described above is 1 m.
If 2 , the wind speed of the clean air sucked into the cup-shaped container 2 is 0.16 m / sec, which is almost half of the vertical laminar flow velocity of 0.3 m / sec flowing from the ceiling to the device or floor in the clean room. Not only does it make it difficult to adjust and maintain the air flow in the clean room,
At the same time, dust in the clean air is sucked toward the intake port of the processing device, which causes a problem of lowering the yield of products.

【0010】したがって、この発明の目的は、クリーン
ルームのランニングコストを低減し歩留りを向上するこ
とができる枚葉基板処理方法およびその装置を提供する
ことである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a single-wafer processing method and apparatus capable of reducing the running cost of a clean room and improving the yield.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1の枚葉基板処理
方法は、処理室内で液体を用いて基板を処理する処理工
程と、処理室をほぼ密閉し処理室の雰囲気を循環ライン
を経由して循環するとともに処理室内の雰囲気中のダス
トおよび水分を循環ラインにおいて分離手段により分離
しながら基板を乾燥する乾燥工程とを含むものである。
According to another aspect of the present invention, there is provided a single-wafer substrate processing method in which a substrate is processed using a liquid in a processing chamber, and the processing chamber is almost sealed and an atmosphere in the processing chamber is passed through a circulation line. And a circulation step of drying the substrate while separating the dust and water in the atmosphere in the processing chamber by the separation means in the circulation line.

【0012】請求項2の枚葉基板処理方法は、請求項1
において、乾燥工程が基板を高速回転することにより基
板を乾燥することを特徴とするものである。請求項3の
枚葉基板処理方法は、請求項1において、乾燥工程が乾
燥した空気および窒素ガスの少なくとも一方を基板に吹
き付けることにより基板を乾燥することを特徴とするも
のである。
A method for processing a single-wafer substrate according to a second aspect is the method according to the first aspect.
In the above, the drying step is characterized in that the substrate is dried by rotating the substrate at a high speed. According to a third aspect of the present invention, there is provided the single-wafer substrate processing method according to the first aspect, wherein the substrate is dried by blowing at least one of the air and the nitrogen gas which have been dried in the drying step.

【0013】請求項4の枚葉基板処理方法は、基板を配
置した処理室をほぼ密閉し処理室の雰囲気を循環ライン
を経由して循環するとともに処理室内の雰囲気中のダス
トおよびミストを循環ラインにおいて分離手段により分
離しながら基板を洗浄する工程を含むものである。請求
項5の枚葉基板処理方法は、請求項4において、基板の
洗浄が純水および薬液の少なくとも一方を超音波ジェッ
ト状にして基板に吹き付けることを特徴とすものであ
る。
According to a fourth aspect of the present invention, in the single-wafer substrate processing method, the processing chamber in which the substrate is placed is substantially sealed, the atmosphere in the processing chamber is circulated through the circulation line, and the dust and mist in the atmosphere in the processing chamber are circulated. In the above, the step of cleaning the substrate while separating it by the separating means is included. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the single-wafer substrate processing method according to the fourth aspect, wherein the cleaning of the substrate is performed by spraying at least one of pure water and a chemical solution into an ultrasonic jet on the substrate.

【0014】請求項6の枚葉基板処理方法は、請求項4
において、基板の洗浄が純水および薬液の少なくとも一
方を超高圧ジェット状にして基板に吹き付けることを特
徴とするものである。請求項7の枚葉基板処理装置は、
基板を保持する基板チャックおよび基板を洗浄・乾燥等
する処理手段を有する処理室と、この処理室に両端が接
続された循環ラインと、この循環ラインに設けられて処
理室の雰囲気を循環する送風ファンと、循環ラインの送
風ファンの風上側に配置されて雰囲気中のダストおよび
ミスト等を分離する分離手段と、循環ラインの分離手段
の風上側に接続された廃液ラインとを備えたものであ
る。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a single-wafer processing method.
In the above, the cleaning of the substrate is characterized in that at least one of pure water and a chemical liquid is made into a super high pressure jet and sprayed onto the substrate. The single-wafer substrate processing apparatus according to claim 7,
A processing chamber having a substrate chuck for holding a substrate and a processing means for cleaning and drying the substrate, a circulation line having both ends connected to the processing chamber, and a blower provided in the circulation line to circulate the atmosphere of the processing chamber. A fan, a separation means arranged on the windward side of the blower fan of the circulation line to separate dust and mist in the atmosphere, and a waste liquid line connected to the windward side of the separation means of the circulation line. .

【0015】[0015]

【作用】請求項1の枚葉基板処理方法によれば、基板を
液体を用いて処理した後、基板を乾燥するに際して、処
理室内の雰囲気を循環ラインを経由して循環させるとと
もに、分離手段により雰囲気中の水分やダストが分離さ
れるため、循環ラインより処理室内に戻ってくる雰囲気
はクリーンエアと同じような状態になって基板の乾燥に
再使用される。このように、ダストや水分を大量に含ん
だ処理室内の雰囲気を排気せずに回収して再利用するの
で、たとえ基板サイズが増大しても、処理室内に外部か
ら導入するクリーンエアの大量消耗を防止することがで
き、クリーンルームのランニングコストを低減できる。
また外部から導入するクリーンエアの気流も乱れず、ク
リーンエアとともに流れる込むダストも少ないので生産
品の歩留りが向上する。
According to the single-wafer substrate processing method of the first aspect, when the substrate is processed with the liquid and then the substrate is dried, the atmosphere in the processing chamber is circulated through the circulation line and the separating means is used. Since moisture and dust in the atmosphere are separated, the atmosphere returning from the circulation line into the processing chamber is in a state similar to that of clean air and is reused for drying the substrate. In this way, since the atmosphere inside the processing chamber containing a large amount of dust and moisture is collected and reused without being exhausted, even if the substrate size increases, a large amount of clean air introduced from the outside into the processing chamber is consumed. Can be prevented, and the running cost of the clean room can be reduced.
In addition, the flow of clean air introduced from the outside is not disturbed, and the amount of dust that flows with the clean air is small, which improves the yield of products.

【0016】請求項2の枚葉基板処理方法によれば、請
求項1において、乾燥工程が基板を高速回転することに
より基板を乾燥するため、請求項1と同作用がある。請
求項3の枚葉基板処理方法によれば、請求項1におい
て、乾燥工程が乾燥した空気および窒素ガスの少なくと
も一方を基板に吹き付けることにより基板を乾燥するた
め、請求項1と同作用がある。
According to the single-wafer processing method of the second aspect, in the first aspect, since the substrate is dried by rotating the substrate at a high speed in the drying step, it has the same effect as the first aspect. According to the single-wafer processing method of claim 3, in the drying step of claim 1, the substrate is dried by blowing at least one of dried air and nitrogen gas to the substrate. .

【0017】請求項4の枚葉基板処理方法によれば、洗
浄工程において、処理室の雰囲気を循環するとともに分
離手段によりミストおよびダストを分離するため、請求
項1と同作用がある。請求項5の枚葉基板処理方法によ
れば、請求項4において、請求項4において、基板の洗
浄が純水および薬液の少なくとも一方を超音波ジェット
状にして基板に吹き付けるため、請求項4と同作用があ
る。
According to the single-wafer processing method of the fourth aspect, the atmosphere of the processing chamber is circulated and the mist and the dust are separated by the separating means in the cleaning step, so that there is the same effect as the first aspect. According to the single-wafer substrate processing method of claim 5, in claim 4, since in the cleaning of the substrate, at least one of pure water and a chemical solution is made into an ultrasonic jet and sprayed onto the substrate. Has the same effect.

【0018】請求項6の枚葉基板処理方法によれば、請
求項4において、基板の洗浄が純水および薬液の少なく
とも一方を超高圧ジェット状にして基板に吹き付けるた
め、請求項4と同作用がある。請求項7の枚葉基板処理
装置によれば、洗浄や乾燥等の基板の処理工程におい
て、処理室の雰囲気を循環して再利用するとともに分離
手段によりダストやミスト等を分離でき、外部から導入
するクリーンエアを少なくできるので、クリーンルーム
のランニングコストを低減できるとともに、生産品の歩
留りを向上することができる。
According to the single-wafer processing method of claim 6, in the cleaning of the substrate according to claim 4, at least one of the pure water and the chemical liquid is sprayed to the substrate in the form of an ultra-high pressure jet. There is. According to the single-wafer substrate processing apparatus of claim 7, in the substrate processing steps such as cleaning and drying, the atmosphere in the processing chamber can be circulated and reused, and dust and mist can be separated by the separating means, and introduced from the outside. Since the amount of clean air used can be reduced, the running cost of the clean room can be reduced, and the yield of products can be improved.

【0019】[0019]

【実施例】この発明の第1の実施例を図1に基づいて説
明する。すなわち、図1は処理室の概略断面図を示し、
図2の従来のものと異なる点は、処理室2に循環ライン
20を接続するとともに、循環ライン20に空気は通す
が水を通さないような特殊なフィルタを有する分離手段
21および送風ファン22を設けて水分を除去された回
収空気を吸引して再度、処理室であるカップ状容器2内
にクリーンエア23として送り込んでいることである。
これにより、処理室2内の雰囲気が循環している。その
他、図2と共通する部分に同一符号を付している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. That is, FIG. 1 shows a schematic sectional view of the processing chamber,
2 is different from the conventional one in that a circulation line 20 is connected to the processing chamber 2, and a separation means 21 and a blower fan 22 having a special filter that allows air to pass through the circulation line 20 but does not pass water are provided. That is, the collected air from which water has been removed and which has been removed of water is sucked and again fed into the cup-shaped container 2 which is the processing chamber as clean air 23.
As a result, the atmosphere in the processing chamber 2 is circulated. In addition, the same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals.

【0020】まず、この実施例の枚葉基板処理方法につ
いて説明すると、この処理方法は、処理室であるカップ
状容器2内で液体を用いて基板1を処理する処理工程
と、カップ状容器2をほぼ密閉しカップ状容器2の雰囲
気を循環ライン20を経由して循環するとともにカップ
状容器2内の雰囲気中のダストおよび水分を循環ライン
20において分離手段21により分離しながら基板1を
乾燥する乾燥工程とを含んでいる。
First, the single-wafer substrate processing method of this embodiment will be described. In this processing method, a processing step of processing a substrate 1 with a liquid in a cup-shaped container 2 which is a processing chamber, and a cup-shaped container 2 are described. And the atmosphere in the cup-shaped container 2 is circulated through the circulation line 20 and the substrate 1 is dried while separating the dust and moisture in the atmosphere in the cup-shaped container 2 by the separating means 21 in the circulation line 20. And a drying step.

【0021】分離手段21は、カップ状容器2の雰囲気
中のダストおよび水分の除去のため特殊なフィルタが用
いられる。この特殊なフィルタとしては、ゴアテックス
社のメンブレンフィルタバッグが挙げられる。このフィ
ルタはPTFEに特殊加工を施し、極めて微細な構造を
持つ連続多孔体としたもので、空孔率が高く、かつ微粉
であっても確実に補集する能力を持つと同時に、高いリ
リース(剥離)特性、耐熱性、耐薬品性を兼ね備えてい
る特徴を有している。ただし長時間の運転を行うと、ど
うしても循環空気の純度の低下や発熱がさけられないの
で、適宜フレッシュエアをカップ状容器2内に取り込む
ための吸気口24をカップ状容器2に形成するととも
に、不要となった雰囲気を排出するための排気口25を
ミストセパレータ9のカップ状容器2と反対側に設ける
ことが望ましい。
As the separating means 21, a special filter is used for removing dust and moisture in the atmosphere of the cup-shaped container 2. An example of this special filter is a membrane filter bag made by GORE-TEX. This filter is a continuous porous body with an extremely fine structure obtained by specially processing PTFE, has a high porosity, and has the ability to reliably collect even fine powders, while at the same time providing a high release ( (Peeling) characteristics, heat resistance, and chemical resistance. However, when operating for a long time, the purity of the circulating air and heat generation cannot be avoided, so an intake port 24 for taking in fresh air into the cup-shaped container 2 is appropriately formed in the cup-shaped container 2. It is desirable to provide an exhaust port 25 for discharging the unnecessary atmosphere on the opposite side of the mist separator 9 from the cup-shaped container 2.

【0022】また乾燥工程は、基板1の高速回転するこ
とによって行なう方法と、図示はしないがエアナイフを
用いて乾燥した空気または窒素ガスの少なくとも一方を
基板1に吹き付ける方法がある。前者の場合、乾燥時間
を短縮するため処理手段4のノズルから乾燥した空気や
窒素ガスを吹き付けるときは、カップ状容器2にはとく
に吸気口24を設けなくても適宜フレッシュエアが送り
込まれるので吸気口24は不要となる。
The drying step may be performed by rotating the substrate 1 at a high speed, or by using an air knife (not shown) to blow at least one of dried air and nitrogen gas onto the substrate 1. In the former case, when the dry air or the nitrogen gas is blown from the nozzle of the processing means 4 in order to shorten the drying time, fresh air is appropriately fed even if the cup-shaped container 2 is not provided with the intake port 24. The mouth 24 is unnecessary.

【0023】また、この枚葉基板処理装置は、基板1を
保持する基板チャック3および基板1を洗浄・乾燥等す
る処理手段4を有する処理室であるカップ状容器2と、
このカップ状容器2に両端が接続された循環ライン20
と、この循環ライン20に設けられてカップ状容器2の
雰囲気を循環する送風ファン22と、循環ライン21の
送風ファン22の風上側に配置されて雰囲気中のダスト
およびミスト等を分離する分離手段21と、循環ライン
20の分離手段21の風上側に接続された廃液ライン1
0とを備えている。実施例では循環ライン20の一端は
排水口8の廃液ライン10に設けられたミストセパレー
タ9の排気口25側に接続され、循環ライン20の他端
はカップ状容器2に接続されている。
Further, this single-wafer substrate processing apparatus includes a cup-shaped container 2 which is a processing chamber having a substrate chuck 3 for holding the substrate 1 and a processing means 4 for cleaning and drying the substrate 1.
Circulation line 20 having both ends connected to the cup-shaped container 2
And a blower fan 22 provided in the circulation line 20 to circulate the atmosphere of the cup-shaped container 2, and a separation means arranged on the windward side of the blower fan 22 in the circulation line 21 to separate dust and mist in the atmosphere. 21 and the waste liquid line 1 connected to the windward side of the separating means 21 of the circulation line 20.
It has 0 and. In the embodiment, one end of the circulation line 20 is connected to the exhaust port 25 side of the mist separator 9 provided in the waste liquid line 10 of the drainage port 8, and the other end of the circulation line 20 is connected to the cup-shaped container 2.

【0024】この実施例によれば、基板1を液体を用い
て処理した後、基板1を乾燥するに際して、カップ状容
器2内の雰囲気を循環ライン20を経由して循環させる
とともに、分離手段21により雰囲気中の水分やダスト
が分離されるため、循環ライン20より処理室内に戻っ
てくる雰囲気はクリーンエアと同じような状態になって
基板1の乾燥に再使用される。
According to this embodiment, after the substrate 1 is treated with the liquid, when the substrate 1 is dried, the atmosphere in the cup-shaped container 2 is circulated through the circulation line 20 and the separating means 21 is used. As a result, moisture and dust in the atmosphere are separated, so that the atmosphere returning from the circulation line 20 into the processing chamber is in a state similar to that of clean air and is reused for drying the substrate 1.

【0025】このように、ダストや水分を大量に含んだ
処理室内の雰囲気を排気せずに回収して再利用するの
で、たとえ基板サイズが増大しても、カップ状容器2内
に外部から導入するクリーンエアの大量消耗を防止する
ことができ、クリーンルームのランニングコストを低減
できる。また外部から導入するクリーンエアの気流も乱
れず、クリーンエアとともに流れる込むダストも少ない
ので生産品の歩留りが向上する。
Since the atmosphere in the processing chamber containing a large amount of dust and water is recovered and reused without being exhausted in this manner, even if the substrate size increases, it is introduced into the cup-shaped container 2 from the outside. It is possible to prevent a large amount of clean air from being consumed and reduce the running cost of the clean room. In addition, the flow of clean air introduced from the outside is not disturbed, and the amount of dust that flows with the clean air is small, which improves the yield of products.

【0026】この発明の第2の実施例を図1に基づいて
説明する。すなわち、枚葉基板処理方法は、第1の実施
例の処理工程の洗浄工程において、基板1を配置したカ
ップ状容器2をほぼ密閉し、カップ状容器2の雰囲気を
循環ライン20を経由して循環するとともにカップ状容
器2内の雰囲気中のダストおよびミストを循環ライン2
0において分離手段21により分離しながら基板1を洗
浄するものである。
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. That is, in the single-wafer substrate processing method, in the cleaning step of the processing step of the first embodiment, the cup-shaped container 2 in which the substrate 1 is placed is almost sealed, and the atmosphere of the cup-shaped container 2 is passed through the circulation line 20. The circulation line 2 that circulates and dusts and mists in the atmosphere inside the cup-shaped container 2 are circulated.
At 0, the substrate 1 is washed while being separated by the separating means 21.

【0027】処理装置は第1の実施例と同様である。ま
た基板1の洗浄は、純水および薬液の少なくとも一方を
超音波ジェット状にして基板1に吹き付ける方法と、純
水および薬液の少なくとも一方を超高圧ジェット状にし
て基板1に吹き付ける方法とがある。その他は、第1の
実施例と同様である。
The processing device is similar to that of the first embodiment. Further, the cleaning of the substrate 1 includes a method of spraying at least one of pure water and a chemical solution onto the substrate 1 in the form of an ultrasonic jet, and a method of spraying at least one of pure water and a chemical solution into the form of an ultra-high pressure jet onto the substrate 1. . Others are the same as those in the first embodiment.

【0028】[0028]

【発明の効果】請求項1の枚葉基板処理方法によれば、
基板を液体を用いて処理した後、基板を乾燥するに際し
て、処理室内の雰囲気を循環ラインを経由して循環させ
るとともに、分離手段により雰囲気中の水分やダストが
分離されるため、循環ラインより処理室内に戻ってくる
雰囲気はクリーンエアと同じような状態になって基板の
乾燥に再使用される。このように、ダストや水分を大量
に含んだ処理室内の雰囲気を排気せずに回収して再利用
するので、たとえ基板サイズが増大しても、処理室内に
外部から導入するクリーンエアの大量消耗を防止するこ
とができ、クリーンルームのランニングコストを低減で
きる。また外部から導入するクリーンエアの気流も乱れ
ず、クリーンエアとともに流れる込むダストも少ないの
で生産品の歩留りが向上するという効果がある。
According to the single-wafer substrate processing method of the first aspect,
After the substrate is treated with the liquid, when the substrate is dried, the atmosphere in the treatment chamber is circulated through the circulation line, and the moisture and dust in the atmosphere are separated by the separation means, so the treatment is performed from the circulation line. The atmosphere returning to the room is in a state similar to that of clean air and is reused for drying the substrate. In this way, since the atmosphere inside the processing chamber containing a large amount of dust and moisture is collected and reused without being exhausted, even if the substrate size increases, a large amount of clean air introduced from the outside into the processing chamber is consumed. Can be prevented, and the running cost of the clean room can be reduced. In addition, the flow of clean air introduced from the outside is not disturbed, and the amount of dust that flows with the clean air is small, so that the yield of products can be improved.

【0029】請求項2の枚葉基板処理方法によれば、請
求項1において、乾燥工程が基板を高速回転することに
より基板を乾燥するため、請求項1と同効果がある。請
求項3の枚葉基板処理方法によれば、請求項1におい
て、乾燥工程が乾燥した空気および窒素ガスの少なくと
も一方を基板に吹き付けることにより基板を乾燥するた
め、請求項1と同効果がある。
According to the single-wafer substrate processing method of the second aspect, since the substrate is dried by rotating the substrate at a high speed in the drying step of the first aspect, the same effect as the first aspect is obtained. According to the single-wafer substrate processing method of claim 3, since the substrate is dried by blowing at least one of the dried air and nitrogen gas to the substrate in the drying step in claim 1, the same effect as in claim 1 is obtained. .

【0030】請求項4の枚葉基板処理方法によれば、洗
浄工程において、処理室の雰囲気を循環するとともに分
離手段によりミストおよびダストを分離するため、請求
項1と同効果がある。請求項5の枚葉基板処理方法によ
れば、請求項4において、請求項4において、基板の洗
浄が純水および薬液の少なくとも一方を超音波ジェット
状にして基板に吹き付けるため、請求項4と同効果があ
る。
According to the single-wafer substrate processing method of the fourth aspect, the atmosphere of the processing chamber is circulated and the mist and dust are separated by the separating means in the cleaning step, and therefore, the same effect as the first aspect is obtained. According to the single-wafer substrate processing method of claim 5, in claim 4, since in the cleaning of the substrate, at least one of pure water and a chemical solution is made into an ultrasonic jet and sprayed onto the substrate. It has the same effect.

【0031】請求項6の枚葉基板処理方法によれば、請
求項4において、基板の洗浄が純水および薬液の少なく
とも一方を超高圧ジェット状にして基板に吹き付けるた
め、請求項4と同効果がある。請求項7の枚葉基板処理
装置によれば、洗浄や乾燥等の基板の処理工程におい
て、処理室の雰囲気を循環して再利用するとともに分離
手段によりダストやミスト等を分離でき、外部から導入
するクリーンエアを少なくできるので、クリーンルーム
のランニングコストを低減できるとともに、生産品の歩
留りを向上することができる。
According to the single-wafer substrate processing method of claim 6, in the cleaning of the substrate according to claim 4, at least one of pure water and a chemical solution is sprayed onto the substrate in the form of an ultra-high pressure jet. There is. According to the single-wafer substrate processing apparatus of claim 7, in the substrate processing steps such as cleaning and drying, the atmosphere in the processing chamber can be circulated and reused, and dust and mist can be separated by the separating means, and introduced from the outside. Since the amount of clean air used can be reduced, the running cost of the clean room can be reduced, and the yield of products can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例の枚葉基板処理方法に適用す
る装置の概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of an apparatus applied to a single-wafer substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来例の枚葉基板処理方法に適用した装置の概
略断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of an apparatus applied to a conventional single-wafer processing method.

【図3】その基板チャック上の基板を示す部分平面図で
ある。
FIG. 3 is a partial plan view showing a substrate on the substrate chuck.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 処理室であるカップ状容器 4 処理手段 20 循環ライン 21 分離手段 22 送風ファン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 substrate 2 cup-shaped container which is a processing chamber 4 processing means 20 circulation line 21 separation means 22 blower fan

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 F26B 21/14 G02F 1/1333 500 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location F26B 21/14 G02F 1/1333 500

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理室内で液体を用いて基板を処理する
処理工程と、前記処理室をほぼ密閉し前記処理室の雰囲
気を循環ラインを経由して循環するとともに前記処理室
内の雰囲気中のダストおよび水分を前記循環ラインにお
いて分離手段により分離しながら前記基板を乾燥する乾
燥工程とを含む枚葉基板処理方法。
1. A processing step of processing a substrate using a liquid in a processing chamber, and a process of substantially sealing the processing chamber to circulate the atmosphere of the processing chamber through a circulation line and dust in the atmosphere of the processing chamber. And a drying step of drying the substrate while separating water in the circulation line by a separating means.
【請求項2】 乾燥工程は、基板を高速回転することに
より前記基板を乾燥することを特徴とする請求項1記載
の枚葉基板処理方法。
2. The single-wafer processing method according to claim 1, wherein in the drying step, the substrate is dried by rotating the substrate at a high speed.
【請求項3】 乾燥工程は、乾燥した空気および窒素ガ
スの少なくとも一方を基板に吹き付けることにより前記
基板を乾燥することを特徴とする請求項1記載の枚葉基
板処理装置。
3. The single-wafer processing apparatus according to claim 1, wherein in the drying step, the substrate is dried by blowing at least one of dried air and nitrogen gas onto the substrate.
【請求項4】 基板を配置した処理室をほぼ密閉し前記
処理室の雰囲気を循環ラインを経由して循環するととも
に前記処理室内の雰囲気中のダストおよびミストを前記
循環ラインにおいて分離手段により分離しながら前記基
板を洗浄する工程を含む枚葉基板処理方法。
4. A processing chamber in which a substrate is placed is almost sealed, the atmosphere in the processing chamber is circulated through a circulation line, and dust and mist in the atmosphere in the processing chamber are separated by a separation means in the circulation line. While treating the substrate, a single-wafer substrate processing method.
【請求項5】 基板の洗浄は、純水および薬液の少なく
とも一方を超音波ジェット状にして前記基板に吹き付け
ることを特徴とする請求項4記載の枚葉基板処理方法。
5. The single-wafer processing method according to claim 4, wherein the cleaning of the substrate is performed by spraying at least one of pure water and a chemical liquid onto the substrate in an ultrasonic jet form.
【請求項6】 基板の洗浄は、純水および薬液の少なく
とも一方を超高圧ジェット状にして前記基板に吹き付け
ることを特徴とする請求項4記載の枚葉基板処理方法。
6. The single-wafer substrate processing method according to claim 4, wherein at least one of pure water and a chemical liquid is sprayed onto the substrate in the form of an ultrahigh pressure jet to clean the substrate.
【請求項7】 基板を保持する基板チャックおよび前記
基板を洗浄・乾燥等する処理手段を有する処理室と、こ
の処理室に両端が接続された循環ラインと、この循環ラ
インに設けられて前記処理室の雰囲気を循環する送風フ
ァンと、前記循環ラインの前記送風ファンの風上側に配
置されて前記雰囲気中のダストおよびミスト等を分離す
る分離手段と、前記循環ラインの前記分離手段の風上側
に接続された廃液ラインとを備えた枚葉基板処理装置。
7. A processing chamber having a substrate chuck for holding a substrate and processing means for cleaning / drying the substrate, a circulation line having both ends connected to the processing chamber, and the treatment line provided in the circulation line. A blower fan that circulates the atmosphere in the chamber, a separation unit that is arranged on the windward side of the blower fan of the circulation line to separate dust and mist in the atmosphere, and a windward side of the separation unit of the circulation line. A single-wafer processing apparatus having a connected waste liquid line.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011516252A (en) * 2008-04-09 2011-05-26 カーハーエス・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング Machine for cleaning bottles and other containers
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