JPH0719934B2 - レーザダイオードアレー及びその製造方法 - Google Patents
レーザダイオードアレー及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0719934B2 JPH0719934B2 JP3142785A JP14278591A JPH0719934B2 JP H0719934 B2 JPH0719934 B2 JP H0719934B2 JP 3142785 A JP3142785 A JP 3142785A JP 14278591 A JP14278591 A JP 14278591A JP H0719934 B2 JPH0719934 B2 JP H0719934B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- conductivity type
- semiconductor layer
- laser diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 58
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はレーザダイオードアレ
ー（LASER Diode Array)及びその製造方法に関し、特に
高出力の時安定された出力モードを持つ位相固定形レー
ザダイオードアレー及びその製造方法に関する。光通信
技術と半導体を利用した電子産業技術の発展に負って光
電子産業時代で入ることに沿って情報伝送や記録等の分
野において、小型でありながら効率と信頼性が高い半導
体レーザ（Laser Diode;以下ＬＤという）が脚光を浴び
ている。
ー（LASER Diode Array)及びその製造方法に関し、特に
高出力の時安定された出力モードを持つ位相固定形レー
ザダイオードアレー及びその製造方法に関する。光通信
技術と半導体を利用した電子産業技術の発展に負って光
電子産業時代で入ることに沿って情報伝送や記録等の分
野において、小型でありながら効率と信頼性が高い半導
体レーザ（Laser Diode;以下ＬＤという）が脚光を浴び
ている。
【０００２】しかし、半導体素子の材料として知られて
いるＳｉやＧｅのようないわゆる間接遷移型（indirect
transition type）物質でなく、ＧａＡｓのような混晶
（Compound semiconductor material)の直接遷移型（di
rect transition type）の物質特性が優秀な化合物半導
体に関する研究が活発に進行されている。このような化
合物半導体はＳｉに比して電子の速度が非常に大きく
て、高周波、直接遷移型、低消費電力、半絶縁性（〜１
０7 Ωcm）等の優秀な電子物特性を持っている。従っ
て、ＧａＡｓのような直接遷移型の半導体は電子（elec
tron）とホール（hole）の再結合（recombination)時の
運動量が保存される遷移をする。それ故に発行領域で注
入された電荷の寿命が極めて短いこと（普通数ｎｓ未
満）により発光強度が強くて又電流の変化に対する光応
答が高速であるので高速変調を必要とする分野即ち、光
通信光源で広く使用されている。
いるＳｉやＧｅのようないわゆる間接遷移型（indirect
transition type）物質でなく、ＧａＡｓのような混晶
（Compound semiconductor material)の直接遷移型（di
rect transition type）の物質特性が優秀な化合物半導
体に関する研究が活発に進行されている。このような化
合物半導体はＳｉに比して電子の速度が非常に大きく
て、高周波、直接遷移型、低消費電力、半絶縁性（〜１
０7 Ωcm）等の優秀な電子物特性を持っている。従っ
て、ＧａＡｓのような直接遷移型の半導体は電子（elec
tron）とホール（hole）の再結合（recombination)時の
運動量が保存される遷移をする。それ故に発行領域で注
入された電荷の寿命が極めて短いこと（普通数ｎｓ未
満）により発光強度が強くて又電流の変化に対する光応
答が高速であるので高速変調を必要とする分野即ち、光
通信光源で広く使用されている。
【０００３】
【従来の技術】図１は従来のＶＳＩＳ（Ｖ−channel Su
bstrate Inner Stripe）型ＬＤの垂直断面図である。上
記ＶＳＩＳ型ＬＤはＮ型ＧａＡｓ基板１の表面にＮ型Ｇ
ａＡｓ電流制限層２が形成されている。上記Ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１と電流制御層２がメサエッチング（Mesa etchi
ng）されＶ−チャンネル（Ｖ−channel)がストライプ〓
（Stripe）形態で形成されている。又上記Ｎ型ＧａＡｓ
電流制限層２の上部へＮ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層３，
Ｐ型ＧａＡｓ層４，Ｐ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層５，Ｐ
+型ＧａＡｓ層６が順次的に積層されている。上記でＮ
型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層は第１クラッド層で、Ｐ型Ｇ
ａＡｓ層４は活性層で、Ｐ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層５
は第２クラッド層に、Ｐ+型ＧａＡｓ層６はキャップ層
に利用される。上記で第１クラッド層３は上記Ｖ−チャ
ンネルを詰めて上記Ｎ型ＧａＡｓ基板１と電気的に連結
されて形成される。かつ上記Ｐ+型ＧａＡｓ層６の上部
にＰ型電極７が形成されてあるし、上記Ｎ型ＧａＡｓ基
板１の下部にはＮ型電極８が形成されている。そして、
上記Ｖ−チャンネルと直交する面は鏡面である。
bstrate Inner Stripe）型ＬＤの垂直断面図である。上
記ＶＳＩＳ型ＬＤはＮ型ＧａＡｓ基板１の表面にＮ型Ｇ
ａＡｓ電流制限層２が形成されている。上記Ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１と電流制御層２がメサエッチング（Mesa etchi
ng）されＶ−チャンネル（Ｖ−channel)がストライプ〓
（Stripe）形態で形成されている。又上記Ｎ型ＧａＡｓ
電流制限層２の上部へＮ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層３，
Ｐ型ＧａＡｓ層４，Ｐ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層５，Ｐ
+型ＧａＡｓ層６が順次的に積層されている。上記でＮ
型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層は第１クラッド層で、Ｐ型Ｇ
ａＡｓ層４は活性層で、Ｐ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層５
は第２クラッド層に、Ｐ+型ＧａＡｓ層６はキャップ層
に利用される。上記で第１クラッド層３は上記Ｖ−チャ
ンネルを詰めて上記Ｎ型ＧａＡｓ基板１と電気的に連結
されて形成される。かつ上記Ｐ+型ＧａＡｓ層６の上部
にＰ型電極７が形成されてあるし、上記Ｎ型ＧａＡｓ基
板１の下部にはＮ型電極８が形成されている。そして、
上記Ｖ−チャンネルと直交する面は鏡面である。
【０００４】上述した構造のＶＳＩＳ型ＬＤはＰ型電極
７とＮ型電極８の間に電圧を印加すると電極を通って注
入される電子と正孔が活性層４で再結合されて光を発生
する。上記で発生される光をＰ型ＧａＡｓ層４内に制限
するためにＰ型ＧａＡｓ層４の屈折率はＮ型ＡｌｘＧａ
ｌ−ｘＡｓ層３及びＰ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層５より
大きくてエネルギーバンドギャップ（energy band gap)
は小さく選択されなければならない。従って、化合物組
成比の条件は０＜ｘ＜１を満足しなければならない。そ
して、上記Ｖ−チャンネルの直交面は鏡面で発生された
光が吸収されないで反射又は放出する。
７とＮ型電極８の間に電圧を印加すると電極を通って注
入される電子と正孔が活性層４で再結合されて光を発生
する。上記で発生される光をＰ型ＧａＡｓ層４内に制限
するためにＰ型ＧａＡｓ層４の屈折率はＮ型ＡｌｘＧａ
ｌ−ｘＡｓ層３及びＰ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層５より
大きくてエネルギーバンドギャップ（energy band gap)
は小さく選択されなければならない。従って、化合物組
成比の条件は０＜ｘ＜１を満足しなければならない。そ
して、上記Ｖ−チャンネルの直交面は鏡面で発生された
光が吸収されないで反射又は放出する。
【０００５】上述したＶＳＩＳ−ＬＤ構造の製造方法を
簡単に説明する。Ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＮ型ＧａＡｓ
層２を形成した後メサエッチングしてＶ−チャンネルを
形成する。又、Ｎ型ＧａＡｓ層２の上部へＮ型ＡｌｘＧ
ａｌ−ｘＡｓ層３，Ｐ型ＧａＡｓ層４，Ｐ型ＡｌｘＧａ
ｌ−ｘＡｓ層５，Ｐ+型ＧａＡｓ層をＭＢＥ（Molecular
Beam Epitaxy）等の方法により順次的に形成する。そ
の次上記Ｐ+型ＧａＡｓ層６の上部へＡｕ／Ｚｎ：Ａｕ
に成ったＰ型電極７が、上記Ｎ型ＧａＡｓ基板１の下部
へＡｕ／Ｇｅ：Ｎｉ：Ａｕに成ったＮ型電極８が形成さ
れている。上記Ｐ型電極７及びＮ型電極８は上記Ｐ+型
ＧａＡｓ層６とＮ型ＧａＡｓ基板１と各々のオーム接触
（Ohmic contact)を成す。
簡単に説明する。Ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＮ型ＧａＡｓ
層２を形成した後メサエッチングしてＶ−チャンネルを
形成する。又、Ｎ型ＧａＡｓ層２の上部へＮ型ＡｌｘＧ
ａｌ−ｘＡｓ層３，Ｐ型ＧａＡｓ層４，Ｐ型ＡｌｘＧａ
ｌ−ｘＡｓ層５，Ｐ+型ＧａＡｓ層をＭＢＥ（Molecular
Beam Epitaxy）等の方法により順次的に形成する。そ
の次上記Ｐ+型ＧａＡｓ層６の上部へＡｕ／Ｚｎ：Ａｕ
に成ったＰ型電極７が、上記Ｎ型ＧａＡｓ基板１の下部
へＡｕ／Ｇｅ：Ｎｉ：Ａｕに成ったＮ型電極８が形成さ
れている。上記Ｐ型電極７及びＮ型電極８は上記Ｐ+型
ＧａＡｓ層６とＮ型ＧａＡｓ基板１と各々のオーム接触
（Ohmic contact)を成す。
【０００６】上記のように成ったＶＳＩＳ型ＬＤは電流
制限層２を成長させた後、上記の層を再び成長させる二
段階のエピタキシを経るべき問題点があった。又、鏡面
のあたりで結晶結合によるトラップ（trap) が発生され
やすい。このようなトラップはエネルギーバンドギャッ
プを狭くして高出力時鏡面がたくさんの光りを吸収する
ようになり破壊される問題点があった。又、レーザ発振
の時モード（mode) が不安定し、モードの再現性の問題
点があった。
制限層２を成長させた後、上記の層を再び成長させる二
段階のエピタキシを経るべき問題点があった。又、鏡面
のあたりで結晶結合によるトラップ（trap) が発生され
やすい。このようなトラップはエネルギーバンドギャッ
プを狭くして高出力時鏡面がたくさんの光りを吸収する
ようになり破壊される問題点があった。又、レーザ発振
の時モード（mode) が不安定し、モードの再現性の問題
点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は光出
力効率及びモード調節が安定化され再現性次元で優秀な
効果の高集積化を成すことのできるレーザダイオードア
レーを提供することにある。又、この発明の他の目的は
上記のようなレーザダイオードアレーの製造方法を提供
することにある。
力効率及びモード調節が安定化され再現性次元で優秀な
効果の高集積化を成すことのできるレーザダイオードア
レーを提供することにある。又、この発明の他の目的は
上記のようなレーザダイオードアレーの製造方法を提供
することにある。
【０００８】
【発明が解決するための手段】上記のような目的を達成
するためのこの発明の特徴はレーザダイオードアレーに
おいて、多数のＶ−チャンネルが形成された第１導電形
化合物半導体基板上のＶ−チャンネル面には第２導電形
がＶ−チャンネル面の外部領域には第１導電形になる第
１半導体層と、上記第１半導体層の上部に形成され第１
クラッド層になる第１導電形の第２半導体層と、上記第
２半導体層の上部へ形成され活性層になる第２導電形の
第３半導体層と、上記第３半導体層の上部へ形成され、
第２クラッド層になる第２導電形の第４半導体層と、上
記第４半導体層の上部へ形成されキャップ層になる第２
導電形の第５半導体層と、上記第５半導体層の上部へ形
成された第２導電形の電極と、上記第１導電形化合物半
導体基板上の下部へ形成された第１導電形の電極に成る
ことを特徴とする。
するためのこの発明の特徴はレーザダイオードアレーに
おいて、多数のＶ−チャンネルが形成された第１導電形
化合物半導体基板上のＶ−チャンネル面には第２導電形
がＶ−チャンネル面の外部領域には第１導電形になる第
１半導体層と、上記第１半導体層の上部に形成され第１
クラッド層になる第１導電形の第２半導体層と、上記第
２半導体層の上部へ形成され活性層になる第２導電形の
第３半導体層と、上記第３半導体層の上部へ形成され、
第２クラッド層になる第２導電形の第４半導体層と、上
記第４半導体層の上部へ形成されキャップ層になる第２
導電形の第５半導体層と、上記第５半導体層の上部へ形
成された第２導電形の電極と、上記第１導電形化合物半
導体基板上の下部へ形成された第１導電形の電極に成る
ことを特徴とする。
【０００９】上記の他の目的を達成するためにこの発明
はレーザダイオードアレーの製造方法において、第１導
電形化合物半導体基板をメサエッチングして多数のＶ−
チャンネルを形成する工程と、上記多数のＶ−チャンネ
ルが形成された第１導電形半導体基板の全表面に第１，
第２，第３，第４，第５半導体層を順次的に形成する工
程と、上記第５半導体層の上部へ第２導電形電極を上記
第１導電形化合物半導体基板上の下部へ第１導電形電極
を各々の形成する工程に成ることを特徴とする。
はレーザダイオードアレーの製造方法において、第１導
電形化合物半導体基板をメサエッチングして多数のＶ−
チャンネルを形成する工程と、上記多数のＶ−チャンネ
ルが形成された第１導電形半導体基板の全表面に第１，
第２，第３，第４，第５半導体層を順次的に形成する工
程と、上記第５半導体層の上部へ第２導電形電極を上記
第１導電形化合物半導体基板上の下部へ第１導電形電極
を各々の形成する工程に成ることを特徴とする。
【００１０】
【実施例】以下、添付した図面を参照としてこの発明を
詳細に説明する。図２はこの発明によるＬＤアレーの垂
直断面図である。上記｛１００｝結晶面を持つＮ型Ｇａ
Ａｓ基板１１はメサエッチングされ多数のＶ−チャンネ
ルが形成されている。上記多数のＶ−チャンネルが形成
されたＮ型ＧａＡｓ基板１１上のＶ−チャンネル面にＰ
型ＧａＡｓ層（第１半導体層１３）とＶ−チャンネル面
の外部領域にはＮ型ＧａＡｓ層（第１半導体層；１５）
が形成されてあるし、このＰ型とＮ型ＧａＡｓ層１３，
１５の上部にＮ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層（第２半導体
層；１７），Ｐ型ＧａＡｓ層（第３半導体層；１９），
Ｐ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層（第４半導体層；２１），
Ｐ+型ＧａＡｓ層（第５半導体層；２３）の構造で順次
的に積層されている。
詳細に説明する。図２はこの発明によるＬＤアレーの垂
直断面図である。上記｛１００｝結晶面を持つＮ型Ｇａ
Ａｓ基板１１はメサエッチングされ多数のＶ−チャンネ
ルが形成されている。上記多数のＶ−チャンネルが形成
されたＮ型ＧａＡｓ基板１１上のＶ−チャンネル面にＰ
型ＧａＡｓ層（第１半導体層１３）とＶ−チャンネル面
の外部領域にはＮ型ＧａＡｓ層（第１半導体層；１５）
が形成されてあるし、このＰ型とＮ型ＧａＡｓ層１３，
１５の上部にＮ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層（第２半導体
層；１７），Ｐ型ＧａＡｓ層（第３半導体層；１９），
Ｐ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層（第４半導体層；２１），
Ｐ+型ＧａＡｓ層（第５半導体層；２３）の構造で順次
的に積層されている。
【００１１】上記で｛１００｝結晶面を持つＮ型ＧａＡ
ｓ基板１１のＶ−チャンネル面は｛１１１｝Ａ結晶面へ
Ｖ−チャンネル面の外部領域は｛１００｝結晶面に形成
されている。上記｛１１１｝Ａ結晶面はＧａが露出され
るようにエッチングされた面である。従って、Ｓｉがド
ーピングされたＧａＡｓ層をＭＢＥ方法で結晶成長させ
る時Ｓｉは｛１１１｝Ａ結晶面にはＰ−ドーパント（do
pant) になり｛１００｝結晶面ではＮ−ドーパントにな
ることを利用して上記Ｖ−チャンネル面はＰ型、Ｖ−チ
ャンネル面の外部領域はＮ型になり電子の流れを制御す
るＧａＡｓ電流制限層１３，１５で利用される。又、上
記でＮ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層１７は第１クラッド層
で、Ｐ型ＧａＡｓ層１９は活性層で、Ｐ型ＡｌｘＧａｌ
−ｘＡｓ層２１は第２クラッド層で、Ｐ+型ＧａＡｓ層
２３はキャップ層に利用される。
ｓ基板１１のＶ−チャンネル面は｛１１１｝Ａ結晶面へ
Ｖ−チャンネル面の外部領域は｛１００｝結晶面に形成
されている。上記｛１１１｝Ａ結晶面はＧａが露出され
るようにエッチングされた面である。従って、Ｓｉがド
ーピングされたＧａＡｓ層をＭＢＥ方法で結晶成長させ
る時Ｓｉは｛１１１｝Ａ結晶面にはＰ−ドーパント（do
pant) になり｛１００｝結晶面ではＮ−ドーパントにな
ることを利用して上記Ｖ−チャンネル面はＰ型、Ｖ−チ
ャンネル面の外部領域はＮ型になり電子の流れを制御す
るＧａＡｓ電流制限層１３，１５で利用される。又、上
記でＮ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層１７は第１クラッド層
で、Ｐ型ＧａＡｓ層１９は活性層で、Ｐ型ＡｌｘＧａｌ
−ｘＡｓ層２１は第２クラッド層で、Ｐ+型ＧａＡｓ層
２３はキャップ層に利用される。
【００１２】上記で発生される光をＰ型ＧａＡｓ層１９
内に局限されるためにＰ型ＧａＡｓ層１９の屈折率はＮ
型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層１７及びＰ型ＡｌｘＧａｌ−
ｘＡｓ層２１より大きくてエネルギーバンドギャップは
小さく選択しなければならない。従って化合物組成比の
条件は０＜ｘ＜１を満足しなければならない。又、上記
Ｖ−チャンネル面の外部領域は上記Ｐ型ＧａＡｓ層１９
で発生される光のモードを安定化させる。上記Ｐ+型Ｇ
ａＡｓ層２３の上部へＡｕ／Ｚｎ：Ａｕに成ったＰ型電
極２５が、上記Ｎ型ＧａＡｓ基板１１の下部へＡｕ／Ｇ
ｅ：Ｎｉ：Ａｕに成ったＮ型電極２７が形成されてい
る。上記Ｐ型電極２５及びＮ型電極２７は上記Ｐ+型Ｇ
ａＡｓ層２３とＮ型ＧａＡｓ基板１１と各々オーム接触
を成す。
内に局限されるためにＰ型ＧａＡｓ層１９の屈折率はＮ
型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層１７及びＰ型ＡｌｘＧａｌ−
ｘＡｓ層２１より大きくてエネルギーバンドギャップは
小さく選択しなければならない。従って化合物組成比の
条件は０＜ｘ＜１を満足しなければならない。又、上記
Ｖ−チャンネル面の外部領域は上記Ｐ型ＧａＡｓ層１９
で発生される光のモードを安定化させる。上記Ｐ+型Ｇ
ａＡｓ層２３の上部へＡｕ／Ｚｎ：Ａｕに成ったＰ型電
極２５が、上記Ｎ型ＧａＡｓ基板１１の下部へＡｕ／Ｇ
ｅ：Ｎｉ：Ａｕに成ったＮ型電極２７が形成されてい
る。上記Ｐ型電極２５及びＮ型電極２７は上記Ｐ+型Ｇ
ａＡｓ層２３とＮ型ＧａＡｓ基板１１と各々オーム接触
を成す。
【００１３】上記Ｐ型ＧａＡｓ層１９の丸い部分Ｏは発
光領域２９になる。３，４，５図はこの発明によるＬＤ
アレーの製造工程図である。図３を参照すると、｛１０
０｝結晶面を持つＮ型ＧａＡｓ基板１１上にメサエッチ
ングし多数のＶ−チャンネルを形成する。この時、Ｖ−
チャンネルを形成するための化学薬品、即ち、エッチン
グ液（etchant)としては燐酸と過酸化水素を使用したエ
ッチング液のＨ3ＰＯ4：Ｈ2Ｏ2＝１：１０の混合液を使
用してエッチングする。上記Ｖ−チャンネによりＧａが
露出された面は｛１１１｝Ａ結晶面を持つ。
光領域２９になる。３，４，５図はこの発明によるＬＤ
アレーの製造工程図である。図３を参照すると、｛１０
０｝結晶面を持つＮ型ＧａＡｓ基板１１上にメサエッチ
ングし多数のＶ−チャンネルを形成する。この時、Ｖ−
チャンネルを形成するための化学薬品、即ち、エッチン
グ液（etchant)としては燐酸と過酸化水素を使用したエ
ッチング液のＨ3ＰＯ4：Ｈ2Ｏ2＝１：１０の混合液を使
用してエッチングする。上記Ｖ−チャンネによりＧａが
露出された面は｛１１１｝Ａ結晶面を持つ。
【００１４】図４を参照すると、上記多数のＶ−チャン
ネルが形成されたＮ型ＧａＡｓ基板１１上にＰ型及びＮ
型ＧａＡｓ層１３，１５，Ｎ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層
１７，Ｐ型ＧａＡｓ層１９，Ｐ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ
層２１及びＰ+型ＧａＡｓ層２３を６００〜８００℃の
混度でＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）方法により順
次的に形成する。特に、ＭＢＥは結晶層を成長させるこ
とにおいて厚さの制御面で精密度が優秀である。上記Ｓ
ｉがドーピングされたＧａＡｓ層１３，１５をＭＢＥで
結晶成長を行う時Ｓｉ−ドーパントが｛１００｝結晶面
上ではＮ型ドーパントになり、｛１１１｝Ａ結晶面上で
はＰ型ドーパントになるので上記Ｖ−チャンネル面の
｛１１１｝Ａ結晶面上にはＰ型ＧａＡｓ層１３が形成さ
れ、Ｖ−チャンネル面の外部領域の〓｛１００｝結晶面
上にはＮ型ＧａＡｓ層１５が形成される。
ネルが形成されたＮ型ＧａＡｓ基板１１上にＰ型及びＮ
型ＧａＡｓ層１３，１５，Ｎ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層
１７，Ｐ型ＧａＡｓ層１９，Ｐ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ
層２１及びＰ+型ＧａＡｓ層２３を６００〜８００℃の
混度でＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）方法により順
次的に形成する。特に、ＭＢＥは結晶層を成長させるこ
とにおいて厚さの制御面で精密度が優秀である。上記Ｓ
ｉがドーピングされたＧａＡｓ層１３，１５をＭＢＥで
結晶成長を行う時Ｓｉ−ドーパントが｛１００｝結晶面
上ではＮ型ドーパントになり、｛１１１｝Ａ結晶面上で
はＰ型ドーパントになるので上記Ｖ−チャンネル面の
｛１１１｝Ａ結晶面上にはＰ型ＧａＡｓ層１３が形成さ
れ、Ｖ−チャンネル面の外部領域の〓｛１００｝結晶面
上にはＮ型ＧａＡｓ層１５が形成される。
【００１５】上記のように成ったＮ型及びＰ型ＧａＡｓ
層１３，１５は電流制限層に利用される。上記電流制限
層１３，１５は電子がＶ−チャンネル面では通過するこ
とができないで、Ｖ−チャンネルの間の領域へだけ通過
させる電子の流れを制御した役割をする。上記Ｎ型Ａｌ
ｘＧａｌ−ｘＡｓ層１７は第１クラッド層に、Ｐ型Ａｌ
ｘＧａｌ−ｘＡｓ層２１は第２クラッド層で利用される
ものでＳｉ又はＴｅ等の不純物が５×１０16〜５×１０
17イオン／cm3程でドーピングされ１μｍ程の厚さで各
々形成される。又上記Ｐ型ＧａＡｓ層１９は活性層に利
用されるもので０．２μｍ程の厚さで形成される。そし
てＰ+型ＧａＡｓ層２３はキャップ層で利用されるもの
でＳｉ又はＴｅ等の不純物が１×１０19イオン／cm3程
の高濃度でドーピングされて０．５μｍ程の厚さで形成
する。
層１３，１５は電流制限層に利用される。上記電流制限
層１３，１５は電子がＶ−チャンネル面では通過するこ
とができないで、Ｖ−チャンネルの間の領域へだけ通過
させる電子の流れを制御した役割をする。上記Ｎ型Ａｌ
ｘＧａｌ−ｘＡｓ層１７は第１クラッド層に、Ｐ型Ａｌ
ｘＧａｌ−ｘＡｓ層２１は第２クラッド層で利用される
ものでＳｉ又はＴｅ等の不純物が５×１０16〜５×１０
17イオン／cm3程でドーピングされ１μｍ程の厚さで各
々形成される。又上記Ｐ型ＧａＡｓ層１９は活性層に利
用されるもので０．２μｍ程の厚さで形成される。そし
てＰ+型ＧａＡｓ層２３はキャップ層で利用されるもの
でＳｉ又はＴｅ等の不純物が１×１０19イオン／cm3程
の高濃度でドーピングされて０．５μｍ程の厚さで形成
する。
【００１６】上記Ｐ型ＧａＡｓ層１９の丸い部分Ｏは発
光領域２９を示したものである。図５を参照すると上記
Ｐ+型ＧａＡｓ層２３上部へＰ型電極２５を、Ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１１上の下部へＮ型電極２７を各々形成する。
上記でＰ型電極２５はＡｕ／Ｚｎ：Ａｕに成った合金が
使用され、Ｎ型電極２７はＡｕ／Ｇｅ：Ｎｉ：Ａｕに成
った合金が使用され各々オーム接触を成す。上述したよ
うにＳｉがドーピングされたＧａＡｓ層をＭＢＥで結晶
成長を行う時Ｓｉが｛１１１｝Ａ結晶面にＰ−ドーパン
トで、｛１００｝結晶面でＮ−ドーパントで作用するこ
とを利用したもので多数のＶ−チャンネルを持つレーザ
ダイオードアレーは互に近接した各々のレーザ素子から
出力されるビーム（beam) が相互結合されて全体の放射
ビームを単一凝集即ち、位相固定された高出力特性を持
つようになる。
光領域２９を示したものである。図５を参照すると上記
Ｐ+型ＧａＡｓ層２３上部へＰ型電極２５を、Ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１１上の下部へＮ型電極２７を各々形成する。
上記でＰ型電極２５はＡｕ／Ｚｎ：Ａｕに成った合金が
使用され、Ｎ型電極２７はＡｕ／Ｇｅ：Ｎｉ：Ａｕに成
った合金が使用され各々オーム接触を成す。上述したよ
うにＳｉがドーピングされたＧａＡｓ層をＭＢＥで結晶
成長を行う時Ｓｉが｛１１１｝Ａ結晶面にＰ−ドーパン
トで、｛１００｝結晶面でＮ−ドーパントで作用するこ
とを利用したもので多数のＶ−チャンネルを持つレーザ
ダイオードアレーは互に近接した各々のレーザ素子から
出力されるビーム（beam) が相互結合されて全体の放射
ビームを単一凝集即ち、位相固定された高出力特性を持
つようになる。
【００１７】
【発明の効果】この発明は多数のＶ−チャンネルが形成
されたＮ型ＧａＡｓ基板を利用してＶ−チャンネルによ
るＬＤアレーを形成することにより従来の平面構造の上
に発光領域と絶縁領域を交代で具現したＬＤアレーでは
期待しにくい光出力効率及びモード調節が安定化され収
率向上といっしょに素子の再現性が優秀な利点がある。
又、一度のエピタキシ成長を行うことにより製造工程が
容易な利点がある。又、この発明の実施例をＧａＡｓ系
列物質で見えたがＩｎＰ系列半導体がＧａＡｓ系列の代
りに使用されることもできる。
されたＮ型ＧａＡｓ基板を利用してＶ−チャンネルによ
るＬＤアレーを形成することにより従来の平面構造の上
に発光領域と絶縁領域を交代で具現したＬＤアレーでは
期待しにくい光出力効率及びモード調節が安定化され収
率向上といっしょに素子の再現性が優秀な利点がある。
又、一度のエピタキシ成長を行うことにより製造工程が
容易な利点がある。又、この発明の実施例をＧａＡｓ系
列物質で見えたがＩｎＰ系列半導体がＧａＡｓ系列の代
りに使用されることもできる。
【図１】従来のＶＳＩＳ型レーザダイオードの垂直断面
図。
図。
【図２】本発明の一実施例によるレーザダイオードアレ
ーの垂直断面図。
ーの垂直断面図。
【図３】本発明の一実施例によるレーザダイオードアレ
ーの製造工程図である。
ーの製造工程図である。
【図４】本発明の一実施例によるレーザダイオードアレ
ーの製造工程図である。
ーの製造工程図である。
【図５】本発明の一実施例によるレーザダイオードアレ
ーの製造工程図である。
ーの製造工程図である。
１１ Ｎ型ＧａＡｓ基板 １３ Ｐ型ＧａＡｓ層 １５ Ｎ型ＧａＡｓ層 １７ Ｎ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層 １９ Ｐ型ＧａＡｓ層 ２１ Ｐ型ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層 ２３ Ｐ+型ＧａＡｓ層 ２５ Ｐ型電極 ２７ Ｎ型電極 ２９ 発光領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−180086（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−67286（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】 レーザダイオードアレーにおいて、多数
のＶ−チャンネルが形成された第１導電形化合物半導体
基板上のＶ−チャンネル面には第２導電形がＶ−チャン
ネル面の外部領域には第１導電形になる第１半導体層
と、上記第１半導体層の上部へ形成され第１クラッド層
になる第１導電形の第２半導体層と、上記第２半導体層
の上部へ形成され活性層になる第２導電形の第３半導体
層と、上記第３半導体層の上部へ形成され第２クラッド
層になる第２導電形の第３半導体層と、上記第３半導体
層の上部へ形成され第２クラッド層になる第２導電形の
第４半導体層と、上記第４半導体層の上部へ形成されキ
ャップ層になる第２導電形の第５半導体層と、上記第５
半導体層の上部へ形成された第２導電形の電極と、上記
第１導電形化合物半導体基板上の下部へ形成された第１
導電形の電極に成ることを特徴とするレーザダイオード
アレー。 - 【請求項２】 上記第１導電形化合物半導体基板はＧａ
Ａｓであることを特徴とする請求項１記載のレーザダイ
オードアレー。 - 【請求項３】 上記第１導電形はＮ型であり、第２導電
形はＰ型であることを特徴とする請求項１記載のレーザ
ダイオードアレー。 - 【請求項４】 上記第１導電形化合物半導体基板は｛１
００｝結晶面であることを特徴とする請求項１記載のレ
ーザダイオードアレー。 - 【請求項５】 上記Ｖ−チャンネル面は｛１１１｝Ａ結
晶面、Ｖ−チャンネル面の外部領域は｛１００｝結晶面
であることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオー
ドアレー。 - 【請求項６】 レーザダイオードアレーの製造方法にお
いて、Ｎ型化合物半導体基板をメサエッチングして多数
のＶ−チャンネルを形成する工程と、上記多数のＶ−チ
ャンネルが形成されたＮ型半導体基板の全表面に第１，
第２，第３，第４，第５半導体層を順次的に形成する工
程と、上記第５半導体層の上部へ第２導電形電極を上記
Ｎ型化合物半導体基板上の下部へ第１導電形電極を各々
の形成する工程に成ることを特徴とするレーザダイオー
ドアレーの製造方法。 - 【請求項７】 上記半導体層はＭＢＥ方法に形成するこ
とを特徴とする請求項６記載のレーザダイオードアレー
の製造方法。 - 【請求項８】 上記第１半導体層はＳi がドーピングさ
れたＧａＡｓ層であることを特徴とする請求項６記載の
レーザダイオードアレーの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1991-2034 | 1991-02-06 | ||
| KR1019910002034A KR940005764B1 (ko) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | 레이저 다이오드 어레이 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102595A JPH05102595A (ja) | 1993-04-23 |
| JPH0719934B2 true JPH0719934B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=19310814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3142785A Expired - Fee Related JPH0719934B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-05-20 | レーザダイオードアレー及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5163064A (ja) |
| JP (1) | JPH0719934B2 (ja) |
| KR (1) | KR940005764B1 (ja) |
| DE (1) | DE4116530C2 (ja) |
| FR (1) | FR2672433B1 (ja) |
| GB (1) | GB2252872B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW347597B (en) * | 1994-01-31 | 1998-12-11 | Mitsubishi Chem Corp | Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode |
| US5814839A (en) * | 1995-02-16 | 1998-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device having a current adjusting layer and a uneven shape light emitting region, and method for producing same |
| US5898211A (en) * | 1996-04-30 | 1999-04-27 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode package with heat sink |
| US5734672A (en) * | 1996-08-06 | 1998-03-31 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Smart laser diode array assembly and operating method using same |
| JPH10200204A (ja) * | 1997-01-06 | 1998-07-31 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、その製造方法およびこれを用いた面発光型半導体レーザアレイ |
| US5913108A (en) * | 1998-04-30 | 1999-06-15 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
| US6636538B1 (en) * | 1999-03-29 | 2003-10-21 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
| US6700913B2 (en) | 2001-05-29 | 2004-03-02 | Northrop Grumman Corporation | Low cost high integrity diode laser array |
| US7170919B2 (en) | 2003-06-23 | 2007-01-30 | Northrop Grumman Corporation | Diode-pumped solid-state laser gain module |
| US7305016B2 (en) * | 2005-03-10 | 2007-12-04 | Northrop Grumman Corporation | Laser diode package with an internal fluid cooling channel |
| US7656915B2 (en) * | 2006-07-26 | 2010-02-02 | Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. | Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction |
| US20080056314A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Northrop Grumman Corporation | High-power laser-diode package system |
| US7724791B2 (en) * | 2008-01-18 | 2010-05-25 | Northrop Grumman Systems Corporation | Method of manufacturing laser diode packages and arrays |
| US8345720B2 (en) | 2009-07-28 | 2013-01-01 | Northrop Grumman Systems Corp. | Laser diode ceramic cooler having circuitry for control and feedback of laser diode performance |
| US9590388B2 (en) | 2011-01-11 | 2017-03-07 | Northrop Grumman Systems Corp. | Microchannel cooler for a single laser diode emitter based system |
| FR2973225B1 (fr) * | 2011-03-31 | 2013-08-30 | Lvmh Rech | Particules de pigment |
| US8937976B2 (en) | 2012-08-15 | 2015-01-20 | Northrop Grumman Systems Corp. | Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4803691A (en) * | 1985-05-07 | 1989-02-07 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Lateral superradiance suppressing diode laser bar |
| US4786918A (en) * | 1985-12-12 | 1988-11-22 | Xerox Corporation | Incoherent, optically uncoupled laser arrays for electro-optic line modulators and line printers |
| US4839307A (en) * | 1986-05-14 | 1989-06-13 | Omron Tateisi Electronics Co. | Method of manufacturing a stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement |
| US4932033A (en) * | 1986-09-26 | 1990-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same |
| JPH0834330B2 (ja) * | 1988-03-22 | 1996-03-29 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1991
- 1991-02-06 KR KR1019910002034A patent/KR940005764B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-05-10 US US07/698,656 patent/US5163064A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-20 JP JP3142785A patent/JPH0719934B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-21 DE DE4116530A patent/DE4116530C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-21 FR FR9106089A patent/FR2672433B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-21 GB GB9110970A patent/GB2252872B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2672433A1 (fr) | 1992-08-07 |
| US5163064A (en) | 1992-11-10 |
| KR940005764B1 (ko) | 1994-06-23 |
| KR920017309A (ko) | 1992-09-26 |
| DE4116530C2 (de) | 1995-04-20 |
| GB9110970D0 (en) | 1991-07-10 |
| FR2672433B1 (fr) | 1994-04-01 |
| GB2252872B (en) | 1995-07-05 |
| JPH05102595A (ja) | 1993-04-23 |
| GB2252872A (en) | 1992-08-19 |
| DE4116530A1 (de) | 1992-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4809287A (en) | Double-heterostructure semiconductor with mesa stripe waveguide | |
| US4839307A (en) | Method of manufacturing a stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement | |
| US4675875A (en) | Surface emitting semiconductor laser | |
| JPH0719934B2 (ja) | レーザダイオードアレー及びその製造方法 | |
| US4716125A (en) | Method of producing semiconductor laser | |
| JPH05218586A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| US5149670A (en) | Method for producing semiconductor light emitting device | |
| US5173913A (en) | Semiconductor laser | |
| Bar‐Chaim et al. | Monolithic integration of a GaAlAs buried‐heterostructure laser and a bipolar phototransistor | |
| JPH11284280A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPH11274645A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| JPS6258557B2 (ja) | ||
| US4841535A (en) | Semiconductor laser device | |
| CN114498295B (zh) | 一种带增益耦合光栅的dfb激光器及其制备方法 | |
| JPS61253882A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2536044B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| KR100493145B1 (ko) | GaN계레이저다이오드 | |
| KR950011996B1 (ko) | 레이저다이오드의 제조방법 | |
| JP2878709B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3421515B2 (ja) | 面型光半導体素子及びその製造方法 | |
| KR940011276B1 (ko) | 레이저다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP2547458B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPS60132381A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6244715B2 (ja) | ||
| JPH0227829B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080306 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100306 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |