JPH07193273A - 光学素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 発光部と受光素子とを有する光学素子を相互
に充分近接して簡単に安定して形成でき、光ピックアッ
プ装置等に適用して、受光素子における受光光量の増大
化をはる。 【構成】 半導体基板９の一主面に、所定の結晶軸方向
に延びる第１の溝Ｇ₁ を形成する工程と、上記主面に半
導体レーザと受光素子とを構成する複数の半導体層を順
次エピタキシャル成長して、第１の溝Ｇ₁ を挟んでその
各外側に第１と第２の積層半導体部Ｓ₁ ，Ｓ₂ とを夫々
形成すると共に半導体部Ｓ₂ の半導体部Ｓ₁ と対向する
側面２７を特定の傾斜結晶面によって形成するエピタキ
シャル成長工程と、半導体部Ｓ₁ から溝Ｇ₁ に渡りこれ
に沿って側面２７に対向する垂直側面２８を形成する第
２の溝Ｇ₂ を形成する工程とを採って、半導体部Ｓ₁ に
よって垂直側面２８を一方の共振器端面とする半導体レ
ーザＬＤを構成し、半導体部Ｓ₂ によって受光素子例え
ばフォトダイオードＰＤを構成し、側面２７によって反
射鏡を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学素子例えば発光部
からの光を光記録媒体例えば光ディスク、光磁気ディス
ク等の被照射部に照射し、これよりの反射による戻り光
を受光検出する光学素子の製造方法に係わる。

【０００２】

【従来の技術】従来の例えばいわゆるコンパクトディス
ク（ＣＤ）プレーヤー等の光ディスクドライブや光磁気
ディスクドライブの光ピックアップ装置等の光学装置で
は、グレーティングやビームスプリッタ等の各光学部品
を個別に組み立てるため装置全体の構成が複雑となり、
また光学的な配置設定が煩雑で量産性に劣るという問題
がある。

【０００３】光記録媒体例えば光ディスクに対する光ピ
ックアップ装置は、図８にその一例の略線的拡大構成図
を示すように、半導体レーザダイオード等の光源５１か
ら出射された光は、グレーティング５２を介してビーム
スプリッタ５３に導入されて透過し、コリメータレンズ
５４を介して対物レンズ５５により光記録媒体５６の光
ディスクの記録部に集光するようになされる。図８にお
いて一点鎖線ｃは光源５１から光記録媒体５６への光軸
を示す。

【０００４】そして、光記録媒体５６から反射した光
は、対物レンズ５５、コリメータレンズ５４を介してビ
ームスプリッタ５３により反射されて、光軸ｃから分離
され、側方に設けられた凹レンズ５７及びシリンドリカ
ルレンズ５８を通じてフォトダイオード（ＰＤ）等のデ
ィテクタ５９に集光されて検出される。

【０００５】或いはまた他の光学装置としては、例えば
図９に反射型の光走査顕微鏡の光ピックアップ部の一例
の構成を示すように、光源５１から出射した光をビーム
スプリッタ５３で反射させて、対物レンズ５５により試
料６０の表面に集光照射する。６１は焦平面を示す。そ
して試料６０で反射した光を、対物レンズ５５を介して
ビームスプリッタ５３を透過させ、共焦点位置にディテ
クタを配置するか或いはピンホール６２を配してここを
通過した光をその後方に配置したディテクタ５９により
検出する。このとき矢印ｓで示すように、試料６０を配
置するステージ（載置台）か又は照射ビームを相対的に
走査させて、試料表面の状態を検出することができる。

【０００６】上述した従来のピックアップ系の光学装置
では、反射光が出射位置すなわち光源に戻ることを回避
して、上述したように、光源と被照射部との間にビーム
スプリッタを配置するとか、特開平１−３０３６３８号
公開公報に開示されるようにホログラムを配置するなど
の構成が採られて、被照射部に向かう光路から反射光す
なわち光源への戻り光を分離する構成とされる。しかし
ながら、この場合、受光素子が受ける光量が小さくな
る。

【０００７】また、例えば特開平２−２７８７７９号公
開公報に開示されているように、上述の光学ピックアッ
プ装置を同一のＳｉ等の半導体基板上にハイブリッドに
組み立てようとすると、厳しいアライメント精度が必要
となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、発光部と受
光素子とを有してなる光学素子の製造方法に係わり、光
学装置例えば光ピックアップ系の光学装置に適用して、
全体の構成の簡潔化をはかり、全体の小型化をはかると
共に、製造の簡略化、信頼性の向上をはかり、更に受光
素子への戻り光の光量すなわち受光光量の増大化をはか
って、出力の向上、ひいては発光光源の低パワー化した
がって消費電力の低減化をはかることができるようにす
るものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１の本発明は、図１に
その一例の工程図を示すように、図１Ａに示すように、
半導体基板９の一主面に、所定の結晶軸方向に延びる第
１の溝Ｇ₁ を形成する工程と、図１Ｂに示すように、上
記主面に少なくとも最終的に半導体レーザと受光素子と
を構成する複数の半導体層を順次エピタキシャル成長し
て、第１の溝Ｇ ₁ を挟んでその各外側に第１の積層半導
体部Ｓ₁ と第２の積層半導体部Ｓ₂ とを形成するととも
に少なくとも第２の積層半導体部Ｓ₂ の、第１の積層半
導体部Ｓ ₁ と対向する側面２７を特定の傾斜結晶面によ
って形成するエピタキシャル成長工程と、図１Ｃに示す
ように、第１の積層半導体部Ｓ₁ から第１の溝Ｇ₁ に渡
り第１の溝Ｇ₁ に沿って傾斜側面２７に対向する垂直側
面２８を形成する第２の溝Ｇ₂ を形成する工程とを採
る。

【００１０】このようにして、半導体基板９上に少なく
とも第１の積層半導体部Ｓ₁ によって第２の溝Ｇ₂ の垂
直側面２８を一方の共振器端面とする半導体レーザＬＤ
を構成し、少なくとも第２の積層半導体部Ｓ₂ によって
受光素子例えばフォトダイオードＰＤを構成し、特定の
傾斜結晶面による側面２７によって反射鏡７を形成し
て、共通の半導体基板９上に、半導体レーザＬＤと反射
鏡７による発光部１と、受光素子４とが一体に構成され
た光学素子２１を形成する。

【００１１】第２の本発明は、図２にその一例の工程図
を示すように、図２Ａに示すように、半導体基板９の一
主面に、所定の結晶軸方向に延びるマスクパターン２９
を形成する工程と、図２Ｂに示すように、上記主面にマ
スクパターン２９以外に選択的エピタキシーによって少
なくとも最終的に半導体レーザと受光素子とを構成する
複数の半導体層をエピタキシャル成長して、マスクパタ
ーン２９の形成位置を挟んでその各外側に第１の積層半
導体部Ｓ₁ と第２の積層半導体部Ｓ₂ とを形成するとと
もに少なくとも第１の積層半導体部Ｓ₁ の第２の積層半
導体部Ｓ₂ と対向する側面７Ｓ₂ を特定の傾斜結晶面に
よって形成するエピタキシャル成長工程と、図２Ｃに示
すように、第１の積層半導体部Ｓ₁ の第２の積層半導体
部Ｓ₂ との対向部側にマスクパターン２９に沿って傾斜
側面に対向する垂直側面２８を形成する溝を形成する工
程とを経て、共通の半導体基板９上に少なくとも第１の
積層半導体部Ｓ₁ によって第２の溝Ｇ₂ の垂直側面２８
を一方の共振器端面とする半導体レーザＬＤを構成し、
少なくとも第２の積層半導体部Ｓ₂ によって受光素子４
例えばフォトダイオードＰＤを構成し、特定の傾斜結晶
面による側面２７によって反射鏡７を形成し、共通の半
導体基板９上に、半導体レーザＬＤと反射鏡７による発
光部１と、受光素子４とが一体に構成された光学素子２
１を形成する。

【００１２】

【作用】本発明方法で作成した光学素子２１は、発光部
１からの発光光を被照射部に照射させ、被照射部からの
反射による被照射部による情報を含んだ発光部１に向か
う戻り光自体を受光素子４によって受光させるものであ
る。

【００１３】そして、本発明の光学素子２１の製造方法
によれば、共通の半導体基板９上にエピタキシーによっ
て発光部１と、受光素子４とを同時に形成するものであ
り、また両者の形成は溝Ｇ₁ もしくはマスクパターンに
よる分離された第１および第２の積層半導体部Ｓ₁ およ
びＳ₂ によって形成するので、簡潔にしかも第１および
第２の積層半導体部Ｓ₁ およびＳ₂ を充分近接して形成
でき、少なくとも受光素子４例えばフォトダイオードＰ
Ｄを形成する第２の積層半導体部Ｓ₂ 側に反射鏡７を形
成するようにしたので、発光部１の実質的発光位置に受
光素子４を充分近づけて構成できることから確実に上述
の戻り光を効率良く受光することができる。

【００１４】

【実施例】本発明による実施例を説明するに先立って本
発明製造方法によって得る光学素子を用いる光学装置の
実施例を図３を参照して詳細に説明する。図３の例で
は、被照射部２が例えば光記録媒体、すなわち例えば記
録情報が凹凸ピットとして記録されている光ディスクで
あって、読み出し光の照射によってピットにおける光の
回折による反射光の強弱によって記録情報の再生を行う
光ピックアップ装置に適用した場合の概略構成を示した
ものである。

【００１５】この場合、発光部１と、上述した光ディス
クよりなる被照射部２と、収束手段３と、受光素子４と
を有し、収束手段３によって発光部１からの出射光を被
照射部２に収束照射し、更にこの被照射部２から反射さ
れた戻り光を収束させ、この収束手段３の被照射部２か
ら戻り光に関する共焦点近傍に受光素子４を配置する。
この構成で、発光部１からの出射光が、被照射部２にお
いて反射される前および後において、その光軸を鎖線ａ
で示すように、互いに同軸の経路を通過して受光素子４
において受光される構成する。

【００１６】発光部１と受光素子４とを共通の基板９上
に一体化した構造としたものである。発光部１は、水平
共振器を有する半導体レーザ８と、反射鏡７とを有する
構成とし、受光部はフォトダイオードより構成した。半
導体レーザ８は、水平共振器を有する構成で、これから
の出射光を反射鏡７によって反射させて被照射部２に向
かう経路に一致させている。

【００１７】そして、受光素子４において受光される光
は、光回折限界近傍まで収束させるものであり、受光素
子４はその少なくとも一部の受光面が、この光回折限界
内、すな発光部１からの出射光の波長をλ、収束手段３
の開口数をＮＡとするとき、受光面の配置基準面Ｓを横
切る発光部１からの出射光の光軸ａからの距離が１．２
２λ／ＮＡ以内の位置に設けられるようにする。

【００１８】受光素子４の受光面の配置基準面Ｓでの発
光部１の出射光の直径φｓを、上記光回折限界の直径φ
ｄより小とし、受光部１の有効受光面は、発光の直径φ
ｓ外に位置するようにする。ここで発光部１の光源とし
て半導体レーザを用いると、その出射光の直径φｓは、
約１〜２μｍ程度とすることができる。一方、収束手段
３の開口数ＮＡが例えば０．０９〜０．１、出射光の波
長λが７８０ｎｍ程度の場合、回折限界すなわちφｄは
１．２２λ／ＮＡ≒１０μｍ程度となる。

【００１９】そして、収束手段３の一の焦点位置に発光
部１を配置する。具体的にはこの焦点位置に半導体レー
ザからの出射光のウエストが位置するようにする。そし
て収束手段３の他方の焦点に被照射部２が位置するよう
にする。

【００２０】この構成において、発光部１からの出射光
を収束手段３すなわち集光光学レンズを介してその共焦
点位置に配置した被照射部２の光ディスクに照射する。
このようにすると、この光ディスクに照射されてこの光
ディスクから反射されたすなわち記録情報を含んで反射
した戻り光は再び収束手段３によって集光され発光部１
に近接して配置されることによって共焦点位置近傍に配
置された受光素子４のフォトダイオードに入射し、この
戻り光が受光素子４で受光検出される。すなわち電気信
号に変換され、再生信号として取り出される。

【００２１】このとき、受光部１のフォトダイオードの
受光面を、光軸ａからの距離がφｓ／２より大で少なく
ともφｄ／２以内にある領域を含む位置に配置すれば、
受光部２によって被照射部２すなわち光ディスクからの
戻り光を出射光と確実に分離して検出することができる
ことになる。

【００２２】図３に示した例では、被照射部２が例えば
光ディスクである場合について説明したが、本発明によ
る光学装置は、被照射部２が例えば光磁気ディスクであ
ってこれに磁気的に記録された信号をカー効果によって
読みだす光ピックアップ装置とすることもできる。この
場合は図示しないが、例えば発光部１から被照射部２に
向かう光路および被照射部２から反射されて戻る光路上
に偏光手段、いわゆる偏光子を配置し、一方受光素子４
上の発光部１からの出射光の光路を避けた位置に検光手
段いわゆる検光子を対向配置する。

【００２３】この構成によれば、被照射部２の光磁気デ
ィスクに照射された光が記録情報に応じたカー効果によ
ってその偏光面が回転して戻り光となって戻るので、そ
のカー回転角に応じて検光手段を通過する光量が変化す
る。したがって、受光素子４によってこれを検出すれ
ば、光磁気ディスク上の記録を再生できることになる。

【００２４】また、収束手段３は、例えば例えばコリメ
ータレンズ構成とするなど光学系の設計に応じて種々の
構成をとることができる。

【００２５】本発明は、上述した被照射部２の光記録媒
体に対する再生ピックアップ等の光学装置に用いる少な
くとも発光素子１とその受光素子４とによって構成され
る光学素子２１の製造方法である。

【００２６】第１の本発明による光学素子の製造方法の
実施例を説明する。図１にその一例の工程図を示すよう
に、図１Ａに示すように、第１の導電型例えばｎ型の
｛１００｝結晶面のＧａＡｓ、あるいはＩｎＰ化合物半
導体基板による半導体基板９用意し、その一主面に、所
定の結晶軸方向すなわち［０１１］、［０−１１］ある
いは［００１］結晶軸方向に延びる幅が２μｍ以下の第
１の溝Ｇ₁ を形成する。

【００２７】そして、図１Ｂに示すように、基板９上に
例えばＭＯＣＶＤ（Metal OrganicChemical Vapor Depo
sition)によって例えばＡｌＧａＡｓによる第１導電型
のｎ型の第１のクラッド層２２、例えばＧａＡｓ或いは
クラッド層２２に比し低Ａｌ濃度のＡｌＧａＡｓ等によ
る活性層２３、第２の導電型の例えばｐ型のＡｌＧａＡ
ｓによる第２のクラッド層２４、これと同導電型の例え
ばＧａＡｓによるキャップ層２５を順次エピタキシャル
成長して第１の溝Ｇ₁ を挟んでその各外側に第１の積層
半導体部Ｓ₁ と第２の積層半導体部Ｓ₂ とを形成すると
ともに少なくとも第２の積層半導体部Ｓ₂ の、第１の積
層半導体部Ｓ₁ と対向する側面２７を特定の傾斜結晶面
によって形成する。

【００２８】この場合の溝Ｇ₁ を挟んでその両側に形成
される第１の積層半導体部Ｓ₁ と第２の積層半導体部Ｓ
₂ の互いに対向する側面すなわち少なくとも第２の積層
半導体部Ｓ₂ の側面２７は溝Ｇ₁ の延長方向すなわちこ
の側面２７の延長方向が［０１１］、［０−１１］であ
る場合は、基板９の面に対して５４．７°をもって傾斜
する（１１１）Ｂ面、（１１１）Ａ面であり、側面２７
の延長方向が［００１］方向である場合は、基板９の面
に対して４５°をもって傾斜する（１１０）面の特定さ
れた結晶面によるすなわち原子オーダの優れた平面とな
る。

【００２９】次に、図１Ｂに示すように、第１の積層半
導体部Ｓ₁ の傾斜側面に開口３０Ｗを形成したフォトレ
ジスト等のエッチングマスク層３０を被着形成する。

【００３０】そして、図１Ｃに示すように、マスク層３
０の開口３０Ｗを通じて第１の積層半導体部Ｓ₁ の傾斜
側面を第１の溝Ｇ₁ に渡ってＲＩＥ（反応性エッチン
グ）等の異方性エッチングによってエッチングして第１
の溝Ｇ₁ に沿って第２の溝Ｇ₂を形成して傾斜側面２７
に対向する垂直側面２８を形成する。この場合の第２の
溝Ｇ₂ の幅は例えば３μｍ以下とする。

【００３１】このようにして、半導体基板９上に少なく
とも第１の積層半導体部Ｓ₁ によって第２の溝Ｇ₂ の垂
直側面２８を一方の共振器端面とする半導体レーザＬＤ
を構成し、少なくとも第２の積層半導体部Ｓ₂ によって
よってキャップ層２５の一部をエッチング除去して図５
にその断面図を示すように、受光窓２５Ｗを形成し、半
導体レーザＬＤを構成する半導体層２３、２２、２１に
よるｐｉｎ型のフォトダイオードＰＤによる受光素子４
を構成し、特定の傾斜結晶面による側面２７によって反
射鏡７を形成して、共通の半導体基板９上に、半導体レ
ーザＬＤと反射鏡７による発光部１と、受光素子４とが
一体に構成された光学素子２１を形成する。

【００３２】また、例えば図４にその概略斜視図を示す
ように、第１の積層半導体部Ｓ₁ の、最終的に半導体レ
ーザのストライプ状の水平共振器を構成する部分を挟ん
でその両側に例えばｎ型の不純物を拡散して電流阻止層
３０を形成し、このストライプ部上に半導体レーザの一
方の電極３１を、また第２の積層半導体部Ｓ₂ のフォト
ダイオードＰＤ上に一方の電極３２をオーミックに被着
し、基板９の裏面に共通の電極３３をオーミックに被着
形成する。

【００３３】次に、第２の本発明による光学素子の製造
方法の一実施例を説明する。この場合、図２Ａに示すよ
うに、上述の実施例と同様に、第１の導電型例えばｎ型
の｛１００｝結晶面のＧａＡｓ、あるいはＩｎＰ化合物
半導体基板による半導体基板９用意し、その一主面に、
前述の第１の本発明による製造方法における第１の溝Ｇ
₁ の形成に代えてＳｉＮ、ＳｉＯ₂ 等による後述する選
択的エピタキシーのマスクとなる絶縁性のマスクパター
ン２９を所定の結晶軸方向すなわち［０１１］、［０−
１１］あるいは［００１］結晶軸方向に延びる幅が２μ
ｍ以下をもって形成する。

【００３４】このマスクパターン２９の形成は、例えば
ＳｉＮ、ＳｉＯ₂ 等を全面的にＣＶＤ（化学的気相成
長）法等によって形成し、フォトリソグラフィによって
パターン化して形成する。

【００３５】その後、図２Ｂに示すように、基板９上の
マスクパターン２９以外に選択的エピタキシーによって
少なくとも最終的に半導体レーザと受光素子とを構成す
る複数の半導体層をエピタキシャル成長して、マスクパ
ターン２９の形成位置を挟んでその各外側に上述の例と
同様に例えばＭＯＣＶＤによって例えばＡｌＧａＡｓに
よる第１導電型のｎ型の第１のクラッド層２２、例えば
ＧａＡｓ或いはクラッド層２２に比し低Ａｌ濃度のＡｌ
ＧａＡｓ等による活性層２３、第２の導電型の例えばｐ
型のＡｌＧａＡｓによる第２のクラッド層２４、これと
同導電型の例えばＧａＡｓによるキャップ層２５を順次
エピタキシャル成長して第１の溝Ｇ₁ を挟んでその各外
側に第１の積層半導体部Ｓ₁ と第２の積層半導体部Ｓ₂
とを形成するとともに少なくとも第２の積層半導体部Ｓ
₂ の、第１の積層半導体部Ｓ₁ と対向する側面２７を特
定の傾斜結晶面によって形成する。

【００３６】この場合においてもマスクパターン２９を
挟んでその両側に形成される第１の積層半導体部Ｓ₁ と
第２の積層半導体部Ｓ₂ の互いに対向する側面すなわち
少なくとも第２の積層半導体部Ｓ₂ の側面２７は溝Ｇ₁
の延長方向すなわちこの側面２７の延長方向が［０１
１］、［０−１１］である場合は、基板９の面に対して
５４．７°をもって傾斜する（１１１）Ｂ面、（１１
１）Ａ面であり、側面２７の延長方向が［００１］方向
である場合は、基板９の面に対して４５°をもって傾斜
する（１１０）面の特定された結晶面によるすなわち原
子オーダの優れた平面となる。

【００３７】図２Ｃに示すように、第１の積層半導体部
Ｓ₁ の第２の積層半導体部Ｓ₂ との対向部側にマスクパ
ターン２９に沿って図１Ｂおよび図１Ｃで説明した第２
の溝Ｇ₂ を形成方法と同様の方法によって傾斜側面に対
向する垂直側面２８を形成する溝Ｇを幅３μｍ以下で形
成する。

【００３８】このようにして、前述の実施例と同様に、
半導体基板９上に少なくとも第１の積層半導体部Ｓ₁ に
よって溝Ｇの垂直側面２８を一方の共振器端面とする半
導体レーザＬＤを構成し、少なくとも第２の積層半導体
部Ｓ₂ によってキャップ層２５に受光窓２５Ｗを形成し
て半導体層２３、２２、２１によるｐｉｎ型のフォトダ
イオードＰＤによる受光素子４を構成し、特定の傾斜結
晶面による側面２７によって反射鏡７を形成して、共通
の半導体基板９上に、半導体レーザＬＤと反射鏡７によ
る発光部１と、受光素子４とが一体に構成された光学素
子２１を形成する。

【００３９】また、この場合においても、第１の積層半
導体部Ｓ₁ の、最終的に半導体レーザのストライプ状の
水平共振器を構成する部分を挟んでその両側に例えばｎ
型の不純物を拡散して電流阻止層を形成し、このストラ
イプ部上に半導体レーザの一方の電極３１を、また第２
の積層半導体部Ｓ₂ のフォトダイオードＰＤ上に一方の
電極３２をそれぞれオーミックに被着し、基板９の裏面
に共通の電極３３をオーミックに被着形成する。

【００４０】尚、上述の各溝Ｇ₁ 、Ｇ₂ 、Ｇおよびマス
クパターン２９は、第１および第２の積層半導体部Ｓ₁
およびＳ₂ をその全幅に渡って分離するように形成した
場合であるが、これら積層半導体部Ｓ₁ およびＳ₂ の半
導体レーザＬＤの少なくともストライプ状共振器部と、
これよりの出射光を反射させるに必要な反射鏡７の形成
部においてのみ両積層半導体部Ｓ₁ およびＳ₂ を分離す
る長さに選定することもできる。

【００４１】上述の各本発明製造方法によって形成した
光学素子２１は、第１の積層半導体部Ｓ₁ 上の発光素子
１と第２の積層半導体部Ｓ₂ 上の受光素子４との間隔
は、５μｍ以下に小間隔とすることができる。

【００４２】すなわち、本発明製造方法で作製した光学
素子２１によれば、発光部１と受光素子４とを充分近づ
けることができることによって、発光部１に向かう戻り
光を効率良く受光することができる。

【００４３】尚、上述した例では、第１の積層半導体部
Ｓ₁ に半導体レーザのみを形成した場合であるが、この
第１の積層半導体部Ｓ₁ に半導体レーザとともに、これ
の上方にも受光素子４すなわちフォトダイオードＰＤを
形成することもできる。

【００４４】この場合は、例えば図６に示すように、キ
ャップ層２５上にｐ型のＧａＡｓ等の半導体層２６をエ
ピタキシーして、この半導体層２６とキャップ層２５と
によってフォトダイオードＰＤを構成することによって
半導体レーザＬＤ上にもフォトダイオードＰＤを形成す
ることができる。

【００４５】また例えば図７に示すように、基板９と第
１のクラッド層２１をｐ型とし、第２のクラッド層２
３、キャップ層２５をｎ型とし、このキャップ層２５上
に不純物拡散等によるｐ型領域３５を選択てきに形成
し、この領域３５とキャップ層２５とによってフォトダ
イオードＰＤを形成することによって半導体レーザＬＤ
の上方においてもフォトダイオードを形成する構成とす
ることができる。

【００４６】上述の本発明方法によって作製した光学素
子２１は、共通に基板９に発光部１と受光素子４とが近
接して形成されるので、受光素子４を発光部１に対して
共焦点近傍に配置することができ、また被照射部２に対
する往路と復路とを同軸上としても発光部１からの発光
光の被照射部２で反射して発光部１に向かう戻り光を受
光素子４によって確実に受光できる。

【００４７】そして、構造の簡易化、受光素子４と発光
部１との位置関係の設定を正確に行うことができること
による生産性、信頼性の向上をはかることができる。

【００４８】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、発光
部１からの発光光の被照射部２からの情報を含んだ戻り
光の検出を発光部１に向かう戻り光自体の検出で行うの
で、例えば光記録媒体に対するピックアップ装置に用い
て構成の簡潔小型化、製造の簡易化、信頼性の向上をは
かることができる。

【００４９】そして、発光部１と受光素子４とを共通の
基板９に同時に形成するので、相互の位置合わせを正確
に行うことができ、また両者を近接して配置できること
から上述したように受光量の向上をはかることができ
て、Ｓ／Ｎの向上、これにもとずく発光部のパワーの減
少、電力の節減等の多くの利益をもたらすことができる
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光学素子の製造方法の一例の工程
図である。Ａはその一工程図である。Ｂはその一工程図
である。Ｃはその一工程図である。

【図２】本発明による光学素子の製造方法の一例の工程
図である。Ａはその一工程図である。Ｂはその一工程図
である。Ｃはその一工程図である。

【図３】本発明による光学素子を適用する光学装置の一
例の概略構成図である。

【図４】本発明によって得た光学素子の一例の概略斜視
図である。

【図５】本発明によって得た光学素子の例の概略断面図
である。

【図６】本発明によって得た光学素子の例の概略断面図
である。

【図７】本発明によって得た光学素子の例の概略断面図
である。

【図８】従来の光学装置の一例の略線的構成図である。

【図９】従来の光学装置の他の例の略線的構成図であ
る。

【符号の説明】

１ 発光部 ２ 被照射部 ３ 収束手段 ４ 受光部 ７ 反射鏡 ２１ 光学素子 ＬＤ 半導体レーザ ＰＤ フォトダイオード

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の一主面に、所定の結晶軸方
   向に延びる第１の溝を形成する工程と、 上記主面に少なくとも最終的に半導体レーザと受光素子
   とを構成する複数の半導体層を順次エピタキシャル成長
   して、上記第１の溝を挟んでその各外側に第１の積層半
   導体部と第２の積層半導体部を形成するとともに少なく
   とも上記第２の積層半導体部の上記第１の積層半導体部
   と対向する側面を特定の傾斜結晶面によって形成するエ
   ピタキシャル成長工程と、 上記第１の積層半導体部から上記第１の溝に渡り上記第
   １の溝に沿って上記傾斜側面に対向する垂直側面を形成
   する第２の溝を形成する工程とを経て、 上記半導体基板上に少なくとも上記第１の積層半導体部
   によって上記第２の溝の垂直側面を一方の共振器端面と
   する半導体レーザを構成し、少なくとも上記第２の積層
   半導体部によって受光素子を構成し、上記特定の傾斜結
   晶面による側面によって反射鏡を形成し、 共通の上記半導体基板上に、上記半導体レーザと上記反
   射鏡による発光部と、受光素子とが一体に構成された光
   学素子を形成することを特徴とする光学素子の製造方
   法。
2. 【請求項２】 半導体基板の一主面に、所定の結晶軸方
   向に延びるマスクパターンを形成する工程と、 上記主面に上記マスクパターン以外に選択的エピタキシ
   ーによって少なくとも最終的に半導体レーザと受光素子
   とを構成する複数の半導体層をエピタキシャル成長し
   て、上記マスクパターンの形成位置を挟んでその各外側
   に第１の積層半導体部と第２の積層半導体部を形成する
   とともに少なくとも上記第１の積層半導体部の上記第２
   の積層半導体部と対向する側面を特定の傾斜結晶面によ
   って形成するエピタキシャル成長工程と、 上記第１の積層半導体部の上記第２の積層半導体部との
   対向部側に上記マスクパターンに沿って上記傾斜側面に
   対向する垂直側面を形成する溝を形成する工程とを経
   て、 上記半導体基板上に少なくとも上記第１の積層半導体部
   によって上記第２の溝の垂直側面を一方の共振器端面と
   する半導体レーザを構成し、少なくとも上記第２の積層
   半導体部によって受光素子を構成し、上記特定の傾斜結
   晶面による側面によって反射鏡を形成し、 共通の上記半導体基板上に、上記半導体レーザと上記反
   射鏡による発光部と、受光素子とが一体に構成された光
   学素子を形成することを特徴とする光学素子の製造方
   法。