JPH07193014A - Vapor growth device - Google Patents
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- JPH07193014A JPH07193014A JP34850393A JP34850393A JPH07193014A JP H07193014 A JPH07193014 A JP H07193014A JP 34850393 A JP34850393 A JP 34850393A JP 34850393 A JP34850393 A JP 34850393A JP H07193014 A JPH07193014 A JP H07193014A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ又はガラ
ス板等の基板上に気相成長させる装置に係り、特に反応
炉内へ供給するガスの供給流量の制御に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for vapor phase growth on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass plate, and more particularly to controlling the supply flow rate of gas supplied into a reaction furnace.
【０００２】[0002]
【従来の技術】気相成長装置は、反応炉内に基板を配置
し、この基板を加熱手段によって加熱すると共に反応炉
内にキャリアガスと一緒に反応ガス、さらにはドーパン
トガスをマスフローコントローラによって所定濃度、流
量に制御して供給し、所望の特性を有する気相成長層を
所望の成長速度で基板上に成長させるようになってい
る。2. Description of the Related Art In a vapor phase growth apparatus, a substrate is placed in a reaction furnace, the substrate is heated by a heating means, and a reaction gas together with a carrier gas and a dopant gas are predetermined in a reaction furnace by a mass flow controller. The concentration and the flow rate are controlled and supplied to grow a vapor phase growth layer having desired characteristics on a substrate at a desired growth rate.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ドーパント
ガスを例として説明すると、ドーパントガスの供給源
は、一般的にボンベ（シリンダ）が用いられ、ボンベに
は所定濃度のドーパントガスが貯えられ、これを所定流
量に制御して取出し、キャリアガス及び反応ガスと混合
して希釈し、所定の濃度にして反応室へ供給するが、こ
の反応室内に供給されるドーパントガスの濃度は生成さ
れる気相成長層の特性、特に抵抗値に非常に大きく影響
する。When the dopant gas is taken as an example, a cylinder (cylinder) is generally used as a supply source of the dopant gas, and the cylinder stores a predetermined concentration of the dopant gas. Is controlled to a predetermined flow rate, taken out, mixed with a carrier gas and a reaction gas to be diluted, and supplied to the reaction chamber at a predetermined concentration. The concentration of the dopant gas supplied to this reaction chamber is the gas phase generated. It has a very large effect on the characteristics of the growth layer, especially the resistance value.
【０００４】このため従来からマスフローコントローラ
を用いて極めて高精度な流量制御を行っているが、ボン
ベに貯えられているドーパントガスの濃度は、ボンベ毎
に若干の濃度差を有している。For this reason, the mass flow controller has been used to control the flow rate with extremely high precision, but the concentration of the dopant gas stored in the cylinder has a slight concentration difference.
【０００５】そこで、従来は、ＱＣチェックと呼ばれる
試験プロセスを実行し、生成された気相成長層の特性を
評価して、各ガスの供給流量の設定値を変更し、さらに
試験プロセスを実行して適正な所定値を求めた上で、実
際のプロセスを実行していた。Therefore, conventionally, a test process called QC check is executed, the characteristics of the generated vapor phase growth layer are evaluated, the set value of the supply flow rate of each gas is changed, and the test process is further executed. The actual process was executed after obtaining an appropriate predetermined value.
【０００６】本発明は、前述したような煩雑な作業を不
要にし、ボンベのようなガス供給源の濃度が変化して
も、これを人為的又は自動的に入力するのみで所定濃度
のガスを反応炉内へ供給することができるようにして能
率の向上をはかり得る気相成長装置を提供することを目
的としている。The present invention eliminates the need for the complicated work described above, and even if the concentration of a gas supply source such as a cylinder changes, the gas having a predetermined concentration can be obtained only by artificially or automatically inputting it. It is an object of the present invention to provide a vapor phase growth apparatus capable of being supplied to the inside of a reaction furnace and improving efficiency.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、反応炉内に基板を配置し、この基板を加熱
する加熱手段及び反応炉内へ供給する各種ガスのＯＮ，
ＯＦＦないし供給流量を制御するガス供給手段を、所定
のシーケンスからなるプロセスプログラムに従って制御
するためのプロセス制御プログラムを具えた制御手段に
より制御して基板上に気相成長させる気相成長装置にお
いて、前記制御手段は、前記各種ガスのうち少なくとも
１つについてガス供給源が基準濃度状態にあるときの各
種ガス供給流量に関するパラメータデータを含む前記プ
ロセスプログラム及びガス供給源の濃度情報を貯える記
憶部と、新たなガス供給源の濃度情報を受けて所定濃度
のガスを反応炉へ供給すべく前記パラメータに変更を加
えるためのガス流量修正手段と、を具備するものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION To achieve the above object, the present invention provides a substrate in a reaction furnace, heating means for heating the substrate, and ON / OFF of various gases supplied into the reaction furnace.
A vapor phase growth apparatus for performing vapor phase growth on a substrate by controlling gas supply means for controlling OFF or supply flow rate by a control means having a process control program for controlling according to a process program consisting of a predetermined sequence, The control unit stores the process program including parameter data relating to various gas supply flow rates when the gas supply source is in a reference concentration state for at least one of the various gases, and a storage unit that stores concentration information of the gas supply source, Gas flow rate correcting means for receiving the concentration information of the gas supply source and changing the parameters so as to supply a gas having a predetermined concentration to the reaction furnace.
【０００８】なお、制御手段は、ガス供給源の濃度検出
手段を具備し、ガス供給源の濃度情報を自動的に取込む
ようにすることが好ましく、さらには、ガス供給源の濃
度情報及び／又はパラメータデータの変更値を表示させ
る参照手段を具備することが好ましい。It is preferable that the control means is provided with a concentration detecting means of the gas supply source so as to automatically take in the concentration information of the gas supply source. Furthermore, the concentration information of the gas supply source and / or Alternatively, it is preferable to include reference means for displaying the changed value of the parameter data.
【０００９】[0009]
【作用】制御手段の中に貯えられているプロセスプログ
ラムには、生成する気相成長層に応じたそれぞれのプロ
セスプログラムに対応して、例えばドーパントガスの供
給源につき、これが基準濃度状態にあるとき、該ドーパ
ントガスの供給流量と共にこれを所望の濃度に希釈して
反応炉内へ供給するためのキャリアガスの供給流量等の
パラメータデータが予め与えられている。このパラメー
タデータは、新たなガス供給源の濃度情報すなわち基準
濃度との差が制御手段に入力されるとガス流量修正手段
により、自動的に計算され、又は予め相定した差の値に
基づいて計算して記憶されているデータ中から実際の差
に近いものを選択することなどにより変更され、ガス供
給源が変化しても所望濃度のガスを反応炉内へ供給す
る。When the process program stored in the control means corresponds to each process program corresponding to the vapor phase growth layer to be formed, for example, the source of the dopant gas is in the reference concentration state, The parameter data such as the supply flow rate of the dopant gas and the supply flow rate of the carrier gas for diluting the dopant gas into a desired concentration and supplying the diluted concentration to the reaction furnace are given in advance. This parameter data is automatically calculated by the gas flow rate correction means when the difference between the concentration information of the new gas supply source, that is, the reference concentration, is input to the control means, or based on the value of the difference determined in advance. It is changed by, for example, selecting one that is close to the actual difference from the calculated and stored data, and the gas of the desired concentration is supplied into the reaction furnace even if the gas supply source changes.
【００１０】[0010]
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図１は、気相成長装置の一例を示す外観図で
あり、１１は高周波発生部、１２，１３は反応炉Ｒ１，
Ｒ２を備えた気相成長装置本体である。１４は制御部で
あって、各反応炉Ｒ１，Ｒ２へのガス供給流量、各炉内
温度等を制御する。１４Ａは制御部１４の操作パネル
で、操作用キー入力部、ディスプレイユニット等を含
む。１２Ａ，１３Ａは反応炉Ｒ１，Ｒ２の開閉等の操作
を行うための操作盤である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an external view showing an example of a vapor phase growth apparatus. 11 is a high frequency generator, 12 and 13 are reaction furnaces R1,
It is a vapor phase growth apparatus main body provided with R2. A control unit 14 controls the gas supply flow rate to each reaction furnace R1, R2, each furnace temperature, and the like. Reference numeral 14A denotes an operation panel of the control unit 14, which includes an operation key input unit, a display unit and the like. Reference numerals 12A and 13A are operation panels for performing operations such as opening and closing of the reactors R1 and R2.
【００１１】図２は、反応炉Ｒ１，Ｒ２に接続されるガ
スの配管概念系統図である。同図において反応炉Ｒ１，
Ｒ２に対し供給されるガスは、同図下方においてＮ2 ，
Ｈ2，ＤＮ（Ｎ型ドーパントガス）・Ａ，ＤＮ・Ｂ，Ｄ
Ｐ（Ｐ型ドーパントガス）・Ａ，ＤＰ・Ｂ及びＨＣｌの
ボンベ等の各ガス供給源１０１，１０２，１０３Ａ，１
０３Ｂ，１０４Ａ，１０４Ｂ，１０５として示されてい
る。１０６は、バブリングチャンバからなる反応ガスの
供給源で、ＳｉＣｌ4 （又はＳｉＨＣｌ3 など）の液体
が入っている。FIG. 2 is a conceptual system diagram of the piping of the gas connected to the reactors R1 and R2. In the figure, the reactor R1,
The gas supplied to R2 is N 2 ,
H 2 , DN (N-type dopant gas) ・ A, DN ・ B, D
Gas supply sources 101, 102, 103A, 1 such as P (P-type dopant gas) / A / DP / B and HCl cylinders
03B, 104A, 104B, 105. Reference numeral 106 denotes a reaction gas supply source composed of a bubbling chamber, in which a liquid of SiCl 4 (or SiHCl 3 or the like) is contained.
【００１２】Ｎ2 ガス供給源１０１から上方へ延びる管
路には圧力スイッチＰＳ１、常時開状態の弁ＲＶ１が設
けられ、弁ＰＶ７に通じている。同様に、Ｈ2 ガス供給
源１０２から上方へ延びる管路には圧力スイッチＰＳ
２，弁ＰＶ２が設けられ、弁ＰＶ８に通じている。弁Ｐ
Ｖ７，ＰＶ８の出口ポートは合流してそれぞれマスフロ
ーコントローラＭＦＣ１，ＭＦＣ２を介して管路ＰＬ
１，ＰＬ２にそれぞれ接続れている。A pressure switch PS1 and a normally open valve RV1 are provided in a pipeline extending upward from the N 2 gas supply source 101, and communicate with a valve PV7. Similarly, a pressure switch PS is provided in the pipeline extending upward from the H 2 gas supply source 102.
2, a valve PV2 is provided and communicates with the valve PV8. Valve P
The outlet ports of V7 and PV8 are merged and connected to the conduit PL via the mass flow controllers MFC1 and MFC2, respectively.
1 and PL2, respectively.
【００１３】管路ＰＬ１上には合流弁ＰＶ９，ＰＶ１１
が反応炉Ｒ１との間に設けられており、管路ＰＬ６，Ｐ
Ｌ７により後述するように供給されるガスを合流弁ＰＶ
９，ＰＶ１１を励起させることにより混合できるように
なっている。Joining valves PV9 and PV11 are provided on the conduit PL1.
Are provided between the reactor R1 and the reactors R1 and
The gas supplied by L7 as will be described later is connected to the confluent valve PV
9 and PV11 can be mixed by exciting them.
【００１４】同様に、管路ＰＬ２上には合流弁ＰＶ１
０，ＰＶ１２が反応炉Ｒ２との間に設けられており、管
路ＰＬ６，ＰＬ７により供給されるガスを合流弁ＰＶ１
０，ＰＶ１２を励起させることにより混合できるように
なっている。Similarly, a confluent valve PV1 is provided on the conduit PL2.
0, PV12 are provided between the reaction furnace R2 and the gas supplied through the conduits PL6, PL7.
Mixing is possible by exciting 0 and PV12.
【００１５】バブリングチャンバ１０６からは２本の管
路ＰＬ３，ＰＬ４が弁ＰＶ３を介して延設されており、
弁ＶＣ１に接続されている。弁ＶＣ１のポートＰ０には
弁ＰＶ２の下流側から延設されている管路ＰＬ５を介し
てＨ2 ガスが入り、このＨ2ガスはポートＰ２から管路
ＰＬ３，弁ＰＶ３を通ってバブリングチャンバ１０６に
入り、液体のＳｉＣｌ4 中に吹き出され、バブリングが
行われる。From the bubbling chamber 106, two pipe lines PL3 and PL4 are extended via a valve PV3,
It is connected to the valve VC1. H 2 gas enters the port P 0 of the valve VC 1 via a line PL 5 extending from the downstream side of the valve PV 2 , and this H 2 gas passes from the port P 2 through the line PL 3 and the valve PV 3 and the bubbling chamber 106. Bubble into the liquid SiCl 4 and bubbling takes place.
【００１６】従って、バブリングチャンバ１０６内の空
間には蒸気化したＳｉＣｌ4 とＨ2の混合気体ができ、
これが管路ＰＬ４、弁ＰＶ３を通って弁ＶＣ１の入力ポ
ートＰ３、出力ポートＰ１を通り管路ＰＬ６に供給され
るようになっている。Therefore, a vaporized mixed gas of SiCl 4 and H 2 is produced in the space inside the bubbling chamber 106,
This is supplied to the conduit PL6 through the conduit PL4, the valve PV3, the input port P3 and the output port P1 of the valve VC1.
【００１７】ＤＮ・Ａ，ＤＮ・Ｂのガス供給源１０３
Ａ，１０３Ｂは弁ＰＶ４Ａ，ＰＶ４Ｂをそれぞれ通して
マスフローコントローラＭＦＣ３に接続され、このマス
フローコントローラＭＦＣ３によりＤＮ・Ａ又はＤＮ・
Ｂを所定流量に制御して管路ＰＬ６へ供給するようにな
っている。DN · A, DN · B gas supply source 103
A and 103B are connected to the mass flow controller MFC3 through the valves PV4A and PV4B, respectively, and DN / A or DN /
B is controlled to a predetermined flow rate and supplied to the pipeline PL6.
【００１８】同様な配管系統がＤＰ・Ａ，ＤＰ・Ｂのガ
ス供給源１０４Ａ，１０４Ｂから上方へ延びる管路に対
しても形成されており、各弁ＰＶ５Ａ，ＰＶ５Ｂ，マス
フローコントローラＭＦＣ４がそれぞれ対応している。A similar piping system is also formed for the pipelines extending upward from the gas supply sources 104A and 104B for DP / A and DP / B, and the valves PV5A and PV5B and the mass flow controller MFC4 correspond to them. ing.
【００１９】ＨＣｌのガス供給源１０５から延びる管路
上には弁ＰＶ６Ａ，マスフローコントローラＭＦＣ５が
設けられ、それぞれ合流弁ＰＶ１１，ＰＶ１２の混合ポ
ートに入力されている。マスフローコントローラＭＦＣ
５の上流側には常時開状態の弁ＰＶ６Ｂを介してＨ2 ガ
スの管路ＰＬ５が合流されている。A valve PV6A and a mass flow controller MFC5 are provided on the conduit extending from the HCl gas supply source 105, and are input to the mixing ports of the confluent valves PV11 and PV12, respectively. Mass flow controller MFC
A pipeline PL5 for H 2 gas is joined to the upstream side of the valve 5 through a valve PV6B that is normally open.
【００２０】図３は、本気相成長装置におけるプロセス
が遂行される部分を説明する概念的なブロック図であっ
て、操作キー入力部１４Ａ−１，カセット磁気テープ
（ＣＭＴ）１５又は制御部１４に設けられている内部メ
モリ１７に予めストアされているプロセスプログラムが
処理部１４−１に与えられるようになっており、この入
力されたプロセスプログラムに応答して機器駆動部１６
に設けられている上記図２に示したガス供給手段中の各
弁及びマスフローコントローラ等の開閉及び開度（流
量）の制御、並びに流量設定をはじめ図示しない加熱手
段やその他の作動部の制御のための動作が行われるよう
になっている。又処理部１４−１の処理の内容や同処理
部１４−１への入力情報はディスプレイ１４Ａ−２上に
表示できるようになっている。FIG. 3 is a conceptual block diagram for explaining a portion in which the process in the present vapor phase growth apparatus is performed, in which the operation key input unit 14A-1, the cassette magnetic tape (CMT) 15 or the control unit 14 is provided. A process program stored in advance in the internal memory 17 provided is provided to the processing unit 14-1, and the device driving unit 16 responds to the input process program.
Of the gas supply means shown in FIG. 2 and the opening / closing and opening (flow rate) control of the mass flow controller, and the control of the heating means (not shown) and other operating parts including the flow rate setting. The operation for is done. Further, the contents of the processing of the processing unit 14-1 and the input information to the processing unit 14-1 can be displayed on the display 14A-2.
【００２１】図４は、制御部１４内の本発明に係る部分
を取り出して示す制御ブロック図であり、３０は主計算
機の中央処理ユニット（以下ＣＰＵという）で、このＣ
ＰＵ３０にはデータバス３１とＩ／Ｏバス３２が接続さ
れている。データバス３１には、各反応炉Ｒ１又はＲ２
において実行される一連のプロセスに関する、例えば加
熱温度、ガス流量などのパラメータデータを含むプロセ
スプログラムを貯えるＲＡＭからなる第１記憶部３４
と、ＲＯＭからなる固定データを登録した第２記憶部３
３が接続されている。FIG. 4 is a control block diagram showing a portion of the control unit 14 according to the present invention taken out. Reference numeral 30 is a central processing unit (hereinafter referred to as CPU) of the main computer.
A data bus 31 and an I / O bus 32 are connected to the PU 30. The data bus 31 has each reactor R1 or R2.
A first storage unit 34 including a RAM for storing a process program including parameter data such as heating temperature and gas flow rate relating to a series of processes executed in
And the second storage unit 3 in which fixed data including a ROM is registered
3 is connected.
【００２２】さらに、データバス３１には、第３記憶部
３５が接続されている。この第３記憶部３５には、上記
プロセスプログラムに基づいて、本装置を働かせるため
のプロセス制御プログラム（ＰＲＯＣＥＳＳ．Ｃ）３５
ａ、プロセスプログラム中のガス流量を含むパラメータ
データを生成しようとする気相成長層の特性や各プロセ
スに応じて修正するための修正処理プログラム（ＭＯＤ
ＩＦＹ）３５ｂ、修正されたパラメータデータを確認す
るための参照処理プログラム（ＶＥＲＩＦＹ）３５ｃ、
及びガス源１０３Ａ，１０３Ｂ，１０４Ａ，１０４Ｂ内
のＮ型又はＰ型ドーパントガスの濃度に応じてガス流量
に関するパラメータデータを変更するためのガス流量修
正プログラム（Ｂ．ＣＨＡＮＧＥ）３５ｄが貯えられて
いる。Further, a third storage section 35 is connected to the data bus 31. In the third storage unit 35, a process control program (PROCESS.C) 35 for operating the apparatus is based on the process program 35.
a, a correction processing program (MOD) for correcting according to the characteristics of the vapor phase growth layer for which the parameter data including the gas flow rate in the process program is to be generated and each process
IFY) 35b, a reference processing program (VERIFY) 35c for confirming the corrected parameter data,
Further, a gas flow rate correction program (B.CHANGE) 35d for changing the parameter data regarding the gas flow rate according to the concentration of the N-type or P-type dopant gas in the gas sources 103A, 103B, 104A, 104B is stored.
【００２３】前記第１記憶部３４は、本装置の稼働中に
おいて使用されるデータ例えば図３に示されている操作
キー入力部１４Ａ−１及び図示しない各種スイッチ及び
検出器からのアナログ／デジタル信号情報や実際の気相
成長を行うためのプロセス情報等を貯える領域である。The first storage section 34 stores data used during the operation of the apparatus, for example, the operation key input section 14A-1 shown in FIG. 3 and analog / digital signals from various switches and detectors not shown. This is an area for storing information and process information for actual vapor phase growth.
【００２４】Ｉ／Ｏバス３２には、図２に示したＭＦＣ
１等のマスフローコントローラやＰＶ１等の各種弁群３
９を駆動するための入出力モジュール３６が接続されて
いる。この入出力モジュール３６は、各弁を駆動するデ
ジタル出力部（図示せず）と、マスフローコントローラ
へ指令信号を与える出力部（Ｄ／Ａコンバータ：図示せ
ず）と、マスフローコントローラからの実流量信号を取
込む入力部（Ａ／Ｄコンバータ：図示せず）から構成さ
れている。The I / O bus 32 has an MFC shown in FIG.
Mass flow controller such as 1 and various valve groups such as PV 1 3
An input / output module 36 for driving 9 is connected. The input / output module 36 includes a digital output section (not shown) for driving each valve, an output section (D / A converter: not shown) for giving a command signal to the mass flow controller, and an actual flow rate signal from the mass flow controller. It is composed of an input unit (A / D converter: not shown) for taking in.
【００２５】また、Ｉ／Ｏバス３２には、入出力機器群
３８と接続されたその他インターフェイスモジュール３
７が接続されている。なお、入出力機器群３８は、操作
キー入力部、ディスプレイ、各種スイッチ、検出器及び
モータ等から構成されている。The I / O bus 32 has the other interface module 3 connected to the input / output device group 38.
7 is connected. The input / output device group 38 includes an operation key input unit, a display, various switches, a detector, a motor, and the like.
【００２６】図５は、本装置のシステムプログラムの処
理過程を示すフローチャートで、スタートされると、ま
ず、プロセス実行要求の有無がチェックされ、有なら
ば、図４に示したプロセス制御プログラム（ＰＲＯＣＥ
ＳＳ．Ｃ）３５ａにより、気相成長が実行される。FIG. 5 is a flow chart showing the processing steps of the system program of this apparatus. When started, whether or not there is a process execution request is checked first, and if there is, a process control program (PROCECE) shown in FIG.
SS. C) The vapor growth is performed by 35a.
【００２７】次いで、修正処理プログラム（ＭＯＤＩＦ
Ｙ）３５ｂの実行要求の有無がチェックされ、要求があ
れば、シーケンス時間、基板の加熱温度、ガス流量など
のプロセスプログラム中のパラメータデータを生成しよ
うとする気相成長層の特性等に応じて修正する。なお、
このＭＯＤＩＦＹ３５ｂの詳しい説明は省略する。次
に、修正されたパラメータデータの確認要求の有無がチ
ェックされ、要求があれば、参照処理プログラム（ＶＥ
ＲＩＦＹ）３５ｃにより修正したパラメータデータをデ
ィスプレイ１４Ａ−２に表示する。Next, a modification processing program (MODIF
Y) Whether or not there is a request to execute 35b is checked, and if there is a request, it is determined according to the characteristics of the vapor phase growth layer for which parameter data in the process program such as sequence time, substrate heating temperature, gas flow rate, etc. is to be generated. Fix it. In addition,
Detailed description of the MODIFY 35b is omitted. Next, it is checked whether or not there is a confirmation request for the corrected parameter data, and if there is a request, the reference processing program (VE
The parameter data corrected by the RIFY) 35c is displayed on the display 14A-2.
【００２８】次に、本発明によるガス供給源（ボンベ
等）の変更に伴うガス濃度情報の修正要求の有無がチェ
ックされ、例えば、ガス供給源（ＤＮ・Ａ）１０３Ａを
ガス供給源（ＤＮ・Ｂ）１０３Ｂに切換えることなどに
より、この要求があれば、変更濃度を入力し、ガス流量
修正プログラム（Ｂ．ＣＨＡＮＧＥ）３５ｄにより、マ
スフローコントローラＭＦＣ３の設定流量（パラメータ
データ）を濃度変化に応じて算出又は選択し、管路ＰＬ
６へ供給されるＮ型ドーパントガスの流量が同じく管路
ＰＬ６へ供給される反応ガス（ＳｉＣｌ4 ）に対し所定
濃度となるように変更し、又は新たなパラメータデータ
によるプロセスプログラムを生成する。Next, it is checked whether or not there is a request for correction of the gas concentration information due to the change of the gas supply source (cylinder, etc.) according to the present invention. For example, the gas supply source (DN.A) 103A is replaced by the gas supply source (DN. B) If this request is made by switching to 103B, etc., enter the changed concentration and calculate the set flow rate (parameter data) of the mass flow controller MFC3 according to the concentration change by the gas flow rate correction program (B.CHANGE) 35d. Or select and select the conduit PL
The flow rate of the N-type dopant gas supplied to No. 6 is changed to a predetermined concentration with respect to the reaction gas (SiCl 4 ) also supplied to the conduit PL6, or a process program based on new parameter data is generated.
【００２９】図６は、ガス流量修正プログラム（Ｂ．Ｃ
ＨＡＮＧＥ）３５ｄの具体例を示すフローチャートであ
る。まず、現在のプロセスプログラムにおけるガス供給
源の基準濃度値とすでに登録されている変更濃度値を表
示する。次に、この変更濃度値の修正要求の有無が判断
され、修正要求が出されていれば、新たな濃度値すなわ
ち新たな変更濃度値を入力し、入力された値を変更濃度
値として登録（更新）する。FIG. 6 shows a gas flow rate correction program (BC
35D is a flowchart showing a specific example of (HANGE) 35d. First, the reference concentration value of the gas supply source and the already registered changed concentration value in the current process program are displayed. Next, it is judged whether or not there is a correction request for the changed density value, and if a correction request is issued, a new density value, that is, a new changed density value is input, and the input value is registered as a changed density value ( Update.
【００３０】次いで、更新した変更濃度値に基づくプロ
セスプログラムの生成要求の有無が判断され、要求が有
ならば、 変更ガス流量＝プムグラム設定量（基準濃度時のガス流
量）×基準濃度値／変更濃度値 なる式によって変更ガス流量を算出し、これにより基準
濃度値に基づいて予め貯えられているプロセスプログラ
ム中のガス流量に関するパラメータデータを修正した新
たなプロセスプログラムすなわち濃度補正プロセスプロ
グラムを生成する。Next, it is judged whether or not there is a request to generate a process program based on the updated changed concentration value, and if there is a request, changed gas flow rate = pumgram set amount (gas flow rate at reference concentration) × reference concentration value / change The changed gas flow rate is calculated by the formula: concentration value, and a new process program, that is, a concentration correction process program, in which the parameter data relating to the gas flow rate in the process program stored in advance based on the reference concentration value is corrected, is generated.
【００３１】この濃度補正プロセスプログラムは、参照
処理プログラム（ＶＥＲＩＦＹ）３５ｃによりディスプ
レイ１４Ａ−２に表示され、確認することができる。な
お、濃度補正プロセスプログラムは、変更濃度値と共に
登録され、以後、これを用いた気相成長のプロセスを実
行可能にする。This density correction process program can be confirmed by being displayed on the display 14A-2 by the reference processing program (VERIFY) 35c. The concentration correction process program is registered together with the changed concentration value, and thereafter, the process of vapor phase growth using this can be executed.
【００３２】前述した実施例は、ガス流量修正プログラ
ム（Ｂ．ＣＨＡＮＧＥ）３５ｄにより濃度補正したプロ
セスプログラムを新たに生成することによりパラメータ
データを変更（補正）する例を示したが、すでにあるプ
ロセスプログラム中のパラメータデータを変更するよう
にしてもよく、また、前述した修正処理プログラム（Ｍ
ＯＤＩＦＹ）３５ｂ中に濃度補正のためガス流量修正プ
ログラムを取込み、ここでプロセスプログラム中のパラ
メータデータを修正するようにしてもよい。The above-described embodiment shows an example in which the parameter data is changed (corrected) by newly generating a process program whose concentration is corrected by the gas flow rate correction program (B.CHANGE) 35d, but there is an existing process program. The parameter data inside may be changed, and the correction processing program (M
The gas flow rate correction program may be incorporated in the ODIFY) 35b for concentration correction, and the parameter data in the process program may be corrected here.
【００３３】また、前述した図６の実施例では、基準濃
度値と変更濃度値から変更ガス流量を算出する例を示し
たが、変更濃度値と共にそれに対応する変更ガス流量を
予め求めて登録しておき、新たな変更濃度値が登録され
ている変更濃度値と一致ないし略一致した場合には、算
出によらず、これに対応している変更ガス流量を選択す
るようにしてもよい。In the embodiment of FIG. 6 described above, an example of calculating the change gas flow rate from the reference concentration value and the change concentration value is shown. However, the change concentration value and the change gas flow rate corresponding thereto are previously obtained and registered. If the new changed concentration value matches or substantially matches the registered changed concentration value, the corresponding change gas flow rate may be selected regardless of the calculation.
【００３４】さらにまた、前述した実施例は、濃度が変
化したガスの供給量のみを補正する例を示したが、希釈
ガスを加えて所定濃度にして所定流量を供給する方式の
装置においては、希釈ガスの供給量との関係において上
記濃度が変化したガスの供給量を変化させて所定濃度か
つ所定流量で供給することが好ましく、さらに、ガス供
給源の濃度を自動的に測定し、その濃度値の変化によっ
て、自動的にガス流量を修正するようにしてもよい。Furthermore, in the above-mentioned embodiment, an example in which only the supply amount of the gas whose concentration has changed is corrected has been shown. However, in a device of a system in which a diluent gas is added to make a predetermined concentration and a predetermined flow rate is supplied, It is preferable to change the supply amount of the gas whose concentration has changed in relation to the supply amount of the diluent gas and supply the gas at a predetermined concentration and a predetermined flow rate. Furthermore, the concentration of the gas supply source is automatically measured, and the concentration The gas flow rate may be automatically corrected by changing the value.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ボン
ベ交換等によりガス供給源の濃度が変化しても、これに
基づいてパラメータデータを変更して所定濃度のガスを
反応炉へ供給することができ、試験プロセス等を排して
能率的な運転を行うことができる効果が得られる。As described above, according to the present invention, even if the concentration of the gas supply source changes due to replacement of the cylinder or the like, the parameter data is changed based on this and the gas of a predetermined concentration is supplied to the reactor. Therefore, it is possible to obtain an effect that an efficient operation can be performed by omitting the test process and the like.
【図１】本発明による気相成長装置の概要構成を示す斜
視図。FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a vapor phase growth apparatus according to the present invention.
【図２】図１の装置におけるガスの配管概念系統図。FIG. 2 is a conceptual system diagram of gas piping in the apparatus of FIG.
【図３】図１の装置におけるプロセス遂行部分の制御情
報の流れを示すブロック図。3 is a block diagram showing a flow of control information of a process execution part in the apparatus of FIG.
【図４】図１の装置における制御部のブロック図。FIG. 4 is a block diagram of a control unit in the apparatus of FIG.
【図５】図１の装置のシステムプログラムの処理過程を
示す図。5 is a diagram showing a process of processing a system program of the apparatus of FIG.
【図６】図５中のガス流量修正プログラム（Ｂ．ＣＨＡ
ＮＧＥ）の処理過程の具体例を示す図。6 is a gas flow rate correction program (B.CHA in FIG. 5)
The figure which shows the specific example of the process of NGE).
【符号の説明】 １１ 高周波発生部 １２，１３ 気相成長装置本体 １４ 制御部 １４−１ 処理部 １４Ａ−１ 操作キー入力部 １４Ａ−２ ディスプレイ １６ 機器駆動部 ３５ａ プロセス制御プログラム（ＰＲＯＣＥＳＳ．
Ｃ） ３５ｂ 修正処理プログラム（ＭＯＤＩＦＹ） ３５ｃ 参照処理プログラム（ＶＥＲＩＦＹ） ３５ｄ ガス流量修正プログラム（Ｂ．ＣＨＡＮＧＥ） １０１，１０２，１０３Ａ，１０３Ｂ，１０４Ａ，１０
４Ｂ，１０５ ガス供給源 ＭＦＣ１〜ＭＦＣ５ マスフローコントローラ Ｒ１，Ｒ２ 反応炉[Explanation of reference numerals] 11 high-frequency generation unit 12, 13 vapor phase growth apparatus main body 14 control unit 14-1 processing unit 14A-1 operation key input unit 14A-2 display 16 device driving unit 35a process control program (PROCESS.
C) 35b Correction processing program (MODIFY) 35c Reference processing program (VERIFY) 35d Gas flow rate correction program (B.CHANGE) 101, 102, 103A, 103B, 104A, 10
4B, 105 Gas supply source MFC1 to MFC5 Mass flow controller R1, R2 Reactor
Claims (3)
熱する加熱手段及び反応炉内へ供給する各種ガスのＯ
Ｎ，ＯＦＦないし供給流量を制御するガス供給手段を、
所定のシーケンスからなるプロセスプログラムに従って
制御するためのプロセス制御プログラムを具えた制御手
段により制御して基板上に気相成長させる気相成長装置
において、 前記制御手段は、 前記各種ガスのうち少なくとも１つについてガス供給源
が基準濃度状態にあるときの各種ガス供給流量に関する
パラメータデータを含む前記プロセスプログラム及びガ
ス供給源の濃度情報を貯える記憶部と、新たなガス供給
源の濃度情報を受けて所定濃度のガスを反応炉へ供給す
べく前記パラメータに変更を加えるためのガス流量修正
手段と、 を具備することを特徴とする気相成長装置。1. A substrate is placed in a reaction furnace, and heating means for heating the substrate and O of various gases supplied into the reaction furnace.
N, OFF or gas supply means for controlling the supply flow rate,
In a vapor phase growth apparatus for performing vapor phase growth on a substrate by controlling by a control means having a process control program for controlling according to a process program consisting of a predetermined sequence, the control means is at least one of the various gases. Regarding the above-mentioned process program including parameter data relating to various gas supply flow rates when the gas supply source is in the reference concentration state, and a storage unit for storing concentration information of the gas supply source, and a predetermined concentration upon receiving the concentration information of the new gas supply source And a gas flow rate correction means for changing the above parameters so as to supply the above gas to the reaction furnace.
情報を自動的に取込むようになっていることを特徴とす
る請求項１記載の気相成長装置。2. The gas phase according to claim 1, wherein the control means includes a gas supply source concentration detection means and is adapted to automatically take in concentration information of the gas supply source. Growth equipment.
及び／又はパラメータデータの変更値を表示させる参照
手段を具備していることを特徴とする請求項１又は２記
載の気相成長装置。3. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein the control means includes a reference means for displaying the concentration information of the gas supply source and / or the changed value of the parameter data. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34850393A JPH07193014A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Vapor growth device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34850393A JPH07193014A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Vapor growth device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193014A true JPH07193014A (en) | 1995-07-28 |
Family
ID=18397456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34850393A Pending JPH07193014A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Vapor growth device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193014A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012064834A (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Manufacturing system for silicon epitaxial wafer and manufacturing method for silicon epitaxial wafer |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP34850393A patent/JPH07193014A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012064834A (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Manufacturing system for silicon epitaxial wafer and manufacturing method for silicon epitaxial wafer |
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