JPH07193012A - 気相成長用炉芯管 - Google Patents
気相成長用炉芯管Info
- Publication number
- JPH07193012A JPH07193012A JP34686593A JP34686593A JPH07193012A JP H07193012 A JPH07193012 A JP H07193012A JP 34686593 A JP34686593 A JP 34686593A JP 34686593 A JP34686593 A JP 34686593A JP H07193012 A JPH07193012 A JP H07193012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- gas
- flow path
- rectifying means
- core tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 筒状流路におけるキャリアガスの流量分布を
周方向に関して均一にすることができる気相成長用炉芯
管を提供すること。 【構成】 中空のリング形状のガス整流手段１３を備
え、内管１１の外周面と外管１２の内周面の間に筒状流
路５を形成し、筒状流路５の上端と内管１１の内側を互
いに連通させ、スリット１３ａをガス整流手段１３に肉
厚方向に形成し、スリット１３ａを介して筒状流路５の
下端とガス整流手段１３を互いに連通させることを特徴
とする気相成長用炉芯管。
周方向に関して均一にすることができる気相成長用炉芯
管を提供すること。 【構成】 中空のリング形状のガス整流手段１３を備
え、内管１１の外周面と外管１２の内周面の間に筒状流
路５を形成し、筒状流路５の上端と内管１１の内側を互
いに連通させ、スリット１３ａをガス整流手段１３に肉
厚方向に形成し、スリット１３ａを介して筒状流路５の
下端とガス整流手段１３を互いに連通させることを特徴
とする気相成長用炉芯管。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長用炉芯管に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】気相成長用炉芯管は、半導体ウエハの表
面に不純物を拡散する際に用いられる。この気相成長用
炉芯管は、不純物を含むキャリアガス（拡散用ガスとも
いう）、たとえばＯ２（酸素）ガスやＮ２（窒素）ガス
を導入するための１本の導入管を備えている。
面に不純物を拡散する際に用いられる。この気相成長用
炉芯管は、不純物を含むキャリアガス（拡散用ガスとも
いう）、たとえばＯ２（酸素）ガスやＮ２（窒素）ガス
を導入するための１本の導入管を備えている。
【０００３】従来の気相成長用炉芯管は、例えば図５に
示す二重管型炉芯管である。図４を参照すると、従来の
二重管型炉芯管は、内管２１、外管２２および導入管２
５を備えている。内管２１は外管２２に同軸状に内挿さ
れており、内管２１と外管２２の間に筒状流路２３が形
成されている。
示す二重管型炉芯管である。図４を参照すると、従来の
二重管型炉芯管は、内管２１、外管２２および導入管２
５を備えている。内管２１は外管２２に同軸状に内挿さ
れており、内管２１と外管２２の間に筒状流路２３が形
成されている。
【０００４】導入管２５は、円管であり、筒状流路２３
の下端において開口している。
の下端において開口している。
【０００５】キャリアガスは、矢印２４に沿って導入管
２５および筒状流路２３を流れて内管２１の内側に導入
される。このように導入されたキャリアガスは、内管２
１の内側に設定された半導体ウエハ（図示せず）の表面
のところを通ることにより、表面に不純物を拡散させ
る。キャリアガスは、筒状流路２３を流れる時に予熱さ
れる。
２５および筒状流路２３を流れて内管２１の内側に導入
される。このように導入されたキャリアガスは、内管２
１の内側に設定された半導体ウエハ（図示せず）の表面
のところを通ることにより、表面に不純物を拡散させ
る。キャリアガスは、筒状流路２３を流れる時に予熱さ
れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
二重管型炉芯管においては、導入管２５が筒状流路２３
の周方向に関して部分的に開口しているので、筒状流路
２３におけるキャリアガスの流量分布が周方向に関して
不均一になり、内管２１の内側において均一なキャリア
ガスの流れを得がたい。したがって、多数の半導体ウエ
ハ間では拡散された不純物層の厚さや濃度がばらつく結
果となり、半導体ウエハの品質の向上が図れないという
問題がある。
二重管型炉芯管においては、導入管２５が筒状流路２３
の周方向に関して部分的に開口しているので、筒状流路
２３におけるキャリアガスの流量分布が周方向に関して
不均一になり、内管２１の内側において均一なキャリア
ガスの流れを得がたい。したがって、多数の半導体ウエ
ハ間では拡散された不純物層の厚さや濃度がばらつく結
果となり、半導体ウエハの品質の向上が図れないという
問題がある。
【０００７】本発明は、前述の問題点を解決するために
なされたものであり、筒状流路におけるキャリアガスの
流量分布を周方向に関して均一にすることができる気相
成長用炉芯管を提供することを目的とする。
なされたものであり、筒状流路におけるキャリアガスの
流量分布を周方向に関して均一にすることができる気相
成長用炉芯管を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、本発明は、中空の管形状の内管と、中空の管形状
の外管と、中空のリング形状のガス整流手段とをそれぞ
れ別体として設け、内管を外管に同軸状に内挿し、内管
の外周面と外管の内周面の間に筒状流路を形成し、筒状
流路の上端と内管の内側を互いに連通させ、スリットを
ガス整流手段に肉厚方向に形成し、ガス整流手段のスリ
ットを介して筒状流路とガス整流手段を互いに連通させ
たことを特徴とする気相成長用炉芯管を要旨とする。
めに、本発明は、中空の管形状の内管と、中空の管形状
の外管と、中空のリング形状のガス整流手段とをそれぞ
れ別体として設け、内管を外管に同軸状に内挿し、内管
の外周面と外管の内周面の間に筒状流路を形成し、筒状
流路の上端と内管の内側を互いに連通させ、スリットを
ガス整流手段に肉厚方向に形成し、ガス整流手段のスリ
ットを介して筒状流路とガス整流手段を互いに連通させ
たことを特徴とする気相成長用炉芯管を要旨とする。
【０００９】
【実施例】本発明の好適な実施例による気相成長用炉芯
管について説明する。
管について説明する。
【００１０】図１を参照すると、この気相成長用炉芯管
１は縦型炉のものである。縦型炉は、半導体用の熱処理
炉として使用されるものであり、気相成長用炉芯管の他
に、ガス導入管２、ベース３、加熱手段４などを備えて
いる。図１においては、縦型炉を部分的に示している。
１は縦型炉のものである。縦型炉は、半導体用の熱処理
炉として使用されるものであり、気相成長用炉芯管の他
に、ガス導入管２、ベース３、加熱手段４などを備えて
いる。図１においては、縦型炉を部分的に示している。
【００１１】気相成長用炉芯管１は、内管１１、外管１
２およびガス整流手段１３から別体として構成されてい
る。気相成長用炉芯管１の材質は、石英ガラスである。
２およびガス整流手段１３から別体として構成されてい
る。気相成長用炉芯管１の材質は、石英ガラスである。
【００１２】内管１１および外管１２は、それぞれ中空
の円管であり、外管１２の内周の直径は内管１１の外周
の直径より大きい。
の円管であり、外管１２の内周の直径は内管１１の外周
の直径より大きい。
【００１３】内管１１は外管１２に同軸状に内挿されて
おり、それらは上下方向の同軸状に配置されている。内
管１１の外周面と外管１２の内周面の間には、円筒形状
の筒状流路５が形成されている。
おり、それらは上下方向の同軸状に配置されている。内
管１１の外周面と外管１２の内周面の間には、円筒形状
の筒状流路５が形成されている。
【００１４】外管１２の上端は、内管１１の上端から上
方に離れて閉じており、球面の一部分に沿った形状であ
る。外管１２の上端を介して、筒状流路５の上端と内管
１１の内側が互いに連通している。
方に離れて閉じており、球面の一部分に沿った形状であ
る。外管１２の上端を介して、筒状流路５の上端と内管
１１の内側が互いに連通している。
【００１５】図２および図３を参照すると、ガス整流手
段１３は、筒状流路５の下端の形状に対応した形状の中
空のリングである。図示例においては、ガス整流手段１
３は、筒状流路５と同心の円周に沿った形状であり、そ
の半径方向の断面形状は円形である。なお、図２および
図３においては、ガス整流手段１３およびガス導入管２
の形状をわかりやすく示すために、それらの寸法を誇張
して示す。
段１３は、筒状流路５の下端の形状に対応した形状の中
空のリングである。図示例においては、ガス整流手段１
３は、筒状流路５と同心の円周に沿った形状であり、そ
の半径方向の断面形状は円形である。なお、図２および
図３においては、ガス整流手段１３およびガス導入管２
の形状をわかりやすく示すために、それらの寸法を誇張
して示す。
【００１６】円周に沿った形状のスリット１３ａが、ガ
ス整流手段１３の肉厚方向にとくに上下方向に貫通する
ように形成されている。ガス整流手段１３は、スリット
１３ａを上向きにして筒状流路５の下方に固定されてい
る。スリット１３ａを介して筒状流路５とガス整流手段
１３が互いに連通している。スリット１３ａの幅は、ガ
ス整流手段１３あるいは筒状流路５の半径方向の幅と比
較して小さく、スリット幅は上記幅の１／１０〜１／３
であることが好ましい。１／１０未満であると、内管１
１内に流そうとするガス流量に対し、充分な開口でな
く、噴出するガス流速が速くなり乱流が生じてしまう。
また、１／３を超えると、筒状流路５に均一にガスが流
出しにくくなる。また、ガス整流手段部材の充分な機械
的強度もそこなわれる。１／５〜１／３とすることがよ
り好ましい。
ス整流手段１３の肉厚方向にとくに上下方向に貫通する
ように形成されている。ガス整流手段１３は、スリット
１３ａを上向きにして筒状流路５の下方に固定されてい
る。スリット１３ａを介して筒状流路５とガス整流手段
１３が互いに連通している。スリット１３ａの幅は、ガ
ス整流手段１３あるいは筒状流路５の半径方向の幅と比
較して小さく、スリット幅は上記幅の１／１０〜１／３
であることが好ましい。１／１０未満であると、内管１
１内に流そうとするガス流量に対し、充分な開口でな
く、噴出するガス流速が速くなり乱流が生じてしまう。
また、１／３を超えると、筒状流路５に均一にガスが流
出しにくくなる。また、ガス整流手段部材の充分な機械
的強度もそこなわれる。１／５〜１／３とすることがよ
り好ましい。
【００１７】スリット１３ａとは別に、ガス導入孔１３
ｂがガス整流手段１３の外周面から内周面にかけて横方
向に貫通するように形成されている。このガス導入孔１
３ｂを介してガス導入管２とガス整流手段１３が互いに
連通している。
ｂがガス整流手段１３の外周面から内周面にかけて横方
向に貫通するように形成されている。このガス導入孔１
３ｂを介してガス導入管２とガス整流手段１３が互いに
連通している。
【００１８】内管１１及び外管１２の寸法については、
従来と同様に設定することができる。たとえば、前述の
従来の二重管型炉芯管と同様の寸法に設定することがで
きる。 内管１１の内側には、多数の半導体ウエハを載
せたウエハボ―ト（図示せず）が収容されるようになっ
ている。
従来と同様に設定することができる。たとえば、前述の
従来の二重管型炉芯管と同様の寸法に設定することがで
きる。 内管１１の内側には、多数の半導体ウエハを載
せたウエハボ―ト（図示せず）が収容されるようになっ
ている。
【００１９】気相成長用炉芯管１はベース３に固定され
ている。ベース３には、排出口６が設けられている。排
出口６は、内管１１の内側と連通している。
ている。ベース３には、排出口６が設けられている。排
出口６は、内管１１の内側と連通している。
【００２０】加熱手段４は、外管１２の外側に配置され
ている。気相成長用炉芯管１は、加熱手段４によって加
熱される。
ている。気相成長用炉芯管１は、加熱手段４によって加
熱される。
【００２１】内管１１には挿入管（図示せず）が挿入さ
れている。この挿入管には温度測定器具（図示せず）、
たとえば棒状の熱伝対測温計が挿入できるようになって
いる。 縦型炉は、気相成長炉芯管１を除いて、従来と
同様の構成にすることができる。例えば、ウエハボー
ト、ベース３、加熱手段４、挿入管および温度測定器具
は、それぞれ従来と同様のものを採用できる。
れている。この挿入管には温度測定器具（図示せず）、
たとえば棒状の熱伝対測温計が挿入できるようになって
いる。 縦型炉は、気相成長炉芯管１を除いて、従来と
同様の構成にすることができる。例えば、ウエハボー
ト、ベース３、加熱手段４、挿入管および温度測定器具
は、それぞれ従来と同様のものを採用できる。
【００２２】半導体ウエハがたとえばシリコンウエハで
ある場合、不純物たとえばリンを含むキャリアガスであ
るＯ２ガスやＮ２ガスが、ガス供給手段（図示せず）に
よってガス導入管２に導入され、矢印７に沿ってガス導
入管２の内側を流れ、ガス導入孔１３ｂを経てガス整流
手段１３に導入される。そして、ガス整流手段１３から
スリット１３ａを通って筒状流路５に流れ込む。そし
て、筒状流路５を上方に向かって流れ、外管１２の上端
を通って内管１１の内側に流れ込む。ガス供給手段は、
従来と同様のものを採用できる。
ある場合、不純物たとえばリンを含むキャリアガスであ
るＯ２ガスやＮ２ガスが、ガス供給手段（図示せず）に
よってガス導入管２に導入され、矢印７に沿ってガス導
入管２の内側を流れ、ガス導入孔１３ｂを経てガス整流
手段１３に導入される。そして、ガス整流手段１３から
スリット１３ａを通って筒状流路５に流れ込む。そし
て、筒状流路５を上方に向かって流れ、外管１２の上端
を通って内管１１の内側に流れ込む。ガス供給手段は、
従来と同様のものを採用できる。
【００２３】このように、キャリアガスがスリット１３
ａを通って筒状流路５に流れ込むので、筒状流路５を流
れるキャリアガスの流量分布が周方向において均一であ
る。従って、筒状流路５から内管１１の内側に導入され
たキャリアガスは、多数の半導体ウエハにほぼ均一に行
きわたる。しかも、隣接する半導体ウエハの隙間の空間
にも均一にキャリアガスが行きわたる。したがって、各
半導体ウエハの表面には、均一で良質なリンの拡散層が
形成されることになる。このあとキャリアガスは内管１
１から排出口６を通って排出される。
ａを通って筒状流路５に流れ込むので、筒状流路５を流
れるキャリアガスの流量分布が周方向において均一であ
る。従って、筒状流路５から内管１１の内側に導入され
たキャリアガスは、多数の半導体ウエハにほぼ均一に行
きわたる。しかも、隣接する半導体ウエハの隙間の空間
にも均一にキャリアガスが行きわたる。したがって、各
半導体ウエハの表面には、均一で良質なリンの拡散層が
形成されることになる。このあとキャリアガスは内管１
１から排出口６を通って排出される。
【００２４】キャリアガスは、筒状流路５を流れる時に
予熱される。そのため、内管１１の内側においてキャリ
アガスの温度分布が均一になる。
予熱される。そのため、内管１１の内側においてキャリ
アガスの温度分布が均一になる。
【００２５】ガス整流手段１３のスリット１３ａやガス
導入孔１３ｂなどは、たとえばレ―ザ―加工により形成
される。レ―ザ―加工による場合、開口部分に欠けやバ
リ等が残らず、不純物を含むキャリアガスがガス整流手
段１３や筒状流路５にスム―ズに導入される。しかも、
繰り返しの加熱・冷却に対する耐久性が良い。
導入孔１３ｂなどは、たとえばレ―ザ―加工により形成
される。レ―ザ―加工による場合、開口部分に欠けやバ
リ等が残らず、不純物を含むキャリアガスがガス整流手
段１３や筒状流路５にスム―ズに導入される。しかも、
繰り返しの加熱・冷却に対する耐久性が良い。
【００２６】ところで、本発明は前述の実施例に限定さ
れるものではない。
れるものではない。
【００２７】例えば、内管、外管、ガス整流手段、ガス
導入管などの形状は、前述の形状に限らず、その他の形
状でもよい。また、それらの材質も、石英ガラスに限ら
ず、その他の材質でもよい。
導入管などの形状は、前述の形状に限らず、その他の形
状でもよい。また、それらの材質も、石英ガラスに限ら
ず、その他の材質でもよい。
【００２８】また、スリットの形状は、上下方向に貫通
する形状に限らず、その他の方向、例えば横方向に貫通
する形状でもよい。また、スリットを下向きに開口させ
てもよい。
する形状に限らず、その他の方向、例えば横方向に貫通
する形状でもよい。また、スリットを下向きに開口させ
てもよい。
【００２９】このようにスリットを下向きに開口させた
気相成長用炉芯管について次に説明する。
気相成長用炉芯管について次に説明する。
【００３０】図４を参照すると、この気相成長用炉芯管
は、ガス整流手段１３´を除いて前述の実施例と同様の
構成である。なお、図４においては、ガス導入管２とガ
ス整流手段１３´を部分的に示す。
は、ガス整流手段１３´を除いて前述の実施例と同様の
構成である。なお、図４においては、ガス導入管２とガ
ス整流手段１３´を部分的に示す。
【００３１】スリット１３´ａが上向きでなく下向きに
開口している点を除いて、ガス整流手段１３´は、前述
の実施例のガス整流手段と同様の構成である。
開口している点を除いて、ガス整流手段１３´は、前述
の実施例のガス整流手段と同様の構成である。
【００３２】ガス整流手段１３´は、ベース、内管１１
の外周面および外管１２の内周面のそれぞれから離れる
ように筒状流路に固定されている。
の外周面および外管１２の内周面のそれぞれから離れる
ように筒状流路に固定されている。
【００３３】次に、この気相成長用炉芯管に導入される
キャリアガスの流れについて説明する。
キャリアガスの流れについて説明する。
【００３４】キャリアガスは、矢印７´に沿ってガス導
入管２からガス導入孔１３´ｂを通ってガス整流手段１
３´に導入され、さらにスリット１３´ａを通って筒状
流路に導入され、ベース３に向かって下向きに流れ、ベ
ースに突き当たって筒状流路の半径方向あるいは中心方
向に流れ、内管１１の外周面および外管１２の内周面に
沿ってガス整流手段１３´の上方に流れる。そして、前
述の実施例と同様に筒状流路から内管１１の内側空間に
流れ込む。
入管２からガス導入孔１３´ｂを通ってガス整流手段１
３´に導入され、さらにスリット１３´ａを通って筒状
流路に導入され、ベース３に向かって下向きに流れ、ベ
ースに突き当たって筒状流路の半径方向あるいは中心方
向に流れ、内管１１の外周面および外管１２の内周面に
沿ってガス整流手段１３´の上方に流れる。そして、前
述の実施例と同様に筒状流路から内管１１の内側空間に
流れ込む。
【００３５】このように構成することによって、１本の
ガス導入管２によってガス導入を行い、しかも筒状流路
における周方向のキャリアガス流量分布を均一にして、
ガス供給を行う。
ガス導入管２によってガス導入を行い、しかも筒状流路
における周方向のキャリアガス流量分布を均一にして、
ガス供給を行う。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、スリットをガス整流手
段の外周面から内周面にかけて貫通するように形成し、
そのスリットを介して筒状流路の他端とガス整流手段を
互いに連通させているので、内管の内側に半導体ウエハ
を収容し、キャリアガスをガス整流手段からスリットを
通して筒状流路に導入し、さらに筒状流路の一端を経て
内管の内側に導入することができ、この場合、筒状流路
におけるキャリアガスの流量分布が、周方向に関して均
一になるので、複数の半導体ウエハおよび半導体ウエハ
間の隙間の空間に均一にキャリアガスが行きわたり、複
数の半導体ウエハの不純物層の厚さや濃度が均一で良質
な拡散層が得られ、半導体ウエハの品質向上を図れる。
段の外周面から内周面にかけて貫通するように形成し、
そのスリットを介して筒状流路の他端とガス整流手段を
互いに連通させているので、内管の内側に半導体ウエハ
を収容し、キャリアガスをガス整流手段からスリットを
通して筒状流路に導入し、さらに筒状流路の一端を経て
内管の内側に導入することができ、この場合、筒状流路
におけるキャリアガスの流量分布が、周方向に関して均
一になるので、複数の半導体ウエハおよび半導体ウエハ
間の隙間の空間に均一にキャリアガスが行きわたり、複
数の半導体ウエハの不純物層の厚さや濃度が均一で良質
な拡散層が得られ、半導体ウエハの品質向上を図れる。
【図１】本発明の好適な実施例による気相成長用炉芯管
を備えた縦型炉を部分的に示す断面図。
を備えた縦型炉を部分的に示す断面図。
【図２】ガス導入管およびガス整流手段を示す断面図。
【図３】図２に示したガス導入管およびガス整流手段を
示す平面図。
示す平面図。
【図４】本発明の別の実施例によるガス整流手段を部分
的に示す断面図。
的に示す断面図。
【図５】従来の二重管型炉芯管を備えた縦型炉を部分的
に示す断面図
に示す断面図
１ 気相成長用炉芯管 ２ ガス導入管 ３ ベース ４ 加熱手段 ５ 筒状流路 ６ 排出口 １１ 内管 １２ 外管 １３ ガス整流手段 １３ａ スリット １３ｂ ガス導入孔
Claims (1)
- 【請求項１】中空の管形状の内管と、中空の管形状の外
管と、中空のリング形状のガス整流手段とをそれぞれ別
体として設け、内管を外管に同軸状に内挿し、内管の外
周面と外管の内周面の間に筒状流路を形成し、筒状流路
の上端と内管の内側を互いに連通させ、スリットをガス
整流手段に肉厚方向に形成し、ガス整流手段のスリット
を介して筒状流路とガス整流手段を互いに連通させたこ
とを特徴とする気相成長用炉芯管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34686593A JPH07193012A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 気相成長用炉芯管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34686593A JPH07193012A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 気相成長用炉芯管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193012A true JPH07193012A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18386337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34686593A Pending JPH07193012A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 気相成長用炉芯管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193012A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013065437A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Nagano Japan Radio Co | プラズマ処理装置 |
| JP2015179820A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | プロセス空間の高さ別に加熱温度が調節可能なヒータを備える基板処理装置 |
| KR20190035469A (ko) | 2017-09-25 | 2019-04-03 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 석영 반응관, 클리닝 방법 및 프로그램 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP34686593A patent/JPH07193012A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013065437A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Nagano Japan Radio Co | プラズマ処理装置 |
| JP2015179820A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | プロセス空間の高さ別に加熱温度が調節可能なヒータを備える基板処理装置 |
| KR20190035469A (ko) | 2017-09-25 | 2019-04-03 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 석영 반응관, 클리닝 방법 및 프로그램 |
| US11685992B2 (en) | 2017-09-25 | 2023-06-27 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, quartz reaction tube and method of manufacturing semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101354107B1 (ko) | 서셉터 홀더가 부유식으로 장착된 ｃｖｄ 반응기 | |
| US5187771A (en) | Heat processing apparatus utilizing a plurality of stacked heater holders | |
| US20030175650A1 (en) | Process tube support sleeve with circumferential channels | |
| US6413884B1 (en) | Method of producing thin films using current of process gas and inert gas colliding with each other | |
| JPH04115531A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| US4950156A (en) | Inert gas curtain for a thermal processing furnace | |
| JPH07193012A (ja) | 気相成長用炉芯管 | |
| CN207659523U (zh) | 处理腔室及用于外延腔室中的部件和锥体 | |
| JPS63102225A (ja) | 縦形半導体熱処理装置のウエ−ハボ−ト | |
| US4203387A (en) | Cage for low pressure silicon dioxide deposition reactors | |
| JP6320325B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH05144753A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JPH07183232A (ja) | 気相成長用炉芯管 | |
| US6302963B1 (en) | Bell jar having integral gas distribution channeling | |
| JPH11150077A (ja) | 半導体ウエハの熱拡散装置 | |
| JPS61190949A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5792701A (en) | Conical baffle for semiconductor furnaces | |
| JP2646079B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び製造装置 | |
| JPH0794435A (ja) | 拡散装置 | |
| JPS63181315A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH07183233A (ja) | 気相成長用炉芯管 | |
| JPH09260363A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0530350Y2 (ja) | ||
| JP2004221150A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001284258A (ja) | 半導体製造装置 |