JPH07192215A - バルク型磁気ヘッド - Google Patents
バルク型磁気ヘッドInfo
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- JPH07192215A JPH07192215A JP33026393A JP33026393A JPH07192215A JP H07192215 A JPH07192215 A JP H07192215A JP 33026393 A JP33026393 A JP 33026393A JP 33026393 A JP33026393 A JP 33026393A JP H07192215 A JPH07192215 A JP H07192215A
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- magnetic
- magnetic head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高抗磁力媒体の使用を可能とし、S/Nの低
下をすることなく記録・再生が行えるとともに磁性体の
渦電流の低減が可能なバルク型磁気ヘッドの提供を目的
とする。 【構成】 バルク型磁気ヘッド1は、左片部1aと右辺
部1bとで構成され、前記左片部1aはセラミックなど
の非磁性絶縁体2aに、例えば透磁率の高いセンダスト
やFe系窒素膜をスパッタリングなどの方法で堆積した
もので構成し第1の磁性体3が形成されるとともに、こ
の第1の磁性体3が前記非磁性体2aに挟持された状態
で積層されている。一方、右片部1bはトラック幅To
を形成する第2の磁性体3が、セラミックなどの非磁性
絶縁体2bによって挟持して積層されるとともに、この
右辺部1bのポール長さPoを5μm以上30μm以下
の寸法で構成したことを特徴とする。
下をすることなく記録・再生が行えるとともに磁性体の
渦電流の低減が可能なバルク型磁気ヘッドの提供を目的
とする。 【構成】 バルク型磁気ヘッド1は、左片部1aと右辺
部1bとで構成され、前記左片部1aはセラミックなど
の非磁性絶縁体2aに、例えば透磁率の高いセンダスト
やFe系窒素膜をスパッタリングなどの方法で堆積した
もので構成し第1の磁性体3が形成されるとともに、こ
の第1の磁性体3が前記非磁性体2aに挟持された状態
で積層されている。一方、右片部1bはトラック幅To
を形成する第2の磁性体3が、セラミックなどの非磁性
絶縁体2bによって挟持して積層されるとともに、この
右辺部1bのポール長さPoを5μm以上30μm以下
の寸法で構成したことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスク等に用
いられる磁気ヘッドに関する。
いられる磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化が進み、HD
D(ハード・ディスク・ドライブ)ではトラック幅が1
0μm以下の200Mb/inch2のシステムが商品化さ
れている。
D(ハード・ディスク・ドライブ)ではトラック幅が1
0μm以下の200Mb/inch2のシステムが商品化さ
れている。
【0003】これらのシステムでは、20MHz以上の
転送速度を有し、このためインダクタンスが小さく且つ
高出力の磁気ヘッドが要求されており、一般には薄膜磁
気ヘッドが用いられている。
転送速度を有し、このためインダクタンスが小さく且つ
高出力の磁気ヘッドが要求されており、一般には薄膜磁
気ヘッドが用いられている。
【0004】このような薄膜磁気ヘッドを用いたハード
ディスク用ヘッドを図8に示す。図8は従来における薄
膜磁気ヘッドを用いたハードディスク用ヘッドの概略構
成を示すものであり、図8(a)は薄巻ヘッドをスライ
ダに貼着して構成する全体斜視図、図8(b)は電磁変
換部を示す薄巻ヘッドのを拡大して構成を説明する説明
図である。
ディスク用ヘッドを図8に示す。図8は従来における薄
膜磁気ヘッドを用いたハードディスク用ヘッドの概略構
成を示すものであり、図8(a)は薄巻ヘッドをスライ
ダに貼着して構成する全体斜視図、図8(b)は電磁変
換部を示す薄巻ヘッドのを拡大して構成を説明する説明
図である。
【0005】図8(a)に示すように、非磁性体として
形成されたスライダ10の正面側側面に、薄巻電磁変換
部としての薄巻ヘッド20を貼着して構成されている。
形成されたスライダ10の正面側側面に、薄巻電磁変換
部としての薄巻ヘッド20を貼着して構成されている。
【0006】前記薄巻ヘッド20が貼着されたスライダ
10は、浮上面10aを上にして図示しないヘッド支持
機構に取り付けられるとともに、所定のヘッド圧をかけ
るようにしている。
10は、浮上面10aを上にして図示しないヘッド支持
機構に取り付けられるとともに、所定のヘッド圧をかけ
るようにしている。
【0007】このような構成のハードディスク用ヘッド
に用いられている薄巻ヘッド20は、例えば図8(b)
に示すように、ギャップ21を備えた非磁性層22の外
側に第1の絶縁層23が積層され、この絶縁層23の上
面にコイル導体24が敷設され、この敷設されたコイル
導体24を各々絶縁するように第2の絶縁層25が設け
られており、また、この第2の絶縁層25を積重するよ
うに上部磁性層26が設けられている。一方、前記非磁
性層22の内側には、この非磁性層22を前記第1の絶
縁層23と挟持するように積層される下部磁性層27が
設けられ、この下部磁性層27には下部保護層28が積
層され、この下部保護層28を介して前記スライダ10
に貼着されている。また、前記上部磁性層26と前記下
部磁性層27とは、スライダ浮上面とは反対方向の結合
部29によって結合しており、一方、スライダ浮上面側
は、前記非磁性層22を挟持するようにして積重し、ギ
ャップ21を形成するとともに所定寸法のポールティッ
プ30を形成して結合されている。
に用いられている薄巻ヘッド20は、例えば図8(b)
に示すように、ギャップ21を備えた非磁性層22の外
側に第1の絶縁層23が積層され、この絶縁層23の上
面にコイル導体24が敷設され、この敷設されたコイル
導体24を各々絶縁するように第2の絶縁層25が設け
られており、また、この第2の絶縁層25を積重するよ
うに上部磁性層26が設けられている。一方、前記非磁
性層22の内側には、この非磁性層22を前記第1の絶
縁層23と挟持するように積層される下部磁性層27が
設けられ、この下部磁性層27には下部保護層28が積
層され、この下部保護層28を介して前記スライダ10
に貼着されている。また、前記上部磁性層26と前記下
部磁性層27とは、スライダ浮上面とは反対方向の結合
部29によって結合しており、一方、スライダ浮上面側
は、前記非磁性層22を挟持するようにして積重し、ギ
ャップ21を形成するとともに所定寸法のポールティッ
プ30を形成して結合されている。
【0008】ところで、このような構成の薄膜ヘッド2
0においては、通常、前記した第1及び第2の絶縁層
(以下、絶縁膜と記載)の材質として有機物が用いられ
ており、この有機物の中でも低温プロセスが可能なNi
Feのメッキコアが用いられている。しかしながら、こ
のNiFeのメッキコアを絶縁膜として用いた場合に
は、例えばこのNiFeのメッキコアの飽和磁束密度B
sが1テスラ以下であるため、あまり強い磁界を発生す
ることができず、つまり、媒体の抗磁力Hcが2000
Oe 以上になると、重ね書き特性(オーバ・ライト)が
不十分となるという欠点がある。
0においては、通常、前記した第1及び第2の絶縁層
(以下、絶縁膜と記載)の材質として有機物が用いられ
ており、この有機物の中でも低温プロセスが可能なNi
Feのメッキコアが用いられている。しかしながら、こ
のNiFeのメッキコアを絶縁膜として用いた場合に
は、例えばこのNiFeのメッキコアの飽和磁束密度B
sが1テスラ以下であるため、あまり強い磁界を発生す
ることができず、つまり、媒体の抗磁力Hcが2000
Oe 以上になると、重ね書き特性(オーバ・ライト)が
不十分となるという欠点がある。
【0009】また、前記ポールティップ30の厚さが数
μmと小さいため、再生時にはこのポールティップ30
のエッジで取り込む信号が主信号とで干渉を起こしてし
まい、その結果、波形が歪みS/N比を低下させるとい
う問題点がある。
μmと小さいため、再生時にはこのポールティップ30
のエッジで取り込む信号が主信号とで干渉を起こしてし
まい、その結果、波形が歪みS/N比を低下させるとい
う問題点がある。
【0010】さらに、薄膜ヘッド20において、通常ト
ラック幅方向を容易軸とすることにより、コアの高周波
透磁率を高くしているが、トラック幅が狭くなるにした
がって、反磁界が強くなり、トラック幅方向が容易軸に
はなりにくくなり、不規則なドメイン構造を取り易くな
る。このため、コアの高周波透磁率が低下し、これに伴
い再生出力の低下をまねくという不都合を生じてしま
う。
ラック幅方向を容易軸とすることにより、コアの高周波
透磁率を高くしているが、トラック幅が狭くなるにした
がって、反磁界が強くなり、トラック幅方向が容易軸に
はなりにくくなり、不規則なドメイン構造を取り易くな
る。このため、コアの高周波透磁率が低下し、これに伴
い再生出力の低下をまねくという不都合を生じてしま
う。
【0011】そこで、例えば磁気ヘッドの磁束が通る方
向を磁化困難軸にできれば、高周波透磁率が高くなり、
再生出力も大きくなる。つまり、磁束はギャップ深さ方
向に浸入することから、この方向を磁化困難軸にする方
法が想定でき、この方法においてはトラック幅方向を容
易軸にすることの他に、これら2つの方向と互いに直交
するもう一方の方向である媒体走行方向を容易軸とする
方法が考えられる。
向を磁化困難軸にできれば、高周波透磁率が高くなり、
再生出力も大きくなる。つまり、磁束はギャップ深さ方
向に浸入することから、この方向を磁化困難軸にする方
法が想定でき、この方法においてはトラック幅方向を容
易軸にすることの他に、これら2つの方向と互いに直交
するもう一方の方向である媒体走行方向を容易軸とする
方法が考えられる。
【0012】しかしながら、この方法を用いた場合にお
いても、前記方向はNiFeのメッキ膜の膜厚方向であ
り、しかもメッキの成長方向であるため、リソグラフィ
の精度に制限されて、5μm以上の長い寸法にすること
は薄膜磁気ヘッドにおいては実際上不可能である。ま
た、薄膜磁気ヘッドではNiFeのメッキ膜の渦電流を
減少するためコアの厚さを薄くすればヘッドが飽和し易
くなり、高Hc媒体の書き込みが困難となってしまい、
これを防止するため絶縁皮膜を挟んで膜を積層した場合
には、前記したようにその絶縁膜が再生時に類似ギャッ
プとして作用してしまい、S/N比が低下するという不
都合がある。
いても、前記方向はNiFeのメッキ膜の膜厚方向であ
り、しかもメッキの成長方向であるため、リソグラフィ
の精度に制限されて、5μm以上の長い寸法にすること
は薄膜磁気ヘッドにおいては実際上不可能である。ま
た、薄膜磁気ヘッドではNiFeのメッキ膜の渦電流を
減少するためコアの厚さを薄くすればヘッドが飽和し易
くなり、高Hc媒体の書き込みが困難となってしまい、
これを防止するため絶縁皮膜を挟んで膜を積層した場合
には、前記したようにその絶縁膜が再生時に類似ギャッ
プとして作用してしまい、S/N比が低下するという不
都合がある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、従来のハ
ードディスク用ヘッドに用いられる薄膜磁気ヘッドで
は、この薄膜ヘッドに用いられる絶縁膜の材質として、
有機物であるNiFeのメッキコアが用いられているた
め、強い磁界を発生することができず、媒体の抗磁力H
cが高くなった場合には、重ね書き特性(オーバー・ラ
イト)が不十分になるという欠点がある。
ードディスク用ヘッドに用いられる薄膜磁気ヘッドで
は、この薄膜ヘッドに用いられる絶縁膜の材質として、
有機物であるNiFeのメッキコアが用いられているた
め、強い磁界を発生することができず、媒体の抗磁力H
cが高くなった場合には、重ね書き特性(オーバー・ラ
イト)が不十分になるという欠点がある。
【0014】また、構造的にポールティップの厚さが数
μmと小さく構成されているため、再生時にはポールエ
ッジで取り込む信号が主信号とで干渉してしまい、その
結果、波形が歪みS/N比の低下をまねくという問題点
がある。
μmと小さく構成されているため、再生時にはポールエ
ッジで取り込む信号が主信号とで干渉してしまい、その
結果、波形が歪みS/N比の低下をまねくという問題点
がある。
【0015】さらに、前記NiFeのメッキコア膜の渦
電流を低減するために、このコアの厚さを薄くした場合
には、ヘッドが飽和しやすくなり、高抗磁力媒体の書き
込みが困難になってしまうという不都合がある。
電流を低減するために、このコアの厚さを薄くした場合
には、ヘッドが飽和しやすくなり、高抗磁力媒体の書き
込みが困難になってしまうという不都合がある。
【0016】そこで、本発明は上記問題に鑑みてなされ
たもので、高抗磁力媒体の使用を可能とし、S/Nの低
下をすることなく記録・再生が行えるとともに磁性体の
渦電流の低減が可能なバルク型磁気ヘッドの提供を目的
とする。
たもので、高抗磁力媒体の使用を可能とし、S/Nの低
下をすることなく記録・再生が行えるとともに磁性体の
渦電流の低減が可能なバルク型磁気ヘッドの提供を目的
とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の本発明に
よるバルク型磁気ヘッドは、ポール長さが所定値で形成
された一対のコアにそれぞれ巻線を巻回して構成された
バルク型磁気ヘッドにおいて、前記一対のコアの内少な
くとも一方のコアのポール長さを5μm以上30μm以
下の寸法で構成したことを特徴とする。
よるバルク型磁気ヘッドは、ポール長さが所定値で形成
された一対のコアにそれぞれ巻線を巻回して構成された
バルク型磁気ヘッドにおいて、前記一対のコアの内少な
くとも一方のコアのポール長さを5μm以上30μm以
下の寸法で構成したことを特徴とする。
【0018】請求項2記載の本発明によるバルク型磁気
ヘッドは、請求項1記載のバルク型磁気ヘッドであっ
て、前記コアの少なくとも一部が略一軸磁気異方性を持
ち、その容易軸の方向がほぼ媒体走行方向であることを
特徴とする。
ヘッドは、請求項1記載のバルク型磁気ヘッドであっ
て、前記コアの少なくとも一部が略一軸磁気異方性を持
ち、その容易軸の方向がほぼ媒体走行方向であることを
特徴とする。
【0019】
【作用】本発明においては、前記一対のコアの内少なく
とも一方のコアのポール長さを5μm以上30μm以下
の寸法で構成することにより、コア側面間の磁気抵抗を
大きくすることができることで磁束のもれを少なくする
ことができる。したがって、インダクタンスは従来のバ
ルク型磁気ヘッドより極めて小さくすることができると
ともに、薄膜ヘッドと同程度のインダクタンスを得るこ
とができる。
とも一方のコアのポール長さを5μm以上30μm以下
の寸法で構成することにより、コア側面間の磁気抵抗を
大きくすることができることで磁束のもれを少なくする
ことができる。したがって、インダクタンスは従来のバ
ルク型磁気ヘッドより極めて小さくすることができると
ともに、薄膜ヘッドと同程度のインダクタンスを得るこ
とができる。
【0020】また、記録電流を増加させた場合には、前
記コアの磁気飽和はギャップ部から離れたところで生じ
ることで、入出力特性も前記薄膜ヘッドと同様に得るこ
とができる。
記コアの磁気飽和はギャップ部から離れたところで生じ
ることで、入出力特性も前記薄膜ヘッドと同様に得るこ
とができる。
【0021】
【実施例】実施例について図面を参照して説明する。図
1は本発明に係るバルク型磁気ヘッドの一実施例を示
し、積層型ヘッドとして構成した場合の斜視図である。
1は本発明に係るバルク型磁気ヘッドの一実施例を示
し、積層型ヘッドとして構成した場合の斜視図である。
【0022】図1に示すように、本実施例におけるバル
ク型磁気ヘッド1は、左片部1aと右辺部1bとで構成
され、前記左片部1aはセラミックなどの第1の非磁性
絶縁体2aに、例えば透磁率の高いセンダストやFe系
窒素膜をスパッタリングなどの方法で堆積したもので構
成して、第1の磁性体3が形成されるとともに、この第
1の磁性体3が前記非磁性体2に挟持された状態で積層
されている。一方、右片部1bはトラック幅3aを形成
する第2の磁性体3が、セラミックなどの非磁性絶縁体
によって挟持して積層されるとともに、所定の寸法幅の
ポール長Po(例えば5μm以上30μm以下の寸法)
を有して構成され、さらにこの外側側面には強度をあげ
るために第2の非磁性絶縁体2bを積層して構成してい
る。
ク型磁気ヘッド1は、左片部1aと右辺部1bとで構成
され、前記左片部1aはセラミックなどの第1の非磁性
絶縁体2aに、例えば透磁率の高いセンダストやFe系
窒素膜をスパッタリングなどの方法で堆積したもので構
成して、第1の磁性体3が形成されるとともに、この第
1の磁性体3が前記非磁性体2に挟持された状態で積層
されている。一方、右片部1bはトラック幅3aを形成
する第2の磁性体3が、セラミックなどの非磁性絶縁体
によって挟持して積層されるとともに、所定の寸法幅の
ポール長Po(例えば5μm以上30μm以下の寸法)
を有して構成され、さらにこの外側側面には強度をあげ
るために第2の非磁性絶縁体2bを積層して構成してい
る。
【0023】また、前記左片部1aと前記右片部1bと
は、正確に位置決めされるとともに、突き合わせて固定
され、この固定される段階では、前記左片部1bの第1
の磁性体3と前記左片部1bの第2の磁性体とが形成さ
れるギャップ5を介して磁路を形成するように位置決め
を行い、正確な固定作業を行うことによって、積層型バ
ルク磁気ヘッドを形成するようにしている。
は、正確に位置決めされるとともに、突き合わせて固定
され、この固定される段階では、前記左片部1bの第1
の磁性体3と前記左片部1bの第2の磁性体とが形成さ
れるギャップ5を介して磁路を形成するように位置決め
を行い、正確な固定作業を行うことによって、積層型バ
ルク磁気ヘッドを形成するようにしている。
【0024】尚、本実施例においては、前記第2の磁性
体3bを有しているポールの長さPoを、例えば20μ
m以上50μm以下の寸法になるように構成しており、
また、このポール長Poと前記第2の非磁性絶縁体2b
とを合わせた寸法は、所定値を満足していれば良い。
体3bを有しているポールの長さPoを、例えば20μ
m以上50μm以下の寸法になるように構成しており、
また、このポール長Poと前記第2の非磁性絶縁体2b
とを合わせた寸法は、所定値を満足していれば良い。
【0025】また、図中において左片部1aには巻線孔
4が形成されており、図示はしないがこの左片部1a及
び前記右辺部1bにおいて巻線を施すようにしている。
4が形成されており、図示はしないがこの左片部1a及
び前記右辺部1bにおいて巻線を施すようにしている。
【0026】次に、このような構成の本実施例における
バルク型磁気ヘッドの動作を従来技術における薄膜ヘッ
ドあるいはバルク型磁気ヘッドの動作原理と比較して図
2を参照しながら詳細に説明する。図2は本発明に係る
バルク型磁気ヘッドの動作を説明する説明図であり、図
2(a)は本発明のバルク型磁気ヘッドの構成を示す概
念図、図2(b)は従来における薄膜ヘッドの構成を示
す断面図、図2(c)は従来におけるバルク型磁気ヘッ
ドの構成を示す断面図である。
バルク型磁気ヘッドの動作を従来技術における薄膜ヘッ
ドあるいはバルク型磁気ヘッドの動作原理と比較して図
2を参照しながら詳細に説明する。図2は本発明に係る
バルク型磁気ヘッドの動作を説明する説明図であり、図
2(a)は本発明のバルク型磁気ヘッドの構成を示す概
念図、図2(b)は従来における薄膜ヘッドの構成を示
す断面図、図2(c)は従来におけるバルク型磁気ヘッ
ドの構成を示す断面図である。
【0027】本実施例においては、従来技術としての薄
膜ヘッドにおける問題点を解決するとともに、薄膜ヘッ
ドより極めて高性能のバルク型磁気ヘッドを構成するこ
とを特徴としている。
膜ヘッドにおける問題点を解決するとともに、薄膜ヘッ
ドより極めて高性能のバルク型磁気ヘッドを構成するこ
とを特徴としている。
【0028】尚、これら図中における磁気ヘッドのそれ
ぞれのトラック幅を、例えば5μmと想定して説明す
る。
ぞれのトラック幅を、例えば5μmと想定して説明す
る。
【0029】先ず、図2(b)に示すように、薄膜磁気
ヘッド20では、上部磁性層26及び下部磁性層27を
示すコアが薄く、そのため、コイル(図示せず)と鎖交
する磁性体の実行体積が少なく、またコア側面積が小さ
いため側面間の磁気抵抗が大きく、側面間通しの磁束の
もれも少ない。したがって、インダクタンスが小さい。
しかしながら、コアの磁気抵抗も大きいため、デプスを
小さくしなければ効率が悪い。また、記録電流を増加さ
せていくと、ギャップ21から離れた部分が最初に磁気
飽和を起こしてしまい、そのためヘッド効率が低下し、
電流をそれ以上に増やしてもギャップ21付近の磁界は
強くならず、再生出力も変化しない。
ヘッド20では、上部磁性層26及び下部磁性層27を
示すコアが薄く、そのため、コイル(図示せず)と鎖交
する磁性体の実行体積が少なく、またコア側面積が小さ
いため側面間の磁気抵抗が大きく、側面間通しの磁束の
もれも少ない。したがって、インダクタンスが小さい。
しかしながら、コアの磁気抵抗も大きいため、デプスを
小さくしなければ効率が悪い。また、記録電流を増加さ
せていくと、ギャップ21から離れた部分が最初に磁気
飽和を起こしてしまい、そのためヘッド効率が低下し、
電流をそれ以上に増やしてもギャップ21付近の磁界は
強くならず、再生出力も変化しない。
【0030】一方、図2(c)に示す従来のバルクヘッ
ド11では、通常巻線(図示せず)は被服銅線で行って
いる。そのため巻線孔14は薄膜ヘッド20よりも大き
く、したがって磁路長も大きい。また、コアが一軸磁気
異方性を有していると、困難軸方向の透磁率が高いが、
容易軸方向の高周波透磁率は低い。形状からわかるよう
に、磁路の磁気抵抗を全体として小さくするためには、
磁気異方性のない等方向磁性体が望ましい。そうすれ
ば、コアの断面積が薄膜ヘッドと比べて大きいため、磁
気抵抗が小さく、ギャップ深さが大きくてもヘッド効率
は良い。しかしながら、コア側面間磁気抵抗も比較的小
さいため側面からの磁束のもれも大きい。したがって、
たとえこの磁気ヘッドのギャップ深さを小さくしてもイ
ンダクタンスは薄膜ヘッド程には小さくならない。ま
た、記録電流を増やしていくと、ギャップ付近磁気飽和
するまで他の部分は飽和しない。このため、電流を増や
していくと磁界が比例して強まり、媒体の記録減磁を引
き起こす。したがってと通常は、再生出力のピーク付近
記録電流を設定するという調整が必要である。
ド11では、通常巻線(図示せず)は被服銅線で行って
いる。そのため巻線孔14は薄膜ヘッド20よりも大き
く、したがって磁路長も大きい。また、コアが一軸磁気
異方性を有していると、困難軸方向の透磁率が高いが、
容易軸方向の高周波透磁率は低い。形状からわかるよう
に、磁路の磁気抵抗を全体として小さくするためには、
磁気異方性のない等方向磁性体が望ましい。そうすれ
ば、コアの断面積が薄膜ヘッドと比べて大きいため、磁
気抵抗が小さく、ギャップ深さが大きくてもヘッド効率
は良い。しかしながら、コア側面間磁気抵抗も比較的小
さいため側面からの磁束のもれも大きい。したがって、
たとえこの磁気ヘッドのギャップ深さを小さくしてもイ
ンダクタンスは薄膜ヘッド程には小さくならない。ま
た、記録電流を増やしていくと、ギャップ付近磁気飽和
するまで他の部分は飽和しない。このため、電流を増や
していくと磁界が比例して強まり、媒体の記録減磁を引
き起こす。したがってと通常は、再生出力のピーク付近
記録電流を設定するという調整が必要である。
【0031】さて、図2(a)に示す本発明のバルク型
磁気ヘッドを前述した薄膜ヘッド20及び従来のバルク
型磁気ヘッド11とで比較した場合においては、図2
(a)に示すように本実施例におけるバルク型ヘッド1
は、ギャップ5面の左片部1aが図2(c)に示すバル
ク型磁気ヘッド14の左片部11aとまったく同様に構
成されており、つまり等方的な磁性体である。また、右
片部1bは図2(c)に示すバルク型磁気ヘッド14の
右片部11bを極めて薄くしたものである。尚、図中に
示す前記右片部1bの寸法幅m(厚さ)を例えば、20
μmとして示し、媒体走行方向に磁化容易軸を持ってい
るものとする。
磁気ヘッドを前述した薄膜ヘッド20及び従来のバルク
型磁気ヘッド11とで比較した場合においては、図2
(a)に示すように本実施例におけるバルク型ヘッド1
は、ギャップ5面の左片部1aが図2(c)に示すバル
ク型磁気ヘッド14の左片部11aとまったく同様に構
成されており、つまり等方的な磁性体である。また、右
片部1bは図2(c)に示すバルク型磁気ヘッド14の
右片部11bを極めて薄くしたものである。尚、図中に
示す前記右片部1bの寸法幅m(厚さ)を例えば、20
μmとして示し、媒体走行方向に磁化容易軸を持ってい
るものとする。
【0032】そのため、このバルク型磁気ヘッド1にお
ける右片部1bの磁性体の断面積は、図2(b)に示す
薄膜ヘッド20より小さく、また従来のバルク型磁気ヘ
ッド14よりも大きいことになり、さらに、前記右片部
1bの磁性体の長さは前記薄膜磁気ヘッド20よりも長
いことになる。
ける右片部1bの磁性体の断面積は、図2(b)に示す
薄膜ヘッド20より小さく、また従来のバルク型磁気ヘ
ッド14よりも大きいことになり、さらに、前記右片部
1bの磁性体の長さは前記薄膜磁気ヘッド20よりも長
いことになる。
【0033】一方、このバルク型磁気ヘッド1の右片部
1bのポールPの厚さは、薄膜ヘッド20のポール30
の厚さ4μmより遥かに大きい20μmとなっており、
前記薄膜ヘッド20のトラック幅5μmより遥かに大き
いため、従来のバルク型磁気ヘッド11において媒体方
向を容易軸とすることは、前記薄膜ヘッド20のトラッ
クを容易軸とすることよりも遥かに容易である。
1bのポールPの厚さは、薄膜ヘッド20のポール30
の厚さ4μmより遥かに大きい20μmとなっており、
前記薄膜ヘッド20のトラック幅5μmより遥かに大き
いため、従来のバルク型磁気ヘッド11において媒体方
向を容易軸とすることは、前記薄膜ヘッド20のトラッ
クを容易軸とすることよりも遥かに容易である。
【0034】したがって、本実施例におけるバルク型磁
気ヘッド1の右片部1bの透磁率は前記薄膜ヘッド20
よりも大きくなる。したがって、バルク型磁気ヘッド1
の右片部1b全体の磁気抵抗は前記薄幕ヘッド20より
小さいと想定されるが、この薄膜ヘッド20の右片のギ
ャップから離れた部分は図2の紙面垂直方向に広がって
いるため、図2で考えるよりは薄膜ヘッド20の磁気ヘ
ッド抵抗は小さい。
気ヘッド1の右片部1bの透磁率は前記薄膜ヘッド20
よりも大きくなる。したがって、バルク型磁気ヘッド1
の右片部1b全体の磁気抵抗は前記薄幕ヘッド20より
小さいと想定されるが、この薄膜ヘッド20の右片のギ
ャップから離れた部分は図2の紙面垂直方向に広がって
いるため、図2で考えるよりは薄膜ヘッド20の磁気ヘ
ッド抵抗は小さい。
【0035】その広がりの程度はコアの後部突き合わせ
部分の広がりと同じ程度であり、およそ30μm程度を
越えない。結局、バルク型磁気ヘッド1の右片部1b全
体の気抵抗はほぼ前記薄巻磁気ヘッド20とほぼ同程度
である。また、左辺部1aは従来のバルク型磁気ヘッド
11と同様であるから、磁気抵抗は小さい。したがっ
て、ギャップ部以外の磁気抵抗は、この従来のバルク型
磁気ヘッド11より大きい。しかし、ギャップ深さはバ
ルク型磁気ヘッド1と同程度に小さいからこの磁気ヘッ
ド1の効率は従来の磁気ヘッド11と同程度である。ま
た、コア側面積が小さいため側面間の磁気抵抗が大き
く、側面間通しの磁束のもれも少ない。したがって、イ
ンダクタンスは従来のバルク型磁気ヘッド11よりも遥
かに小さく、前記薄膜磁気ヘッド20と同程度である。
部分の広がりと同じ程度であり、およそ30μm程度を
越えない。結局、バルク型磁気ヘッド1の右片部1b全
体の気抵抗はほぼ前記薄巻磁気ヘッド20とほぼ同程度
である。また、左辺部1aは従来のバルク型磁気ヘッド
11と同様であるから、磁気抵抗は小さい。したがっ
て、ギャップ部以外の磁気抵抗は、この従来のバルク型
磁気ヘッド11より大きい。しかし、ギャップ深さはバ
ルク型磁気ヘッド1と同程度に小さいからこの磁気ヘッ
ド1の効率は従来の磁気ヘッド11と同程度である。ま
た、コア側面積が小さいため側面間の磁気抵抗が大き
く、側面間通しの磁束のもれも少ない。したがって、イ
ンダクタンスは従来のバルク型磁気ヘッド11よりも遥
かに小さく、前記薄膜磁気ヘッド20と同程度である。
【0036】したがって、本実施例のバルク型磁気ヘッ
ド1の効率は、薄膜ヘッド20と同等であり、しかもイ
ンダクタンスも薄膜ヘッドと同等ということになる。ま
た、例えば記録電流を増加させた場合には、コアの磁気
飽和はギャップ部から離れたところで生ずるため、入出
力特性は前記薄膜ヘッド20と同様のカーブとなる。
ド1の効率は、薄膜ヘッド20と同等であり、しかもイ
ンダクタンスも薄膜ヘッドと同等ということになる。ま
た、例えば記録電流を増加させた場合には、コアの磁気
飽和はギャップ部から離れたところで生ずるため、入出
力特性は前記薄膜ヘッド20と同様のカーブとなる。
【0037】また、本実施例のバルク型磁気ヘッド1で
は、従来のバルク型磁気ヘッド11よりポールPの長さ
が長いため、コンター効果が無視できるほど小さく、S
/N比が良く、また、後述するように、NiFeのメッ
キコアより極めて磁気飽和しにくい磁性膜を用いること
が可能であり、これにより、従来用いることのできなか
った高抗磁力媒体の使用を可能とし、しかもこれらの磁
性膜はNiFeより硬く摩耗しないため、現状の薄膜ヘ
ッドで避けられないポールのABS面からの後退を減少
することができる。
は、従来のバルク型磁気ヘッド11よりポールPの長さ
が長いため、コンター効果が無視できるほど小さく、S
/N比が良く、また、後述するように、NiFeのメッ
キコアより極めて磁気飽和しにくい磁性膜を用いること
が可能であり、これにより、従来用いることのできなか
った高抗磁力媒体の使用を可能とし、しかもこれらの磁
性膜はNiFeより硬く摩耗しないため、現状の薄膜ヘ
ッドで避けられないポールのABS面からの後退を減少
することができる。
【0038】さらに、磁性体の渦電流を低減するため
に、コアを薄い磁性体薄膜を積層体とすることも可能で
あり、高周波特性は前記薄膜ヘッド20よりも良好であ
る。
に、コアを薄い磁性体薄膜を積層体とすることも可能で
あり、高周波特性は前記薄膜ヘッド20よりも良好であ
る。
【0039】以上説明したことから、本実施例における
バルク型磁気ヘッド1は、前記薄膜ヘッド20の性能を
上回る性能を持つことは明かである。
バルク型磁気ヘッド1は、前記薄膜ヘッド20の性能を
上回る性能を持つことは明かである。
【0040】図3は本発明に係るバルク型磁気ヘッドの
製造方法の一例を示すものである。
製造方法の一例を示すものである。
【0041】図3(a)に示す磁気ヘッド部材50は、
セラミックなどの非磁性体絶縁体に例えば、センダスト
やFe系窒素をスパッタリングなどの方法で堆積させた
ものである。この段階で、前記磁性膜の厚さをトラック
幅と等しくしておくように形成しておく。また、必要が
あれば、絶縁体を挟んで磁性膜を多層にしたものでも良
い。
セラミックなどの非磁性体絶縁体に例えば、センダスト
やFe系窒素をスパッタリングなどの方法で堆積させた
ものである。この段階で、前記磁性膜の厚さをトラック
幅と等しくしておくように形成しておく。また、必要が
あれば、絶縁体を挟んで磁性膜を多層にしたものでも良
い。
【0042】また、前記磁気ヘッド部材50は、このセ
ラミックの表面に接合ガラスをコーティングして成形さ
れ、そしてこの磁気ヘッド部材50を、例えば複数個用
意し、図3(b)に示すように積み重ね、上下から加圧
しながら加熱し、一体化して成形する。
ラミックの表面に接合ガラスをコーティングして成形さ
れ、そしてこの磁気ヘッド部材50を、例えば複数個用
意し、図3(b)に示すように積み重ね、上下から加圧
しながら加熱し、一体化して成形する。
【0043】次に、図3(b)に示すように積層して一
体化した磁気ヘッド部材を波線(図中における波線)に
沿って切断し、図3(c)に示すの磁気ヘッド板部材5
0aを得る。そして、前記図3(b)に示す磁気ヘッド
部材を切断した磁気ヘッド板部材板50aの総数の内、
半数分の前記磁気ヘッド板部材5aに、例えば図3
(d)に示すように前記磁気ヘッド板部材50aの下面
にセラミックを接合し、磁気ヘッド板部材50bを成形
する。
体化した磁気ヘッド部材を波線(図中における波線)に
沿って切断し、図3(c)に示すの磁気ヘッド板部材5
0aを得る。そして、前記図3(b)に示す磁気ヘッド
部材を切断した磁気ヘッド板部材板50aの総数の内、
半数分の前記磁気ヘッド板部材5aに、例えば図3
(d)に示すように前記磁気ヘッド板部材50aの下面
にセラミックを接合し、磁気ヘッド板部材50bを成形
する。
【0044】次に、図3(e)に示すように、前記磁気
ヘッド部材50bの磁性体を含む部分の厚さが50μm
以下の所定の厚さになるように図3(d)に示す磁気ヘ
ッド板部材50bの上面を研削し、この上面の表面を鏡
面に仕上げ、磁気ヘッド板部材50cを成形する。
ヘッド部材50bの磁性体を含む部分の厚さが50μm
以下の所定の厚さになるように図3(d)に示す磁気ヘ
ッド板部材50bの上面を研削し、この上面の表面を鏡
面に仕上げ、磁気ヘッド板部材50cを成形する。
【0045】一方、図3(c)に示す切断された前記磁
気ヘッド板部材50aの残りの半数に、図3(f)に示
すように巻線溝4を施すようにする。この場合の巻線溝
4は、ポールPの長さを例えば、5μmから30μmの
範囲の寸法で成形するようにしている。そして、この磁
気ヘッド板部材50aのギャップ対向面を鏡面に仕上げ
る。
気ヘッド板部材50aの残りの半数に、図3(f)に示
すように巻線溝4を施すようにする。この場合の巻線溝
4は、ポールPの長さを例えば、5μmから30μmの
範囲の寸法で成形するようにしている。そして、この磁
気ヘッド板部材50aのギャップ対向面を鏡面に仕上げ
る。
【0046】次に、図3(e)に示す磁気ヘッド板部材
50cと、図3(f)に示す磁気ヘッド板部材50dと
の少なくともどちらか一方のギャップ対向面にギャップ
膜を形成し、次いで図3(g)に示すように、磁性膜が
ギャップを介して磁路を形成するよう、前記磁気ヘッド
板部材50cと50dとを正確に突き合わせて固定し、
巻線穴のガラス棒をいれて加熱し一体化する。
50cと、図3(f)に示す磁気ヘッド板部材50dと
の少なくともどちらか一方のギャップ対向面にギャップ
膜を形成し、次いで図3(g)に示すように、磁性膜が
ギャップを介して磁路を形成するよう、前記磁気ヘッド
板部材50cと50dとを正確に突き合わせて固定し、
巻線穴のガラス棒をいれて加熱し一体化する。
【0047】そして、波線の沿って分割すれば、図1に
示すような本実施例におけるバルク型磁気ヘッドと成す
ことができる。
示すような本実施例におけるバルク型磁気ヘッドと成す
ことができる。
【0048】尚、図1に示すバルク型磁気ヘッドはいわ
ゆる積層型ヘッドに本発明の概念によって構成・適用し
たものであるが、本発明は積層型ヘッドに限定されるも
のではなく、例えばメタルインギャップ(MIG)型ヘ
ッドに対しても構成・適用することを可能とし、高周波
特性上効果を得ることができることは勿論である。
ゆる積層型ヘッドに本発明の概念によって構成・適用し
たものであるが、本発明は積層型ヘッドに限定されるも
のではなく、例えばメタルインギャップ(MIG)型ヘ
ッドに対しても構成・適用することを可能とし、高周波
特性上効果を得ることができることは勿論である。
【0049】そこで、前記MIGヘッドに本発明を適用
した場合を図4に示す。
した場合を図4に示す。
【0050】図4は本発明に係るバルク型磁気ヘッドの
第2実施例を示し、図4(a)はMIGヘッドに用いた
場合の構成を示す斜視図、図4(b)は従来におけるM
IGヘッドの構成を示す斜視図である。
第2実施例を示し、図4(a)はMIGヘッドに用いた
場合の構成を示す斜視図、図4(b)は従来におけるM
IGヘッドの構成を示す斜視図である。
【0051】図4(b)に示すように、一般に高密度用
として使用されている磁気ヘッドにMIG(Metal
In Gap)ヘッド50があることは周知のところ
であり、ここで簡単に説明すればこれはバルク型ヘッド
のリード/ライト・ギャップ51のセンタ・コア部分に
センダスト(鉄・ケイ素・アルミニウム合金、透磁率が
高いことを特徴とする)などの金属膜50dを付けて特
性を改善したものである。
として使用されている磁気ヘッドにMIG(Metal
In Gap)ヘッド50があることは周知のところ
であり、ここで簡単に説明すればこれはバルク型ヘッド
のリード/ライト・ギャップ51のセンタ・コア部分に
センダスト(鉄・ケイ素・アルミニウム合金、透磁率が
高いことを特徴とする)などの金属膜50dを付けて特
性を改善したものである。
【0052】そこで、本実施例では、前記高密度用とし
て使用されているMIGヘッド50を本発明に係るよう
に構成し、高周波特性上効果を得るために改善したもの
であり、公知として構成している図4(b)に示すMI
Gヘッドを、例えば一点斜線に沿って除去し、除去され
た部分にセラミック等の磁性体50b(左片部)を接合
した場合の一例である。尚、この場合のセンターコアと
の接合面には、フェライト等で形成する磁性膜50eを
積層するようにしている。
て使用されているMIGヘッド50を本発明に係るよう
に構成し、高周波特性上効果を得るために改善したもの
であり、公知として構成している図4(b)に示すMI
Gヘッドを、例えば一点斜線に沿って除去し、除去され
た部分にセラミック等の磁性体50b(左片部)を接合
した場合の一例である。尚、この場合のセンターコアと
の接合面には、フェライト等で形成する磁性膜50eを
積層するようにしている。
【0053】したがって、このような構成によれば、従
来におけるMIGヘッドの特性を生かすとともに、さら
に前記実施例と同様に効果を得ることができることは明
かである。
来におけるMIGヘッドの特性を生かすとともに、さら
に前記実施例と同様に効果を得ることができることは明
かである。
【0054】図5は本発明に係るバルク型磁気ヘッドの
第3実施例を示し、図1に示すバルク型ヘッドを例えば
ハードディスク用ヘッドの形状に構成した場合のヘッド
の斜視図である。
第3実施例を示し、図1に示すバルク型ヘッドを例えば
ハードディスク用ヘッドの形状に構成した場合のヘッド
の斜視図である。
【0055】図5に示すように、本実施例におけるハー
ドディスク用ヘッドは、磁性膜(第1、第2の磁性体3
a、3b)としてFeTaN膜を用い、トラック幅が6
μmとなるようにこの磁性膜を積層し、ヘッド形状での
媒体走行方向に磁気異方性を有するよう、巻線の溝のな
い方のコア1yを磁界中アニールを施し、異方性磁界が
3エースルテッドに構成している。そして、巻線の溝の
ない方のコア1yと組合せ、無磁界中でガラス接合し、
図5に示す本実施例のハードディスク用ヘッドと成す。
このハードディスク用ヘッドでは、巻線孔4の存在する
方を等方的、存在しない方は一軸磁気異方性がついてい
るものと思われる。
ドディスク用ヘッドは、磁性膜(第1、第2の磁性体3
a、3b)としてFeTaN膜を用い、トラック幅が6
μmとなるようにこの磁性膜を積層し、ヘッド形状での
媒体走行方向に磁気異方性を有するよう、巻線の溝のな
い方のコア1yを磁界中アニールを施し、異方性磁界が
3エースルテッドに構成している。そして、巻線の溝の
ない方のコア1yと組合せ、無磁界中でガラス接合し、
図5に示す本実施例のハードディスク用ヘッドと成す。
このハードディスク用ヘッドでは、巻線孔4の存在する
方を等方的、存在しない方は一軸磁気異方性がついてい
るものと思われる。
【0056】そこで、例えばこのように構成のハードデ
ィスク用ヘッドを実際に試作し、その特性を測定した場
合のデータを図6及び図7に示す。尚、この場合のヘッ
ドの巻線数は45Tとし、トラック幅を6μmとするこ
とにする。
ィスク用ヘッドを実際に試作し、その特性を測定した場
合のデータを図6及び図7に示す。尚、この場合のヘッ
ドの巻線数は45Tとし、トラック幅を6μmとするこ
とにする。
【0057】図6に示す特性図は、例えば巻線の溝のな
い方のポール長Pを変えた場合のインダクタンスのデプ
ス依存性を示しており、この図からわかるように、ポー
ル長Pが小さくなるにつれてインダクタンスは低下し、
しかもデプス依存性が大きくなる。図7は、そのデータ
を、ギャップ深さが2μmの場合のインダクタンスのポ
ール長Pの依存性として示したものであり、ポール長が
50μm以下になると、本発明の効果が良く現れてくる
ことを示している。
い方のポール長Pを変えた場合のインダクタンスのデプ
ス依存性を示しており、この図からわかるように、ポー
ル長Pが小さくなるにつれてインダクタンスは低下し、
しかもデプス依存性が大きくなる。図7は、そのデータ
を、ギャップ深さが2μmの場合のインダクタンスのポ
ール長Pの依存性として示したものであり、ポール長が
50μm以下になると、本発明の効果が良く現れてくる
ことを示している。
【0058】また、本発明の磁界中熱処理は、トラック
幅が広い場合にはトラック幅方向に磁気異方性つけるこ
とができるため、本実験のようにトラック幅方向に異方
性をつけた方が有利になることは、トラック幅が目標ポ
ール長より短くなったときであり、目標ポール長が製造
上20μm程度とすれば、トラック幅が20μm以下の
磁気ヘッドに対して、有効である。
幅が広い場合にはトラック幅方向に磁気異方性つけるこ
とができるため、本実験のようにトラック幅方向に異方
性をつけた方が有利になることは、トラック幅が目標ポ
ール長より短くなったときであり、目標ポール長が製造
上20μm程度とすれば、トラック幅が20μm以下の
磁気ヘッドに対して、有効である。
【0059】尚、本発明は、ハードディスク用のヘッド
に限定されるものではなく、フロッピ、VTRなどの磁
気記録一般に秘録用いることができることは勿論であ
る。
に限定されるものではなく、フロッピ、VTRなどの磁
気記録一般に秘録用いることができることは勿論であ
る。
【0060】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、高抗
磁力媒体の使用を可能とし、S/Nの低下をすることな
く記録・再生が行うことができるとともに、磁性体の渦
電流の低減を可能にし、従来の薄膜ヘッドの性能より上
回るバルク型ヘッドを得ることができる。
磁力媒体の使用を可能とし、S/Nの低下をすることな
く記録・再生が行うことができるとともに、磁性体の渦
電流の低減を可能にし、従来の薄膜ヘッドの性能より上
回るバルク型ヘッドを得ることができる。
【図1】図1乃至図3は本発明に係るバルク型磁気ヘッ
ドの一実施例を示し、図1は積層型磁気ヘッドに用いて
構成した場合のバルク型磁気ヘッドの斜視図。
ドの一実施例を示し、図1は積層型磁気ヘッドに用いて
構成した場合のバルク型磁気ヘッドの斜視図。
【図2】図2は本発明の磁気ヘッドの概念を説明する説
明図。
明図。
【図3】図3は図1に示すバルク型磁気ヘッドの製造方
法を示す説明図。
法を示す説明図。
【図4】図4は本発明の他の実施例を示し、MIGヘッ
ドに用いた場合の磁気ヘッドの斜視図。
ドに用いた場合の磁気ヘッドの斜視図。
【図5】図5は本発明の第3実施例を示し、ハードディ
スク用ヘッドに用いた場合の磁気ヘッドの斜視図。
スク用ヘッドに用いた場合の磁気ヘッドの斜視図。
【図6】図6及び図7は図5に示すハードディスク用ヘ
ッドの特性を示す特性図であり、図6はギャップの深さ
とインダクタンスとの特性を示した図。
ッドの特性を示す特性図であり、図6はギャップの深さ
とインダクタンスとの特性を示した図。
【図7】図7はポール長とインダクタンスとの特性を示
した図。
した図。
【図8】図8は従来における薄膜磁気ヘッドの構成を説
明する構成図。
明する構成図。
1…バルク型磁気ヘッド 1a…左片部 1b…右片部 2a…第1の非磁性絶縁体 2b…第2の非磁性絶縁体 3a…第1の磁性体 3b…第2の磁性体 4…巻線孔 5…ギャップ To…トラック幅 P…ポールティップ Po…ポール長
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年1月14日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】
【実施例】実施例について図面を参照して説明する。図
1は本発明に係るバルク型磁気ヘッドの第1実施例を示
し、積層型ヘッドとして構成した場合の斜視図である。
1は本発明に係るバルク型磁気ヘッドの第1実施例を示
し、積層型ヘッドとして構成した場合の斜視図である。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】図1乃至図3は本発明に係るバルク型磁気ヘッ
ドの第1実施例を示し、図1は積層型磁気ヘッドに用い
て構成した場合のバルク型磁気ヘッドの斜視図。
ドの第1実施例を示し、図1は積層型磁気ヘッドに用い
て構成した場合のバルク型磁気ヘッドの斜視図。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図4
【補正方法】変更
【補正内容】
【図4】図4は本発明の第2実施例を示し、MIGヘッ
ドに用いた場合の磁気ヘッドの斜視図。
ドに用いた場合の磁気ヘッドの斜視図。
【手続補正4】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
【図4】
【図5】
【図6】
【図3】
【図7】
【図8】
Claims (2)
- 【請求項1】ポール長さが所定値で形成された一対のコ
アにそれぞれ巻線を巻回して構成されたバルク型磁気ヘ
ッドにおいて、 前記一対のコアの内少なくとも一方のコアのポール長さ
を5μm以上30μm以下の寸法で構成したことを特徴
とするバルク型磁気ヘッド。 - 【請求項2】前記コアの少なくとも一部が略一軸磁気異
方性を持ち、その容易軸の方向がほぼ媒体走行方向であ
ることを特徴とする請求項1記載のバルク型磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33026393A JPH07192215A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | バルク型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33026393A JPH07192215A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | バルク型磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07192215A true JPH07192215A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18230691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33026393A Pending JPH07192215A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | バルク型磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07192215A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6135644A (en) * | 1998-02-24 | 2000-10-24 | Fujitsu Limited | Structures for optical semiconductor module, optical connector, and shape adapting optical connector |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33026393A patent/JPH07192215A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6135644A (en) * | 1998-02-24 | 2000-10-24 | Fujitsu Limited | Structures for optical semiconductor module, optical connector, and shape adapting optical connector |
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