JPH071818B2 - 集積型半導体レーザ - Google Patents
集積型半導体レーザInfo
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- JPH071818B2 JPH071818B2 JP2791188A JP2791188A JPH071818B2 JP H071818 B2 JPH071818 B2 JP H071818B2 JP 2791188 A JP2791188 A JP 2791188A JP 2791188 A JP2791188 A JP 2791188A JP H071818 B2 JPH071818 B2 JP H071818B2
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- semiconductor laser
- integrated semiconductor
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積型半導体レーザに関する。
従来、光ディスク等に用いられる集積型半導体レーザと
しては、リブ側面の電流狭窄僧にIII−V族化合物半導
体を用いる方法が知られていた。
しては、リブ側面の電流狭窄僧にIII−V族化合物半導
体を用いる方法が知られていた。
しかしながら、従来用いられていた集積型半導体レーザ
はAlGaAs系のレーザを例にとると、リブ側面をAl0.5Ga
0.5Asで埋め込むため、 (i) 熱抵抗が10cm℃/Wと他の材料の3倍以上高く、
大出力時の温度上昇が激しくなり、信頼性の低下及び熱
的なクロストーク(100μm間隔で隣接する他チャンネ
ルに対し、出力変動に換算して30%前後)が生じる。
はAlGaAs系のレーザを例にとると、リブ側面をAl0.5Ga
0.5Asで埋め込むため、 (i) 熱抵抗が10cm℃/Wと他の材料の3倍以上高く、
大出力時の温度上昇が激しくなり、信頼性の低下及び熱
的なクロストーク(100μm間隔で隣接する他チャンネ
ルに対し、出力変動に換算して30%前後)が生じる。
(ii) 屈折率段差がわずか0.3しかないため(GaAs:3.
6、Al0.5Ga0.5As:3.3)活性層横用方向の光閉じ込めが
弱く、リブが有効な光導波路とならない。
6、Al0.5Ga0.5As:3.3)活性層横用方向の光閉じ込めが
弱く、リブが有効な光導波路とならない。
(iii) 本質的に漏れ電流が多く、隣接するチャンネ
ルとの電気的分離に特別な技術を要する。
ルとの電気的分離に特別な技術を要する。
(iv) 比誘電率が12と極めて大きいため、寄生容量が
大きき単独でも高速変調が困難な上、非常に大きなクロ
ストークが生じてしまう。
大きき単独でも高速変調が困難な上、非常に大きなクロ
ストークが生じてしまう。
などの問題点を有していた。
この欠点はIII−V族化合物半導体を用いた場合程度の
差はあるものの共通のものである。
差はあるものの共通のものである。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決し、良
好は放熱特性をもち、かつ有効な光閉じ込めを得、漏れ
電流もなく、寄生容量の小さな集積型半導体レーザを得
ることを目的としている。
好は放熱特性をもち、かつ有効な光閉じ込めを得、漏れ
電流もなく、寄生容量の小さな集積型半導体レーザを得
ることを目的としている。
上記問題点を解決するため、本発明の集積型半導体レー
ザは、III−V族の化合物半導体よりなる活性層、クラ
ッド層及びコンタクト層から構成されるダブルヘテロ接
合基板の一部を、前記活性層直上のクラッド層の中間の
深さまでエッチング除去して得られるストライプ状のリ
ブを2本以上有し、かつ前記リブのうち少なくとも1本
は前記リブの幅を共振器端面近傍では光導波路機構が屈
折率導波型となるように選択し、前記共振器中央部では
前記リブの幅を光導波機構が利得導波型となるように充
分広く選択した集積型半導体レーザにおいて、前記リブ
側面をII-VI族化合物半導体で埋め込んだことを特徴と
する。
ザは、III−V族の化合物半導体よりなる活性層、クラ
ッド層及びコンタクト層から構成されるダブルヘテロ接
合基板の一部を、前記活性層直上のクラッド層の中間の
深さまでエッチング除去して得られるストライプ状のリ
ブを2本以上有し、かつ前記リブのうち少なくとも1本
は前記リブの幅を共振器端面近傍では光導波路機構が屈
折率導波型となるように選択し、前記共振器中央部では
前記リブの幅を光導波機構が利得導波型となるように充
分広く選択した集積型半導体レーザにおいて、前記リブ
側面をII-VI族化合物半導体で埋め込んだことを特徴と
する。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。
〔実施例−1〕 本発明の第一の実施例として、2ビーム集積型半導体レ
ーザについて述べる。
ーザについて述べる。
第1図はリブ導波型レーザ101と多モード発振レーザ102
を集積したものの平面図である。
を集積したものの平面図である。
ここで、第2図(a)にa−a′で示した部分の断面
図、(b)にb−b′で示した部分の断面図を示す。
図、(b)にb−b′で示した部分の断面図を示す。
このレーザはn−GaAs基板201上にn−Al0.3Ga0.7Asク
ラッド層202、GaAs活性層203、P−Al0.3Ga0.7Asクラッ
ド層204、P−GaAsコンタクト層208を気相成長法により
順に作成し、基板201、nクラッド層202、活性層203、
pクラッド層204、pコンタクト層208よりなるダブルヘ
テロ接合基板の一部をpクラッド層204の中間の深さま
でエッチングすることによりリブを形成した後高抵抗Zn
Se層205を作成し、再びエッチングによりリブ上のZnSe
を除去し、イオンビーム蒸着法によりSiO2を作成し、エ
ッチングにより電流狭窄層206を作成し、電極金属207を
蒸着したものである。
ラッド層202、GaAs活性層203、P−Al0.3Ga0.7Asクラッ
ド層204、P−GaAsコンタクト層208を気相成長法により
順に作成し、基板201、nクラッド層202、活性層203、
pクラッド層204、pコンタクト層208よりなるダブルヘ
テロ接合基板の一部をpクラッド層204の中間の深さま
でエッチングすることによりリブを形成した後高抵抗Zn
Se層205を作成し、再びエッチングによりリブ上のZnSe
を除去し、イオンビーム蒸着法によりSiO2を作成し、エ
ッチングにより電流狭窄層206を作成し、電極金属207を
蒸着したものである。
そして、2つのレーザを分離するため、電極金属207を
エッチングしてある。
エッチングしてある。
第2図(b)に示される様に多モード発振レーザ102は
リブ中央部において利得導波型の機構を持ち、縦多モー
ド発振をする。
リブ中央部において利得導波型の機構を持ち、縦多モー
ド発振をする。
そして第2図(a)に示される様にリブ両端部において
屈折率導波型として横モード制御したものである。
屈折率導波型として横モード制御したものである。
ここで、多モード発振レーザ102の中央ストライプ幅は1
5μm、両端部ストライプ幅は3μm、中央部ストライ
プ長は150μm、両端部ストライプ長は共に50μmとし
た。
5μm、両端部ストライプ幅は3μm、中央部ストライ
プ長は150μm、両端部ストライプ長は共に50μmとし
た。
また、リブ導波型レーザ101のストライプ幅両レーザは
3μm、ストライプ長は250μmとした。なお、端面は
出射面反射率4%。表面反射率90%の非対称コートを施
した。
3μm、ストライプ長は250μmとした。なお、端面は
出射面反射率4%。表面反射率90%の非対称コートを施
した。
この構造を用いることにより、多モード発振レーザ102
はしきい値電流値50mAで発振し、量子効率60%で、60mW
までキンクを生じなかった。また戻り光雑音は多モード
発振しているためレーザ光の可干渉性が小さくなり、戻
り光量0〜16%、光出力2〜20mWの全範囲において相対
雑音強度で3×10-14以下であった。
はしきい値電流値50mAで発振し、量子効率60%で、60mW
までキンクを生じなかった。また戻り光雑音は多モード
発振しているためレーザ光の可干渉性が小さくなり、戻
り光量0〜16%、光出力2〜20mWの全範囲において相対
雑音強度で3×10-14以下であった。
また、非点隔差は60mW以下において3μm以下であっ
た。
た。
また、リブ導波型レーザ101はしきい値電流25mAで発振
し、量子効率75%で、60mWまでキンクを生じなかった。
また、非点隔差は光出力60mW以下で1μm以下であっ
た。
し、量子効率75%で、60mWまでキンクを生じなかった。
また、非点隔差は光出力60mW以下で1μm以下であっ
た。
さて、この2ビーム型半導体レーザを実際に磁気ディス
クに使用する場合、低しきい値で高効率のリブ導波形レ
ーザ101を書き込みに使用し、低雑音特性を有する多モ
ード発振レーザ102を読み出しに用いることにより、低
駆動電力(最大150mW)で騒動でき、また2ビーム化し
たことにより誤まり訂正が1ビームに比べ2倍近く高速
化された。しかも読み出し時のC/N比が55dBと高く、こ
の値は従来良く用いられた高周波重量法に比べ同等以上
のものであった。
クに使用する場合、低しきい値で高効率のリブ導波形レ
ーザ101を書き込みに使用し、低雑音特性を有する多モ
ード発振レーザ102を読み出しに用いることにより、低
駆動電力(最大150mW)で騒動でき、また2ビーム化し
たことにより誤まり訂正が1ビームに比べ2倍近く高速
化された。しかも読み出し時のC/N比が55dBと高く、こ
の値は従来良く用いられた高周波重量法に比べ同等以上
のものであった。
また、読み出し用のレーザ光のみを臨界角プリズムなど
で分離し、トラックサーボを行なうと、ほとんど一定出
力のレーザ光に対してサーボをかけることになるためサ
ーボ形式によらず安定したサーボをかけることができる
など、2ビーム型半導体レーザとして優秀な特性が得ら
れた。
で分離し、トラックサーボを行なうと、ほとんど一定出
力のレーザ光に対してサーボをかけることになるためサ
ーボ形式によらず安定したサーボをかけることができる
など、2ビーム型半導体レーザとして優秀な特性が得ら
れた。
しかも、ZnSeの高抵抗性(>10GΩ・cm)及び低比誘電
率(9.0)のため、クロストークを−40db以下にするこ
とができた。
率(9.0)のため、クロストークを−40db以下にするこ
とができた。
〔実施例−2〕 本発明の第2の実施例として3ビーム型半導体レーザに
ついて述べる。
ついて述べる。
第4図はリブ導波型レーザ301、302と多モード発振レー
ザ303を集積した半導体レーザである。なお、個々のレ
ーザについては実施例−1で説明したものと同じものを
使用している。
ザ303を集積した半導体レーザである。なお、個々のレ
ーザについては実施例−1で説明したものと同じものを
使用している。
この3ビーム型半導体レーザを光磁気ディスクに使用す
ると、オーバライト(消去、書き込み、読み出し)機能
を与えることができるため、光磁気ディスクの応用範囲
を広げることができた。
ると、オーバライト(消去、書き込み、読み出し)機能
を与えることができるため、光磁気ディスクの応用範囲
を広げることができた。
〔実施例−3〕 本発明の第3の実施例として4ビーム型半導体レーザに
ついて述べる。
ついて述べる。
第5図は多モード発振レーザ401、402、403、404を4本
を集積した半導体レーザである。なお、多モード発振レ
ーザ個々の構成については実施例−1に用いたものと同
じものを用いている。
を集積した半導体レーザである。なお、多モード発振レ
ーザ個々の構成については実施例−1に用いたものと同
じものを用いている。
この集積型半導体レーザを用いて、光磁気ディスク上の
隣接した4つのトラック上(1.6μmピッチ)にスポッ
トを形成し、4トラック並列での記録及び再生を行なっ
た。このように並列記録及び再生を行なうと転送速度が
4倍となり、高速化が可能であるが、従来用いられたAl
GaAs系の材料が埋め込まれたものではAlGaAsの熱抵抗が
10cm℃/Wと高いことからレーザ活性層の温度上昇が激し
く、光出力20mWでの4本並列書き込み時には活性層の温
度が80℃に達してしまい、非常に信頼性が悪かったが、
埋め込み材にZnSeを用いることでこの温度を50℃に抑え
ることができ、信頼性の向上及びレーザの電気的な動作
点の温度ドリフトを防ぐことができた。
隣接した4つのトラック上(1.6μmピッチ)にスポッ
トを形成し、4トラック並列での記録及び再生を行なっ
た。このように並列記録及び再生を行なうと転送速度が
4倍となり、高速化が可能であるが、従来用いられたAl
GaAs系の材料が埋め込まれたものではAlGaAsの熱抵抗が
10cm℃/Wと高いことからレーザ活性層の温度上昇が激し
く、光出力20mWでの4本並列書き込み時には活性層の温
度が80℃に達してしまい、非常に信頼性が悪かったが、
埋め込み材にZnSeを用いることでこの温度を50℃に抑え
ることができ、信頼性の向上及びレーザの電気的な動作
点の温度ドリフトを防ぐことができた。
なお、いままでに述べた実施例ではII-VI族材料にZnSe
を用いた例を挙げたが、これはもちろんZnSやZnTe等の
他のII-VI族化合物あるいはZnSeSやZnTeS等のII-VI族混
晶あるいはZnSe-ZnS超格子等を用いても十分な特性を得
ることができる。
を用いた例を挙げたが、これはもちろんZnSやZnTe等の
他のII-VI族化合物あるいはZnSeSやZnTeS等のII-VI族混
晶あるいはZnSe-ZnS超格子等を用いても十分な特性を得
ることができる。
本発明には次に述べるような効果がある。
(i) 電気的に高抵抗かつ低誘電率を持つZnSeにより
埋め込むことにより電気的なチャンネル間クロストーク
を測定限界以下(−70db以下)に減少することができ
る。
埋め込むことにより電気的なチャンネル間クロストーク
を測定限界以下(−70db以下)に減少することができ
る。
(ii) 高熱伝導率を持つZnSeを用いることにより、集
積型半導体レーザを構成する際に最大の問題点となる、
消費電力の上昇に伴う活性層の温度上昇を従来の80℃か
ら50℃にまで下げることができ、信頼性の大幅な向上を
(寿命に換算して約20倍)及び熱的なクロストークを−
50db以下にすることができる。
積型半導体レーザを構成する際に最大の問題点となる、
消費電力の上昇に伴う活性層の温度上昇を従来の80℃か
ら50℃にまで下げることができ、信頼性の大幅な向上を
(寿命に換算して約20倍)及び熱的なクロストークを−
50db以下にすることができる。
(iii) AlGaAs系とZnSeとは大きな屈折率段差がある
ため、レーザの設計が容易となり、かつ再現性よく得ら
れるので、1つのレーザが不良となっても不良品となる
集積型半導体レーザの歩留りが大幅に向上する。
ため、レーザの設計が容易となり、かつ再現性よく得ら
れるので、1つのレーザが不良となっても不良品となる
集積型半導体レーザの歩留りが大幅に向上する。
(iv) ZnSeは光学的に極めて低損失であるため、非点
隔差が容易に3μm以下になる。
隔差が容易に3μm以下になる。
通常、集積型半導体レーザは複数のレーザ光を共通の光
学系を用いて集光して利用するため、非点隔差の複正手
段がない。そのためこのような低非点隔差特性を容易に
得られることは光5μm以下の非点隔差特性を必要とす
るディスク等への応用時に極めて有効である。
学系を用いて集光して利用するため、非点隔差の複正手
段がない。そのためこのような低非点隔差特性を容易に
得られることは光5μm以下の非点隔差特性を必要とす
るディスク等への応用時に極めて有効である。
(v) ZnSeが光学的な低損失特性及び電気的な高抵抗
特性を合わせ持つため、1つ1つのレーザは低しきい値
かつ高効率となるので消費電流が低減される。
特性を合わせ持つため、1つ1つのレーザは低しきい値
かつ高効率となるので消費電流が低減される。
そのため、チップ全体としての発熱量が少なくなりレー
ザパッケージに取り付ける放熱板を省略することができ
るため、重量軽減が即アクセスタイムの減少となる光デ
ィスクに使用した時、アクセスタイムを平均30%短縮で
きる。
ザパッケージに取り付ける放熱板を省略することができ
るため、重量軽減が即アクセスタイムの減少となる光デ
ィスクに使用した時、アクセスタイムを平均30%短縮で
きる。
(vi) 実用上充分なクロストーク特性(−40db以下)
を得るためには各レーザの電極のみを分離するだけで済
み、III−V族化合物で埋め込んだ時のように各レーザ
間を反応性イオンビームエッチング装置等を用いて切り
込んで分離する必要がない。
を得るためには各レーザの電極のみを分離するだけで済
み、III−V族化合物で埋め込んだ時のように各レーザ
間を反応性イオンビームエッチング装置等を用いて切り
込んで分離する必要がない。
また、この切り込みはクロストーク特性を満足するため
にはAl0.5Ga0.5Asを埋め込みに用いたとき最低50μm程
度の切り込み深さを必要とするが、これは通常の半導体
レーザ全厚の約1/2である。しかも、化合物半導体は極
めてもろく、レーザ共振器端面を作るへき開のときにこ
のような切り込みがあると、その切り込み部分から折れ
やすく、へき開の歩留りは極端に低下する。
にはAl0.5Ga0.5Asを埋め込みに用いたとき最低50μm程
度の切り込み深さを必要とするが、これは通常の半導体
レーザ全厚の約1/2である。しかも、化合物半導体は極
めてもろく、レーザ共振器端面を作るへき開のときにこ
のような切り込みがあると、その切り込み部分から折れ
やすく、へき開の歩留りは極端に低下する。
ZnSeを埋め込みに用いて電極金属のみをエッチングした
場合、Al0.5Ga0.5Asを埋め込みに用いた場合と比較し
て、へき開時の歩留りは10倍以上向上する。
場合、Al0.5Ga0.5Asを埋め込みに用いた場合と比較し
て、へき開時の歩留りは10倍以上向上する。
第1図は、本発明の実施例−1を説明するもので、リブ
導波型レーザと多モードレーザの集積型半導体レーザの
平面図である。 第2図(a)、(b)は、本発明の第1図の集積型半導
体レーザの断面図であり、(a)は第1図のa−a′で
の断面図、(b)はb−b′での断面図である。 第3図は、本発明の実施例−2を説明するもので、3ビ
ームの集積型半導体レーザの斜視図である。 第4図は、本発明の実施例−3を説明するもので、4ビ
ームの集積型半導体レーザの斜視図である。 101……リブ導波型レーザ 102……多モードレーザ 201……n−GaAs基板 202……n−Al0.3Ga0.7Asクラッド層 203……GaAs活性層 204……p−Al0.3Ga0.7Asクラッド層 205……高抵抗ZnSeAs層 206……電流狭窄層 207……電極金属 208……P−GaAsコンタクト層 301、302……リブ導波型レーザ 303……多モードレーザ 401、402、403、404……多モードレーザ
導波型レーザと多モードレーザの集積型半導体レーザの
平面図である。 第2図(a)、(b)は、本発明の第1図の集積型半導
体レーザの断面図であり、(a)は第1図のa−a′で
の断面図、(b)はb−b′での断面図である。 第3図は、本発明の実施例−2を説明するもので、3ビ
ームの集積型半導体レーザの斜視図である。 第4図は、本発明の実施例−3を説明するもので、4ビ
ームの集積型半導体レーザの斜視図である。 101……リブ導波型レーザ 102……多モードレーザ 201……n−GaAs基板 202……n−Al0.3Ga0.7Asクラッド層 203……GaAs活性層 204……p−Al0.3Ga0.7Asクラッド層 205……高抵抗ZnSeAs層 206……電流狭窄層 207……電極金属 208……P−GaAsコンタクト層 301、302……リブ導波型レーザ 303……多モードレーザ 401、402、403、404……多モードレーザ
Claims (1)
- 【請求項1】III−V族の化合物半導体よりなる活性
層、クラッド層及びコンタクト層から構成されるダブル
ヘテロ接合基板の一部を、前記活性層直上のクラッド層
の中間の深さまでエッチング除去して得られるストライ
プ状のリブを2本以上有し、かつ前記リブのうち少なく
とも1本は前記リブの幅を共振器端面近傍では光導波路
機構が屈折率導波型となるように選択し、前記共振器中
央部では前記リブの幅を光導波機構が利得導波型となる
ように充分広く選択した集積型半導体レーザにおいて、
前記リブ側面をII-VI族化合物半導体で埋め込んだこと
を特徴とする集積型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2791188A JPH071818B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 集積型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2791188A JPH071818B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 集積型半導体レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01202885A JPH01202885A (ja) | 1989-08-15 |
JPH071818B2 true JPH071818B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=12234064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2791188A Expired - Lifetime JPH071818B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 集積型半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH071818B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007019368A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sony Corp | アレイ型半導体レーザおよびそれを備えた光学素子、並びに表示装置 |
JP2010245573A (ja) * | 2010-08-03 | 2010-10-28 | Panasonic Corp | 回路基板及びその製造方法 |
DE112015006769T5 (de) * | 2015-08-04 | 2018-05-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterlaservorrichtung |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP2791188A patent/JPH071818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01202885A (ja) | 1989-08-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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