JPH07175205A - Reticle inspection method - Google Patents
Reticle inspection methodInfo
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- JPH07175205A JPH07175205A JP32022193A JP32022193A JPH07175205A JP H07175205 A JPH07175205 A JP H07175205A JP 32022193 A JP32022193 A JP 32022193A JP 32022193 A JP32022193 A JP 32022193A JP H07175205 A JPH07175205 A JP H07175205A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、レチクルを検査するレ
チクル検査方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reticle inspection method for inspecting a reticle.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＩＣパターンのサイズを５倍〜１０倍に
したパターンが形成されたレチクルを用いて、ウエハ上
にパターンを縮小投影する露光技術が従来から行われて
いる。この露光技術では、レチクルに異物等の欠陥があ
ると、ウエハ上に縮小投影されたパターンにも欠陥が存
在することとなる。このため、従来からレチクルを検査
する種々の技術が提案されている。2. Description of the Related Art An exposure technique for reducing and projecting a pattern on a wafer by using a reticle on which a pattern having an IC pattern size 5 to 10 times larger is conventionally used. In this exposure technique, if the reticle has a defect such as a foreign substance, the pattern reduced and projected on the wafer also has a defect. Therefore, various techniques for inspecting a reticle have been conventionally proposed.
【０００３】レチクル検査の一例としては、レーザ光を
レチクルに入射し、レチクル上の欠陥からの反射光を信
号光として検出することにより、レチクルを検査する方
法が知られている。また、レチクルの表裏面をＣＣＤカ
メラで撮影して画像データを得、この画像データに信号
処理を施すことにより、レチクルを検査する方法も知ら
れている（特開平３−４２５５４号公報参照）。As an example of the reticle inspection, there is known a method of inspecting the reticle by making laser light incident on the reticle and detecting reflected light from a defect on the reticle as signal light. There is also known a method of inspecting a reticle by photographing the front and back surfaces of a reticle with a CCD camera to obtain image data, and subjecting the image data to signal processing (see Japanese Patent Laid-Open No. 3-42554).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記方法のうちレーザ
光をレチクルに入射してレチクルを検査する方法では、
レチクルに形成されたパターンからの反射光を欠陥から
の反射光として誤検出するおそれがある。また、レチク
ルの表裏面をＣＣＤカメラで撮影してレチクルを検査す
る方法では、レチクルの表裏面の画像データの信号が全
て一致すると欠陥が無いと判断するため、表裏面の同じ
位置に同程度の異物が存在している場合は誤検出するお
それがある。また、レチクルそのものを検査の対象とし
ているため、投影レンズの分解能よりも小さい欠陥を検
出することもある。このため、効率の悪いレチクル検査
となるおそれもある。Among the above methods, the method of injecting a laser beam to a reticle to inspect the reticle includes
The reflected light from the pattern formed on the reticle may be erroneously detected as the reflected light from the defect. Further, in the method of inspecting the reticle by photographing the front and back surfaces of the reticle with a CCD camera, it is judged that there is no defect when the image data signals on the front and back surfaces of the reticle all match. If foreign matter is present, it may be erroneously detected. Further, since the reticle itself is the object of inspection, a defect smaller than the resolution of the projection lens may be detected. Therefore, the reticle inspection may be inefficient.
【０００５】本発明は、上記事情に鑑み、欠陥の誤検出
を防止できる効率のよいレチクル検査方法を提供するこ
とを目的とする。In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide an efficient reticle inspection method capable of preventing erroneous detection of defects.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明のレチクル検査方法は、ウエハに転写されるパ
ターンが形成されたレチクルの前記パターンを前記ウエ
ハに転写されたサイズで平面上に縮小投影し、該縮小投
影されたパターンを撮影し、該撮影されたパターンと前
記レチクルの原画パターンとを比較することによりレチ
クルの欠陥を検出することを特徴とするものである。According to the reticle inspection method of the present invention for achieving the above object, the pattern of a reticle on which a pattern to be transferred onto a wafer is formed is formed on a plane in the size transferred onto the wafer. A feature of the present invention is that a reticle defect is detected by performing reduced projection, photographing the reduced projection pattern, and comparing the photographed pattern with the original image pattern of the reticle.
【０００７】[0007]
【作用】本発明のレチクル検査方法によれば、レチクル
のパターンはウエハに転写されたサイズで縮小投影され
るため、この縮小投影されたパターンには、ウエハに転
写されないサイズの欠陥は現われない。従って、ウエハ
に転写されないサイズの欠陥は検出されないこととな
り、効率のよいレチクル検査を行える。また、撮影され
たパターンは原画パターンと比較されるため、欠陥を誤
検出することを防止できる。According to the reticle inspection method of the present invention, since the pattern of the reticle is reduced and projected at the size transferred to the wafer, the reduced projected pattern does not show defects of a size not transferred to the wafer. Therefore, defects of a size that is not transferred onto the wafer are not detected, and efficient reticle inspection can be performed. Further, since the photographed pattern is compared with the original pattern, it is possible to prevent erroneous detection of defects.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明のレチクル検査方法の一実施例
を説明する。図１はレチクルを検査するためのレチクル
検査装置を示す概略構成図である。レチクル検査装置１
０には、ウエハステージ１２に配置された鏡面状に仕上
げられた基準ウエハ１４上に投影されたレチクル像のパ
ターンを撮影するＣＣＤカメラ１６が備えられている。
また、基準ウエハ１４に投影されたパターンをＣＣＤカ
メラ１６で撮影するためのプリズム１８が備えられてい
る。さらに、レチクル検査装置１０には、ＣＡＤデータ
等の原画パターンが記憶されたメモリ部２０、及びＣＣ
Ｄカメラ１６とメモリ部２０それぞれから入力された画
像データを比較して欠陥を検出する画像処理部２２が備
えられている。この結果は、ＣＲＴ２４に表示されると
ともに、合否判断を行いその結果を出力することができ
るように構成されている。EXAMPLE An example of the reticle inspection method of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a reticle inspection device for inspecting a reticle. Reticle inspection device 1
0 is equipped with a CCD camera 16 for photographing the pattern of the reticle image projected on the reference wafer 14 which is arranged on the wafer stage 12 and has a mirror-like finish.
Further, a prism 18 for taking a picture of the pattern projected on the reference wafer 14 by the CCD camera 16 is provided. Further, the reticle inspection apparatus 10 includes a memory unit 20 in which original image patterns such as CAD data are stored, and a CC.
An image processing unit 22 is provided for detecting defects by comparing image data input from the D camera 16 and the memory unit 20. The result is displayed on the CRT 24, and it is configured to be able to make a pass / fail judgment and output the result.
【０００９】次に、レチクル検査装置１０を用いたレチ
クル検査方法を説明する。まず、ウエハステージ１２を
移動させて、基準ウエハ１４を光学系の結像面にセット
する。次に、ＩＣパターンが拡大して形成されたレチク
ル２６を、投影レンズ３０を用いて基準ウエハ１４に縮
小投影する。基準ウエハ１４上のパターンの縮小率は、
製品となるウエハ３２に縮小投影するときの縮小率と同
じにする。この縮小投影されたパターンをプリズム１８
で反射させ、ＣＣＤカメラ１６を用いて撮影して画像デ
ータを得る。とりこんだ画像データは、画像処理部２２
に送られる。画像処理部２２では、ＣＣＤカメラ１６か
ら送られてきた画像データの各画素の明暗に対応して
「０」、「１」に数値化される。また、メモリ部２０に
は原画パターンを表す画像データも予め画素に分割さ
れ、各画素のデータが明暗を表す「０」、「１」に数値
化されて記憶されている。ＣＣＤカメラ１６から送られ
てきた画像データとメモリ部２０から送られてきた画像
データとの位置合わせを行い、その後各画素毎に直接比
較され、ＣＣＤカメラ１６から送られてきた画像データ
のうちメモリ部２０から送られてきた画像データと相違
するものは、欠陥として検出される。この結果はＣＲＴ
２４に表示される。Next, a reticle inspection method using the reticle inspection device 10 will be described. First, the wafer stage 12 is moved to set the reference wafer 14 on the image plane of the optical system. Next, the reticle 26 formed by enlarging the IC pattern is reduced and projected onto the reference wafer 14 using the projection lens 30. The reduction ratio of the pattern on the reference wafer 14 is
The reduction rate is the same as that when the reduced projection is performed on the wafer 32 that is a product. This reduced projected pattern is used for the prism 18
Then, the image data is obtained by photographing with the CCD camera 16. The captured image data is stored in the image processing unit 22.
Sent to. The image processing unit 22 digitizes the image data sent from the CCD camera 16 into “0” and “1” corresponding to the brightness of each pixel. Further, the image data representing the original image pattern is also divided into pixels in advance in the memory unit 20, and the data of each pixel is digitized into “0” and “1” representing light and dark and stored. The image data sent from the CCD camera 16 and the image data sent from the memory unit 20 are aligned, and then directly compared for each pixel, and the memory among the image data sent from the CCD camera 16 is stored. Those different from the image data sent from the unit 20 are detected as defects. This result is CRT
24 is displayed.
【００１０】また、その相違する画素数がある設定値よ
り大きい場合、不良を表す出力信号を出し、設定値以下
の場合、合格の出力を行うこともできる。さらに、記憶
されている基準パターンとの比較により、レチクルに付
着したゴミかレチクルの疵かの判定結果を出力すること
も可能である。このレチクル検査方法によれば、製品と
なるウエハ３２に縮小投影するときのサイズで基準ウエ
ハ１４にレチクルパターンを縮小投影した後、原画パタ
ーンと比較するため、投影レンズ３０の分解能以下のウ
エハ３２に転写されない微小な欠陥は検出されない。こ
の結果、効率のよいレチクル検査を行うことができる。
また、ＣＣＤカメラ１６から送られてきた画像データと
メモリ部２０から送られてきたＣＡＤデータ等の原画パ
ターンとを直接比較するため、従来の方法では検出が困
難であったクロム剥れ等も容易に検出することができ
る。When the number of different pixels is larger than a set value, an output signal indicating a defect is output, and when the number of pixels is less than the set value, a pass output can be output. Furthermore, it is also possible to output the determination result of dust adhering to the reticle or flaw of the reticle by comparison with the stored reference pattern. According to this reticle inspection method, after the reticle pattern is reduced and projected on the reference wafer 14 in the size when the image is reduced and projected on the wafer 32 to be a product, the reticle pattern is compared with the original image pattern, so that Small defects that are not transferred are not detected. As a result, efficient reticle inspection can be performed.
Further, since the image data sent from the CCD camera 16 and the original image pattern such as CAD data sent from the memory unit 20 are directly compared, it is easy to remove chrome which is difficult to detect by the conventional method. Can be detected.
【００１１】[0011]
【発明の効果】以上説明したように本発明のレチクル検
査方法によれば、投影されたレチクルパターンを撮影し
て得られたパターンとレチクルの原画パターンとが比較
されるため、レチクルの欠陥の誤検出を防止できる。し
かも、縮小投影されたレチクルパターンとレチクルの原
画パターンとを比較してレチクルの欠陥を検出するた
め、ウエハに転写されないサイズの欠陥は検出されない
こととなり、効率のよいレチクル検査を行うことができ
る。As described above, according to the reticle inspection method of the present invention, since the pattern obtained by photographing the projected reticle pattern and the original image pattern of the reticle are compared, the reticle defect is erroneous. Detection can be prevented. Moreover, since the reticle defect is detected by comparing the reticle pattern that is reduced and projected with the original image pattern of the reticle, a defect of a size that is not transferred onto the wafer is not detected, and an efficient reticle inspection can be performed.
【図１】本発明のレチクル検査装置を示す概略構成図で
ある。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a reticle inspection apparatus of the present invention.
１０ レチクル検査装置 １２ ウエハステージ １４ 鏡面ウエハ １６ ＣＣＤカメラ １８ プリズム ２０ メモリ部 ２２ 画像処理部 ２４ ＣＲＴ 10 reticle inspection device 12 wafer stage 14 mirror surface wafer 16 CCD camera 18 prism 20 memory unit 22 image processing unit 24 CRT
Claims (1)
たレチクルの前記パターンを前記ウエハに転写されたサ
イズで平面上に縮小投影し、 該縮小投影されたパターンを撮影し、 該撮影されたパターンと前記レチクルの原画パターンと
を比較することによりレチクルの欠陥を検出することを
特徴とするレチクル検査方法。1. A reticle pattern on which a pattern to be transferred onto a wafer is formed is reduced and projected onto a plane in a size transferred onto the wafer, the reduced and projected pattern is photographed, and the photographed pattern is photographed. And the original pattern of the reticle are compared to detect a reticle defect.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32022193A JPH07175205A (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Reticle inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32022193A JPH07175205A (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Reticle inspection method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07175205A true JPH07175205A (en) | 1995-07-14 |
Family
ID=18119080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32022193A Withdrawn JPH07175205A (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Reticle inspection method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07175205A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6950183B2 (en) | 2003-02-20 | 2005-09-27 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for inspection of photolithographic mask |
| JP2006512582A (en) * | 2002-12-19 | 2006-04-13 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | Conversion of detected wafer defect coordinate values |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP32022193A patent/JPH07175205A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006512582A (en) * | 2002-12-19 | 2006-04-13 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | Conversion of detected wafer defect coordinate values |
| US6950183B2 (en) | 2003-02-20 | 2005-09-27 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for inspection of photolithographic mask |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |