JPH07173255A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH07173255A JPH07173255A JP31870593A JP31870593A JPH07173255A JP H07173255 A JPH07173255 A JP H07173255A JP 31870593 A JP31870593 A JP 31870593A JP 31870593 A JP31870593 A JP 31870593A JP H07173255 A JPH07173255 A JP H07173255A
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- JP
- Japan
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- epoxy resin
- curing agent
- formula
- resin
- resin composition
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 式（１）で示されるエポキシ樹脂を総エポキ
シ樹脂量に対して３０〜１００重量％含むエポキシ樹脂
とパラキシリレン変性フェノール樹脂を総フェノール樹
脂硬化剤量に対して３０〜１００重量％含むフェノール
樹脂硬化剤、無機充填材及びトリフェニルホスフィンを
含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【効果】 耐半田クラック性に優れ、かつ耐湿性に優れ
たものである。
シ樹脂量に対して３０〜１００重量％含むエポキシ樹脂
とパラキシリレン変性フェノール樹脂を総フェノール樹
脂硬化剤量に対して３０〜１００重量％含むフェノール
樹脂硬化剤、無機充填材及びトリフェニルホスフィンを
含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【効果】 耐半田クラック性に優れ、かつ耐湿性に優れ
たものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの表面実
装化における耐半田ストレス性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関するものである。
装化における耐半田ストレス性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特
に集積回路では耐熱性、耐湿性に優れたオルソクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂をフェノールノボラック樹
脂で硬化させ、充填材として溶融シリカ、結晶シリカ等
の無機充填材を配合したエポキシ樹脂組成物が用いられ
ている。ところが近年、集積回路の高集積化に伴いチッ
プがだんだん大型化し、かつパッケージは従来のＤＩＰ
タイプから表面実装化された小型、薄型のＱＦＰ、ＳＯ
Ｐ、ＳＯＪ、ＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＰＬＣＣに変わって
きている。即ち大型チップを小型で薄いパッケージに封
入することになり、熱応力によりクラックが発生し、こ
れらのクラックによる耐湿性の低下等の問題が大きくク
ローズアップされている。特に半田付けの工程において
急激に２００℃以上の高温にさらされることによりパッ
ケージの割れや樹脂とチップの剥離により耐湿性が劣化
してしまうといった問題点がでてきている。従って、こ
れらの大型チップを封止するのに適した信頼性の高い半
導体封止用樹脂組成物の開発が望まれている。
回路等の電子部品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特
に集積回路では耐熱性、耐湿性に優れたオルソクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂をフェノールノボラック樹
脂で硬化させ、充填材として溶融シリカ、結晶シリカ等
の無機充填材を配合したエポキシ樹脂組成物が用いられ
ている。ところが近年、集積回路の高集積化に伴いチッ
プがだんだん大型化し、かつパッケージは従来のＤＩＰ
タイプから表面実装化された小型、薄型のＱＦＰ、ＳＯ
Ｐ、ＳＯＪ、ＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＰＬＣＣに変わって
きている。即ち大型チップを小型で薄いパッケージに封
入することになり、熱応力によりクラックが発生し、こ
れらのクラックによる耐湿性の低下等の問題が大きくク
ローズアップされている。特に半田付けの工程において
急激に２００℃以上の高温にさらされることによりパッ
ケージの割れや樹脂とチップの剥離により耐湿性が劣化
してしまうといった問題点がでてきている。従って、こ
れらの大型チップを封止するのに適した信頼性の高い半
導体封止用樹脂組成物の開発が望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題点に対してエポキシ樹脂として式（１）で示されるエ
ポキシ樹脂を用い、フェノール樹脂硬化剤として式
（２）で示されるフェノール樹脂硬化剤を用いることに
より、実装時における半導体パッケージの耐半田ストレ
ス性を著しく向上させた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供するところにある。
題点に対してエポキシ樹脂として式（１）で示されるエ
ポキシ樹脂を用い、フェノール樹脂硬化剤として式
（２）で示されるフェノール樹脂硬化剤を用いることに
より、実装時における半導体パッケージの耐半田ストレ
ス性を著しく向上させた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供するところにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）下記式
（１）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量に対
して３０〜１００重量％含むエポキシ樹脂、
（１）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量に対
して３０〜１００重量％含むエポキシ樹脂、
【０００５】
【化３】 （式中のＲは水素、ハロゲン類、アルキル基の中から選
択される同一もしくは異なる原子または基、ｎ＝０〜２
０）
択される同一もしくは異なる原子または基、ｎ＝０〜２
０）
【０００６】（Ｂ）下記式（２）で示されるフェノール
樹脂硬化剤を総フェノール樹脂硬化剤量に対して３０〜
１００重量％含むフェノール樹脂硬化剤、
樹脂硬化剤を総フェノール樹脂硬化剤量に対して３０〜
１００重量％含むフェノール樹脂硬化剤、
【０００７】
【化４】 （式中のＲは水素、ハロゲン類、アルキル基の中から選
択される同一もしくは異なる原子または基、ｎ＝０〜２
０）
択される同一もしくは異なる原子または基、ｎ＝０〜２
０）
【０００８】（Ｃ）無機充填材 及び （Ｄ）硬化促進剤 を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、従
来のエポキシ樹脂組成物に比べ優れた信頼性として耐半
田クラック性と半田処理後の耐湿性を有するものであ
る。
来のエポキシ樹脂組成物に比べ優れた信頼性として耐半
田クラック性と半田処理後の耐湿性を有するものであ
る。
【０００９】式（１）の分子構造で示されるエポキシ樹
脂は、パラキシレンとフェノールをフリーデル・クラフ
ツ・アルキル反応により重合し、エピクロルヒドリンで
グリシジルエーテル化することによって得られる。従来
のクレゾールノボラックエポキシ樹脂に比べ、硬化物の
ゴム領域での弾性率が低く、低吸湿性、リードフレーム
（４２アロイ、銅合金）等の金属類との接着性に優れ
る。このエポキシ樹脂の使用量はこれを調節することに
より、耐半田クラック性を最大限に引き出すことができ
る。耐半田クラック性の効果を引き出すためには式
（１）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量に対
して３０重量％以上、好ましくは５０重量％以上の使用
が望ましい。３０重量％未満だと目標とした耐半田クラ
ック性が不充分である。更に式中のＲは水素原子が好ま
しい。式中のｎは０〜２０であるが、２０を越えると流
動性が悪化する。式（１）で示されるエポキシ樹脂以外
の他のエポキシ樹脂を併用する場合、エポキシ基を２個
以上有する化合物あるいはポリマー全般を言う。例え
ば、ビフェニル型エポキシ化合物、ビスフェノール型エ
ポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノール
メタン型エポキシ化合物、アルキル変性トリフェノール
メタン型エポキシ化合物等のことを言う。
脂は、パラキシレンとフェノールをフリーデル・クラフ
ツ・アルキル反応により重合し、エピクロルヒドリンで
グリシジルエーテル化することによって得られる。従来
のクレゾールノボラックエポキシ樹脂に比べ、硬化物の
ゴム領域での弾性率が低く、低吸湿性、リードフレーム
（４２アロイ、銅合金）等の金属類との接着性に優れ
る。このエポキシ樹脂の使用量はこれを調節することに
より、耐半田クラック性を最大限に引き出すことができ
る。耐半田クラック性の効果を引き出すためには式
（１）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量に対
して３０重量％以上、好ましくは５０重量％以上の使用
が望ましい。３０重量％未満だと目標とした耐半田クラ
ック性が不充分である。更に式中のＲは水素原子が好ま
しい。式中のｎは０〜２０であるが、２０を越えると流
動性が悪化する。式（１）で示されるエポキシ樹脂以外
の他のエポキシ樹脂を併用する場合、エポキシ基を２個
以上有する化合物あるいはポリマー全般を言う。例え
ば、ビフェニル型エポキシ化合物、ビスフェノール型エ
ポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノール
メタン型エポキシ化合物、アルキル変性トリフェノール
メタン型エポキシ化合物等のことを言う。
【００１０】式（２）で示されるフェノール樹脂硬化剤
は、パラキシレンとフェノールをエポキシ樹脂と同様に
フリーデル、クラフツ、アルキル化反応により重合させ
ることによって得られる。従来のフェノールノボラック
樹脂に比べ、硬化物のゴム領域での弾性率が低く、低吸
湿性、リードフレーム（４２アロイ、銅合金）等の金属
類との接着性に優れている。このフェノール樹脂硬化剤
の使用量はこれを調節することにより耐半田クラック性
を最大限に引き出すことができる。耐半田クラック性の
効果を引き出すためには式（２）で示されるフェノール
樹脂硬化剤を総フェノール樹脂硬化剤量に対して３０重
量％以上、好ましくは５０重量％以上の使用が望まし
い。３０重量％未満だと目標とした耐半田クラック性が
不充分である。更に式中のＲは水素原子が好ましい。式
中のｎは０〜２０であるが、２０を越えると流動性が悪
化する。式（１）で示されるフェノール樹脂硬化剤以外
に他のフェノール樹脂硬化剤を併用する場合、フェノー
ル性水酸基を有するポリマー全般を言う。例えばフェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシ
クロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フ
ェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙げら
れ、特にフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジ
エン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂
及びこれらの混合物が好ましい。また、これらの硬化剤
の配合量としてはエポキシ化合物のエポキシ基数と硬化
剤の水酸基数を合わせるように配合することが好まし
い。
は、パラキシレンとフェノールをエポキシ樹脂と同様に
フリーデル、クラフツ、アルキル化反応により重合させ
ることによって得られる。従来のフェノールノボラック
樹脂に比べ、硬化物のゴム領域での弾性率が低く、低吸
湿性、リードフレーム（４２アロイ、銅合金）等の金属
類との接着性に優れている。このフェノール樹脂硬化剤
の使用量はこれを調節することにより耐半田クラック性
を最大限に引き出すことができる。耐半田クラック性の
効果を引き出すためには式（２）で示されるフェノール
樹脂硬化剤を総フェノール樹脂硬化剤量に対して３０重
量％以上、好ましくは５０重量％以上の使用が望まし
い。３０重量％未満だと目標とした耐半田クラック性が
不充分である。更に式中のＲは水素原子が好ましい。式
中のｎは０〜２０であるが、２０を越えると流動性が悪
化する。式（１）で示されるフェノール樹脂硬化剤以外
に他のフェノール樹脂硬化剤を併用する場合、フェノー
ル性水酸基を有するポリマー全般を言う。例えばフェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシ
クロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フ
ェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙げら
れ、特にフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジ
エン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂
及びこれらの混合物が好ましい。また、これらの硬化剤
の配合量としてはエポキシ化合物のエポキシ基数と硬化
剤の水酸基数を合わせるように配合することが好まし
い。
【００１１】以上述べた様に、従来、式（２）で示され
るパラキシリレン構造を有する樹脂は、フェノール樹脂
硬化剤としてのみしか用いられなかったのに対して、こ
れをグリシジルエーテル化し、エポキシ樹脂として用い
ることにより、フェノール樹脂硬化剤だけでなくエポキ
シ樹脂中にもパラキシリレン構造を導入することにより
全ての樹脂中にパラキシリレン構造を導入するところで
ある。本発明で用いる無機充填材としては、溶融シリカ
粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝集シリ
カ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナ等が挙げられ、特
に球状シリカ粉末及び溶融シリカ粉末と球状シリカ粉末
との混合物が好ましい。また無機充填材の配合量として
は、耐半田クラック性から総エポキシ樹脂組成物量に対
して８０〜９０重量％が好ましい。無機充填材量が８０
重量％未満だと低熱膨張化、低吸水化が得られず耐半田
クラック性が不充分である。また、無機充填材量が９０
重量％を越えると高粘度化による半導体パッケージ中の
ダイパッド、金線ワイヤーのずれ等の不都合が生じる。
るパラキシリレン構造を有する樹脂は、フェノール樹脂
硬化剤としてのみしか用いられなかったのに対して、こ
れをグリシジルエーテル化し、エポキシ樹脂として用い
ることにより、フェノール樹脂硬化剤だけでなくエポキ
シ樹脂中にもパラキシリレン構造を導入することにより
全ての樹脂中にパラキシリレン構造を導入するところで
ある。本発明で用いる無機充填材としては、溶融シリカ
粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝集シリ
カ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナ等が挙げられ、特
に球状シリカ粉末及び溶融シリカ粉末と球状シリカ粉末
との混合物が好ましい。また無機充填材の配合量として
は、耐半田クラック性から総エポキシ樹脂組成物量に対
して８０〜９０重量％が好ましい。無機充填材量が８０
重量％未満だと低熱膨張化、低吸水化が得られず耐半田
クラック性が不充分である。また、無機充填材量が９０
重量％を越えると高粘度化による半導体パッケージ中の
ダイパッド、金線ワイヤーのずれ等の不都合が生じる。
【００１２】本発明に用いる硬化促進剤は、エポキシ基
と水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、
一般に封止材料に使用されているものを広く使用するこ
とができる。例えば、１，８−ジアザビシクロウンデセ
ン、トリフェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミン
や２−メチルイミダゾール等あり、単独でも混合して用
いても差し支えない。本発明のエポキシ樹脂組成物はエ
ポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を必須
成分とするが、これ以外に必要に応じてシランカップリ
ング剤、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、ヘ
キサブロムベンゼン等の難燃剤、カーボンブラック、ベ
ンガラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離
型剤及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の
種々の添加剤を適宜配合しても差し支えがない。また、
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として製
造するには、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、充填
材、その他の添加剤をミキサー等によって充分に均一に
混合した後、更に熱ロールまたはニーダー等で溶融混練
し、冷却後粉砕して封止材料とすることができる。これ
らの成形材料は電気部品あるいは電子部品であるトラン
ジスタ、集積回路等の被覆、絶縁、封止等に適用するこ
とができる。
と水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、
一般に封止材料に使用されているものを広く使用するこ
とができる。例えば、１，８−ジアザビシクロウンデセ
ン、トリフェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミン
や２−メチルイミダゾール等あり、単独でも混合して用
いても差し支えない。本発明のエポキシ樹脂組成物はエ
ポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を必須
成分とするが、これ以外に必要に応じてシランカップリ
ング剤、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、ヘ
キサブロムベンゼン等の難燃剤、カーボンブラック、ベ
ンガラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離
型剤及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の
種々の添加剤を適宜配合しても差し支えがない。また、
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として製
造するには、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、充填
材、その他の添加剤をミキサー等によって充分に均一に
混合した後、更に熱ロールまたはニーダー等で溶融混練
し、冷却後粉砕して封止材料とすることができる。これ
らの成形材料は電気部品あるいは電子部品であるトラン
ジスタ、集積回路等の被覆、絶縁、封止等に適用するこ
とができる。
【００１３】以下本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１ 下記組成物 式（３）で示されるエポキシ樹脂（軟化点５０℃、エポキシ当量２５０ｇ／ｅ ｑ） ６．７６重量部
【００１４】
【化５】 （ｎの値は０から３を示す混合物であり、その重合割合
はｎ＝０が１に対してｎ＝１が０．７０、ｎ＝２が０．
４５、ｎ＝３が０．３０である。）
はｎ＝０が１に対してｎ＝１が０．７０、ｎ＝２が０．
４５、ｎ＝３が０．３０である。）
【００１５】 オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂（軟化点５８℃、エポキシ当量２０ ０ｇ／ｅｑ） １．６９重量部 式（４）で示されるフェノール樹脂硬化剤（軟化点６３℃、水酸基当量１７０ ｇ／ｅｑ） ４．２８重量部
【００１６】
【化６】 （ｎの値は０から３を示す混合物であり、その重量割合
はｎ＝０が１に対してｎ＝１が０．６０、ｎ＝２が０．
４２、ｎ＝３が０．２２である。）
はｎ＝０が１に対してｎ＝１が０．６０、ｎ＝２が０．
４２、ｎ＝３が０．２２である。）
【００１７】 フェノールノボラック樹脂硬化剤（軟化点６５℃、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ ） １．０７重量部 溶融シリカ粉末（平均粒径１０μｍ、比表面積２．０ｍ2／ｇ） ３５重量部 球状シリカ粉末（平均粒径３０μｍ、比表面積２．５ｍ2／ｇ） ５０重量部 トリフェニルホスフィン ０．２重量部 カーボンブラック ０．５重量部 カルナバワックス ０．５重量部 をミキサーで常温で混合し、７０〜１００℃で２軸ロー
ルにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とした。粉砕
して得られた成形材料は、ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じて
１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件でスパイ
ラルフローを測定した。更に得られた成形材料をタブレ
ット化し、低圧トランスファー成形機にて１７５℃、７
０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で半田クラック試験用
として６×６ｍｍのチップを５２ｐＱＦＰに封止し、ま
た半田耐湿性試験用として３×６ｍｍのチップを１６ｐ
ＳＯＰに封止した。封止したテスト用素子について下記
の半田クラック試験及び半田耐湿性試験を行った。
ルにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とした。粉砕
して得られた成形材料は、ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じて
１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件でスパイ
ラルフローを測定した。更に得られた成形材料をタブレ
ット化し、低圧トランスファー成形機にて１７５℃、７
０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒の条件で半田クラック試験用
として６×６ｍｍのチップを５２ｐＱＦＰに封止し、ま
た半田耐湿性試験用として３×６ｍｍのチップを１６ｐ
ＳＯＰに封止した。封止したテスト用素子について下記
の半田クラック試験及び半田耐湿性試験を行った。
【００１８】半田クラック試験：封止したテスト用素子
を８５℃、８５％ＲＨの環境下で２４時間、４８時間、
７２時間及び１２０時間処理し、その後２６０℃の半田
槽に１０秒間浸漬後顕微鏡で外部クラックを観察した。 半田耐湿性試験：封止したテスト用素子を８５℃、８５
％ＲＨの環境下で７２時間処理し、その後２６０℃の半
田槽に１０秒間浸漬後、プレッシャークッカー試験（１
２５℃、１００％ＲＨ）を行い、回路のオープン不良を
測定した。試験結果を表１に示す。
を８５℃、８５％ＲＨの環境下で２４時間、４８時間、
７２時間及び１２０時間処理し、その後２６０℃の半田
槽に１０秒間浸漬後顕微鏡で外部クラックを観察した。 半田耐湿性試験：封止したテスト用素子を８５℃、８５
％ＲＨの環境下で７２時間処理し、その後２６０℃の半
田槽に１０秒間浸漬後、プレッシャークッカー試験（１
２５℃、１００％ＲＨ）を行い、回路のオープン不良を
測定した。試験結果を表１に示す。
【００１９】実施例２〜６ 表１の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行った。試験結果を表１に示
す。 比較例１〜４ 表２の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行った。試験結果を表２に示
す。
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行った。試験結果を表１に示
す。 比較例１〜４ 表２の処方に従って配合し、実施例１と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例１と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行った。試験結果を表２に示
す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】本発明に従うと、従来技術で得ることの
できなかった半田付け時工程における急激な温度変化に
よる熱ストレスを受けた時の耐クラック性に非常に優
れ、更に耐湿性が良好のことから、電子、電気部品の封
止用、被覆用、絶縁用等に用いた場合、特に表面実装パ
ッケージに搭載された高集積大型チップにおいて、信頼
性が非常に必要とされる製品に好適である。
できなかった半田付け時工程における急激な温度変化に
よる熱ストレスを受けた時の耐クラック性に非常に優
れ、更に耐湿性が良好のことから、電子、電気部品の封
止用、被覆用、絶縁用等に用いた場合、特に表面実装パ
ッケージに搭載された高集積大型チップにおいて、信頼
性が非常に必要とされる製品に好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）下記式（１）で示されるエポキシ
樹脂を総エポキシ樹脂量に対して３０〜１００重量％含
むエポキシ樹脂、 【化１】 （式中のＲは水素、ハロゲン類、アルキル基の中から選
択される同一もしくは異なる原子または基、ｎ＝０〜２
０） （Ｂ）下記式（２）で示されるフェノール樹脂硬化剤を
総フェノール樹脂硬化剤量に対して３０〜１００重量％
含むフェノール樹脂硬化剤、 【化２】 （式中のＲは水素、ハロゲン類、アルキル基の中から選
択される同一もしくは異なる原子または基、ｎ＝０〜２
０） （Ｃ）無機充填材 及び （Ｄ）硬化促進剤 を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31870593A JPH07173255A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31870593A JPH07173255A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07173255A true JPH07173255A (ja) | 1995-07-11 |
Family
ID=18102077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31870593A Pending JPH07173255A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07173255A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7431990B2 (en) * | 2004-05-27 | 2008-10-07 | Sumitomo Bakelite Co | Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith |
| JP4639460B2 (ja) * | 2000-11-08 | 2011-02-23 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| CN112980138A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-18 | 衡所华威电子有限公司 | 一种用于电子元器件封装的环氧树脂组合物及其制备方法 |
-
1993
- 1993-12-17 JP JP31870593A patent/JPH07173255A/ja active Pending
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