JPH07161655A - Soaking tube for heat-treating device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To prevent contamination, which is generated at a region where heating units exist, from infiltrating into a heat-treating region where matters to be treated exist. CONSTITUTION:A soaking tube 31 is made to interpose between a reaction tube 41 to be loaded with wafers W, which are matters to be treated, and heating units 6 for creating a heat-treating atmosphere. The tube 31 itself is constituted of SiC and moreover, an Sic film is formed on the surface of the tube 31 by a CVD coating of a film thickness of 50 to 100mum. Thereby, as the purity of the surface of the tube 31 is increased and the transmitivity of the whole soaking tube is reduced, infiltration of contamination is prevented and moreover, contamination is never generated from the soaking tube itself.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置において使
用される熱処理装置用均熱管に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat equalizing tube for a heat treatment apparatus used in a heat treatment apparatus.

【０００２】[0002]

【従来の技術】例えばＬＳＩ等の半導体デバイスがその
表面に形成される半導体ウエハ（以下、「ウエハ」とい
う）の製造工程を例にとって説明すると、ウエハ表面に
酸化膜を形成したりドーパントの拡散を行うために、対
象となるウエハに対して高温下で熱処理を施すプロセス
が行われており、かかる熱処理にあたっては、外気巻き
込みの少ない縦型熱処理装置が近年多く使用されてい
る。2. Description of the Related Art An example of a manufacturing process of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a "wafer") having a semiconductor device such as an LSI formed on its surface will be described as an example. In order to do so, a process of subjecting a target wafer to a heat treatment at a high temperature is performed, and in such a heat treatment, a vertical heat treatment apparatus with little involvement of outside air has been widely used in recent years.

【０００３】この縦型熱処理装置は、一般に、垂直に配
置された加熱用の管状炉の中に反応管を設けた構成にな
っており、被処理体であるウエハは、熱処理用ボートと
呼ばれる搭載治具に水平状態で上下に間隔をおいて所定
の枚数（例えば１００枚）搭載され、この熱処理用ボー
トごと前記反応管内に挿入され、所定の熱処理が施され
るようになっている。This vertical heat treatment apparatus generally has a structure in which a reaction tube is provided in a vertically arranged tubular furnace for heating, and a wafer, which is an object to be processed, is mounted as a heat treatment boat. A predetermined number of sheets (for example, 100 sheets) are mounted on the jig in the horizontal state at intervals vertically, and the boat for heat treatment is inserted into the reaction tube and a predetermined heat treatment is performed.

【０００４】ところで従来この種の縦型熱処理炉は、管
状炉本体の内面に断熱層が設けられ、さらにこの断熱層
の内周壁に、例えば抵抗発熱体によって構成される加熱
体が螺旋状に配置されており、前記反応管はこの加熱体
によって囲まれる空間内に挿入される構成となってい
る。そして前記した熱処理用ボートに搭載されて反応管
内にロードされたウエハは、前記加熱体によって所定の
温度、例えば１２００゜Ｃまで加熱されて所定の熱処理
が施されるように構成されている。Conventionally, in this type of vertical heat treatment furnace, a heat insulating layer is provided on the inner surface of the tubular furnace body, and a heating element composed of, for example, a resistance heating element is spirally arranged on the inner peripheral wall of the heat insulating layer. The reaction tube is inserted into the space surrounded by the heating element. The wafer loaded on the heat treatment boat and loaded into the reaction tube is heated by the heating element to a predetermined temperature, for example, 1200 ° C., and subjected to a predetermined heat treatment.

【０００５】そして前記反応管と加熱体との間には、ラ
イナーチューブと呼ばれる略管状の均熱管が配置されて
いる。この均熱管は、ＳｉＣの焼結体にシリコンを含侵
させてなる略管状の形態を有しており、前記螺旋状に配
置された加熱体の温度むらが反応管内の被処理体にその
まま伝わるのを防止するために設けられているものであ
る。Between the reaction tube and the heating element, a substantially tubular heat equalizing tube called a liner tube is arranged. This heat equalizing tube has a substantially tubular shape in which a sintered body of SiC is impregnated with silicon, and the temperature unevenness of the heating elements arranged in a spiral shape is directly transmitted to the object to be treated in the reaction tube. It is provided to prevent this.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで今日では、均
熱管の機能として、叙上の温度むらの伝達の防止の他
に、断熱材や加熱体である抵抗発熱体からのコンタミネ
ーションの反応管内への侵入の防止がクローズアップさ
れている。このようなコンタミネーションの反応管内へ
の侵入があると、処理中のウエハ表面に付着してしま
い、即歩留まりの低下を招くからである。By the way, today, as a function of a soaking tube, in addition to preventing the transmission of temperature unevenness above the inside, a heat-insulating material or a heating element is introduced into a reaction tube for contamination from a resistance heating element. The prevention of invasion has been highlighted. This is because if such contamination enters the reaction tube, it will adhere to the surface of the wafer being processed, resulting in immediate reduction in yield.

【０００７】しかしながらかかる点から鑑みれば、前記
したように、ＳｉＣの焼結体にシリコンを含侵させた従
来の均熱管では、シリコンを含侵させた構成を採ってい
る関係上、透過率が大きく、その結果前述のコンタミネ
ーションが透過してしまうおそれがあった。However, in view of this point, as described above, in the conventional soaking tube in which the sintered body of SiC is impregnated with silicon, the transmittance is reduced because of the structure impregnated with silicon. It is large, and as a result, the above-mentioned contamination may be transmitted.

【０００８】さらに均熱管自体の純度の観点からみて
も、従来の均熱管は石英等と比較すれば、Ｆｅなどの不
純物の含有率が大きく、そのためこの均熱管自体からコ
ンタミネーションが発生するおそれもあった。Further, from the viewpoint of the purity of the soaking tube itself, the conventional soaking tube has a large content of impurities such as Fe as compared with quartz or the like, so that the soaking tube itself may cause contamination. there were.

【０００９】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、前記したようなコンタミネーションの反応管内へ
の侵入防止を図るという、最近重要視されている事由を
考慮し、透過率を抑えて断熱材や加熱体からのコンタミ
ネーションの侵入を防止するとともに、均熱管の構成材
の純度を上げて、均熱管自体からもコンタミネーション
が発生することのない熱処理装置用均熱管を提供するこ
とを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above point, and in view of the recently emphasized reason of preventing the above-mentioned contamination from entering the reaction tube, the transmittance is suppressed. In addition to preventing the intrusion of contamination from the heat insulating material and the heating element, the purity of the constituent materials of the heat equalizing tube is increased, and it is possible to provide a heat equalizing tube for a heat treatment apparatus that does not cause contamination from the heat equalizing tube itself. It is intended.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、被処理体に熱処理を施す如く構成
された熱処理装置に使用され、加熱体と被処理体との間
に配置させて、前記加熱体の温度むらが前記被処理体に
そのまま伝わるのを防止するために用いられる均熱管に
おいて、ＳｉＣからなる管状の本体表面に、膜厚が５０
〜１００μｍのＣＶＤコーティングによるＳｉＣ被膜が
形成されたことを特徴とする、熱処理装置用均熱管が提
供される。In order to achieve the above object, according to the present invention, the heat treatment apparatus is used for heat-treating an object to be processed, and is arranged between the heating object and the object to be processed. In the soaking tube used for preventing the temperature unevenness of the heating body from being transmitted to the object to be processed as it is, a film thickness of 50 is formed on the surface of the tubular body made of SiC.
Provided is a soaking tube for a heat treatment apparatus, which is characterized in that an SiC film formed by CVD coating having a thickness of -100 μm is formed.

【００１１】[0011]

【作用】ＣＶＤコーティングによって形成されるＳｉＣ
被膜は純度が高く、いわばＳｉＣの結晶体を本体の表面
に形成するので、均熱管自体の透過率を大幅に抑えるこ
とができる。したがって、均熱管の外側に発生する断熱
材や加熱体からのコンタミネーションの、均熱管内部へ
の侵入を防止することが可能である。しかも前記ＳｉＣ
被膜は、そのようにＣＶＤコーティングによって形成さ
れているとともに、その膜厚が５０〜１００μｍの範囲
であるから、ＳｉＣから成る本体の表面との定着が強固
であって、しかも剥離等を起こすおそれはないものであ
る。それゆえ均熱管自体からコンタミネーションが発生
することもない。[Function] SiC formed by CVD coating
The coating has a high purity and, so to speak, forms a crystal body of SiC on the surface of the main body, so that the transmittance of the soaking tube itself can be significantly suppressed. Therefore, it is possible to prevent the contamination from the heat insulating material or the heating body generated on the outside of the soaking tube from entering the inside of the soaking tube. Moreover, the SiC
Since the film is formed by the CVD coating and the film thickness is in the range of 50 to 100 μm, the film is firmly fixed to the surface of the body made of SiC, and there is no fear of peeling or the like. There is no such thing. Therefore, the soaking tube itself does not cause contamination.

【００１２】[0012]

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明すると、本実施例は被処理体例えば半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）に対して酸化、拡散処理な
どの熱処理を行う如く構成された縦型熱処理装置に使用
される均熱管に適用した実施例である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In this embodiment, an object to be processed, for example, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") is subjected to heat treatment such as oxidation and diffusion treatment. This is an example applied to a soaking tube used in a vertical heat treatment apparatus configured as described above.

【００１３】図１はこの縦型熱処理装置１の概観を示し
ており、被処理体であるウエハＷは、ウエハボート１０
に所定枚数搭載されて、前記縦型熱処理装置１の縦型炉
２内の反応管内に納入されて、所定の熱処理が施される
如く構成されている。前記ウエハボート１０は、上下に
対向して配置された円形の天板１１と底板１２とを有
し、これら天板１１と底板１２との間には、例えばＳｉ
Ｃからなる支柱１３、１４、１５、１６が設けられてい
る。そしてウエハＷは、搬送アーム１７によって搬送さ
れ、前記各支柱１３、１４、１５、１６表面に形成され
た溝部１８内にその端縁部が収納されることによって、
このウエハボート１０に所定枚数、例えば１５０枚搭載
されるように構成されている。FIG. 1 shows an outline of the vertical heat treatment apparatus 1, in which a wafer W which is an object to be processed is a wafer boat 10.
It is configured such that a predetermined number of sheets are loaded into the reaction tube in the vertical furnace 2 of the vertical heat treatment apparatus 1 and a predetermined heat treatment is performed. The wafer boat 10 has a circular top plate 11 and a bottom plate 12 that are vertically opposed to each other. A space between the top plate 11 and the bottom plate 12 is, for example, Si.
Posts 13, 14, 15, and 16 made of C are provided. Then, the wafer W is transferred by the transfer arm 17, and the edge portions thereof are housed in the groove portions 18 formed on the surfaces of the columns 13, 14, 15 and 16,
The wafer boat 10 is configured to be loaded with a predetermined number, for example, 150.

【００１４】以上のように構成されたウエハボート１０
は、フランジ部１９を備えた例えば石英からなる保温筒
２０の上に着脱自在に装着されており、さらにこの保温
筒２０は、昇降自在なボートエレベータ２１の上に載置
されており、このボートエレベータ２１の上昇によっ
て、ウエハＷはウエハボート１０ごと前記縦型炉２内に
ロードされるようになっている。The wafer boat 10 constructed as described above.
Is detachably mounted on a heat retaining cylinder 20 made of, for example, quartz, which is provided with a flange portion 19, and the heat retaining cylinder 20 is mounted on a boat elevator 21 that can be raised and lowered. As the elevator 21 moves up, the wafer W is loaded into the vertical furnace 2 together with the wafer boat 10.

【００１５】次にウエハＷに対して所定の熱処理を施す
前記縦型炉２内の構成を、図２以下に基づいて説明する
と、図２はこの縦型炉２の縦断面を示しており、この縦
型炉２の本体３は、その下端部が第１ベースプレート４
の上面に固着されて、鉛直に立設している。この本体３
は上面が閉口した略筒状の形態をなし、その内部表面は
断熱材５で覆われ、さらにこの断熱材５の内周表面に
は、例えば抵抗発熱体によって構成された加熱体６が螺
旋状に設けられており、適宜の温度制御装置（図示せ
ず）によって、後述の反応管４１内を所定の温度、例え
ば１２００゜Ｃに加熱、維持することが可能なように構
成されている。Next, the structure of the vertical furnace 2 for subjecting the wafer W to a predetermined heat treatment will be described with reference to FIG. 2 and subsequent drawings. FIG. 2 shows a vertical cross section of the vertical furnace 2. The main body 3 of the vertical furnace 2 has a lower end portion which is a first base plate 4
It is fixed to the upper surface of and stands vertically. This body 3
Has a substantially cylindrical shape with its upper surface closed, and its inner surface is covered with a heat insulating material 5. Further, on the inner peripheral surface of this heat insulating material 5, a heating body 6 composed of, for example, a resistance heating element is spirally formed. The inside of the reaction tube 41, which will be described later, can be heated and maintained at a predetermined temperature, for example, 1200 ° C. by a suitable temperature control device (not shown).

【００１６】そして本実施例にかかる均熱管３１は、こ
の加熱体６から所定の間隔を隔てて、前記本体３内部に
設けられている。この均熱管３１は、図３に示したよう
に、本体３と略相似形をなし、全体として上面が閉口し
た略管状の形態を有している。前記均熱管３１は、図４
に示したように、その均熱管本体３２がＳｉＣの焼結体
によって構成されており、さらにこの均熱管本体３２の
内側の表面には、ＣＶＤコーティングによって形成され
たＳｉＣの被膜３３が形成されている。前記被膜３３
は、そのように均熱管本体３２の内側だけではなく、外
側にも形成してもよく、もちろんいずれか一側表面だけ
でもよい。そしてかかる被膜３３の膜厚Ｔは、５０〜１
００μｍの厚さとなるように設定されている。The soaking tube 31 according to this embodiment is provided inside the main body 3 at a predetermined distance from the heating body 6. As shown in FIG. 3, the heat equalizing pipe 31 has a substantially similar shape to the main body 3 and has a substantially tubular shape with the upper surface closed as a whole. The soaking tube 31 is shown in FIG.
As shown in FIG. 4, the soaking tube main body 32 is made of a sintered body of SiC, and the SiC coating 33 formed by CVD coating is formed on the inner surface of the soaking tube main body 32. There is. The film 33
May be formed not only on the inside of the soaking tube body 32, but also on the outside thereof, and, of course, only one of the surfaces may be formed. The film thickness T of the coating film 33 is 50 to 1
It is set to have a thickness of 00 μm.

【００１７】かかる構成を有する均熱管３１は、環状の
シール材３４を介して、略リング状の取付部材３５によ
って、前記第１ベースプレート４に対して固着されてい
る。したがって、前記断熱材５及び加熱体６が存在する
空間は、外部に対して気密に構成されている。The soaking tube 31 having such a structure is fixed to the first base plate 4 by a substantially ring-shaped mounting member 35 via an annular seal member 34. Therefore, the space in which the heat insulating material 5 and the heating body 6 exist is airtight with respect to the outside.

【００１８】そのようにして縦型炉２内に設けられた均
熱管３１の内部には、熱処理領域を形成する反応管４１
が鉛直方向に配置される。この反応管４１は、例えば石
英によって構成された外管４２と内管４３とによって構
成される二重管の構成を有しており、下端のフランジ部
４４を介して、第２ベースプレート（図示せず）上に気
密に立設されている。またこのフランジ部４４の上部外
周表面は、断熱体４５で覆われており、この断熱体４５
を貫通して、前記外管４２と内管４３との間の空間に通
ずるガス導入管４６と、やはり断熱体４５を貫通して内
管４３内側に通ずる排気管４７とが対向して前記反応管
４１に接続されている。In the soaking tube 31 provided in the vertical furnace 2 in this way, a reaction tube 41 forming a heat treatment region is formed.
Are arranged vertically. The reaction tube 41 has a double-tube configuration including an outer tube 42 and an inner tube 43 made of, for example, quartz, and a second base plate (not shown) via a flange portion 44 at the lower end. No)) It is erected on the top. The outer peripheral surface of the upper portion of the flange portion 44 is covered with a heat insulator 45.
And the exhaust pipe 47, which penetrates the space between the outer pipe 42 and the inner pipe 43 and communicates with the space between the outer pipe 42 and the inner pipe 43, and the exhaust pipe 47, which also penetrates the heat insulator 45 and communicates inside the inner pipe 43, face each other. It is connected to the pipe 41.

【００１９】また前記内管４３の頂部には、ガス流路を
構成する多数の細孔４８が穿設されており、前記ガス導
入管４６から外管４２と内管４３との間の空間内に導入
された所定の処理ガスは、これら各細孔４８を通じて内
管４３内部にその頂部から導入され、その後前記排気管
４７を通じて、反応管４１外部へと排気されるように構
成され、かかる導入、排気動作を通じてこの反応管４１
内部は、所定の圧力、例えば常圧に設定維持した状態
で、所定の熱処理を施すことが可能なように構成されて
いる。A large number of pores 48 forming a gas flow path are formed at the top of the inner pipe 43, and a space between the gas introduction pipe 46 and the outer pipe 42 and the inner pipe 43 is formed. The predetermined processing gas introduced into the inside of the inner tube 43 is introduced from the top through the respective pores 48, and is then exhausted to the outside of the reaction tube 41 through the exhaust tube 47. , The reaction tube 41 through exhaust operation
The inside is configured so that a predetermined heat treatment can be performed in a state where a predetermined pressure, for example, a normal pressure is maintained.

【００２０】本実施例が使用された縦型熱処理装置１は
以上のように構成されており、次にその動作作用につい
て説明すると、まず加熱体６を発熱させて反応管４１内
の温度を、例えば約８００゜Ｃまで加熱する。かかる場
合、加熱体６と反応管４１との間には、均熱管３１が配
置されているので、前記加熱は温度むらなく反応管４１
内全域に対して均一になされ、反応管４１内は均熱状態
となっている。The vertical heat treatment apparatus 1 in which the present embodiment is used is constructed as described above. Next, the operation and operation thereof will be described. First, the heating body 6 is caused to generate heat to change the temperature in the reaction tube 41 to For example, heat up to about 800 ° C. In such a case, since the soaking tube 31 is arranged between the heating body 6 and the reaction tube 41, the heating of the reaction tube 41 does not occur evenly in the heating.
The inside of the reaction tube 41 is uniformly heated over the entire inside.

【００２１】他方ウエハボート１０には、既述の如く搬
送アーム１７によって被処理体であるウエハＷが搭載さ
れており、所定枚数例えば１５０枚搭載された時点で、
ボートエレベータ２１が上昇し、図２に示したように、
保温筒２０のフランジ部１９が、反応管４１下部のフラ
ンジ部４４と密着して反応管４１下部の開口を塞ぐ位置
までウエハボート１０を上昇させ、ウエハＷを反応管４
１の内管４３内にロードさせる。On the other hand, the wafer W, which is the object to be processed, is loaded on the wafer boat 10 by the transfer arm 17 as described above.
The boat elevator 21 moves up, and as shown in FIG.
The wafer boat 10 is raised to a position where the flange portion 19 of the heat insulating cylinder 20 is in close contact with the flange portion 44 at the lower portion of the reaction tube 41 to close the opening at the lower portion of the reaction tube 41, and the wafer W is moved to the reaction tube 4
The inner tube 43 of No. 1 is loaded.

【００２２】そしてウエハＷが反応管４１内の雰囲気と
同一温度に達した後、前記加熱体６をさらに発熱させ、
反応管４１内の温度を、例えば１２００゜Ｃまで昇温さ
せ、次いでガス導入管４６から細孔４８を介して、内管
４３内に所定の処理ガスを導入し、同時に排気管４７か
ら排気して反応管４１内を所定の圧力、例えば常圧に維
持させることにより、被処理体である前記ウエハＷに対
して例えば拡散処理が行われる。After the wafer W reaches the same temperature as the atmosphere in the reaction tube 41, the heating body 6 is further heated,
The temperature inside the reaction tube 41 is raised to, for example, 1200 ° C., then a predetermined processing gas is introduced into the inner tube 43 from the gas introduction tube 46 through the pores 48, and at the same time, exhausted from the exhaust tube 47. By maintaining the inside of the reaction tube 41 at a predetermined pressure, for example, normal pressure, for example, the diffusion process is performed on the wafer W as the object to be processed.

【００２３】かかる場合、加熱体６と反応管４１との間
には、均熱管３１が介在しているので、螺旋状に配置さ
れている加熱体６のパターンに基づく温度むらが、その
まま反応管４１内部に伝わることはなく、上下方向に所
定の間隔をおいてロードされている各ウエハＷに対し
て、均一な拡散処理がなされる。In such a case, since the soaking tube 31 is interposed between the heating element 6 and the reaction tube 41, the temperature unevenness due to the pattern of the heating element 6 arranged in a spiral shape remains as it is. The uniform diffusion processing is performed on each wafer W loaded in the vertical direction at a predetermined interval without being transmitted to the inside.

【００２４】しかもそのような温度むらの伝達を防止し
ている均熱管３１は、既述の如く、その表面にＣＶＤコ
ーティングによって形成されたＳｉＣの被膜３３が形成
されているので、均熱管３１全体の透過率は極めて低く
なっており、その結果、断熱体５や加熱体６から発生す
るコンタミネーションを確実に遮断することができる。Further, the soaking tube 31 for preventing the transmission of such temperature unevenness has the SiC coating 33 formed by the CVD coating on the surface thereof as described above, so that the soaking tube 31 as a whole. Has extremely low transmittance, and as a result, it is possible to reliably block the contamination generated from the heat insulating body 5 and the heating body 6.

【００２５】またかかる被膜３３の膜厚は、５０〜１０
０μｍの厚さであるから、前記したような高温雰囲気に
おいても、剥離したり亀裂が入ったりすることはなく、
それゆえこの均熱管３１自体からコンタミネーションが
発生することもない。したがって、反応管４１内へのか
かるコンタミネーションの侵入を防止して、ウエハＷに
対して所期の熱処理を実行することが可能である。The thickness of the coating 33 is 50 to 10
Since it has a thickness of 0 μm, it does not peel or crack even in the high temperature atmosphere as described above.
Therefore, the soaking tube 31 itself does not cause contamination. Therefore, it is possible to prevent the contamination from entering the reaction tube 41 and perform the desired heat treatment on the wafer W.

【００２６】なお上記実施例にかかる熱処理装置用均熱
管は、酸化、拡散処理を行う縦型熱処理装置に用いられ
るものであったが、これに限らず、ＣＶＤ処理やエッチ
ング処理などを行う熱処理装置に用いられる均熱管に対
しても本発明は適用可能であり、さらにまた処理される
側の被処理体も、前記実施例のような半導体ウエハに限
らず、例えばＬＣＤ基板などであっても全く同様な効果
を発揮することが可能である。The soaking tube for the heat treatment apparatus according to the above embodiment was used for a vertical heat treatment apparatus for performing oxidation and diffusion treatments, but the present invention is not limited to this, and a heat treatment apparatus for performing CVD treatment, etching treatment, etc. The present invention is also applicable to a soaking tube used for the above, and the object to be processed is not limited to the semiconductor wafer as in the above embodiment, but may be an LCD substrate or the like. It is possible to exert the same effect.

【００２７】[0027]

【発明の効果】本発明によれば、均熱管を構成する本体
の透過率が従来よりも大幅に低下しているので、均熱管
の外側に発生する断熱材や加熱体からのコンタミネーシ
ョンの均熱管内部への侵入を防止することが可能であ
り、しかもこの均熱管自体からコンタミネーションが発
生することはない。したがって、被処理体へのコンタミ
ネーションの付着を防止して、歩留まりの向上を図るこ
とが可能である。According to the present invention, since the transmittance of the main body constituting the heat equalizing tube is significantly lower than that of the conventional one, the leveling of the contamination from the heat insulating material or the heating body generated outside the heat equalizing tube is achieved. It is possible to prevent invasion into the inside of the heat pipe, and furthermore, the contamination does not occur from the soaking pipe itself. Therefore, it is possible to prevent adhesion of contamination to the object to be processed and improve the yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施例が用いられた縦型熱処理装置の
概観を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an overview of a vertical heat treatment apparatus in which an embodiment of the present invention is used.

【図２】本発明の実施例が用いられた縦型熱処理装置に
おける縦型炉の縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view of a vertical furnace in a vertical heat treatment apparatus in which an embodiment of the present invention is used.

【図３】本発明の実施例の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of an embodiment of the present invention.

【図４】本発明の実施例における膜厚を示すための要部
拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged sectional view of an essential part for showing a film thickness in an example of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 縦型熱処理装置 ２ 縦型炉 ３ 本体 ５ 断熱材 ６ 加熱体 １０ ウエハボート ３１ 均熱管 ３２ 均熱管本体 ３３ 被膜 ４１ 反応管 Ｗ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vertical heat treatment apparatus 2 Vertical furnace 3 Main body 5 Insulating material 6 Heating body 10 Wafer boat 31 Soaking tube 32 Soaking tube main body 33 Coating 41 Reaction tube W Wafer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 被処理体に熱処理を施す如く構成された
熱処理装置に使用され、加熱体と被処理体との間に配置
させて、前記加熱体の温度むらが前記被処理体にそのま
ま伝わるのを防止するために用いられる均熱管におい
て、 ＳｉＣからなる管状の本体表面に、膜厚が５０〜１００
μｍのＣＶＤコーティングによるＳｉＣ被膜が形成され
たことを特徴とする、熱処理装置用均熱管。1. Used in a heat treatment apparatus configured to perform heat treatment on an object to be processed, the temperature unevenness of the heating element is directly transmitted to the object to be processed by being arranged between the heating object and the object to be treated. In a soaking tube used for preventing the above, a film thickness of 50 to 100 is formed on the surface of a tubular body made of SiC.
A soaking tube for a heat treatment apparatus, characterized in that a SiC film is formed by CVD coating of μm.