JPH07161598A - Vacuum processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、半導体ウエ
ハ等の被処理物にイオンビームを照射してイオンを注入
するイオン注入装置等の真空処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus such as an ion implantation apparatus for irradiating an object to be treated such as a semiconductor wafer with an ion beam to implant ions.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空処理室内に被処理物を収容し、減圧
雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空処理装置、
例えば、イオン注入装置、エッチング装置、アッシング
装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等が知られてい
る。2. Description of the Related Art A vacuum processing apparatus for accommodating an object to be processed in a vacuum processing chamber and subjecting the object to a predetermined treatment under a reduced pressure atmosphere,
For example, an ion implantation device, an etching device, an ashing device, a sputtering device, a low pressure CVD device and the like are known.
【０００３】このような真空処理装置では、真空処理室
内を常圧に戻してしまうと、再び真空処理室内を所定の
真空度に設定し、次の処理を開始できる状態にするまで
に非常に長い時間を要する。このため、真空処理室に比
べて容積の少ない予備真空室、いわゆるロードロック室
を設け、このロードロック室内だけを常圧に戻すように
して、ロードロック室を介して被処理物、例えば半導体
ウエハを真空処理室内に搬入・搬出するように構成され
ているものが多い。In such a vacuum processing apparatus, if the pressure inside the vacuum processing chamber is returned to normal pressure, the vacuum processing chamber is set to a predetermined degree of vacuum again, and it takes a very long time to start the next processing. It takes time. For this reason, a preliminary vacuum chamber having a smaller volume than the vacuum processing chamber, that is, a so-called load lock chamber is provided, and only the load lock chamber is returned to normal pressure, and an object to be processed, for example, a semiconductor wafer, is passed through the load lock chamber. Many are configured to be carried in and out of the vacuum processing chamber.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た真空処理装置では、例えば真空処理室内で発生して反
応生成物、機械的な駆動部、例えばゲートバルブや被処
理物の搬送機構等から発生した塵埃（パーティクル）等
がロードロック室内に多数存在する。また、従来からロ
ードロック室内の真空排気およびロードロック室内への
気体導入をゆっくりと徐々に行ういわゆるスロー排気、
スローベント等を行っているものの、このような気体の
流れによるパーティクルの舞い上がりは完全に防止する
ことができない。このため、半導体デバイスの製造工程
等においては、これらの塵埃が半導体ウエハ等の被処理
物に付着して不良発生の原因となり、歩留まりの低下を
招く大きな要因となっている。However, in the above-described vacuum processing apparatus, for example, the reaction products are generated in the vacuum processing chamber and are generated from the reaction product, the mechanical drive unit such as the gate valve or the mechanism for transferring the object to be processed. A lot of dust (particles) and the like exist in the load lock chamber. In addition, conventionally, so-called slow exhaust, in which vacuum exhaust in the load lock chamber and gas introduction into the load lock chamber are slowly and gradually performed,
Although slow venting is performed, it is not possible to completely prevent the particles from rising due to the gas flow. Therefore, in a semiconductor device manufacturing process or the like, such dust adheres to an object to be processed such as a semiconductor wafer and causes a defect, which is a major factor of lowering the yield.
【０００５】この発明は、前記事情に着目してなされた
もので、その目的とするところは、被処理物に付着する
塵埃の量を低減することができ、歩留まりの向上を図る
ことができる真空処理装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to reduce the amount of dust adhering to an object to be processed, and to improve the yield. It is to provide a processing device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明は前記目的を達
成するために、請求項１は、被処理物に所定の処理を施
す真空処理室と、内部を真空排気可能に構成された予備
真空室とを備え、この予備真空室を介して前記被処理物
を前記真空処理室内に搬入・搬出するよう構成された真
空処理装置において、前記予備真空室内に設けられた帯
電体と、この帯電体に電圧を印加し、前記予備真空室内
で発生した塵埃を静電気により帯電体に吸着させる電圧
印加手段とを具備したことを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a vacuum processing chamber for subjecting an object to be processed to a predetermined process, and a pre-vacuum chamber capable of evacuating the inside. And a charged body provided in the preliminary vacuum chamber, and a charged body provided in the preliminary vacuum chamber. And a voltage applying means for applying a voltage to the charged particles to attract dust generated in the preliminary vacuum chamber to the charged body by static electricity.
【０００７】請求項２は、被処理物に所定の処理を施す
真空処理室と、内部を真空排気可能に構成された予備真
空室とを備え、この予備真空室を介して前記被処理物を
前記真空処理室内に搬入・搬出するよう構成された真空
処理装置において、前記予備真空室内に設けられた帯電
体と、この帯電体に電圧を印加し、前記予備真空室内で
発生した塵埃を静電気により帯電体に吸着させる電圧印
加手段と、この電圧印加手段をオン・オフし、前記帯電
体に対する帯電と除電を行う静電気制御手段とを具備し
たことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a vacuum processing chamber for subjecting the object to be processed to a predetermined process, and a preliminary vacuum chamber capable of evacuating the inside, and the object to be processed is passed through the preliminary vacuum chamber. In a vacuum processing apparatus configured to carry in and out of the vacuum processing chamber, a charged body provided in the preliminary vacuum chamber and a voltage are applied to the charged body, and dust generated in the preliminary vacuum chamber is statically charged. It is characterized by comprising a voltage applying means for adsorbing to the charged body, and an electrostatic control means for turning on / off the voltage applying means for charging and discharging the charged body.
【０００８】また、請求項１または２において、帯電体
は、ガラスまたは樹脂であり、この帯電体は、予備真空
室の本体と電気的絶縁状態に設けられている。また、帯
電体は、予備真空室内において被処理物と対向して設け
られている。さらに、前記真空処理室は、半導体ウエハ
にイオンビームを照射してイオンを注入するイオン注入
処理室であることを特徴とする。Further, in claim 1 or 2, the charged body is glass or resin, and the charged body is provided in an electrically insulated state from the main body of the preliminary vacuum chamber. The charged body is provided in the preliminary vacuum chamber so as to face the object to be processed. Further, the vacuum processing chamber is an ion implantation processing chamber that irradiates a semiconductor wafer with an ion beam to implant ions.
【０００９】[0009]
【作用】半導体ウエハ等の被処理物をイオン注入等を行
う真空処理室内に搬入・搬出するための予備真空室に設
けた帯電体に電圧印加手段によって電圧を印加すると、
帯電体は帯電され、予備真空室内の塵埃は静電気により
帯電体に吸着され、塵埃が被処理物に付着するのを防止
できる。When a voltage is applied by the voltage applying means to the charged body provided in the preliminary vacuum chamber for carrying in / out the object to be processed such as a semiconductor wafer into / from the vacuum processing chamber for ion implantation,
The charged body is charged, and the dust in the preliminary vacuum chamber is attracted to the charged body due to static electricity, which prevents the dust from adhering to the object to be processed.
【００１０】また、電圧印加手段を静電気制御手段によ
ってオフすると、除電され、帯電体の静電気を除去して
付着していた塵埃を除去することができる。すなわち、
塵埃の吸着と除去の制御をオン・オフ手段による帯電と
除電で制御できる。Further, when the voltage applying means is turned off by the static electricity control means, the electricity is removed, and the static electricity of the charged body can be removed to remove the attached dust. That is,
The control of the adsorption and removal of dust can be controlled by charging and discharging by the on / off means.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。図２は、イオン注入装置の全体構成を示すも
ので、イオン発生源１では、ガスボックス２内から収容
されたガスボトルから供給された所定のガスを、イオン
発生源用電源３から印加された電力によりイオン化す
る。そして、このイオンを引き出し、質量分析マグネッ
ト４および可変スリット５によって選別し、加速管６お
よび四極子レンズ７、Ｙスキャンプレート８およびＸス
キャンプレート９によって加速、収束、走査を行い、イ
オンビームとしてエンドステーション１０のプラテン１
１上に配置された半導体ウエハ１２に走査、照射するよ
うに構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 shows the overall configuration of the ion implantation apparatus. In the ion generation source 1, a predetermined gas supplied from a gas bottle accommodated in the gas box 2 was applied from the ion generation source power supply 3. Ionize by electric power. Then, the ions are extracted, selected by the mass analysis magnet 4 and the variable slit 5, and accelerated, converged, and scanned by the acceleration tube 6 and the quadrupole lens 7, the Y scan plate 8 and the X scan plate 9, and ended as an ion beam. Platen 1 of station 10
It is configured to scan and irradiate the semiconductor wafer 12 arranged on the first substrate 1.
【００１２】前記プライン１１等は、高真空とされたイ
オン注入処理室としての真空処理室１３内に配置されて
いる。そして、エンドステーション１０には真空処理室
１３を挟むように２つのロードロック室１４が設けられ
ている。図３にも示すように、各ロードロック室１４の
前方には回転可能に構成されたターンテーブル１５およ
び長手方向に移動可能とされたフォーク１６からなるウ
エハ搬送機構が設けられており、これらのウエハ搬送機
構の間には、フォーク１６上の半導体ウエハ１２の位置
合わせ（センタリンク）を行うセンタリンクカップ１７
が設けられている。The pline 11 and the like are placed in a vacuum processing chamber 13 which is a high vacuum ion implantation processing chamber. Further, the end station 10 is provided with two load lock chambers 14 so as to sandwich the vacuum processing chamber 13. As shown in FIG. 3, in front of each load lock chamber 14, a wafer transfer mechanism including a turntable 15 configured to be rotatable and a fork 16 movable in the longitudinal direction is provided. A center link cup 17 for aligning (center linking) the semiconductor wafer 12 on the fork 16 is provided between the wafer transfer mechanisms.
Is provided.
【００１３】また、ターンテーブル１５の側方には、そ
れぞれ上下動可能に構成されたカセットエレベータ１８
が設けられており、これらのカセットエレベータ１８上
には複数枚（例えば２５枚）の半導体ウエハ１２を収容
したウエハカセット１９が載置されるように構成されて
いる。Further, a cassette elevator 18 which is constructed to be movable up and down is provided on the side of the turntable 15.
Is provided, and a wafer cassette 19 accommodating a plurality of (for example, 25) semiconductor wafers 12 is placed on these cassette elevators 18.
【００１４】図１に示すように、前記ロードロック室１
４と真空処理室１３との間には、これらの間を気密に閉
塞可能に構成されたゲートバルブ２０が設けられてお
り、ロードロック室１４の前部（ターンテーブル１５
側）にも図３に示すようにゲートバルブ２１が設けられ
ている。As shown in FIG. 1, the load lock chamber 1
4 and the vacuum processing chamber 13 are provided with a gate valve 20 configured to hermetically close the space between them and the front portion of the load lock chamber 14 (the turntable 15).
The gate valve 21 is also provided on the side) as shown in FIG.
【００１５】また、図１に示すように、ロードロック室
１４内には、半導体ウエハ１２を支持するための上下動
可能に構成されたウエハ支持ピン２２が設けられてお
り、このウエハ支持ピン２２上の半導体ウエハ１２と対
向するロードロック室１４内の天井面には静電気を帯び
やすい材質、例えばガラス、テフロン樹脂等からなるプ
レート状の帯電体２３が設けられている。この帯電体２
３の下面にはアルミニウム等の金属からなるプレートが
設けられ、静電吸着面２３ａを形成している。As shown in FIG. 1, the load lock chamber 14 is provided with a vertically movable wafer support pin 22 for supporting the semiconductor wafer 12, and the wafer support pin 22 is provided. A plate-shaped charging member 23 made of a material that easily bears static electricity, such as glass or Teflon resin, is provided on the ceiling surface inside the load lock chamber 14 facing the upper semiconductor wafer 12. This charged body 2
A plate made of metal such as aluminum is provided on the lower surface of 3 to form an electrostatic attraction surface 23a.
【００１６】前記ロードロック室１４を構成する本体２
４はアルミニウム等の金属で構成されており、その本体
２４の上面の開口部２５を前記帯電体２３と静電吸着面
２３ａによって閉塞している。さらに、本体２４の開口
縁と静電吸着面２３ａの周縁との間はＯリング等のシー
ル部材２６によってシールされていると共に、静電吸着
面２３ａの周縁にコーティングした樹脂層２７によって
本体２４と電気的絶縁状態に保たれている。Main body 2 constituting the load lock chamber 14
Reference numeral 4 is made of metal such as aluminum, and the opening 25 on the upper surface of the main body 24 is closed by the charging body 23 and the electrostatic attraction surface 23a. Further, a space between the opening edge of the main body 24 and the peripheral edge of the electrostatic attraction surface 23a is sealed by a sealing member 26 such as an O-ring, and the resin layer 27 coated on the peripheral edge of the electrostatic attraction surface 23a allows the main body 24 and It is kept electrically isolated.
【００１７】さらに、前記帯電体２３には静電気制御手
段としてのスイッチ２８を介して電圧印加手段としての
直流電源２９が接続されており、帯電体２３に数ＫＶの
高電圧を印加し、帯電体２３を帯電できるように構成さ
れている。Further, a DC power source 29 as a voltage applying means is connected to the charging body 23 via a switch 28 as a static electricity control means, and a high voltage of several KV is applied to the charging body 23 to charge the charging body 23. 23 is configured to be charged.
【００１８】さらに、前記ロードロック室１４には、図
示しない真空ポンプに接続された排気管路３０と、イオ
ナイザー等のイオン風を発生させる静電気除去装置３１
に接続されたイオン風供給管路３２が設けられ、このイ
オン風供給管路３２の途中にはバルブ３３が設けられて
いる。Further, in the load lock chamber 14, an exhaust pipe line 30 connected to a vacuum pump (not shown) and a static electricity removing device 31 for generating ion wind such as an ionizer.
Is provided with an ion wind supply pipe 32, and a valve 33 is provided in the middle of the ion wind supply pipe 32.
【００１９】前述のように構成されたイオン注入装置で
は、カセットエレベータ１８の一方に処理を行う半導体
ウエハ１２を収容したウエハカセット１９を載置し、他
方に空のウエハカセット１９を載置して、一方のロード
ロック室１４を半導体ウエハ１２の搬入用、他方のロー
ドロック室１４を処理の終了した半導体ウエハ１２の搬
出用として用いる。In the ion implantation apparatus constructed as described above, the wafer cassette 19 containing the semiconductor wafer 12 to be processed is placed on one side of the cassette elevator 18 and the empty wafer cassette 19 is placed on the other side. The one load lock chamber 14 is used for loading the semiconductor wafer 12, and the other load lock chamber 14 is used for loading the semiconductor wafer 12 that has been processed.
【００２０】そして、まず、カセットエレベータ１８に
よって、この処理を行う半導体ウエハ１２を収容したウ
エハカセット１９を上昇させ、最下段の半導体ウエハ１
２をフォーク１６によって取り出す。そして、ターンテ
ーブル１５を回転させ、センタリングカップ１７によっ
てフォーク１６上の半導体ウエハ１２の位置合わせ（セ
ンタリング）を行い、この後、半導体ウエハ１２をロー
ドロック室１４に搬入する。なお、この搬入用のロード
ロック室１４は、予め常圧とし、大気側のゲートバルブ
２１を開けておく。First, the cassette elevator 18 raises the wafer cassette 19 accommodating the semiconductor wafer 12 to be processed, and the semiconductor wafer 1 at the lowermost stage is raised.
2 is taken out by the fork 16. Then, the turntable 15 is rotated, the semiconductor wafer 12 on the fork 16 is aligned (centered) by the centering cup 17, and then the semiconductor wafer 12 is carried into the load lock chamber 14. The load lock chamber 14 for loading is set to normal pressure in advance, and the gate valve 21 on the atmosphere side is opened.
【００２１】次に、ロードロック室１４内のウエハ支持
ピン２２を上昇させ、半導体ウエハ１２をフォーク１６
上からウエハ支持ピン２２上に移し、フォーク１６をロ
ードロック室１４から引き抜いて、ゲートバルブ２１を
閉じる。そして、排気管路３０から真空ポンプにより排
気し、ロードロック室１４内を所定の真空度に設定す
る。Next, the wafer support pins 22 in the load lock chamber 14 are raised to move the semiconductor wafer 12 to the fork 16
The wafer is moved from above to the wafer support pin 22, the fork 16 is pulled out from the load lock chamber 14, and the gate valve 21 is closed. Then, the exhaust pipe 30 is evacuated by a vacuum pump to set the inside of the load lock chamber 14 to a predetermined degree of vacuum.
【００２２】この後、真空処理室１３側のゲートバルブ
２０を開け、真空処理室１３内に設けられた搬送機構に
より、ウエハ支持ピン２２上の半導体ウエハ１２を搬送
し、プラテン１１上に配置する。なお、プラテン１１
は、半導体ウエハ１２を支持する支持面がほぼ水平な状
態および垂直な状態となるよう約９０゜回転自在に構成
されている。そして、このプラテン１１の支持面をほぼ
水平な状態として半導体ウエハ１２をロード・アンロー
ドし、支持面をほぼ垂直な状態としてイオンビームの照
射を行う。After that, the gate valve 20 on the vacuum processing chamber 13 side is opened, and the semiconductor wafer 12 on the wafer support pins 22 is transferred by the transfer mechanism provided in the vacuum processing chamber 13 and placed on the platen 11. . The platen 11
Is configured to be rotatable about 90 ° so that the support surface supporting the semiconductor wafer 12 is in a substantially horizontal state and a vertical state. Then, the semiconductor wafer 12 is loaded and unloaded with the supporting surface of the platen 11 substantially horizontal, and the ion beam irradiation is performed with the supporting surface substantially vertical.
【００２３】半導体ウエハ１２にイオンビームの照射を
行っている間、搬入用のロードロック室１４では、次の
半導体ウエハ１２の搬入のための準備を行う。すなわ
ち、ゲートバルブ２０，２１とも閉めた状態で、イオン
風供給管路３２のバルブ３３を開け、ロードロック室１
４にイオン風を導入し、常圧に戻した後、大気側のゲー
トバルブ２１を開けて前記手順により次の半導体ウエハ
１２の搬入動作を実行する。While the semiconductor wafer 12 is being irradiated with the ion beam, the loading lock chamber 14 for loading prepares for loading the next semiconductor wafer 12. That is, with the gate valves 20 and 21 both closed, the valve 33 of the ion wind supply conduit 32 is opened to load the load lock chamber 1
After the ion wind is introduced to 4 and the pressure is returned to the normal pressure, the gate valve 21 on the atmosphere side is opened and the next loading operation of the semiconductor wafer 12 is executed by the above procedure.
【００２４】一方、搬出用のロードロック室１４は、予
め真空排気を実施し、所定の真空度に設定しておく。そ
して、半導体ウエハ１２のイオン注入処理が終了する
と、真空処理室１３側のゲートバルブ２０を開け、真空
処理室１３内に設けられた搬送機構によりプラテン１１
上の半導体ウエハ１２を搬送し、ウエハ支持ピン２２上
に配置する。そして、ゲートバルブ２０，２１を両方と
も閉め、イオン風供給管路３２のバルブ３３を開け、ロ
ードロック室１４にイオン風を導入し、常圧に戻した
後、大気側のゲートバルブ２１を開け、ターンテーブル
１５およびフォーク１６によってロードロック室１４内
の半導体ウエハ１２を取り出し、空のウエハカセット１
９の上段から順に収容する。On the other hand, the load lock chamber 14 for carrying out is evacuated in advance and set to a predetermined degree of vacuum. When the ion implantation process of the semiconductor wafer 12 is completed, the gate valve 20 on the vacuum processing chamber 13 side is opened, and the platen 11 is moved by the transfer mechanism provided in the vacuum processing chamber 13.
The upper semiconductor wafer 12 is transported and placed on the wafer support pins 22. Then, both the gate valves 20 and 21 are closed, the valve 33 of the ion wind supply conduit 32 is opened, the ion wind is introduced into the load lock chamber 14, the pressure is returned to normal pressure, and then the gate valve 21 on the atmosphere side is opened. The semiconductor wafer 12 in the load lock chamber 14 is taken out by the turntable 15 and the fork 16 and the empty wafer cassette 1
9 are stored in order from the top.
【００２５】前述した一連の半導体ウエハ１２の搬入・
搬出操作において、ロードロック室１４内の天井面には
静電気を帯びやすい材質、例えばガラス、テフロン樹脂
等からなる帯電体２３が設けられ、この帯電体２３の下
面には静電吸着面２３ａが一体的に接合されている。Loading of the series of semiconductor wafers 12 described above
In the carry-out operation, a charging body 23 made of a material that easily bears static electricity, such as glass or Teflon resin, is provided on the ceiling surface in the load lock chamber 14, and the electrostatic attraction surface 23a is integrally formed on the lower surface of the charging body 23. Are joined together.
【００２６】さらに、帯電体２３はスイッチ２８を介し
て直流電源２９が接続されており、スイッチ２８のオン
によって帯電体２３に数ＫＶの電圧が印加されている。
したがって、帯電体２３の静電吸着面２３ａは帯電さ
れ、ロードロック室１４内の塵埃は静電吸着面２３ａに
吸着し、ロードロック室１４内で塵埃が舞い上がって半
導体ウエハ１２に付着するのを防止できる。Further, a DC power source 29 is connected to the charged body 23 via a switch 28, and a voltage of several KV is applied to the charged body 23 when the switch 28 is turned on.
Therefore, the electrostatic attraction surface 23 a of the charging body 23 is charged, and the dust in the load lock chamber 14 is attracted to the electrostatic attraction surface 23 a, and the dust rises in the load lock chamber 14 and adheres to the semiconductor wafer 12. It can be prevented.
【００２７】この場合、帯電体２３に一定電圧を印加す
ることにより安定した帯電が得られ、また周縁は樹脂層
２７によって絶縁されているため、ロードロック室１４
に対面する部分のみに塵埃が吸着する。In this case, stable charging is obtained by applying a constant voltage to the charging member 23, and the periphery is insulated by the resin layer 27, so that the load lock chamber 14
Dust is adsorbed only on the part facing.
【００２８】また、ロードロック室１４内の帯電をなく
す場合には、スイッチ２８をオフとし、帯電体２３を除
電するとともに、バルブ３３を開け、イオナイザー等の
イオン風を発生させる静電気除去装置３１からイオン風
供給管路３２を介してロードロック室１４にイオン風を
供給し、半導体ウエハ１２を含めたロードロック室１４
の内部全体を除電する。除電によって放出された塵埃は
排気管路３０を介して真空吸引され、装置外に排出され
る。When the charge in the load lock chamber 14 is to be eliminated, the switch 28 is turned off, the charge 23 is removed, the valve 33 is opened, and the static electricity removing device 31 such as an ionizer for generating ion wind is used. Ion wind is supplied to the load lock chamber 14 via the ion wind supply pipe 32, and the load lock chamber 14 including the semiconductor wafer 12 is supplied.
The entire inside of the is neutralized. The dust discharged by the static elimination is vacuum-sucked through the exhaust pipe line 30 and discharged to the outside of the apparatus.
【００２９】したがって、ロードロック室１４、静電吸
着面２３ａを含む帯電体２３および半導体ウエハ１２の
静電気を除去し、付着した塵埃のクリーニングが効率的
に行えるという効果がある。Therefore, there is an effect that the static electricity of the load lock chamber 14, the charging body 23 including the electrostatic attraction surface 23a and the semiconductor wafer 12 can be removed, and the adhered dust can be efficiently cleaned.
【００３０】図４は、このようなロードロック室１４に
よって６インチ径の半導体ウエハ１２を搬入・搬出し、
半導体ウエハ１２に付着した０．３μｍ以上の塵埃の数
を調べた結果を示すもので、（ａ）は帯電体２３がガラ
スの場合、（ｂ）は帯電体２３がテフロンの場合であ
り、ライニング枚数が増加するにつれて帯電体２３の静
電気吸着面２３ａに吸着する塵埃の量が増えることによ
り、半導体ウエハ１２に付着する塵埃の数が減少するこ
とが解る。In FIG. 4, the semiconductor wafer 12 having a diameter of 6 inches is loaded and unloaded by the load lock chamber 14 as described above.
The results of examining the number of dust particles of 0.3 μm or more attached to the semiconductor wafer 12 are shown. (A) shows the case where the charged body 23 is glass, (b) shows the case where the charged body 23 is Teflon, and the lining It can be seen that the number of dust particles adhering to the semiconductor wafer 12 decreases as the number of dust particles adsorbed on the electrostatic adsorption surface 23a of the charging body 23 increases as the number of charged particles increases.
【００３１】図５は他の実施例を示すもので、ロードロ
ック室１４を構成する本体２４の側壁には、真空ポンプ
３４に接続された排気管路３５と、イオナイザー等のイ
オン風を発生させる静電気除去装置３６に接続されたイ
オン風供給管路３７が設けられている。排気管路３５の
途中にはバルブ３５ａが、イオン風供給管路３７の途中
にはバルブ３７ａが設けられている。FIG. 5 shows another embodiment. On the side wall of the main body 24 constituting the load lock chamber 14, an exhaust pipe line 35 connected to the vacuum pump 34 and an ion wind such as an ionizer are generated. An ion wind supply conduit 37 connected to the static electricity removing device 36 is provided. A valve 35a is provided in the middle of the exhaust pipe 35, and a valve 37a is provided in the middle of the ion wind supply pipe 37.
【００３２】このように構成することによって、半導体
ウエハ１２の搬送や半導体ウエハ１２に対するイオン注
入などによって半導体ウエハ１２に帯電が生じ、これに
よってロードロック室１４内の塵埃を引き付け、半導体
ウエハ１２に付着またはディバイス破壊の問題があった
が、バルブ３７ａを開くことにより、イオン風供給管路
３７を介してロードロック室１４内にイオン風が供給さ
れ、帯電した半導体ウエハ１２を除電できる。したがっ
て、半導体ウエハ１２への塵埃の付着を低減でき、ウエ
ハ放電によるディバイス破壊を防止できるという効果が
ある。With this configuration, the semiconductor wafer 12 is charged by the transportation of the semiconductor wafer 12 and the ion implantation into the semiconductor wafer 12, and the dust in the load lock chamber 14 is attracted and adhered to the semiconductor wafer 12. Alternatively, although there was a problem of device destruction, by opening the valve 37a, ion wind is supplied into the load lock chamber 14 via the ion wind supply conduit 37, and the charged semiconductor wafer 12 can be discharged. Therefore, the adhesion of dust to the semiconductor wafer 12 can be reduced, and the device destruction due to wafer discharge can be prevented.
【００３３】なお、前記実施例においては、この発明を
イオン注入装置に適用した場合について説明したが、こ
の発明はかかる実施例に限定されるものではなく、減圧
雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空処理装置、
例えば、エッチング装置、アッシング装置、スパッタ装
置、減圧ＣＶＤ装置等に適用することができる。また、
被処理物としては、半導体ウエハ１２に限らず、例えば
ＬＣＤ用基板の処理等に対しても同様にして適用するこ
とができる。In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the ion implantation apparatus has been described. However, the present invention is not limited to such an embodiment, and the object to be processed is predetermined in a reduced pressure atmosphere. A vacuum processing device that performs processing,
For example, it can be applied to an etching apparatus, an ashing apparatus, a sputtering apparatus, a low pressure CVD apparatus and the like. Also,
The object to be processed is not limited to the semiconductor wafer 12, but can be similarly applied to, for example, the processing of an LCD substrate.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、この発明の真空処
理装置によれば、帯電体に電圧を印加することにより、
安定した帯電が得られ、塵埃を静電気により吸着させる
ことができ、被処理物に付着する塵埃の量を低減するこ
とができ、歩留まりの向上を図ることができる。また、
電圧印加手段をオン・オフすることによって、帯電、除
電の制御が容易となるという効果が得られる。As described above, according to the vacuum processing apparatus of the present invention, by applying a voltage to the charged body,
Stable charge can be obtained, dust can be adsorbed by static electricity, the amount of dust adhering to the object to be processed can be reduced, and the yield can be improved. Also,
By turning on and off the voltage applying means, it is possible to obtain an effect that the control of charging and discharging is facilitated.
【図１】この発明の一実施例を示す真空処理装置の要部
を示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram showing a main part of a vacuum processing apparatus showing an embodiment of the present invention.
【図２】同実施例の真空処理装置の全体の構成図。FIG. 2 is an overall configuration diagram of a vacuum processing apparatus of the same embodiment.
【図３】同実施例の真空処理装置のエンドステーション
の構成を示す斜視図、FIG. 3 is a perspective view showing a configuration of an end station of the vacuum processing apparatus of the embodiment,
【図４】同実施例の半導体ウエハに対する塵埃の付着量
とランニング枚数との関係を示す図。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the amount of dust adhering to the semiconductor wafer and the number of running sheets in the embodiment.
【図５】この発明の他の実施例の真空処理装置の要部を
示す構成図。FIG. 5 is a configuration diagram showing a main part of a vacuum processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
１２…半導体ウエハ（被処理物） １３…真空処理室 １４…ロードロック室（予備真空室） ２３…帯電体 ２８…スイッチ（静電気制御手段） ２９…直流電源（電圧印加手段） 12 ... Semiconductor wafer (object to be processed) 13 ... Vacuum processing chamber 14 ... Load lock chamber (preliminary vacuum chamber) 23 ... Charger 28 ... Switch (static electricity control means) 29 ... DC power supply (voltage application means)
Claims (6)
と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備
え、この予備真空室を介して前記被処理物を前記真空処
理室内に搬入・搬出するよう構成された真空処理装置に
おいて、 前記予備真空室内に設けられた帯電体と、 この帯電体に電圧を印加し、前記予備真空室内で発生し
た塵埃を静電気により帯電体に吸着させる電圧印加手段
と、 を具備したことを特徴とする真空処理装置。1. A vacuum processing chamber for performing a predetermined process on an object to be processed, and a preliminary vacuum chamber configured to be able to evacuate the inside, the vacuum processing of the object to be processed via the preliminary vacuum chamber. A vacuum processing apparatus configured to be carried in and out of a room, wherein a charged body provided in the preliminary vacuum chamber and a voltage are applied to the charged body, and dust generated in the preliminary vacuum chamber is electrostatically charged into the charged body. A vacuum processing apparatus comprising: a voltage applying unit for causing adsorption.
と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備
え、この予備真空室を介して前記被処理物を前記真空処
理室内に搬入・搬出するよう構成された真空処理装置に
おいて、 前記予備真空室内に設けられた帯電体と、 この帯電体に電圧を印加し、前記予備真空室内で発生し
た塵埃を静電気により帯電体に吸着させる電圧印加手段
と、 この電圧印加手段をオン・オフし、前記帯電体に対する
帯電と除電を行う静電気制御手段と、 を具備したことを特徴とする真空処理装置。2. A vacuum processing chamber for performing a predetermined process on an object to be processed, and a preliminary vacuum chamber configured to be able to evacuate the inside, and the vacuum processing of the object to be processed via the preliminary vacuum chamber. A vacuum processing apparatus configured to be carried in and out of a room, wherein a charged body provided in the preliminary vacuum chamber and a voltage are applied to the charged body, and dust generated in the preliminary vacuum chamber is electrostatically charged into the charged body. A vacuum processing apparatus comprising: a voltage applying unit for adsorbing, and an electrostatic control unit for turning on / off the voltage applying unit to charge and discharge the charged body.
を特徴とする請求項１または２記載の真空処理装置。3. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the charged body is glass or resin.
縁状態に設けられていることを特徴とする請求項１また
は２記載の真空処理装置。4. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the charged body is provided in an electrically insulated state from the main body of the preliminary vacuum chamber.
物と対向して設けられていることを特徴とする請求項１
または２記載の真空処理装置。5. The charged body is provided in the preliminary vacuum chamber so as to face the object to be processed.
Or the vacuum processing apparatus according to 2.
ームを照射してイオンを注入するイオン注入処理室であ
ることを特徴とする請求項１または２記載の真空処理装
置。6. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum processing chamber is an ion implantation processing chamber that irradiates a semiconductor wafer with an ion beam to implant ions.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30889793A JPH07161598A (en) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | Vacuum processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30889793A JPH07161598A (en) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | Vacuum processing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161598A true JPH07161598A (en) | 1995-06-23 |
Family
ID=17986587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30889793A Pending JPH07161598A (en) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | Vacuum processing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161598A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5858108A (en) * | 1996-07-15 | 1999-01-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Removal of particulate contamination in loadlocks |
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-
1993
- 1993-12-09 JP JP30889793A patent/JPH07161598A/en active Pending
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