JPH07160439A - Data storage device and main controller - Google Patents
Data storage device and main controllerInfo
- Publication number
- JPH07160439A JPH07160439A JP5304016A JP30401693A JPH07160439A JP H07160439 A JPH07160439 A JP H07160439A JP 5304016 A JP5304016 A JP 5304016A JP 30401693 A JP30401693 A JP 30401693A JP H07160439 A JPH07160439 A JP H07160439A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- program
- erasing
- data
- file
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は電気信号を加えることに
より消去書き込みが可能となる不揮発性半導体メモリを
記憶媒体として使用した、随時読み書き可能なデータ記
憶装置及び主制御装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data storage device and a main control device that can be read from and written to at any time, using a nonvolatile semiconductor memory that can be erased and written by applying an electric signal as a storage medium.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来よりコンピュータのプログラム保存
やデータ格納のために大容量の読み書き可能な外部記憶
装置が使用されてきた。これらの外部記憶装置では記憶
媒体の特徴として任意の記憶領域に１バイト単位で読み
書きが可能であっても、前記記憶媒体を小容量（数１０
０から数キロバイト）の区分（以降セクタと称する）に
分割して読み書きの単位とし、複数のセクタを連結使用
することで可変長のデータ記憶を可能としている。また
前記可変長データにファイル名を付与して複数の可変長
ファイルの記憶を可能とする構成が一般的に用いられて
いる。2. Description of the Related Art Conventionally, a large-capacity readable / writable external storage device has been used for computer program storage and data storage. In these external storage devices, even if the storage medium is characterized by being able to read and write in arbitrary bytes in 1-byte units, the storage medium has a small capacity (several tens).
Dividing into sections of 0 to several kilobytes (hereinafter referred to as sectors) is used as a unit for reading and writing, and a plurality of sectors are concatenated to enable variable-length data storage. Further, a configuration is generally used in which a file name is given to the variable length data to enable storage of a plurality of variable length files.
【０００３】このように大容量の外部記憶装置では、そ
の仕様を満たす大容量の記憶媒体として磁気ディスクが
主流となっている。その他の随時読み書き可能な記憶媒
体としては、電気信号による消去・書き込み可能な不揮
発性半導体メモリがあるが、これらは記憶容量が数キロ
バイトに限定されていたので大容量の外部記憶装置では
なく機器固有の小容量データの保存に限定されていた。As described above, in a large-capacity external storage device, a magnetic disk has become the mainstream as a large-capacity storage medium satisfying its specifications. Other readable / writable storage media include non-volatile semiconductor memories that can be erased / written by electric signals, but since these have a limited storage capacity of a few kilobytes, they are not large-capacity external storage devices but device-specific. Was limited to storing small amounts of data.
【０００４】ところが近年これらの不揮発性半導体メモ
リの集積度の向上でフラッシュロムと呼ばれる数メガバ
イトの記憶容量を持つメモリカードの開発が進み、磁気
ディスクに比べて軽量、小型で機械的な衝撃に強いなど
の特長を持つため、外部記憶装置への利用も提案される
ようになってきた。However, in recent years, development of a memory card called a flash ROM having a storage capacity of several megabytes has progressed due to the improvement in the integration density of these nonvolatile semiconductor memories, and it is lighter and smaller than a magnetic disk and is resistant to mechanical shock. Since it has such features, it has been proposed to use it for an external storage device.
【０００５】これらのメモリカードでは、読みだしは通
常マイクロコンピュータの主記憶装置の記憶素子として
利用される随時読みだし書き込み可能半導体メモリ（Ｒ
ＡＭ）と同様の電圧とタイミングの電気信号で行える
が、書き込みについては前記読みだし時より高電圧の信
号を加えることが必要となる。またデータの上書きは出
来ず、データを書き換える際には、書き込み時と同様の
電気信号により、数キロバイトから数１００キロバイト
のブロック単位で消去動作を行った後に新規データを書
き込む必要がある。そして、このような高電圧印加タイ
ミングや、消去ブロックサイズはフラッシュロムの仕様
により相違するので、メモリの仕様に応じた制御が必要
となっている。In these memory cards, a read-out writable semiconductor memory (R) is usually used as a memory element of a main memory of a microcomputer.
Although it can be performed with an electric signal having the same voltage and timing as AM), it is necessary to apply a signal having a higher voltage than that at the time of reading for writing. Further, data cannot be overwritten, and when rewriting data, it is necessary to write new data after performing an erase operation in block units of several kilobytes to several hundred kilobytes by an electric signal similar to that in writing. Since such high voltage application timing and erase block size differ depending on the flash ROM specifications, control according to the memory specifications is required.
【０００６】図８は、従来のフラッシュロムを記憶媒体
として用いるデータ記憶装置８００とそのデータ記憶装
置８００を利用する主制御装置８０３を接続した場合の
機能ブロック図である。８０１はデータを記憶するファ
イル記憶部、８０２は一まとまりのデータをファイル名
称で区別するとともに、セクタの使用・未使用と、使用
中のセクタの順序を記憶するファイル情報管理部、８０
５は制御部８０４からの書き込み指示を受けてファイル
記憶部８０１へデータを書き込む書き込みプログラム
部、８０６は制御部８０４からの読みだし指示を受けて
ファイル記憶部８０１とファイル情報管理部８０２から
データを読みだす読みだしプログラム部である。また通
常、書き込みプログラム部８０５と読みだしプログラム
部８０６はデータ記憶装置制御プログラムとして不揮発
性半導体メモリに書き込まれ、主制御装置８０３の制御
部８０４で実行されるプログラムはデータ記憶装置８０
０から読みだして使用する形態となっている。FIG. 8 is a functional block diagram when a data storage device 800 using a conventional flash ROM as a storage medium and a main control device 803 using the data storage device 800 are connected. Reference numeral 801 denotes a file storage unit that stores data, 802 a file information management unit that distinguishes a group of data by a file name, and stores the order of used / unused sectors and sectors in use.
Reference numeral 5 denotes a write program unit for writing data to the file storage unit 801 in response to a write instruction from the control unit 804, and 806 receives data from the file storage unit 801 and file information management unit 802 in response to a read instruction from the control unit 804. This is the read-out program section. Further, normally, the write program unit 805 and the read program unit 806 are written in the nonvolatile semiconductor memory as a data storage device control program, and the program executed by the control unit 804 of the main control device 803 is the data storage device 80.
It is in the form of being read from 0 and used.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、データ書き換え時に電気信号による消去動
作を行う必要があることから、複数の可変長データを記
憶可能とするために記憶媒体の読み書きの単位であるセ
クタを消去ブロック単位に一致させ、随時書き換え可能
にする他ないが、このようにするとセクタサイズが非常
に大きくなり記憶媒体の利用効率が著しく悪くなる。ま
た、書き込み、消去時の電気信号タイミングとセクタサ
イズがフラッシュロムの仕様に依存するので、書き込み
プログラム部８０５をフラッシュロムの全ての種類に対
応させるか、フラッシュロムの種類を変更する都度、書
き込みプログラム部８０５を変更する必要が生じ、元来
変更対象ではないプログラムを格納する不揮発性半導体
メモリを、簡単に交換できるデータ記憶装置の種類に応
じて交換しなければならなくなるという問題点を有して
いた。However, in the above-mentioned conventional structure, since it is necessary to perform the erasing operation by the electric signal at the time of rewriting the data, the unit of reading and writing of the storage medium in order to be able to store a plurality of variable length data. There is no choice but to match the sector to the erase block unit so that it can be rewritten at any time. However, in this case, the sector size becomes very large, and the utilization efficiency of the storage medium is significantly deteriorated. Further, since the electric signal timing and the sector size at the time of writing and erasing depend on the flash ROM specifications, the write program unit 805 is made to correspond to all types of flash ROM, or the write program is changed every time the flash ROM type is changed. There is a problem in that it is necessary to change the unit 805, and the non-volatile semiconductor memory that stores a program that is not the original change target must be replaced according to the type of data storage device that can be easily replaced. It was
【０００８】そこで本発明は、メモリカードの仕様に依
存せずデータの読み書きを行えるデータ記憶装置及び主
制御装置を提供することを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a data storage device and a main control device capable of reading and writing data independent of the specifications of a memory card.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明では、記憶媒体で
あるデータ記憶装置にフラッシュロムの電気信号タイミ
ング仕様にあった書き込みプログラム部を主制御装置で
実行可能なプログラムの形態で搭載する構成にした。ま
た、前記フラッシュロムの仕様に依存する消去ブロック
サイズに依らない一定サイズにセクタサイズを決め、消
去ブロックが複数のセクタで構成される場合には消去対
象外のセクタを一時待避して消去を行い、その後で待避
したセクタを書き戻すことにより、消去対象のセクタの
みを消去する手段をもつ消去プログラム部を前記書き込
みプログラム部と同じ形態でデータ記憶装置に搭載し
て、主制御装置に前記２つのプログラムを格納して実行
する構成にした。According to the present invention, a data storage device, which is a storage medium, is equipped with a write program unit that meets the flash ROM electrical signal timing specifications in the form of a program executable by a main controller. did. In addition, the sector size is set to a fixed size that does not depend on the erase block size that depends on the flash ROM specifications, and when the erase block is composed of multiple sectors, the sectors that are not the erase target are temporarily saved and erased. After that, an erase program unit having means for erasing only the sector to be erased by writing back the saved sector is mounted in the data storage device in the same form as the write program unit, and the main control unit is provided with the above two units. It is configured to store and execute the program.
【００１０】[0010]
【作用】本発明は上記した構成により、書き込み、消去
の際のタイミングはデータ記憶装置から読みだした書き
込みプログラム部と消去プログラム部で制御し、消去ブ
ロックサイズの大小による制御方法の相違も消去プログ
ラム部内で吸収するので、主制御装置にはフラッシュロ
ムの仕様に依存するプログラムがなくなり、データ記憶
装置を変更しても主制御装置は変更する必要がなくな
る。また、セクタを消去ブロックによらない小さなサイ
ズにすることが出来るので、可変長データを複数記憶す
る用途での記憶媒体の利用効率低下を防ぐことが出来
る。According to the present invention, with the above-described structure, the timings of writing and erasing are controlled by the write program section and the erase program section read from the data storage device, and the difference in the control method depending on the size of the erase block size causes the erase program. Since it is absorbed in the department, the main controller does not have a program that depends on the specifications of the flash ROM, and it is not necessary to change the main controller even if the data storage device is changed. Further, since the sector can be made small without depending on the erase block, it is possible to prevent a decrease in the utilization efficiency of the storage medium for the purpose of storing a plurality of variable length data.
【００１１】[0011]
【実施例】以下に図面により本発明の一実施例を説明す
る。図１は本発明の一実施例におけるデータ記憶装置１
００と主制御装置１０５を接続した場合の機能ブロック
図、図２は本発明の一実施例におけるデータ記憶装置１
００のコモンメモリ上の各データの構成図、図３は本発
明の一実施例におけるデータ記憶装置１００のアトリビ
ュートメモリ上のファイル情報管理部に保持されるデー
タ構成図である。図１において、１０１はデータを記憶
するファイル記憶部、１０２は消去処理を主制御装置１
０５で実行可能なプログラムの形で構成される消去プロ
グラム部、１０３は消去プログラム部１０２と同じ形で
構成され書き込み処理を行う書き込みプログラム部であ
る。書き込みプログラム部１０３、消去プログラム部１
０２、ファイル記憶部１０１は図２に示すようにコモン
メモリの先頭から順番に格納され、読みだしプログラム
部１１０により主制御装置１０５へ読みだされる。書き
込みプログラム部１０３及び消去プログラム部１０２は
フラッシュロムの種類により長さが異なるが、書き込み
プログラム部１０３の長さ（２００），消去プログラム
部１０２の長さ（２０２）の様にコモンメモリの先頭か
ら長さとともに格納されているので、フラッシュロムの
種類に依らず主制御装置１０５へ読みだすことが可能で
ある。ファイル記憶部１０１は、本実施例では消去ブロ
ック（２０５）を１０２４バイト、セクタ（２０６）の
サイズを２５６バイトとし、３つの消去ブロック、合計
１２個のセクタで構成されているものとして説明する。
１０４はファイル記憶部１０１に複数の可変長データを
記憶するために必要なデータを保持するファイル情報管
理部であり、図３に示すように１２個のセクタの使用状
態を示すセクタ状態管理テーブル（３００）〜（３１
１）と、ファイル１（３１２），ファイル２（３１
５）、サイズ（３１３），（３１６）、先頭セクタ番号
（３１４），（３１７）を記録するファイルエントリ管
理テーブルからなる。なお図３中、ＦＦとあるのは最後
のセクタ、０とあるのは未使用のセクタであることを示
す。また、１０６はマイクロコンピュータ等で構成され
る制御部、１１０はコモンメモリとアトリビュートメモ
リ上のデータを制御部１０６から指定されたサイズで読
みだす読みだしプログラム部である。また、１０８，１
０９は消去プログラム部１０２、書き込みプログラム部
１０３から読みだしたプログラムをそれぞれ格納する消
去プログラム格納部、書き込みプログラム格納部であ
り、これら消去プログラム格納部１０８、書き込みプロ
グラム格納部１０９間のプログラムは、読みだしプログ
ラム部１１０と同様に制御部１０６で実行可能なもので
ある。また、１０７は消去プログラム格納部１０８が消
去処理中にデータの一時保存に使用する作業バッファ部
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a data storage device 1 according to an embodiment of the present invention.
00 and main controller 105 are connected in a functional block diagram. FIG. 2 shows a data storage device 1 according to an embodiment of the present invention.
00 is a configuration diagram of each data on the common memory, and FIG. 3 is a configuration diagram of data held in the file information management unit on the attribute memory of the data storage device 100 in the embodiment of the present invention. In FIG. 1, 101 is a file storage unit for storing data, and 102 is an erasing process in the main controller 1.
An erase program unit configured in the form of an executable program 05 and a write program unit 103 configured in the same form as the erase program unit 102 and performing a write process. Write program unit 103, erase program unit 1
02, the file storage unit 101 is stored in order from the beginning of the common memory as shown in FIG. 2, and is read by the reading program unit 110 to the main controller 105. The lengths of the write program unit 103 and the erase program unit 102 differ depending on the type of flash ROM, but like the length (200) of the write program unit 103 and the length (202) of the erase program unit 102 from the beginning of the common memory. Since it is stored together with the length, it can be read out to the main controller 105 regardless of the type of flash ROM. In the present embodiment, the file storage unit 101 will be described assuming that the erase block (205) is 1024 bytes, the size of the sector (206) is 256 bytes, and is composed of three erase blocks and a total of 12 sectors.
Reference numeral 104 denotes a file information management unit that holds data necessary for storing a plurality of variable-length data in the file storage unit 101, and as shown in FIG. 3, a sector status management table (12) indicating the usage status of 12 sectors. 300) ~ (31
1), file 1 (312), file 2 (31
5), sizes (313) and (316), and head sector numbers (314) and (317). In FIG. 3, FF indicates the last sector, and 0 indicates an unused sector. Further, 106 is a control unit configured by a microcomputer or the like, and 110 is a reading program unit for reading data on the common memory and the attribute memory in a size designated by the control unit 106. Also, 108,1
Reference numeral 09 denotes an erase program storage unit and a write program storage unit that respectively store the programs read from the erase program unit 102 and the write program unit 103. The programs between the erase program storage unit 108 and the write program storage unit 109 are read. However, like the program section 110, it can be executed by the control section 106. Reference numeral 107 denotes a work buffer unit used by the erasing program storage unit 108 for temporarily storing data during the erasing process.
【００１２】このような構成で使用されるデータ記憶装
置１００と主制御装置１０５の動作を図４，図５，図
６，図７を参照しながら説明する。図４は主制御装置１
０５の初期化処理のフローチャートであり、主制御装置
１０５は主制御装置電源投入後（ステップ４００）、コ
モンメモリの先頭から書き込みプログラム部１０３を読
みだし、書き込みプログラム格納部１０９へ展開する
（ステップ４０１）。また同様に、主制御装置１０５は
消去プログラム部１０２を読みだして消去プログラム格
納部１０８へ展開して（ステップ４０２）初期化を終了
する（ステップ４０３）。The operations of the data storage device 100 and main controller 105 used in such a configuration will be described with reference to FIGS. 4, 5, 6 and 7. FIG. 4 shows the main controller 1
15 is a flowchart of the initialization processing of No. 05, the main control unit 105 reads the write program unit 103 from the beginning of the common memory after the main control unit power is turned on (Step 400), and expands it in the write program storage unit 109 (Step 401). ). Similarly, the main controller 105 reads the erasing program section 102, expands it in the erasing program storing section 108 (step 402), and finishes the initialization (step 403).
【００１３】次に、図３に示すファイル１（３１２）が
書き込まれている状態で新規に１０００バイトのデータ
をファイル２（３１５）として書き込む手順を図５によ
り説明する。図５は本発明の一実施例におけるデータ記
憶装置の新規ファイル書き込み時の処理手順を示すフロ
ーチャートである。まず、制御部１０６は読みだしプロ
グラム部１１０によりファイル情報管理部１０４に新規
ファイル書き込み要求を行い（ステップ５０３）、ディ
レクトリエントリ（ファイル）の空を探す（ステップ５
０４）。空エントリ（ステップ５０５）もしくは要求さ
れたファイルを記憶するに足りる空セクタ（ステップ５
０６）のいずれか一方でも見つからなければ終了し（ス
テップ５１２）、いずれも見つかればステップ５０７以
後の処理を行う。図３の例では、ファイル２（３１５）
が発見される。次に未使用セクタをセクタ状態管理テー
ブルの先頭（３００）から探して（ステップ５０７）、
ファイル記憶部１０１の空セクタへデータを書き込むと
ともに（ステップ５０８）、各セクタを（３０１），
（３０２），（３０３），（３０４）の様に連結する
（ステップ５０９）。最終セクタ（３０４）へのデータ
書き込みが完了したら（ステップ５１０）、ファイルエ
ントリ管理テーブルにサイズ（３１６）、と先頭セクタ
番号２（３１７）を書き込んで（ステップ５１１）ファ
イルの書き込みが終了する（ステップ５１２）。Next, a procedure for newly writing 1000 bytes of data as the file 2 (315) while the file 1 (312) shown in FIG. 3 is being written will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a flow chart showing a processing procedure when writing a new file in the data storage device in the embodiment of the present invention. First, the control unit 106 requests the file information management unit 104 to write a new file by the read program unit 110 (step 503) and searches for an empty directory entry (file) (step 5).
04). An empty entry (step 505) or an empty sector sufficient to store the requested file (step 5)
If any one of (06) is not found, the process ends (step 512), and if any is found, the processes from step 507 onward are performed. In the example of FIG. 3, file 2 (315)
Is discovered. Next, an unused sector is searched from the top (300) of the sector status management table (step 507),
While writing data to the empty sectors of the file storage unit 101 (step 508), each sector is (301),
(302), (303), and (304) are connected (step 509). When the data writing to the last sector (304) is completed (step 510), the size (316) and the head sector number 2 (317) are written to the file entry management table (step 511) and the writing of the file is completed (step 511). 512).
【００１４】次に前述したファイル２を削除する手順を
図６，図７により説明する。図６は本発明の一実施例に
おけるデータ記憶装置のファイル削除時の処理手順を示
すフローチャート、図７は本発明の一実施例におけるデ
ータ記憶装置のファイル削除時の作業バッファ部、ファ
イル記憶部、ファイル情報管理部の制御方法を示す説明
図である。図７で（７００）から（７０４）は作業バッ
ファ部１０７（図１参照）に確保される作業用データの
状態変化を矢印で示し、（７０５），（７０６），（７
０７）はファイル記憶部１０１（図１参照）の状態変
化、（７０８），（７０９）はセクタ状態管理テーブル
（３００）〜（３１１）（図３参照）の変化を示す。ま
ず、制御部１０６はファイルエントリ管理テーブルに削
除対象ファイルがあるか探し、対象ファイル（３１５）
の消去を消去プログラム格納部１０８に指定する（ステ
ップ６０４）。削除を指示された消去プログラム格納部
１０８はセクタ状態管理テーブル（７０８）と同じ配列
サイズのテーブル（７００）と各消去ブロック単位のテ
ーブル（７０１）を作業バッファ部１０７に確保する。
次にファイルエントリ管理テーブルの先頭セクタ番号
（３１７）から連結されているセクタを探し、使用され
ているセクタ２〜５の状態（７００）を１に変えるとと
もに、ブロック単位の状態（７０１）に１を設定する。
また消去セクタがないブロック３には０を設定する（ス
テップ６０５）。次にブロック単位の状態（７０１）に
１が設定されたブロック内の他のファイルで使用されて
いるセクタがある場合にはセクタの内容待避が必要であ
ることを示す２の値を状態（７００），（７０１）に設
定して状態（７０２），（７０３）とする（ステップ６
０６）。次に、ブロックの状態により分岐する（ステッ
プ６０７）。即ち、ブロックの状態が２であれば、状態
（７０２）の値が２であるセクタ番号１のファイル記憶
部１０１の内容を一旦状態（７０４）に待避した後（ス
テップ６０８）でブロック１（セクタ番号１〜４）を電
気消去し（ステップ６０９）、その後で状態（７０４）
からファイル記憶部１０１へ書き戻して（ステップ６１
０）状態（７０７）とする。また、１であれば前記待避
処理なしで電気消去、０であれば次のブロックの処理を
行う。全てブロックの処理が終了したら（ステップ６１
１）、制御部１０６へ通知し、制御部１０６はファイル
エントリ管理テーブルとセクタ状態管理テーブルからフ
ァイル２の登録を削除して（７０９）削除処理を完了す
る（ステップ６１２）。Next, the procedure for deleting the above-mentioned file 2 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a flowchart showing a processing procedure at the time of file deletion of the data storage device according to the embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a work buffer unit, file storage unit at the time of file deletion of the data storage device according to the embodiment of the present invention, It is explanatory drawing which shows the control method of a file information management part. In FIG. 7, (700) to (704) indicate changes in the state of the work data secured in the work buffer unit 107 (see FIG. 1) by arrows, and (705), (706), (7)
07) indicates a change in the state of the file storage unit 101 (see FIG. 1), and (708) and (709) indicate changes in the sector state management tables (300) to (311) (see FIG. 3). First, the control unit 106 searches the file entry management table for a file to be deleted, and the target file (315)
Is designated in the erasing program storage unit 108 (step 604). The erase program storage unit 108 instructed to delete secures the table (700) having the same array size as the sector state management table (708) and the table (701) for each erase block unit in the work buffer unit 107.
Next, a concatenated sector is searched for from the head sector number (317) of the file entry management table, the states (700) of the used sectors 2 to 5 are changed to 1, and the state of each block is changed to 1 (701). To set.
Further, 0 is set to the block 3 having no erase sector (step 605). Next, if there is a sector used by another file in the block whose block unit state (701) is set to 1, a value of 2 indicating that the contents of the sector need to be saved is set to the state (700 ), (701) and state (702), (703) (step 6).
06). Next, the process branches depending on the state of the block (step 607). That is, if the state of the block is 2, the contents of the file storage unit 101 of the sector number 1 whose value of the state (702) is 2 are temporarily saved to the state (704) (step 608) and then the block 1 (sector) (1) to (4) are electrically erased (step 609), and then the state (704)
From the file to the file storage unit 101 (step 61
0) state (707). If it is 1, electric erasing is performed without the save processing, and if it is 0, processing of the next block is performed. When all blocks have been processed (step 61)
1) Notifying the control unit 106, the control unit 106 deletes the registration of the file 2 from the file entry management table and the sector status management table (709), and completes the deletion process (step 612).
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上のように本発明は、記憶媒体から、
記憶媒体の仕様にあった書き込み、消去のプログラム部
を読みだし実行することにより仕様の相違による電気信
号制御タイミングの相違を吸収し、また、消去ブロック
サイズのサイズの変更も主制御装置では論理的に定義し
たセクタ単位の管理を消去プログラム部内で記憶媒体の
消去ブロックサイズにあわせた消去処理を行うので、仕
様の相違を全て記憶媒体から読みだすプログラム部で吸
収することが出来、主制御装置のプログラム保守簡易化
に大きな効果がある。また、セクタを消去ブロックによ
らない小さなサイズにして、可変長データを複数記憶す
る用途での記憶媒体の利用効率低下を防止できる。As described above, according to the present invention,
By reading and executing the program section for writing and erasing according to the specifications of the storage medium, the differences in electrical signal control timing due to the differences in specifications are absorbed, and the erasing block size can be changed logically in the main controller. The sector unit management defined in 1. is performed in the erase program unit according to the erase block size of the storage medium, so that the program unit that reads all the differences in specifications from the storage medium can be absorbed, It has a great effect on simplifying program maintenance. In addition, it is possible to prevent the deterioration of the utilization efficiency of the storage medium for the purpose of storing a plurality of variable-length data by making the sector a small size not depending on the erase block.
【図１】本発明の一実施例におけるデータ記憶装置と主
制御装置を接続した場合の機能ブロック図FIG. 1 is a functional block diagram when a data storage device and a main control device are connected in an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例におけるデータ記憶装置のコ
モンメモリ上の各データの構成図FIG. 2 is a configuration diagram of each data on a common memory of a data storage device according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例におけるデータ記憶装置のア
トリビュートメモリ上のファイル情報管理部に保持され
るデータの構成図FIG. 3 is a configuration diagram of data held in a file information management unit on an attribute memory of a data storage device according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施例におけるデータ記憶装置の主
制御装置の初期化処理のフローチャートFIG. 4 is a flowchart of an initialization process of the main control device of the data storage device in the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施例におけるデータ記憶装置の新
規ファイル書き込み時の処理手順を示すフローチャートFIG. 5 is a flowchart showing a processing procedure when writing a new file in the data storage device according to the embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施例におけるデータ記憶装置のフ
ァイル削除時の処理手順を示すフローチャートFIG. 6 is a flowchart showing a processing procedure when a file is deleted in the data storage device according to the embodiment of the present invention.
【図７】本発明の一実施例におけるデータ記憶装置のフ
ァイル削除時の作業バッファ部、ファイル記憶部、ファ
イル情報管理部の制御方法を示す説明図FIG. 7 is an explanatory diagram showing a control method of a work buffer unit, a file storage unit, and a file information management unit when a file is deleted in the data storage device according to the embodiment of the present invention.
【図８】従来例のデータ記憶装置と主制御装置を接続し
た場合の機能ブロック図FIG. 8 is a functional block diagram when a conventional data storage device and a main controller are connected.
１００ データ記憶装置 １０１ ファイル記憶部 １０２ 消去プログラム部 １０３ 書き込みプログラム部 １０４ ファイル情報管理部 １０５ 主制御装置 １０６ 制御部 １０７ 作業バッファ部 １０８ 消去プログラム格納部 １０９ 書き込みプログラム格納部 １１０ 読みだしプログラム部 100 data storage device 101 file storage unit 102 erase program unit 103 write program unit 104 file information management unit 105 main controller 106 control unit 107 work buffer unit 108 erase program storage unit 109 write program storage unit 110 read program unit
Claims (2)
した単位で消去が可能なコモンメモリでデータを記憶す
るためのファイル記憶部と、電気信号により１バイト単
位で消去が可能なアトリビュートメモリで前記ファイル
記憶部を前記単位とは異なる一定バイト数のセクタに分
け前記セクタを複数連結してその順番を管理することに
より可変長データの記憶を可能にするとともに、前記可
変長データに個別のファイル名称を付加してデータサイ
ズと複数連結されたセクタの先頭番号を記憶することで
前記可変長データの複数記憶を可能にするファイル情報
管理部と、前記コモンメモリの信号タイミングに合わせ
て前記セクタへのデータ書き込みを行う手段を主制御装
置の実行プログラムの形式で前記コモンメモリに保持す
る書き込みプログラム部と、前記コモンメモリの信号タ
イミングに合わせて前記セクタのデータ消去を行う手段
を主制御装置の実行プログラムの形式で前記コモンメモ
リに保持する消去プログラム部とを有し、前記書き込み
プログラム部と前記消去プログラム部とを主制御装置に
読み込み実行できるようにしたことを特徴とするデータ
記憶装置。1. A file storage unit for storing data in a common memory that can be erased in a unit of a plurality of bytes in one block by an electric signal, and an attribute memory that can be erased in a unit of one byte by an electric signal. The file storage unit is divided into sectors of a fixed number of bytes different from the unit, and a plurality of the sectors are connected to manage the order thereof to enable storage of variable length data, and a file name unique to the variable length data. Is added to the data size to store the head number of a plurality of connected sectors, and a file information management unit that enables a plurality of the variable-length data to be stored, and a sector to the sector in accordance with the signal timing of the common memory. A write program for holding the means for writing data in the common memory in the form of an execution program of the main control unit. And a write program unit for holding in the common memory a unit for erasing the data of the sector in accordance with the signal timing of the common memory in the form of an execution program of the main controller. A data storage device, wherein the erasing program section and the main control unit can be read and executed.
モンメモリの読みだしが行える読みだしプログラム部
と、随時読みだし書き込み可能なＲＡＭとを有し、デー
タ記憶装置の書き込みプログラム部及び消去プログラム
部とから情報を読みだしてそれぞれ格納する書き込みプ
ログラム格納部及び消去プログラム格納部と、消去の際
の一時データ保存領域として使用される作業バッファ部
と、前記読みだしプログラム部，前記書き込みプログラ
ム部及び前記消去プログラム部を実行する制御部であっ
て前記書き込みプログラム格納部に読みだされた情報で
書き込みかつ前記消去プログラム格納部に読みだされた
情報で消去時に加える電気信号のタイミング制御を行う
とともに、消去ブロックのサイズがセクタのサイズより
大きく１ブロックが複数のセクタからなる場合、削除対
象でないファイルを構成するセクタを前記作業バッファ
部に待避して消去を行いその後待避したセクタを消去済
みのブロックの中に書き戻す処理を前記消去プログラム
部で行う制御部を有することを特徴とする主制御装置。2. A read program section capable of reading the attribute memory and the common memory in 1-byte units, and a RAM capable of reading and writing at any time, and comprising a write program section and an erase program section of a data storage device. A writing program storage unit and an erasing program storage unit for reading and storing information, a work buffer unit used as a temporary data storage area at the time of erasing, the reading program unit, the writing program unit, and the erasing program And a timing control of an electric signal to be added at the time of erasing by the information read in the writing program storage unit and the information read in the erasing program storage unit. If the size is larger than the sector size, In the case of several sectors, control is performed by the erase program section in which the sectors constituting the file not to be deleted are saved in the work buffer section for erasing, and then the saved sectors are written back into the erased block. A main control unit having a section.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5304016A JPH07160439A (en) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | Data storage device and main controller |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5304016A JPH07160439A (en) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | Data storage device and main controller |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07160439A true JPH07160439A (en) | 1995-06-23 |
Family
ID=17928058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5304016A Pending JPH07160439A (en) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | Data storage device and main controller |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07160439A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002023968A (en) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | Controller of semiconductor storage device and flash memory storage system |
| CN102354299A (en) * | 2004-02-04 | 2012-02-15 | 株式会社东芝 | Memory card and semiconductor device |
| JP2016517066A (en) * | 2013-03-06 | 2016-06-09 | アビニシオ テクノロジー エルエルシー | Manage operations on stored data units |
| US9959070B2 (en) | 2013-03-06 | 2018-05-01 | Ab Initio Technology Llc | Managing operations on stored data units |
| US10133500B2 (en) | 2013-03-06 | 2018-11-20 | Ab Initio Technology Llc | Managing operations on stored data units |
-
1993
- 1993-12-03 JP JP5304016A patent/JPH07160439A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002023968A (en) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | Controller of semiconductor storage device and flash memory storage system |
| CN102354299A (en) * | 2004-02-04 | 2012-02-15 | 株式会社东芝 | Memory card and semiconductor device |
| JP2016517066A (en) * | 2013-03-06 | 2016-06-09 | アビニシオ テクノロジー エルエルシー | Manage operations on stored data units |
| US9959070B2 (en) | 2013-03-06 | 2018-05-01 | Ab Initio Technology Llc | Managing operations on stored data units |
| US10133500B2 (en) | 2013-03-06 | 2018-11-20 | Ab Initio Technology Llc | Managing operations on stored data units |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6898662B2 (en) | Memory system sectors | |
| US6081878A (en) | Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices | |
| JP3485938B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
| US6034897A (en) | Space management for managing high capacity nonvolatile memory | |
| EP0712067B1 (en) | Flash disk card | |
| EP1729304B1 (en) | Space management for managing high capacity nonvolatile memory | |
| US8208322B2 (en) | Non-volatile memory control | |
| US5953737A (en) | Method and apparatus for performing erase operations transparent to a solid state storage system | |
| EP0686976A2 (en) | Data management system for programming-limited type semiconductor memory and IC memory card having the data management system | |
| US20050055497A1 (en) | Faster write operations to nonvolatile memory by manipulation of frequently-accessed sectors | |
| US20050080985A1 (en) | Data storage device | |
| JPWO2005103903A1 (en) | Nonvolatile storage system | |
| JP2007317224A (en) | Memory system | |
| WO2005050453A1 (en) | File recording device | |
| US8185705B2 (en) | Information recording medium, information recording medium accessing apparatus and accessing method | |
| WO2005008499A1 (en) | Data area managing method in information recording medium and information processor employing data area managing method | |
| KR20020092261A (en) | Management Scheme for Flash Memory with the Multi-Plane Architecture | |
| JPH07160439A (en) | Data storage device and main controller | |
| JPH0764831A (en) | Data storage device | |
| JPH10289144A (en) | Memory control method | |
| JP4178822B2 (en) | Recording method | |
| JP4149640B2 (en) | Semiconductor memory writing control apparatus and method | |
| JPH07111092A (en) | Control method for non-volatile semiconductor storage device | |
| JPH0793980A (en) | Data recording and reproducing apparatus | |
| JPH04111030A (en) | Information recorder |