JPH07153797A - 回路基板のバンプ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 均一な形状のバンプを安定に製造する方法
と、この方法によって形成されるバンプを提供する。 【構成】 （工程１）図１（ａ）に示すようにＦＰＣ１
の銅箔導体３上にポリイミド樹脂の溶液を塗布し、この
ポリイミド樹脂を硬化して、ポリイミド層４を形成す
る。（工程２）図１（ｂ）に示すようにポリイミド層４
に孔５を形成する。（工程３）電気半田メッキによっ
て、図１（ｃ）に示すようにポリイミド層４の孔５にバ
ンプ６を形成する。このとき、ポリイミド層４がメッキ
液に侵されないので、バンプ６は、ポリイミド層４の孔
５の内側にだけ形成され、所定の形状となる。また、バ
ンプ６をポリイミド層４から突出させておく。これによ
り、バンプ６と、電子部品の端子との突き合わせが容易
になり、このバンプ６を加熱溶融したときには、電子部
品の端子が確実に半田付けされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、電子部品を回路基板
の導体に接続するための回路基板のバンプ及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、回路基板の導体に金属の
バンプを予め形成しておき、このバンプに電子部品の端
子を突き合わせて、このバンプを加熱溶融し、これによ
り電子部品の端子を接続するという方法がある。

【０００３】このバンプを形成するには、例えば図２
（ａ）に示すようにポリイミドフィルム１１と銅箔導体
１２からなるフレキシブル基板１３に接着剤層１４を介
してポリイミドフィルム１５を積層し、このポリイミド
フィルム１５に孔１６を形成し、この後に電気半田メッ
キを行う。これにより、図２（ｂ）に示すようにポリイ
ミドフィルム１５の孔１６に半田のバンプ１７が形成さ
れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、接着剤
層１４は、電気半田メッキの前処理、あるいは処理中に
劣化するので、この接着剤層１４の接着力が低下するこ
とがある。この場合、メッキ液がポリイミドフィルム１
５の下に回り込み、孔１６だけでなく、この孔１６の周
辺に半田メッキが浸入し、これがバンプの形状不良の原
因になることが研究検討により判明した。

【０００５】なお、ここでは、半田メッキを例示してい
るが、金メッキや銀メッキによってバンプを形成するこ
ともある。金メッキや銀メッキの場合でも、半田メッキ
と同様な理由で、バンプの形状不良が発生する。

【０００６】そこで、この発明の課題は、均一な形状の
バンプを安定に製造する方法と、この方法によって形成
されるバンプを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、特許請求の範囲の請求項１に係わる製造方法は、ポ
リイミド樹脂の溶液を回路基板に塗布し、このポリイミ
ド樹脂を硬化させて、回路基板の導体を覆うポリイミド
層を形成する工程と、回路基板の導体に達する孔をポリ
イミド層に形成する工程と、回路基板の導体上に成長
し、ポリイミド層から突出するバンプを金属メッキによ
ってポリイミド層の孔に形成する工程とからなる。

【０００８】また、特許請求の範囲の請求項２に係わる
回路基板のバンプは、上記請求項１に記載の製造方法に
よって形成されるものであって、回路基板上の導体に直
に被着したポリイミド層の孔に形成され、回路基板の導
体に接続し、ポリイミド層から突出している。

【０００９】

【作用】上記請求項１に係わる製造方法によれば、ポリ
イミド樹脂の溶液を回路基板に塗布して、ポリイミド層
を形成し、このポリイミド層に孔を開け、この後に金属
メッキを行って、このポリイミド層の孔にバンプを形成
している。ポリイミド層は、金属メッキによって劣化し
たり、メッキ液に侵されることがないので、このポリイ
ミド層の孔には、所定の形状のバンプが安定に形成され
る。

【００１０】また、上記請求項２に係わる回路基板のバ
ンプは、上記請求項１に記載の製造方法によって形成さ
れるものであるから、所定の形状であって、不規則に変
形しない。このため、このバンプと電子部品の端子を正
確に突き合わせて、このバンプを溶融し、電子部品の端
子を確実に接続できる。

【００１１】

【実施例】図１は、この発明に係わるバンプの製造方法
の一実施例を示している。この図１を参照して、この実
施例のバンプの製造方法を次に述べる。

【００１２】（工程１） 図１（ａ）に示すようにフレ
キシブルプリント基板（以下ＦＰＣと称す）１は、ポリ
イミドフィルム２と銅箔導体３を積層してなる。このＦ
ＰＣ１の銅箔導体３上にポリイミド樹脂の溶液を塗布
し、このポリイミド樹脂を硬化して、ポリイミド層４を
形成する。

【００１３】（工程２） 図１（ｂ）に示すようにポリ
イミド層４に孔５を形成する。この孔５は、銅箔導体３
に達している。この孔５を形成するために、例えばエキ
シマレーザを利用すれば良い。

【００１４】（工程３） 電気半田メッキによって、図
１（ｃ）に示すようにポリイミド層４の孔５にバンプ６
を形成する。このとき、ポリイミド層４がメッキ液に侵
されないので、バンプ６は、ポリイミド層４の孔５の内
側にだけ形成され、所定の形状となる。

【００１５】また、バンプ６がポリイミド層４から突出
するように、電気半田メッキを行う。これにより、この
バンプ６と、電子部品の端子との突き合わせが容易にな
り、このバンプ６を加熱溶融したときには、電子部品の
端子が確実に半田付けされることとなる。

【００１６】ところで、この実施例の製造方法によって
複数のバンプを形成し、これらのバンプの高さを測定し
て、バラツキを求めたので、この結果を表１に示す。

【００１７】また、この実施例の製造方法によって形成
されたバンプと比較するために、図２に示す従来の方法
によって複数のバンプを形成し、これらのバンプについ
てもバラツキを求めて、この結果を表１に示している。
勿論、この比較を正確に行うために、この実施例の製造
方法による回路基板と、従来の方法による回路基板は、
接着剤層１４を除いて、ほぼ同等にされている。

【００１８】なお、この実施例の製造方法、および従来
の方法のいずれについても、バンプの高さが５０μｍと
なるように、電気半田メッキの電流密度と処理時間を計
算上で求めて、これらの電流密度と処理時間を設定し
た。

【００１９】

【表１】

【００２０】この表１から明らかなように、この実施例
の製造方法によって形成されたバンプは、予測された高
さを持っており、バラツキも小さい。これに対して、従
来の方法によって形成されたバンプは、予測された高さ
を大きく下回り、バラツキも大きい。

【００２１】

【効果】以上説明したように、この発明によれば、ポリ
イミド層を回路基板の導体に直に被着して、このポリイ
ミド層に孔を形成し、金属メッキによって、ポリイミド
層の孔にバンプを形成している。ポリイミド層は、金属
メッキによって劣化したり、メッキ液に侵されることが
ないので、このポリイミド層の孔には、所定の形状のバ
ンプが安定に形成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係わるバンプの製造方法の一実施例
を示す図

【図２】従来のバンプの製造方法を示す図

【符号の説明】

１ フレキシブルプリント基板 ２ ポリイミドフィルム ３ 銅箔導体 ４ ポリイミド層 ５ 孔 ６ バンプ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポリイミド樹脂の溶液を回路基板に塗布
   し、このポリイミド樹脂を硬化させて、回路基板の導体
   を覆うポリイミド層を形成する工程と、 回路基板の導体に達する孔をポリイミド層に形成する工
   程と、 回路基板の導体上に成長し、ポリイミド層から突出する
   バンプを金属メッキによってポリイミド層の孔に形成す
   る工程とからなる回路基板のバンプの製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の製造方法によって形成
   される回路基板のバンプであって、回路基板の導体に直
   に被着したポリイミド層の孔に形成され、回路基板の導
   体に接続し、ポリイミド層より突出する回路基板のバン
   プ。