JPH07153665A - Mask holding method and mask as well as manufacture of device using it - Google Patents
Mask holding method and mask as well as manufacture of device using itInfo
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- JPH07153665A JPH07153665A JP29991893A JP29991893A JPH07153665A JP H07153665 A JPH07153665 A JP H07153665A JP 29991893 A JP29991893 A JP 29991893A JP 29991893 A JP29991893 A JP 29991893A JP H07153665 A JPH07153665 A JP H07153665A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に用いられるマ
スクの保持方式に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of holding a mask used in an exposure apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路の集積度は近年ますます
高密度化が進んでおり、これらを製造するための半導体
製造装置も、高集積度化に伴って焼付線幅が細まり、よ
り高い露光精度が要求されている。焼付線幅をより細く
するには、露光に使用する光源の波長を短くするのが有
効である。そこで、現在一般的に使用されている紫外光
よりも波長の短いＸ線を用いたＸ線露光装置の開発が進
められている。2. Description of the Related Art In recent years, the degree of integration of semiconductor integrated circuits has become higher and higher, and the semiconductor manufacturing equipment for manufacturing them has a higher printing line width due to the higher integration density. Exposure accuracy is required. To make the printing line width narrower, it is effective to shorten the wavelength of the light source used for exposure. Therefore, development of an X-ray exposure apparatus using X-rays having a wavelength shorter than that of ultraviolet light, which is generally used at present, is underway.
【０００３】図１６は従来のＸ線露光装置に搭載されて
いるＸ線マスクとマスクチャックの概略を示す。図１６
（ａ）はＸ線マスクである。１００は補強用のマスクフ
レーム、１０１はシリコンからなるマスク基板、１０２
はマスク基板の一部をバックエッチングによって除去し
て形成した無機膜（マスクメンブレン）、１０３はマス
クメンブレン上にＥＢ描画装置等によって描画形成され
た半導体回路等の転写パターンである。１０５は磁性体
材料で作られた磁性リングで、マスク支持フレーム１に
埋め込まれている。図１６（ｂ）は磁気吸着方式のマス
クチャックを示す。１１０はリング形状のチャックベー
スで、内部には露光用Ｘ線が通過する孔１１１が設けら
れている。１１２は磁気ユニットで、磁性リング１０５
に対応して円周状に配置され、Ｘ線マスクを吸着保持す
るのに十分な磁力を発生する。この構成において、Ｘ線
マスクのマスクフレーム１００はチャックベース１１０
の保持面に面接触によって磁気吸着され保持される。
又、この磁気吸着方式のほかに真空吸着方式もあり、そ
の場合、磁気ユニットの代わりにバキュームポートとな
り、真空力によってマスクフレームとチャックベースと
が面接触して吸着保持される。FIG. 16 schematically shows an X-ray mask and a mask chuck mounted on a conventional X-ray exposure apparatus. FIG.
(A) is an X-ray mask. Reference numeral 100 denotes a reinforcing mask frame, 101 denotes a mask substrate made of silicon, and 102.
Is an inorganic film (mask membrane) formed by removing a part of the mask substrate by back etching, and 103 is a transfer pattern of a semiconductor circuit or the like drawn and formed on the mask membrane by an EB drawing device or the like. Reference numeral 105 denotes a magnetic ring made of a magnetic material, which is embedded in the mask support frame 1. FIG. 16B shows a magnetic chuck type mask chuck. Reference numeral 110 is a ring-shaped chuck base, and a hole 111 through which an X-ray for exposure passes is provided inside. Reference numeral 112 denotes a magnetic unit, which is the magnetic ring 105.
Corresponding to the above, the magnetic force is sufficient to attract and hold the X-ray mask. In this structure, the mask frame 100 of the X-ray mask is the chuck base 110.
It is magnetically attracted and held by the holding surface of the.
In addition to this magnetic attraction method, there is also a vacuum attraction method. In that case, a vacuum port is used instead of the magnetic unit, and the mask frame and the chuck base are brought into surface contact with each other by a vacuum force to be attracted and held.
【０００４】しかしながら、これらの吸着保持方式は、
マスクフレーム１００とチャックベース１１０とは面接
触であるため、両者の接触面は高い平面度に仕上げる必
要がある。仮に、マスク作製時、ＥＢ描画装置によって
転写パターンを形成する時点で、マスクフレーム１００
の吸着面に僅かでも反りなどの歪みがあると、Ｘ線露光
装置のチャックベース１１０に保持した際、マスクフレ
ーム１００の反りが矯正されることによってマスクフレ
ーム１００が変形し、この応力がマスク基板１０１、マ
スクメンブレン１０２を介して転写パターン１０３に伝
わり、転写パターン１０３が描画時に対して歪んでしま
う可能性がある。転写パターン１０３が形成されるマス
クメンブレン１０２の厚さは２μｍ程度であり、数ｍｍ
厚のマスク基板１０１やマスクフレーム１００に比べれ
ば、その剛性は非常に小さい。このため、マスク基板１
０１やマスクフレーム１００の歪みは、マスクメンブレ
ン１０２に多大な影響を与えて転写パターンにも大きな
歪みをもたらす。これは極薄のマスクメンブレン上に転
写パターンが形成されているマスクに特有の問題といえ
る。However, these adsorption holding methods are
Since the mask frame 100 and the chuck base 110 are in surface contact with each other, it is necessary to finish the contact surfaces between them with high flatness. If the transfer pattern is formed by the EB drawing device during mask fabrication, the mask frame 100
If there is a slight distortion such as a warp on the suction surface of the mask frame 100, the warp of the mask frame 100 is corrected and the mask frame 100 is deformed when the mask frame 100 is held by the chuck base 110 of the X-ray exposure apparatus. 101 is transmitted to the transfer pattern 103 through the mask membrane 102, and the transfer pattern 103 may be distorted with respect to the time of drawing. The thickness of the mask membrane 102 on which the transfer pattern 103 is formed is about 2 μm and is several mm.
Compared with the thick mask substrate 101 and the mask frame 100, the rigidity thereof is very small. Therefore, the mask substrate 1
01 and the distortion of the mask frame 100 have a great influence on the mask membrane 102 and also cause a large distortion on the transfer pattern. This can be said to be a problem peculiar to a mask in which a transfer pattern is formed on an ultrathin mask membrane.
【０００５】これを解決する方式として、マスクがマス
クチャックにチャックされた時、保持力によりＸ線マス
クが変形を受けない、言い換えれば、パターン形成時の
マスクフレームの歪んだ状態を保ったまま保持する方法
（以下、キネマティックマウントと称する）が提案され
ている。As a method of solving this, when the mask is chucked by the mask chuck, the X-ray mask is not deformed by the holding force, in other words, the mask frame is held while maintaining the distorted state at the time of pattern formation. A method of doing so (hereinafter referred to as a kinematic mount) has been proposed.
【０００６】図１７はキネマティックマウントの例を示
す。図１７（ａ）はキネマティックマウント用のＸ線マ
スクを示す。１１７は円錐形状（じょうご形状）の孔
部、１１８は平面部、１１９は図中Ｘ方向に沿って直線
状に切込み溝が形成されたＶ溝部であり、これらはマス
クフレーム１００の保持面に形成されている。図１７
（ｂ）はキネマティックマウント用のマスクチャックを
示す。チャックベース１１０の保持面には、上記マスク
の円錐孔部１１７、平面部１１８、Ｖ溝部１１９とそれ
ぞれ係合する球状突起物１２０が３ケ所に設けられてい
る。又、３点においてマスクを機械的に押え付けて保持
するためのクランプ機構１１５が設けられている。FIG. 17 shows an example of a kinematic mount. FIG. 17A shows an X-ray mask for kinematic mount. Reference numeral 117 is a conical (funnel-shaped) hole portion, 118 is a flat surface portion, and 119 is a V groove portion in which a linear cut groove is formed along the X direction in the drawing, and these are formed on the holding surface of the mask frame 100. Has been done. FIG. 17
(B) shows a mask chuck for a kinematic mount. On the holding surface of the chuck base 110, spherical protrusions 120 that engage with the conical hole portion 117, the flat surface portion 118, and the V groove portion 119 of the mask are provided at three locations. Further, a clamp mechanism 115 for mechanically pressing and holding the mask at three points is provided.
【０００７】この構成においては、各点において以下に
示す保持状態となり、マスクの６自由度が過剰拘束なく
位置決めされる。In this structure, the holding state shown below is established at each point, and the six degrees of freedom of the mask are positioned without excessive constraint.
【０００８】 このキネマティックマウントによれば、露光時のマスク
保持の際にマスクフレーム１００を変形させる外力は殆
ど働かず、ＥＢ描画装置によるマスクパターン形成時と
同一状態でマスク保持（無歪保持）できるため、マスク
支持フレームの変形によるパターン歪みが抑制できると
いう特徴がある。[0008] According to this kinematic mount, an external force that deforms the mask frame 100 hardly acts when holding the mask during exposure, and the mask can be held (strain-free) in the same state as when the mask pattern is formed by the EB drawing device. The feature is that pattern distortion due to deformation of the mask support frame can be suppressed.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
キネマティックマウント方式によってマスクを重力に抗
して垂直に保持しようとした場合などは、必然的にマス
クをクランプせねばならず、クランプ機構とマスクの間
に発生する摩擦力及びマスクの自重が付加されるため
に、厳密にみれば過剰拘束となり、マスクの正確な位置
決めが難しい。又、過剰拘束の結果、マスクにモーメン
ト力が発生してパターン歪が発生する要因ともなる。However, when the mask is held vertically against the gravity by the above-mentioned kinematic mount method, the mask must be clamped, and the clamp mechanism and the mask must be clamped. Since the frictional force and the self-weight of the mask are added between them, if strictly viewed, they are over-constrained, and accurate positioning of the mask is difficult. Further, as a result of excessive restraint, moment force is generated in the mask, which also causes pattern distortion.
【００１０】本発明は上記課題を解決すべくなされもの
で、水平方向に対して傾けた場合でも高精度にマスク位
置決め保持できるキネマティックマウント方式やマス
ク、これを用いたデバイス製造方法など提供することを
目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a kinematic mount system and a mask capable of highly accurately positioning and holding the mask even when tilted with respect to the horizontal direction, and a device manufacturing method using the same. With the goal.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明のある形態は、マスクに設けた円錐孔部、Ｖ溝部、平
面部と、マスクチャックに設けた３つの突起部とをそれ
ぞれ係合させて押し付け、３か所でマスクを保持する方
法において、該円錐孔部を最初に押し付けることを特徴
とするマスク保持方法である。According to one mode of the present invention for solving the above-mentioned problems, a conical hole portion, a V groove portion, and a flat surface portion provided on a mask are engaged with three protrusions provided on a mask chuck, respectively. In the method of pressing and holding the mask at three positions, the conical hole portion is first pressed, which is a mask holding method.
【００１２】又、本発明の別の形態は、マスクに設けた
円錐孔部、Ｖ溝部、平面部と、マスクチャックに設けた
３つの突起部とをそれぞれ係合させて押し付け、３か所
でマスクを保持する方法において、該円錐孔部の押し付
け力が最大であることを特徴とするマスク保持方法であ
る。Further, according to another aspect of the present invention, the conical hole portion, the V groove portion, and the flat surface portion provided on the mask and the three projection portions provided on the mask chuck are engaged with each other and pressed, and at three positions. In the method of holding a mask, the pressing force of the conical hole portion is maximum, which is a mask holding method.
【００１３】[0013]
＜実施例１＞本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は第１実施例のマスクチャックの構成図、図２
はその断面図である。マスクがマスクチャック２に重力
に抗して垂直に保持された状態を示している。マスクは
リング形状のマスクフレーム１にシリコンのマスク基板
７が貼り付けられ、マスク基板７の内側には金などによ
る転写パターン８が形成されたメンブレンが設けられて
いる。又、マスクフレーム１の裏面側には、（１）じょ
うご形状の円錐孔部１a 、（２）稜線が円錐孔部１a の
方向を向いた直線状のＶ溝部１b 、（３）平面部１c 、
が３箇所に設けられている。これらはマスク中心を円中
心とする同一円周上に等間隔（１２０°ピッチ）に３か
所設けられたものである。一方、マスクチャック２には
先端が半球状の突起部２a 〜２c が３か所に設けられ
て、上記円錐孔部１a 、Ｖ溝部１b 、平面部１c とそれ
ぞれ対向し係合するようになっている。又、３つのクラ
ンプアーム３a 〜３c が設けられている。それぞれのク
ランプアームは回転動作と直動動作が可能となってお
り、各クランプアームとマスクチャックの突起部とによ
って、マスクフレーム１をはさみ込むようになってい
る。なお、変形例として図３のようにしても良く、これ
はクランプアーム３の直動動作の代わりに、突起部２a
〜２c が独立に突き出る構造となっており、クランプア
ーム３は回転動作だけを行なう。<Embodiment 1> An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a block diagram of the mask chuck of the first embodiment, FIG.
Is a sectional view thereof. The mask is held vertically on the mask chuck 2 against gravity. As for the mask, a silicon mask substrate 7 is attached to a ring-shaped mask frame 1, and a membrane having a transfer pattern 8 made of gold or the like is provided inside the mask substrate 7. Further, on the back surface side of the mask frame 1, (1) a funnel-shaped conical hole portion 1a, (2) a straight V-shaped groove portion 1b whose ridge line faces the conical hole portion 1a, (3) a flat surface portion 1c,
Are provided at three locations. These are provided at three equal intervals (120 ° pitch) on the same circumference with the mask center as the circle center. On the other hand, the mask chuck 2 is provided with protrusions 2a to 2c having hemispherical tips at three positions so as to face and engage with the conical hole portion 1a, the V groove portion 1b and the flat surface portion 1c, respectively. There is. Further, three clamp arms 3a to 3c are provided. Each clamp arm can rotate and move linearly, and the mask frame 1 is sandwiched by each clamp arm and the protrusion of the mask chuck. As a modified example, the configuration shown in FIG. 3 may be used.
2 to 2c are independently projected, and the clamp arm 3 performs only a rotating operation.
【００１４】本実施例の動作手順を以下に説明する。不
図示のマスクハンドによってマスクがマスクチャック面
に搬送されると、各クランプアーム３a 〜３c がマスク
を押える側に回転し、次いで僅かにマスクチャック側に
移動して、マスクフレーム１をマスクチャック２に捕捉
する。この状態では円錐孔部１a とＶ溝部１b におい
て、半球状突起部２a,２b とクランプアーム３a,３b と
の距離がマスクの保持部の厚みＴ（図４参照）よりも小
さいため、これら２か所でマスクが突起に支えられ吊り
下がった状態となり、マスクの落下を防止している。但
し、強く押さえ付けた状態では無く、マスクは若干動く
ことができる。The operation procedure of this embodiment will be described below. When the mask is conveyed to the mask chuck surface by a mask hand (not shown), the clamp arms 3a to 3c rotate to the side for pressing the mask, and then move slightly to the mask chuck side to move the mask frame 1 to the mask chuck 2 To capture. In this state, the distance between the hemispherical protrusions 2a, 2b and the clamp arms 3a, 3b in the conical hole 1a and the V-shaped groove 1b is smaller than the thickness T (see FIG. 4) of the holding portion of the mask. At this point, the mask is supported by the protrusions and hangs down to prevent the mask from falling. However, the mask can move slightly rather than being strongly pressed.
【００１５】ここで、最初にクランプアーム３a だけを
マスクチャック側に更に移動させ、図２に示すように係
合する円錐孔部１a と突起部２a とを押し付ける。これ
によって３自由度（ＸＹＺ）が位置決めされる。ここで
突起部２a の先端とクランプアーム３a の先端は正確に
対向している。仮に、図４に示すように、円錐孔部１a
が正確に位置決めされていないと、偏心量δC によって
マスクフレームにモーメント力が発生してパターン歪の
原因になる。Here, first, only the clamp arm 3a is further moved to the mask chuck side, and the conical hole portion 1a and the projection portion 2a which are engaged with each other are pressed as shown in FIG. As a result, three degrees of freedom (XYZ) are positioned. Here, the tip of the protrusion 2a and the tip of the clamp arm 3a exactly face each other. For example, as shown in FIG. 4, the conical hole portion 1a
Is not accurately positioned, a moment force is generated in the mask frame due to the amount of eccentricity δ C , which causes pattern distortion.
【００１６】次に、クランプアーム３b を更に引込むこ
とによって、Ｖ溝部１b と突起部２b とを押し付ける。
これでマスクの回転方向の２自由度（θX,θY ）が固定
される。そして最後に、残りのクランプアーム３c を引
き込んで平面部１c と突起部２c を押し付けて、残りの
１自由度（θZ ）を固定する、これでマスクが６自由度
とも過剰拘束なく位置決め固定されることになる。Next, the V-groove 1b and the projection 2b are pressed against each other by further retracting the clamp arm 3b.
With this, the two degrees of freedom (θ X, θ Y ) in the rotation direction of the mask are fixed. Finally, the remaining clamp arm 3c is pulled in and the flat surface 1c and the projection 2c are pressed to fix the remaining 1 degree of freedom (θ Z ), which allows the mask to be positioned and fixed without excessive constraint in 6 degrees of freedom. Will be.
【００１７】図４はマスクが円錐孔部で支持された状態
で、マスクの円錐孔部１a に働く力の関係を示してい
る。Ｖ溝部１b 及び平面部１c が固定されていない状態
で、円錐孔部１a の押し付け力ｆC でマスクを円錐孔部
１a で位置決め固定するために必要な条件を求めてみ
る。ここでは条件の厳しいと思われる図５に示すような
状態、すなわちマスクの重心線上に円錐孔部１a がある
場合を考える。マスク平面に平行な面に対する円錐孔部
１a の溝角度θc とすると、重力方向に働く力Ｆはマス
クの重さＷとクランプアーム力ｆc による摩擦力のみ考
慮すればよいから、 Ｆ＝Ｗ＋μ1 ×ｆC （１） （μ1 ：クランプアームとマスクの間の摩擦係数） 力のつり合いから、円錐孔部方向に働く垂直抗力は 垂直抗力ＮC ＝ｆC × cosθC ＋Ｆ× sinθC （２） 円錐孔部に働く摩擦力は 摩擦力＝μ2 ×ＮC （３） （μ2 ：突起部とマスクの間の摩擦係数） 摩擦力に打ち勝って、マスクを位置決め固定するために
は、 引き上げる力 ＝ｆC × sinθC −Ｆ× cosθC ≧μ2 ×（ｆC × cosθC ＋Ｆ× sinθC ） （４） を満たせばよい。FIG. 4 shows the relationship of the forces acting on the conical hole portion 1a of the mask when the mask is supported by the conical hole portion. With the V-groove portion 1b and the flat surface portion 1c not fixed, the condition necessary for positioning and fixing the mask in the conical hole portion 1a by the pressing force f C of the conical hole portion 1a will be obtained. Here, let us consider the condition shown in FIG. 5, which is considered to be under severe conditions, that is, the case where the conical hole portion 1a exists on the center of gravity of the mask. Assuming that the groove angle θc of the conical hole 1a with respect to the plane parallel to the mask plane is the force F acting in the direction of gravity, it is sufficient to consider only the weight W of the mask and the frictional force due to the clamp arm force fc, so F = W + μ 1 × f C (1) (μ 1 : coefficient of friction between clamp arm and mask) From the balance of forces, the normal force acting in the direction of the conical hole is the normal force N C = f C × cos θ C + F × sin θ C (2) The frictional force acting on the conical hole is frictional force = μ 2 × N C (3) (μ 2 : Friction coefficient between the protrusion and the mask) To overcome the frictional force and position and fix the mask, pull up force = f C × sinθ C -F × cosθ C ≧ μ 2 × (f C × cosθ C + F × sinθ C) (4) should satisfy.
【００１８】最初に円錐孔部１a で３自由度（ＸＹＺ）
を位置決めしたら、次は、Ｖ溝部を位置決めするのが良
い、これは平面部を先に位置決めすると、最後にＶ溝部
１bを位置決めする時、平面との摩擦力が余分に加わ
り、位置決めにより大きな力が必要となるためである。First, the conical hole portion 1a has three degrees of freedom (XYZ).
After positioning the V groove, it is better to position the V groove. This is because if the flat surface is positioned first, when the V groove 1b is finally positioned, an excessive frictional force with the flat surface is applied, and a larger force is applied to the positioning. Is necessary.
【００１９】Ｖ溝部１b が位置決めされる条件は、式
（１）でＷ＝０として Ｆ＝μ1 ×ｆV （５） を式（１）に代入し計算を行ない、式（４）の関係を満
たせばよい。但し、θCの代わりにＶ溝のマスク平面に
平行な面に対する溝角度θv を用い、ｆC の代わりにｆ
V を用いる。The condition for positioning the V groove portion 1b is that W = 0 in the equation (1) and F = μ 1 × f V (5) is substituted into the equation (1) to perform the calculation, and the relation of the equation (4) is obtained. Should be satisfied. However, using a groove angle theta v against a plane parallel to the mask plane of the V-groove instead of theta C, f instead of f C
Use V.
【００２０】なお、変形例として図６に示すような状
態、すなわち円錐孔部１a とＶ溝部１b が重力方向に対
して直交配置される場合は、式（１）のＷの代わりに、 Ｗ′＝ ｛（Ｗ／２）2 ＋Ｆ′2 ｝1/2 但し、 Ｆ′＝μ2 ×Ｗ／（２ sinθV ）＋μ1 ×Ｗ cosθV ／（２ sinθV ） （１′） を式（１）に代入して計算を行なえば求めることができ
る。Ｖ溝部１b にかかる力は、Ｗ′＝Ｗ／２とおいて、
同様に式（１）に代入し、式（４）の関係を満たせばよ
い。As a modified example, in the state shown in FIG. 6, that is, when the conical hole portion 1a and the V groove portion 1b are arranged orthogonal to the direction of gravity, W'instead of W in the equation (1) is used. = {(W / 2) 2 + F ′ 2 } 1/2 where F ′ = μ 2 × W / (2 sin θ V ) + μ 1 × W cos θ V / (2 sin θ V ) (1 ′) ) And calculate it. The force applied to the V groove portion 1b is W '= W / 2,
Similarly, the relationship of Expression (4) may be satisfied by substituting it into Expression (1).
【００２１】又、別の変形例として、Ｖ溝１b がマスク
の重心線上にある場合には、式（１）式のＷの代わり
に、As another modification, when the V groove 1b is on the center of gravity of the mask, instead of W in the formula (1),
【００２２】[0022]
【外１】 を式（１）に代入して計算を行ない、式（４）の関係を
満たせば良い。[Outer 1] Should be substituted into the equation (1) for calculation to satisfy the relation of the equation (4).
【００２３】図１０に、マスクの自重Ｗ＝２００ｇ、μ
1 ＝μ2 、θV ＝θC とした場合の結果を示す。横軸は
円錐孔部１a の角度(deg) 、縦軸は円錐孔部１a での必
要な押し付け力を示している。円錐孔部１a に関して言
えば、円錐孔部１a とＶ溝部１b を重力方向に対して水
平配置にした（すなわち図６の形態）方が容易に位置決
めできることが分かる。In FIG. 10, the weight of the mask W = 200 g, μ
The results when 1 = μ 2 and θ V = θ C are shown. The horizontal axis shows the angle (deg) of the conical hole portion 1a, and the vertical axis shows the necessary pressing force at the conical hole portion 1a. Regarding the conical hole portion 1a, it can be seen that the conical hole portion 1a and the V groove portion 1b can be positioned more easily if they are arranged horizontally with respect to the direction of gravity (that is, the form of FIG. 6).
【００２４】＜実施例２＞上記実施例では円錐孔部、Ｖ
溝部、平面部の順に押え付けてマスクを固定する方法を
とったが、以下に別の方法を示す。<Embodiment 2> In the above embodiment, the conical hole portion, V
A method of fixing the mask by pressing the groove portion and the flat portion in this order was used, but another method will be described below.
【００２５】Ｖ溝部１b 及び平面部１c の２箇所におい
て最初に位置決め固定したとき、Ｖ溝１b 及び平面１c
で発生する力に打ち勝って円錐孔部１a 部で位置決め可
能とするための条件を求める。図５は円錐孔部１a 部と
マスクに発生する力を示したものである。同図より、Ｖ
溝部１b に関して、 ベクトルＦV ＝μ1 ×ｆV ＋μ2 ×ｆV ／ cosθV （６） 平面１c 部に関して、 ベクトルＦF ＝μ1 ×ｆF ＋μ2 ×ｆF （７） よって両者の力のベクトル合成は、ベクトルＦ′＝ベク
トルＦV ＋ベクトルＦF ＋ベクトルＷ、ここでは簡略化
のため、Ｗ＝０とおく、これによってベクトルＷがどの
向きであっても、換言すえば円錐孔部１a 及びＶ溝１b
がどの位置であっても、式（２）を適用することができ
る。When the two parts of the V-groove portion 1b and the flat surface portion 1c are initially positioned and fixed, the V-groove portion 1b and the flat surface 1c are fixed.
The condition for overcoming the force generated in step 1 and enabling positioning in the conical hole 1a is obtained. FIG. 5 shows the force generated in the conical hole portion 1a and the mask. From the figure, V
For groove 1b, vector F V = μ 1 × f V + μ 2 × f V / cos θ V (6) For plane 1c, vector F F = μ 1 × f F + μ 2 × f F (7) In the vector synthesis of, vector F ′ = vector F V + vector F F + vector W, and here, for simplification, W = 0 is set. Part 1a and V groove 1b
Equation (2) can be applied wherever is.
【００２６】 Ｆ′＝ＦV cos α＋ＦF cos(60゜-α) （８） ここで３点ＦＣＶがなす角度＝６０°、 tanα＝ 3/2
ＦF ／（ＦV ＋1/2 ＦF）とする。F ′ = F V cos α + F F cos (60 ° −α) (8) Here, the angle formed by the three FCVs = 60 °, tan α = 3/2
F F / (F V +1/2 F F )
【００２７】 Ｆ＝Ｆ′＋μ1 ×ｆC （９） 式（９）を式（１）に代入して同様に計算を行って式
（４）の関係を満たせば良い。F = F ′ + μ 1 × f C (9) The equation (9) may be substituted into the equation (1) and the same calculation may be performed to satisfy the relation of the equation (4).
【００２８】μ1 ＝μ2 、θV ＝θC 、ｆC ＝ｆV ＝ｆ
F とした場合の計算結果を図１１に示す。横軸は摩擦係
数、縦軸はズレたマスクを円錐孔部によって位置決めす
るに必要な引き上げ力（ｆC で無次元化）を示してい
る。引き上げ力が負の範囲では位置決めできない。位置
決め可能とするためには、円錐孔部１a の角度θC ＝６
０゜とした場合でも摩擦係数０．１２以下であることが
必要となる。さらに、マスクの自重を考慮すれば、この
ままでは正確な位置決めは困難であることが分かる。Μ 1 = μ 2 , θ V = θ C , f C = f V = f
The calculation result when F is shown in FIG. The horizontal axis represents the coefficient of friction, and the vertical axis represents the pulling force (dimensioned at f C ) required to position the misaligned mask by the conical hole portion. Positioning cannot be performed if the pulling force is in the negative range. In order to enable positioning, the angle θ C of the conical hole 1a = 6
Even when the angle is 0 °, it is necessary that the coefficient of friction is 0.12 or less. Furthermore, if the weight of the mask is taken into consideration, it is difficult to perform accurate positioning as it is.
【００２９】そこで位置決めを可能とするには、円錐孔
部１a の押し付け力を最大にして、他の２箇所の押し付
け力を弱くする。平面部に加える力は、面外方向を拘束
するのに必要な最小限の力で良く、これ以上の力を加え
ても余分な摩擦力を生じることになる。よって、押し付
け力の関係を、ＦC （円錐孔部）＞ＦV （Ｖ溝部）＞Ｆ
F （平面部）、のようにするのが最も好ましい。Therefore, in order to enable the positioning, the pressing force of the conical hole portion 1a is maximized and the pressing forces of the other two places are weakened. The force applied to the plane portion may be the minimum force required to restrain the out-of-plane direction, and even if a force greater than this is applied, an excessive frictional force is generated. Therefore, the relationship of the pressing force is F C (conical hole portion)> F V (V groove portion)> F
Most preferably, it is F (flat part).
【００３０】又、別の方法として、式（９）を式（２）
に代入して、式（４）の関係を満たすように、円錐孔部
の角度θC とＶ溝部の角度θV の関係をθC ＞θV とし
ても良い。As another method, the equation (9) is replaced by the equation (2).
And the relationship between the angle θ C of the conical hole portion and the angle θ V of the V groove portion may be set to θ C > θ V so as to satisfy the relationship of Expression (4).
【００３１】＜実施例３＞上記方法の他に、摩擦係数μ
1 やマスクの自重Ｗを小さくするという方法もとれる。
μ1 を小さくする方法の具体例を説明する。ここではク
ランプアーム側の摩擦抵抗を減らすことを考える。式
（１）（６）（７）のμ1 ＝０とおいて、やはり式
（２）に各式を代入して計算を行えば求めることができ
る。<Example 3> In addition to the above method, the friction coefficient μ
It is possible to reduce the self-weight W of 1 or the mask.
A specific example of a method of reducing μ 1 will be described. Here, consider reducing the frictional resistance on the clamp arm side. It can be obtained by setting μ 1 = 0 in the equations (1), (6) and (7) and substituting each equation into the equation (2) to perform the calculation.
【００３２】図１２に計算結果を示す。横軸は摩擦係
数、縦軸は位置決めされるに必要なマスクを引き上げる
力（ｆC で無次元化）を示している。縦軸が負の範囲で
は位置決めできない。図１２は簡略化のためマスクの自
重の影響を考慮していないが、図１１と比べて摩擦低減
の効果が大きいことがわかる。又、マスクの自重を０と
することは重量補償バネを用いることで実現可能であ
る。FIG. 12 shows the calculation result. The horizontal axis represents the coefficient of friction, and the vertical axis represents the force for pulling up the mask necessary for positioning (dimensioning at f C ). Positioning cannot be performed if the vertical axis is in the negative range. Although FIG. 12 does not consider the influence of the weight of the mask for simplification, it can be seen that the effect of reducing friction is greater than that in FIG. The weight of the mask can be reduced to 0 by using a weight compensation spring.
【００３３】図７はクランプアーム側の摩擦抵抗を減ら
すために具体的構成を示すもので、クランプアームの先
端から空気を噴出させて、マスクフレーム１とクランプ
アーム先端の接触点の摩擦係数を減じる。位置決めが完
了したら、空気の噴出を停止して、固体接触でのクラン
プさせる。FIG. 7 shows a specific structure for reducing the frictional resistance on the clamp arm side. Air is ejected from the tip of the clamp arm to reduce the friction coefficient at the contact point between the mask frame 1 and the tip of the clamp arm. . When the positioning is complete, the air blow is stopped and the solid contact clamps.
【００３４】＜実施例４＞図８は、クランプアームとし
て、マスクのマスクチャック押し付け方向の剛性が高
く、これと直交する横方向は剛性の低いバネ材を利用し
た実施例である。クランプアームは複数の平行棒バネ１
０によって支持されている。マスクフレームを押え付け
た際にバネが撓むことで、摩擦係数μ1 を低減したのと
同じ効果が得られる。<Embodiment 4> FIG. 8 shows an embodiment in which a spring material having a high rigidity in the mask chuck pressing direction of the mask and a low rigidity in the lateral direction orthogonal thereto is used as the clamp arm. Clamp arm has multiple parallel bar springs 1
Supported by 0. By bending the spring when the mask frame is pressed, the same effect as that of reducing the friction coefficient μ 1 can be obtained.
【００３５】＜実施例５＞次にＷを小さくする具体例を
示す。図９はマスクハンド１１により、マスクをマスク
チャック２の保持面に搬送し、このマスクハンド１１に
よってマスクの押し付けを行っている状態を示す図であ
る。マスクを装着しやすくするため、最初退避していた
クランプアーム３がマスクの押し付け動作が行われる際
には捕捉状態になり、マスクの落下を防いでいる。１２
はマスクハンドの吸着パッドである。マスクハンド１１
によってマスクチャック２に対してマスクの位置決め完
了後、クランプアーム３によってマスクを固定する。マ
スクの自重Ｗはマスクハンド１１が支えているため、実
質的にＷ＝０となっている。<Embodiment 5> Next, a specific example of reducing W will be described. FIG. 9 is a diagram showing a state where the mask hand 11 conveys the mask to the holding surface of the mask chuck 2 and the mask hand 11 presses the mask. In order to make it easier to attach the mask, the clamp arm 3 that was initially retracted is in a trapped state when the mask pressing operation is performed to prevent the mask from falling. 12
Is a suction pad of the mask hand. Mask hand 11
After the mask is completely positioned with respect to the mask chuck 2, the clamp arm 3 fixes the mask. The weight W of the mask is substantially W = 0 because the mask hand 11 supports it.
【００３６】＜実施例６＞次に上記説明したマスク及び
マスクチャックを用いた微小デバイス（半導体装置、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシンなど）製造用の露光装置
の実施例を説明する。図１３は本実施例のＸ線露光装置
の構成を示す図である。図中、ＳＲ放射源２０から放射
されたシートビーム形状のシンクロトロン放射光２１
を、凸面ミラー２２によって放射光軌道面に対して垂直
な方向に拡大する。凸面ミラー２２で反射拡大した放射
光は、シャッタ２３によって照射領域内での露光量が均
一となるように調整し、シャッタ２３を経た放射光はＸ
線マスク２４に導かれる。Ｘ線マスク２４は上記説明し
たようなマウント方式で不図示のマスクチャックに保持
されている。Ｘ線マスク２４に形成されている露光パタ
ーンを、ステップ＆リピート方式やスキャニング方式な
どによってウエハ２５上に露光転写する。<Embodiment 6> An embodiment of an exposure apparatus for manufacturing a microdevice (semiconductor device, thin film magnetic head, micromachine, etc.) using the mask and mask chuck described above will be described. FIG. 13 is a view showing the arrangement of the X-ray exposure apparatus according to this embodiment. In the figure, a sheet beam-shaped synchrotron radiation 21 emitted from an SR radiation source 20.
Are enlarged by the convex mirror 22 in a direction perpendicular to the orbital plane of the emitted light. The radiated light reflected and expanded by the convex mirror 22 is adjusted by the shutter 23 so that the exposure amount in the irradiation area becomes uniform, and the radiated light passed through the shutter 23 is X.
It is guided to the line mask 24. The X-ray mask 24 is held by a mask chuck (not shown) by the mounting method as described above. The exposure pattern formed on the X-ray mask 24 is exposed and transferred onto the wafer 25 by a step & repeat method or a scanning method.
【００３７】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。図１４は微小デバ
イス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、Ｃ
ＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフ
ローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と
呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステ
ップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、
耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半
導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）され
る。Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 14 shows microdevices (semiconductor chips such as IC and LSI, liquid crystal panels, C
A flow of manufacturing a CD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc. is shown. In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step 2 (mask manufacturing), a mask having the designed circuit pattern is manufactured. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by the lithography technique using the mask and the wafer prepared above. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip by using the wafer manufactured in step 4, such as an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation), and the like. including. In step 6 (inspection), an operation confirmation test of the semiconductor device manufactured in step 5,
Conduct inspections such as durability tests. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【００３８】図１５は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。FIG. 15 shows the detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted in the wafer. Step 1
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed and exposed on the wafer by the exposure apparatus described above. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), parts other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that is no longer needed after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device, which has been difficult to manufacture in the past.
【００３９】[0039]
【発明の効果】本発明によれば、摩擦力やマスクの自重
による過剰拘束の影響を回避し、それによってマスクの
正確な位置決め固定が実現でき、同時にマスクのパター
ン歪の発生を抑えることができる。According to the present invention, the influence of excessive restraint due to the frictional force and the weight of the mask can be avoided, whereby accurate positioning and fixing of the mask can be realized, and at the same time generation of pattern distortion of the mask can be suppressed. .
【図１】本発明の第１実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.
【図２】第１実施例の構成の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of the configuration of the first embodiment.
【図３】図２の変形例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modified example of FIG.
【図４】円錐孔部にかかる力の具合を示す説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a condition of a force applied to a conical hole portion.
【図５】円錐孔部がマスク重心線上に位置する場合のマ
スクにかかる力を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a force applied to a mask when a conical hole portion is located on the mask center of gravity line.
【図６】円錐孔とＶ溝が重力に対し水平に配置されたマ
スクにかかる力を示した図である。FIG. 6 is a diagram showing a force applied to a mask in which a conical hole and a V groove are horizontally arranged with respect to gravity.
【図７】クランプアームの先端から空気を噴出させる実
施例の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of an embodiment in which air is ejected from the tip of a clamp arm.
【図８】押し付け方向の剛性が高く横方向は剛性の低い
バネ材を利用したクランプアームの説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a clamp arm using a spring material having high rigidity in a pressing direction and low rigidity in a lateral direction.
【図９】マスクハンドによって押し付け位置決めする実
施例の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of an example of pressing and positioning with a mask hand.
【図１０】円錐孔部のみで位置決め固定しようとした場
合において、必要なクランプアーム力を示したグラフ図
である。FIG. 10 is a graph showing a necessary clamp arm force when positioning and fixing is performed only with a conical hole portion.
【図１１】３箇所同時にクランプアームした場合におい
て、必要な引き上げ力を示したグラフ図である。FIG. 11 is a graph showing a necessary pulling force when a clamp arm is used at three locations simultaneously.
【図１２】クランプアームとマスクの摩擦力を０とした
場合において、必要な引き上げ力を示したグラフ図であ
る。FIG. 12 is a graph showing a necessary pulling force when the frictional force between the clamp arm and the mask is zero.
【図１３】Ｘ線露光装置の実施例を示す全体図である。FIG. 13 is an overall view showing an embodiment of an X-ray exposure apparatus.
【図１４】デバイス製造方法のフローを示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a flow of a device manufacturing method.
【図１５】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。FIG. 15 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process.
【図１６】従来の磁気吸着方式のマスクチャックを説明
する図である。FIG. 16 is a diagram illustrating a conventional magnetic chuck type mask chuck.
【図１７】従来のキネマティックマウント方式のマスク
チャックを説明する図である。FIG. 17 is a diagram illustrating a conventional kinematic mount type mask chuck.
１ マスクフレーム １ａ 円錐孔部 １ｂ Ｖ溝部 １ｃ 平面部 ２ マスクチャック ２ａ〜２ｃ 突起部 ３ クランプアーム ４ マスクハンド ７ マスク基板 ８ 転写パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mask frame 1a Conical hole part 1b V groove part 1c Plane part 2 Mask chucks 2a to 2c Projection part 3 Clamp arm 4 Mask hand 7 Mask substrate 8 Transfer pattern
Claims (11)
部と、マスクチャックに設けた３つの突起部とをそれぞ
れ係合させて押し付け、３か所でマスクを保持する方法
において、該円錐孔部を最初に押し付けることを特徴と
するマスク保持方法。1. A method of holding a mask at three locations by engaging a conical hole portion, a V-shaped groove portion, and a flat surface portion provided on a mask with three protrusions provided on a mask chuck, respectively, and pressing them against each other. A mask holding method characterized in that a conical hole portion is first pressed.
付ける請求項１のマスク保持方法。2. The mask holding method according to claim 1, wherein the V groove portion is pressed next to the conical hole portion.
部と、マスクチャックに設けた３つの突起部とをそれぞ
れ係合させて押し付け、３か所でマスクを保持する方法
において、該円錐孔部の押し付け力が最大であることを
特徴とするマスク保持方法。3. A method of holding a mask at three locations by engaging a conical hole portion, a V groove portion, and a flat surface portion provided on a mask with three protrusions provided on a mask chuck, respectively, and pressing the projections. A method for holding a mask, wherein the pressing force of the conical hole portion is maximum.
付け力が大きい請求項１のマスク保持方法。4. The mask holding method according to claim 1, wherein the pressing force of the V-shaped groove portion is large next to the conical hole portion.
れる請求項１乃至４のいずれかのマスク保持方法。5. The mask holding method according to claim 1, wherein the mask is held vertically against gravity.
行なう請求項１乃至５のいずれかのマスク保持方法。6. The mask holding method according to claim 1, wherein the pressing is performed by a clamp mechanism.
クに供給するマスクハンドによって行なう請求項１乃至
５のいずれかのマスク保持方法。7. The mask holding method according to claim 1, wherein the pressing is performed by a mask hand that supplies the mask to a mask chuck.
方法でマスクを保持する段階と、該保持されたマスクの
転写パターンをウエハに露光転写する段階とを有するこ
とを特徴とするデバイス製造方法。8. A device manufacturing method, comprising: holding a mask by the mask holding method according to claim 1; and exposing and transferring a transfer pattern of the held mask onto a wafer. Method.
項８のデバイス製造方法。9. The device manufacturing method according to claim 8, wherein the exposure transfer is performed by X-ray.
の３か所に円錐孔部、Ｖ溝部、平面部を設け、マスクを
マスクチャックに保持した際、マスクチャック保持面の
３か所に設けた突起部とそれぞれ係合するようにしたマ
スクにおいて、前記円錐孔部の角度を前記Ｖ溝部の角度
よりも大きくしたことを特徴とするマスク。10. An exposure mask is provided with a conical hole portion, a V groove portion, and a flat surface portion at three positions on a mask holding surface, and when the mask is held by a mask chuck, it is provided at three positions on the mask chuck holding surface. A mask adapted to be engaged with each of the protrusions, wherein the angle of the conical hole is larger than the angle of the V groove.
る請求項１０のマスク。11. The mask according to claim 10, wherein the mask is a mask for X-ray exposure.
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JP2015519593A (en) * | 2012-03-27 | 2015-07-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | Reticle handling apparatus and method in EUV reticle inspection tool |
| JPWO2019003827A1 (en) * | 2017-06-30 | 2019-06-27 | 株式会社アルバック | Deposition apparatus, mask frame, alignment method |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP29991893A patent/JP3200265B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266453A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toppan Printing Co Ltd | Electron ray exposure mask holder |
| JP2012079853A (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Hoya Corp | Transfer mask, manufacturing method of transfer mask, transfer mask housing body, and manufacturing method of transfer mask housing body |
| JP2015519593A (en) * | 2012-03-27 | 2015-07-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | Reticle handling apparatus and method in EUV reticle inspection tool |
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