JPH07142785A - 半導体露光装置構成部品及び半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置構成部品及び半導体露光装置Info
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- JPH07142785A JPH07142785A JP5309797A JP30979793A JPH07142785A JP H07142785 A JPH07142785 A JP H07142785A JP 5309797 A JP5309797 A JP 5309797A JP 30979793 A JP30979793 A JP 30979793A JP H07142785 A JPH07142785 A JP H07142785A
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- optical crystal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体露光装置への取り付けが短時間で済みし
かも簡単に調整することを可能にする半導体露光装置構
成部品及び半導体露光装置を提供する。 【構成】半導体露光装置構成部品は、非線形光学結晶素
子20と、この非線形光学結晶素子を収納した筐体10
から成る。筐体10を半導体露光装置に取り付けた後筐
体の取り付け位置の調整を行うために、筐体に取り付け
られた光学部品を更に備えていることが好ましい。非線
形光学結晶素子が組み込まれた露光光源を具備した半導
体露光装置は、非線形光学結晶素子を組み込む部分に、
非線形光学結晶素子の取り付け調整のための光学部品が
取り付けられている。
かも簡単に調整することを可能にする半導体露光装置構
成部品及び半導体露光装置を提供する。 【構成】半導体露光装置構成部品は、非線形光学結晶素
子20と、この非線形光学結晶素子を収納した筐体10
から成る。筐体10を半導体露光装置に取り付けた後筐
体の取り付け位置の調整を行うために、筐体に取り付け
られた光学部品を更に備えていることが好ましい。非線
形光学結晶素子が組み込まれた露光光源を具備した半導
体露光装置は、非線形光学結晶素子を組み込む部分に、
非線形光学結晶素子の取り付け調整のための光学部品が
取り付けられている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、露光光源としてのレー
ザ光源からの光でレチクルに形成された半導体回路パタ
ーン等を基板上に形成されたレジストに転写するための
半導体露光装置及びその構成部品に関する。
ザ光源からの光でレチクルに形成された半導体回路パタ
ーン等を基板上に形成されたレジストに転写するための
半導体露光装置及びその構成部品に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体露光装置においては、半導
体集積回路の集積度を高めるために、短波長の露光光源
が使用されている。この露光光源として、例えば超高圧
水銀アークランプやエキシマ・レーザを挙げることがで
きる。
体集積回路の集積度を高めるために、短波長の露光光源
が使用されている。この露光光源として、例えば超高圧
水銀アークランプやエキシマ・レーザを挙げることがで
きる。
【0003】超高圧水銀アークランプにおいては、射出
光の波長は、435.8nm(g線)、404.7nm
(h線)あるいは365nm(i線)である。然るに、
これらの波長の内で最も短波長のi線を用いても、近年
の半導体集積回路に要求される0.25μm級の微細パ
ターンを形成することはできない。半導体集積回路にお
けるかかる微細加工の限界を越えるためには、露光光源
から射出される光の波長自体を一層短くする必要があ
る。
光の波長は、435.8nm(g線)、404.7nm
(h線)あるいは365nm(i線)である。然るに、
これらの波長の内で最も短波長のi線を用いても、近年
の半導体集積回路に要求される0.25μm級の微細パ
ターンを形成することはできない。半導体集積回路にお
けるかかる微細加工の限界を越えるためには、露光光源
から射出される光の波長自体を一層短くする必要があ
る。
【0004】このような要求に対処するための方法の1
つに、エキシマ・レーザを露光光源として使用する方法
がある。エキシマ・レーザでは、通常希ガスとハロゲン
系ガスとの組み合せからなる混合気体中の放電でレーザ
発振を行わせる。混合気体としてKrFを用いた場合に
は波長248nmのレーザ光を、ArFを用いた場合に
は波長193nmのレーザ光を得ることができる。
つに、エキシマ・レーザを露光光源として使用する方法
がある。エキシマ・レーザでは、通常希ガスとハロゲン
系ガスとの組み合せからなる混合気体中の放電でレーザ
発振を行わせる。混合気体としてKrFを用いた場合に
は波長248nmのレーザ光を、ArFを用いた場合に
は波長193nmのレーザ光を得ることができる。
【0005】しかしながら、エキシマ・レーザを半導体
露光装置の光源として用いる場合、以下のような問題点
がある。 (A)エキシマ・レーザのガスの寿命が短く、頻繁にガ
スを交換する必要がある。その結果、ランニングコスト
や保守コストの上昇を招き、しかも、半導体露光装置の
稼動率が低下する。 (B)レーザ装置の寸法が大きく、クリーンルーム内で
大きな占有面積を必要とする。 (C)発振動作がパルス発振であり、各パルスにおける
光強度の変動が大きい。 (D)波長選択を行わない場合、数100pmの発振線
幅を有しているため、波長選択制御が困難である。
露光装置の光源として用いる場合、以下のような問題点
がある。 (A)エキシマ・レーザのガスの寿命が短く、頻繁にガ
スを交換する必要がある。その結果、ランニングコスト
や保守コストの上昇を招き、しかも、半導体露光装置の
稼動率が低下する。 (B)レーザ装置の寸法が大きく、クリーンルーム内で
大きな占有面積を必要とする。 (C)発振動作がパルス発振であり、各パルスにおける
光強度の変動が大きい。 (D)波長選択を行わない場合、数100pmの発振線
幅を有しているため、波長選択制御が困難である。
【0006】このようなエキシマ・レーザの問題点を解
決し、しかも露光光源から射出される光の波長自体を短
くする別の形式の半導体露光装置として、本出願人は、
例えばレーザダイオードによって励起されたNd:YA
Gレーザから射出されたレーザ光(波長:1064n
m)の第4高調波(266nm)を露光光源とする半導
体露光装置を提案した(例えば、特開平5−24366
1号参照)。
決し、しかも露光光源から射出される光の波長自体を短
くする別の形式の半導体露光装置として、本出願人は、
例えばレーザダイオードによって励起されたNd:YA
Gレーザから射出されたレーザ光(波長:1064n
m)の第4高調波(266nm)を露光光源とする半導
体露光装置を提案した(例えば、特開平5−24366
1号参照)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この半導体露光装置の
露光光源には、KTP(KTiOPO4)やBBO(β
−BaB2O4)から成る非線形光学結晶素子が組み込ま
れている。これらの非線形光学結晶素子は、高出力のレ
ーザ光を通し、入射されたレーザ光を第2高調波に変換
する。そのため、長時間使用するとレーザ光による結晶
の損傷や経時変化によって、特性が大きく変化する。そ
のため、半導体露光装置の操業を中断して、非線形光学
結晶素子を交換している。
露光光源には、KTP(KTiOPO4)やBBO(β
−BaB2O4)から成る非線形光学結晶素子が組み込ま
れている。これらの非線形光学結晶素子は、高出力のレ
ーザ光を通し、入射されたレーザ光を第2高調波に変換
する。そのため、長時間使用するとレーザ光による結晶
の損傷や経時変化によって、特性が大きく変化する。そ
のため、半導体露光装置の操業を中断して、非線形光学
結晶素子を交換している。
【0008】現状の半導体露光装置においては、非線形
光学結晶素子を固定治具を用いて半導体露光装置の露光
光源内に取り付け、非線形光学結晶素子を通過したレー
ザ光をモニターすることによって非線形光学結晶素子の
光軸調整等を機械的に行っている。
光学結晶素子を固定治具を用いて半導体露光装置の露光
光源内に取り付け、非線形光学結晶素子を通過したレー
ザ光をモニターすることによって非線形光学結晶素子の
光軸調整等を機械的に行っている。
【0009】それ故、非線形光学結晶素子の交換のため
に半導体露光装置の稼動率が低下するばかりか、非線形
光学結晶素子の交換時、非線形光学結晶素子の取り付け
や、非線形光学結晶素子の光軸調整等に大きな労力と熟
練を要するという問題がある。
に半導体露光装置の稼動率が低下するばかりか、非線形
光学結晶素子の交換時、非線形光学結晶素子の取り付け
や、非線形光学結晶素子の光軸調整等に大きな労力と熟
練を要するという問題がある。
【0010】従って、本発明の目的は、半導体露光装置
への取り付けが短時間で済みしかも取り付け位置を簡単
に調整することができる半導体露光装置構成部品、及び
半導体露光装置を提供することにある。
への取り付けが短時間で済みしかも取り付け位置を簡単
に調整することができる半導体露光装置構成部品、及び
半導体露光装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、(イ)非
線形光学結晶素子と、(ロ)非線形光学結晶素子を収納
した筐体とから成ることを特徴とする本発明の半導体露
光装置構成部品によって達成することができる。
線形光学結晶素子と、(ロ)非線形光学結晶素子を収納
した筐体とから成ることを特徴とする本発明の半導体露
光装置構成部品によって達成することができる。
【0012】本発明の半導体露光装置構成部品には、
(ハ)筐体を半導体露光装置に取り付けた後筐体の取り
付け位置の調整を行うために、筐体に取り付けられた光
学部品が更に備えられていることが好ましい。この光学
部品は、筐体の光入射部分及び光射出部分の近傍に取り
付けられており、入射光の一部を反射するプリズム若し
くは反射鏡から構成することができる。
(ハ)筐体を半導体露光装置に取り付けた後筐体の取り
付け位置の調整を行うために、筐体に取り付けられた光
学部品が更に備えられていることが好ましい。この光学
部品は、筐体の光入射部分及び光射出部分の近傍に取り
付けられており、入射光の一部を反射するプリズム若し
くは反射鏡から構成することができる。
【0013】上記の目的は、また、非線形光学結晶素子
が組み込まれた露光光源を具備した半導体露光装置であ
って、非線形光学結晶素子を組み込む露光光源の部分
に、非線形光学結晶素子の取り付け位置調整のための光
学部品が取り付けられていることを特徴とする本発明の
半導体露光装置によって達成することができる。
が組み込まれた露光光源を具備した半導体露光装置であ
って、非線形光学結晶素子を組み込む露光光源の部分
に、非線形光学結晶素子の取り付け位置調整のための光
学部品が取り付けられていることを特徴とする本発明の
半導体露光装置によって達成することができる。
【0014】本発明の半導体露光装置においては、光学
部品によって反射された光を受光する受動光センサを、
非線形光学結晶素子を組み込む露光光源の部分に備える
ことが望ましい。この場合、受動光センサは2次元光セ
ンサから構成することができる。また、光学部品は、非
線形光学結晶素子の光入射部分及び光射出部分の近傍に
取り付けられており、入射光の一部を反射するプリズム
若しくは反射鏡から構成することができる。
部品によって反射された光を受光する受動光センサを、
非線形光学結晶素子を組み込む露光光源の部分に備える
ことが望ましい。この場合、受動光センサは2次元光セ
ンサから構成することができる。また、光学部品は、非
線形光学結晶素子の光入射部分及び光射出部分の近傍に
取り付けられており、入射光の一部を反射するプリズム
若しくは反射鏡から構成することができる。
【0015】非線形光学結晶素子として、KTP、BB
O、LN、QPM LN、LBO、KN等を例示するこ
とができる。
O、LN、QPM LN、LBO、KN等を例示するこ
とができる。
【0016】
【作用】本発明の半導体露光装置構成部品においては、
非線形光学結晶素子が筐体に収納されているので、非線
形光学結晶素子の交換を短時間で行うことができ、しか
も、筐体の半導体露光装置への取り付け位置を調整すれ
ばよいので、非線形光学結晶素子の光軸調整等を比較的
容易に行うことができる。あるいは又、本発明の半導体
露光装置構成部品若しくは半導体露光装置においては、
筐体又は半導体露光装置に非線形光学結晶素子の取り付
け位置調整のための光学部品が設けられているので、一
層容易に筐体又は非線形光学結晶素子の光軸調整等を行
うことができる。
非線形光学結晶素子が筐体に収納されているので、非線
形光学結晶素子の交換を短時間で行うことができ、しか
も、筐体の半導体露光装置への取り付け位置を調整すれ
ばよいので、非線形光学結晶素子の光軸調整等を比較的
容易に行うことができる。あるいは又、本発明の半導体
露光装置構成部品若しくは半導体露光装置においては、
筐体又は半導体露光装置に非線形光学結晶素子の取り付
け位置調整のための光学部品が設けられているので、一
層容易に筐体又は非線形光学結晶素子の光軸調整等を行
うことができる。
【0017】
【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明を説明する。
明を説明する。
【0018】(実施例1)実施例1は、半導体露光装置
構成部品に関する。実施例1の筐体10の斜視図を図1
の(A)に示す。また、筐体10を約1/2の高さの所
で切断したときの断面図を図1の(B)に示す。この筐
体10の中には非線形光学結晶素子20が収納されてい
る。筐体10は金属製であり、対向する2つの側面10
B,10Cには合成石英から成る窓12A,12Bが設
けられている。これらの窓12A,12Bが、筐体10
の光入射部分及び光射出部分に相当する。一方の窓12
Aを透過したレーザ光が非線形光学結晶素子20に入射
し、入射レーザ光の第2高調波を含むレーザ光が他方の
窓12Bから射出する。尚、図中、参照番号10Aは筐
体10の底面、10D,10Eは筐体10の他の側面で
ある。
構成部品に関する。実施例1の筐体10の斜視図を図1
の(A)に示す。また、筐体10を約1/2の高さの所
で切断したときの断面図を図1の(B)に示す。この筐
体10の中には非線形光学結晶素子20が収納されてい
る。筐体10は金属製であり、対向する2つの側面10
B,10Cには合成石英から成る窓12A,12Bが設
けられている。これらの窓12A,12Bが、筐体10
の光入射部分及び光射出部分に相当する。一方の窓12
Aを透過したレーザ光が非線形光学結晶素子20に入射
し、入射レーザ光の第2高調波を含むレーザ光が他方の
窓12Bから射出する。尚、図中、参照番号10Aは筐
体10の底面、10D,10Eは筐体10の他の側面で
ある。
【0019】筐体の4つの側面10B,10C,10
D,10Eには複数の取付孔14(一部のみを図示し
た)が設けられている。筐体10を取り付けるべき半導
体露光装置の露光光源の部分(以下、単に取付部とい
う)に、かかる取付孔14と嵌合するピンを設けておけ
ば、半導体露光装置に筐体10を容易に且つ所定の位置
に取り付けることができる。また、取付部にばね等の付
勢手段を取り付けておけば、半導体露光装置に筐体10
を確実に取り付けることができる。
D,10Eには複数の取付孔14(一部のみを図示し
た)が設けられている。筐体10を取り付けるべき半導
体露光装置の露光光源の部分(以下、単に取付部とい
う)に、かかる取付孔14と嵌合するピンを設けておけ
ば、半導体露光装置に筐体10を容易に且つ所定の位置
に取り付けることができる。また、取付部にばね等の付
勢手段を取り付けておけば、半導体露光装置に筐体10
を確実に取り付けることができる。
【0020】非線形光学結晶素子20は、固定治具(図
示せず)によって筐体10に固定されている。非線形光
学結晶素子20の光軸が筐体10の基準線と平行になる
ように、非線形光学結晶素子を筐体10に固定する。
尚、筐体10の基準線とは、筐体10の頂面10F、底
面10A、及び窓12A,12Bが設けられていない2
つの側面10D,10Eの内から、少なくとも平行でな
い2つの面(例えば、底面10Aと一方の側面10D)
を基準面として選択したとき、かかる基準面に平行な直
線を意味する。このような構成にすることによって、筐
体10の基準面を取付部に取り付けたとき、非線形光学
結晶素子の光軸調整を容易に行うことができる。
示せず)によって筐体10に固定されている。非線形光
学結晶素子20の光軸が筐体10の基準線と平行になる
ように、非線形光学結晶素子を筐体10に固定する。
尚、筐体10の基準線とは、筐体10の頂面10F、底
面10A、及び窓12A,12Bが設けられていない2
つの側面10D,10Eの内から、少なくとも平行でな
い2つの面(例えば、底面10Aと一方の側面10D)
を基準面として選択したとき、かかる基準面に平行な直
線を意味する。このような構成にすることによって、筐
体10の基準面を取付部に取り付けたとき、非線形光学
結晶素子の光軸調整を容易に行うことができる。
【0021】実施例1の半導体露光装置構成部品におい
ては、取付部に筐体10を取り付けた後、筐体10に入
射出するレーザ光をモニターしながら、取付部に備えら
れた調整用ねじ等の調整機構を用いて取付部に対する筐
体10の取り付け位置を微調整して、非線形光学結晶素
子の光軸調整等を行えばよい。
ては、取付部に筐体10を取り付けた後、筐体10に入
射出するレーザ光をモニターしながら、取付部に備えら
れた調整用ねじ等の調整機構を用いて取付部に対する筐
体10の取り付け位置を微調整して、非線形光学結晶素
子の光軸調整等を行えばよい。
【0022】(実施例2)実施例2の半導体露光装置構
成部品の断面図を、図2に示す。尚、筐体10の切断位
置は、実施例1と同様の位置である。実施例2の半導体
露光装置構成部品には、実施例1にて説明した半導体露
光装置構成部品に加えて、筐体10を半導体露光装置に
取り付けた後筐体の取り付け位置の調整を行うために、
筐体10に取り付けられた光学部品30A,30Bが備
えられている。この光学部品30A,30Bは、筐体1
0の光入射部分(窓12A)及び光射出部分(窓12
B)の近傍に取り付けられており、入射光の一部(例え
ば、1%程度)を反射する反射鏡から成る。尚、光学部
品30A,30Bを、入射光の一部を反射するプリズム
から構成してもよい。
成部品の断面図を、図2に示す。尚、筐体10の切断位
置は、実施例1と同様の位置である。実施例2の半導体
露光装置構成部品には、実施例1にて説明した半導体露
光装置構成部品に加えて、筐体10を半導体露光装置に
取り付けた後筐体の取り付け位置の調整を行うために、
筐体10に取り付けられた光学部品30A,30Bが備
えられている。この光学部品30A,30Bは、筐体1
0の光入射部分(窓12A)及び光射出部分(窓12
B)の近傍に取り付けられており、入射光の一部(例え
ば、1%程度)を反射する反射鏡から成る。尚、光学部
品30A,30Bを、入射光の一部を反射するプリズム
から構成してもよい。
【0023】光学部品30A,30Bは筐体10の内部
に収納されている。光学部品30A,30Bからの反射
光を筐体10の外に射出するための、例えば合成石英製
の窓32A,32Bが、筐体10の側面10Eに設けら
れている。
に収納されている。光学部品30A,30Bからの反射
光を筐体10の外に射出するための、例えば合成石英製
の窓32A,32Bが、筐体10の側面10Eに設けら
れている。
【0024】光学部品30Aへのレーザ光の入射角や反
射角、光学部品30Aから非線形光学結晶素子20への
レーザ光の入射角、非線形光学結晶素子20の光軸、非
線形光学結晶素子20から光学部品30Bへのレーザ光
の入射角、光学部品30Bのレーザ光の反射角や射出角
が、例えば基準線に対して正確に所定の値となるよう
に、非線形光学結晶素子20及び光学部品30A,30
Bを筐体10に取り付ける。
射角、光学部品30Aから非線形光学結晶素子20への
レーザ光の入射角、非線形光学結晶素子20の光軸、非
線形光学結晶素子20から光学部品30Bへのレーザ光
の入射角、光学部品30Bのレーザ光の反射角や射出角
が、例えば基準線に対して正確に所定の値となるよう
に、非線形光学結晶素子20及び光学部品30A,30
Bを筐体10に取り付ける。
【0025】取付部には、予め基準マークを付けてお
く。この基準マークは、筐体10を取付部に正確に取り
付けた後に、光学部品30A,30Bから反射されたレ
ーザ光が衝突する取付部の部分に付しておく。実施例2
の半導体露光装置構成部品においては、取付部に筐体1
0を取り付ける。そして、筐体10に備えられた光学部
品30A,30Bから反射されたレーザ光が取付部に付
された基準マークに衝突するように、取付部に備えられ
た調整用ねじ等の調整機構を用いて取付部に対する筐体
10の取り付け位置を微調整して、非線形光学結晶素子
の光軸調整等を行えばよい。
く。この基準マークは、筐体10を取付部に正確に取り
付けた後に、光学部品30A,30Bから反射されたレ
ーザ光が衝突する取付部の部分に付しておく。実施例2
の半導体露光装置構成部品においては、取付部に筐体1
0を取り付ける。そして、筐体10に備えられた光学部
品30A,30Bから反射されたレーザ光が取付部に付
された基準マークに衝突するように、取付部に備えられ
た調整用ねじ等の調整機構を用いて取付部に対する筐体
10の取り付け位置を微調整して、非線形光学結晶素子
の光軸調整等を行えばよい。
【0026】尚、基準マーク及びこの基準マークへのレ
ーザ光の衝突は、外部から観察できるようにしておくこ
とが望ましい。そのために、例えば、基準マークを合成
石英製の窓に付け、かかる窓を取付部に配置すればよ
い。あるいは又、基準マークの代わりに、実施例4にて
説明する受動光センサを取付部に配置することができ
る。
ーザ光の衝突は、外部から観察できるようにしておくこ
とが望ましい。そのために、例えば、基準マークを合成
石英製の窓に付け、かかる窓を取付部に配置すればよ
い。あるいは又、基準マークの代わりに、実施例4にて
説明する受動光センサを取付部に配置することができ
る。
【0027】(実施例3)図3に断面図で示す実施例3
の半導体露光装置構成部品は、実施例2の半導体露光装
置構成部品の変形である。尚、筐体10の切断位置は、
実施例1と同様の位置である。実施例2と異なり、窓1
2A,12Bは設けられていない。また、窓32A,3
2Bも設けられておらず、その代わりに筐体10の側壁
10Eには開口部34が設けられている。その他の構
成、並びに取付部への半導体露光装置構成部品の取り付
け並びに調整は実施例2と同様とすることができ、詳細
な説明は省略する。尚、実施例3の構造を採用すること
によって、取付部へ半導体露光装置構成部品を取り付
け、調整を完了した後、光学部品30A,30Bを除去
することができる。また、光学部品30A,30Bの反
射面にアライメントマークを形成することもできる。
の半導体露光装置構成部品は、実施例2の半導体露光装
置構成部品の変形である。尚、筐体10の切断位置は、
実施例1と同様の位置である。実施例2と異なり、窓1
2A,12Bは設けられていない。また、窓32A,3
2Bも設けられておらず、その代わりに筐体10の側壁
10Eには開口部34が設けられている。その他の構
成、並びに取付部への半導体露光装置構成部品の取り付
け並びに調整は実施例2と同様とすることができ、詳細
な説明は省略する。尚、実施例3の構造を採用すること
によって、取付部へ半導体露光装置構成部品を取り付
け、調整を完了した後、光学部品30A,30Bを除去
することができる。また、光学部品30A,30Bの反
射面にアライメントマークを形成することもできる。
【0028】(実施例4)実施例4は、非線形光学結晶
素子が組み込まれた露光光源を具備した半導体露光装置
に関する。非線形光学結晶素子を組み込む露光光源の部
分に、非線形光学結晶素子の取り付け位置調整のための
光学部品が取り付けられている。
素子が組み込まれた露光光源を具備した半導体露光装置
に関する。非線形光学結晶素子を組み込む露光光源の部
分に、非線形光学結晶素子の取り付け位置調整のための
光学部品が取り付けられている。
【0029】半導体露光装置の露光光源は、図4に概要
図を示すように、例えば、レーザ光源40と第2高調波
発生装置50から成る。半導体露光装置は、更に、レチ
クル61、縮小投影光学系62、基板ステージ65から
成る。第2高調波発生装置20から射出された露光光
は、レチクル61を照射し、レチクル61に形成された
パターンを縮小投影光学系62を介して基板64上に形
成されたレジスト63に転写する。レチクル61に形成
されたパターンは、レジスト63上に形成すべきパター
ンが例えば5倍に拡大されたものである。縮小投影光学
系62は、入射した光を透過し、例えば1/5に縮小し
た光学像を基板64に形成されたレジスト63に投影す
る。これによって、レジスト63には微細パターンが形
成される。尚、基板ステージ65は、基板64を載置
し、(X,Y,Z)軸方向に基板64を移動させる。
図を示すように、例えば、レーザ光源40と第2高調波
発生装置50から成る。半導体露光装置は、更に、レチ
クル61、縮小投影光学系62、基板ステージ65から
成る。第2高調波発生装置20から射出された露光光
は、レチクル61を照射し、レチクル61に形成された
パターンを縮小投影光学系62を介して基板64上に形
成されたレジスト63に転写する。レチクル61に形成
されたパターンは、レジスト63上に形成すべきパター
ンが例えば5倍に拡大されたものである。縮小投影光学
系62は、入射した光を透過し、例えば1/5に縮小し
た光学像を基板64に形成されたレジスト63に投影す
る。これによって、レジスト63には微細パターンが形
成される。尚、基板ステージ65は、基板64を載置
し、(X,Y,Z)軸方向に基板64を移動させる。
【0030】レーザ光源40及び第2高調波発生装置5
0の概念図を、図5に示す。
0の概念図を、図5に示す。
【0031】レーザ光源40は、例えば、複数のレーザ
ダイオード41(射出光の波長:808nm)、Nd:
YAGから成る固体レーザ媒質42(射出光の波長:1
064nm)、及びKTP(KTiOPO4)から成る
非線形光学結晶素子43から構成されており、第2高調
波を射出し得るLD励起固体レーザから成る。固体レー
ザ媒質42は、端面励起方式である。このような構成に
より、レーザ光源40からは、Nd:YAGから成る固
体レーザ媒質の第2高調波である532nmの光が射出
される。レーザ光源40には、Nd:YAGから成る固
体レーザ媒質42の前方に1/4波長板44が配置され
ている。これによって、レーザ光源において、所謂ホー
ルバーニング効果による多モード発振を抑制することが
できる。
ダイオード41(射出光の波長:808nm)、Nd:
YAGから成る固体レーザ媒質42(射出光の波長:1
064nm)、及びKTP(KTiOPO4)から成る
非線形光学結晶素子43から構成されており、第2高調
波を射出し得るLD励起固体レーザから成る。固体レー
ザ媒質42は、端面励起方式である。このような構成に
より、レーザ光源40からは、Nd:YAGから成る固
体レーザ媒質の第2高調波である532nmの光が射出
される。レーザ光源40には、Nd:YAGから成る固
体レーザ媒質42の前方に1/4波長板44が配置され
ている。これによって、レーザ光源において、所謂ホー
ルバーニング効果による多モード発振を抑制することが
できる。
【0032】非線形光学結晶素子43は、平面鏡45及
び凹面鏡46から成る光共振器の光路内に配置されてお
り、所謂外部SHG方式(レーザ発振器の外部に構成し
た光共振器中に配置する方式)を構成する。平面鏡45
は光の殆どを反射する。また、凹面鏡46はNd:YA
Gから成る固体レーザ媒質の第2高調波の殆どを透過
し、その他の波長を有する光を殆ど反射する。凹面鏡4
6は、例えばダイクロイックミラーで構成することがで
きる。
び凹面鏡46から成る光共振器の光路内に配置されてお
り、所謂外部SHG方式(レーザ発振器の外部に構成し
た光共振器中に配置する方式)を構成する。平面鏡45
は光の殆どを反射する。また、凹面鏡46はNd:YA
Gから成る固体レーザ媒質の第2高調波の殆どを透過
し、その他の波長を有する光を殆ど反射する。凹面鏡4
6は、例えばダイクロイックミラーで構成することがで
きる。
【0033】この非線形光学結晶素子43を組み込む露
光光源の部分に相当する平面鏡45及び凹面鏡46から
成る光共振器には、非線形光学結晶素子43の取り付け
位置調整のための光学部品70A,70Bが取り付けら
れている。光学部品70A,70Bは、非線形光学結晶
素子43の光入射部分及び光射出部分の近傍に取り付け
られており、入射光の一部を反射する反射鏡(若しくは
プリズム)から成る。尚、非線形光学結晶素子を組み込
む露光光源の部分において、非線形光学結晶素子を取り
付ける部分を、以下、単に素子取付部と呼ぶ。
光光源の部分に相当する平面鏡45及び凹面鏡46から
成る光共振器には、非線形光学結晶素子43の取り付け
位置調整のための光学部品70A,70Bが取り付けら
れている。光学部品70A,70Bは、非線形光学結晶
素子43の光入射部分及び光射出部分の近傍に取り付け
られており、入射光の一部を反射する反射鏡(若しくは
プリズム)から成る。尚、非線形光学結晶素子を組み込
む露光光源の部分において、非線形光学結晶素子を取り
付ける部分を、以下、単に素子取付部と呼ぶ。
【0034】平面鏡45及び凹面鏡46から成る光共振
器における素子取付部には、予め2次元光センサから成
る受動光センサ71A,71Bが配置されている。受動
光センサ71A,71Bは、非線形光学結晶素子43を
素子取付部に正確に取り付けた後に、光学部品70A,
70Bから反射されたレーザ光が衝突する素子取付部の
部分に配置する。
器における素子取付部には、予め2次元光センサから成
る受動光センサ71A,71Bが配置されている。受動
光センサ71A,71Bは、非線形光学結晶素子43を
素子取付部に正確に取り付けた後に、光学部品70A,
70Bから反射されたレーザ光が衝突する素子取付部の
部分に配置する。
【0035】実施例4の半導体露光装置においては、素
子取付部に非線形光学結晶素子43を取り付ける。そし
て、光学部品70A,70Bから反射されたレーザ光が
素子取付部に配置された受動光センサ71A,71Bの
所定の位置に入射するように、素子取付部に備えられた
調整用ねじ(図示せず)等の調整機構を用いて素子取付
部に対する非線形光学結晶素子43の取り付け位置を微
調整する。これによって、非線形光学結晶素子43の光
軸調整等を行うことができる。尚、受動光センサ71
A,71Bからの出力信号を信号処理し、受動光センサ
71A,71Bへのレーザ光の入射位置を、例えばCR
T等によって画像として観察する構成にすることが望ま
しい。
子取付部に非線形光学結晶素子43を取り付ける。そし
て、光学部品70A,70Bから反射されたレーザ光が
素子取付部に配置された受動光センサ71A,71Bの
所定の位置に入射するように、素子取付部に備えられた
調整用ねじ(図示せず)等の調整機構を用いて素子取付
部に対する非線形光学結晶素子43の取り付け位置を微
調整する。これによって、非線形光学結晶素子43の光
軸調整等を行うことができる。尚、受動光センサ71
A,71Bからの出力信号を信号処理し、受動光センサ
71A,71Bへのレーザ光の入射位置を、例えばCR
T等によって画像として観察する構成にすることが望ま
しい。
【0036】図5に示すように、第2高調波発生装置5
0は、例えばBBO(β−BaB2O4)から成る非線形
光学結晶素子51及び光共振器52から構成されてい
る。第2高調波発生装置50を構成する非線形光学結晶
素子51は、光共振器52の光路内に配置されている。
即ち、第2高調波発生装置50は、所謂外部SHG方式
である。第2高調波発生装置50は、光共振器52に入
射された光の第2高調波に基づいた波長を有する光(固
体レーザ媒質42が生成するレーザ光を基準とした場
合、第4高調波)を射出する。
0は、例えばBBO(β−BaB2O4)から成る非線形
光学結晶素子51及び光共振器52から構成されてい
る。第2高調波発生装置50を構成する非線形光学結晶
素子51は、光共振器52の光路内に配置されている。
即ち、第2高調波発生装置50は、所謂外部SHG方式
である。第2高調波発生装置50は、光共振器52に入
射された光の第2高調波に基づいた波長を有する光(固
体レーザ媒質42が生成するレーザ光を基準とした場
合、第4高調波)を射出する。
【0037】この光共振器52においては、所謂フィネ
ス値(共振のQ値に相当する)を例えば100〜100
0程度と大きくして、光共振器52内部の光密度を、光
共振器52に入射される光の光密度の数百倍とすること
によって、光共振器52内に配置された非線形光学結晶
素子51の非線形効果を有効に利用することができる。
第2高調波発生装置50からは、波長266nmの狭帯
域を有するレーザ光が連続的に射出され、かかる光のモ
ード均一性は高い。
ス値(共振のQ値に相当する)を例えば100〜100
0程度と大きくして、光共振器52内部の光密度を、光
共振器52に入射される光の光密度の数百倍とすること
によって、光共振器52内に配置された非線形光学結晶
素子51の非線形効果を有効に利用することができる。
第2高調波発生装置50からは、波長266nmの狭帯
域を有するレーザ光が連続的に射出され、かかる光のモ
ード均一性は高い。
【0038】光共振器52は、一対の凹面鏡53,54
及び一対の平面鏡55,56から構成されている。第2
高調波発生装置50に入射した光(例えば、532nm
の波長を有する光)は、第1の凹面鏡53を透過し、非
線形光学結晶素子51を透過して少なくとも一部が第2
高調波(例えば、波長266nmの光)にされた後、第
2の凹面鏡54によって反射され、次に、平面鏡55,
56によって反射され、更には、第1の凹面鏡53によ
って反射される。このような状態において、第2の凹面
鏡54に入射した光(例えば、波長266nmの光)の
少なくとも一部が第2の凹面鏡54を透過し、第2高調
波発生装置50からレチクル61に向かって射出され
る。第1及び第2の凹面鏡53,54、平面鏡55,5
6は、以上の説明のように光を反射・透過させるように
設計する。第2の凹面鏡54は、例えばダイクロイック
ミラーで構成することができる。
及び一対の平面鏡55,56から構成されている。第2
高調波発生装置50に入射した光(例えば、532nm
の波長を有する光)は、第1の凹面鏡53を透過し、非
線形光学結晶素子51を透過して少なくとも一部が第2
高調波(例えば、波長266nmの光)にされた後、第
2の凹面鏡54によって反射され、次に、平面鏡55,
56によって反射され、更には、第1の凹面鏡53によ
って反射される。このような状態において、第2の凹面
鏡54に入射した光(例えば、波長266nmの光)の
少なくとも一部が第2の凹面鏡54を透過し、第2高調
波発生装置50からレチクル61に向かって射出され
る。第1及び第2の凹面鏡53,54、平面鏡55,5
6は、以上の説明のように光を反射・透過させるように
設計する。第2の凹面鏡54は、例えばダイクロイック
ミラーで構成することができる。
【0039】この非線形光学結晶素子51を組み込む露
光光源の部分に相当する光共振器52には、非線形光学
結晶素子51の取り付け位置調整のための光学部品72
A,72Bが取り付けられている。光学部品72A,7
2Bは、非線形光学結晶素子51の光入射部分及び光射
出部分の近傍に取り付けられており、入射光の一部を反
射する反射鏡(若しくはプリズム)から成る。
光光源の部分に相当する光共振器52には、非線形光学
結晶素子51の取り付け位置調整のための光学部品72
A,72Bが取り付けられている。光学部品72A,7
2Bは、非線形光学結晶素子51の光入射部分及び光射
出部分の近傍に取り付けられており、入射光の一部を反
射する反射鏡(若しくはプリズム)から成る。
【0040】光共振器52における素子取付部には、予
め2次元光センサから成る受動光センサ73A,73B
を配置しておく。受動光センサ73A,73Bは、非線
形光学結晶素子51を素子取付部に正確に取り付けた後
に、光学部品72A,72Bから反射されたレーザ光が
衝突する素子取付部の部分に配置する。
め2次元光センサから成る受動光センサ73A,73B
を配置しておく。受動光センサ73A,73Bは、非線
形光学結晶素子51を素子取付部に正確に取り付けた後
に、光学部品72A,72Bから反射されたレーザ光が
衝突する素子取付部の部分に配置する。
【0041】実施例4の半導体露光装置においては、素
子取付部に非線形光学結晶素子51を取り付ける。そし
て、光学部品72A,72Bから反射されたレーザ光
が、素子取付部に配置された受動光センサ73A,73
Bの所定の位置に入射するように、素子取付部に備えら
れた調整用ねじ(図示せず)等の調整機構を用いて素子
取付部に対する非線形光学結晶素子51の取り付け位置
を微調整する。これによって、非線形光学結晶素子51
の光軸調整等を行うことができる。尚、受動光センサ7
3A,73Bからの出力信号を信号処理し、受動光セン
サ73A,73Bへのレーザ光の入射位置を、例えばC
RT等によって画像として観察する構成にすることが望
ましい。
子取付部に非線形光学結晶素子51を取り付ける。そし
て、光学部品72A,72Bから反射されたレーザ光
が、素子取付部に配置された受動光センサ73A,73
Bの所定の位置に入射するように、素子取付部に備えら
れた調整用ねじ(図示せず)等の調整機構を用いて素子
取付部に対する非線形光学結晶素子51の取り付け位置
を微調整する。これによって、非線形光学結晶素子51
の光軸調整等を行うことができる。尚、受動光センサ7
3A,73Bからの出力信号を信号処理し、受動光セン
サ73A,73Bへのレーザ光の入射位置を、例えばC
RT等によって画像として観察する構成にすることが望
ましい。
【0042】尚、非線形光学結晶素子43,51を、実
施例1にて説明した半導体露光装置構成部品に置き換え
てもよい。この場合には、素子取付部を取付部と読み換
えればよい。
施例1にて説明した半導体露光装置構成部品に置き換え
てもよい。この場合には、素子取付部を取付部と読み換
えればよい。
【0043】以上、好ましい実施例に基づき本発明を説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。筐体10を取付部に取り付けるための機構は例
示であり、如何なる機構とすることもできる。筐体の構
造も例示であり、使用される半導体露光装置の構造に応
じて、適宜変更することができる。半導体露光装置にお
ける非線形光学結晶素子を組み込む露光光源の部分も例
示であり、半導体露光装置に応じて適宜変更することが
できる。実施例1や実施例2にて説明した構造の筐体に
おいては、中に収納された非線形光学結晶素子の外気に
よる変質を防止するために、不活性ガスを封入すること
ができる。
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。筐体10を取付部に取り付けるための機構は例
示であり、如何なる機構とすることもできる。筐体の構
造も例示であり、使用される半導体露光装置の構造に応
じて、適宜変更することができる。半導体露光装置にお
ける非線形光学結晶素子を組み込む露光光源の部分も例
示であり、半導体露光装置に応じて適宜変更することが
できる。実施例1や実施例2にて説明した構造の筐体に
おいては、中に収納された非線形光学結晶素子の外気に
よる変質を防止するために、不活性ガスを封入すること
ができる。
【0044】また、取付部若しくは素子取付部に付され
た受動光センサを、例えばコンパクトディスクプレーヤ
のレーザ光検出部に用いられているような2分割方式の
光検出器や4分割方式の光検出器に置き換えることがで
きる。そして、2次元光センサやかかる光検出器からの
出力に基づき、ナイフエッジ法や非点収差法を用いて調
整機構を制御し、非線形光学結晶素子の光軸調整等を行
うこともできる。
た受動光センサを、例えばコンパクトディスクプレーヤ
のレーザ光検出部に用いられているような2分割方式の
光検出器や4分割方式の光検出器に置き換えることがで
きる。そして、2次元光センサやかかる光検出器からの
出力に基づき、ナイフエッジ法や非点収差法を用いて調
整機構を制御し、非線形光学結晶素子の光軸調整等を行
うこともできる。
【0045】半導体露光装置の使用中に非線形光学結晶
素子の光軸がずれる場合がある。光検出器からの出力に
基づき、例えばナイフエッジ法や非点収差法を用いたサ
ーボ機構を備えた調整機構によって非線形光学結晶素子
の光軸調整を行い、このような光軸のずれを補正するこ
とができる。また、この場合、調整機構は、モータ及び
ギア機構から構成したり、PZT等から成る積層圧電素
子及び光検出器からの出力信号をこの積層圧電素子に供
給する制御装置から成る制御回路を用い、かかる信号を
フィードバックしてサーボループを構成することができ
る。あるいは又、調整機構を、ボイスコイルモータ等の
電磁アクチュエータ及び電磁アクチュエータ制御回路か
ら構成することができる。
素子の光軸がずれる場合がある。光検出器からの出力に
基づき、例えばナイフエッジ法や非点収差法を用いたサ
ーボ機構を備えた調整機構によって非線形光学結晶素子
の光軸調整を行い、このような光軸のずれを補正するこ
とができる。また、この場合、調整機構は、モータ及び
ギア機構から構成したり、PZT等から成る積層圧電素
子及び光検出器からの出力信号をこの積層圧電素子に供
給する制御装置から成る制御回路を用い、かかる信号を
フィードバックしてサーボループを構成することができ
る。あるいは又、調整機構を、ボイスコイルモータ等の
電磁アクチュエータ及び電磁アクチュエータ制御回路か
ら構成することができる。
【0046】また、半導体露光装置の使用中に非線形光
学結晶素子のレーザ光照射部分が劣化した場合には、基
準線に対して筐体全体を平行に移動させることによっ
て、レーザ光が非線形光学結晶素子に入射する領域を変
えることができる。筐体全体の平行移動は、取付部の一
部を、例えばモータ及び歯車機構を用いて、ガイドに沿
って移動させ得る構造とすることによって達成すること
ができる。非線形光学結晶素子の劣化は、例えば、受動
光センサの出力信号をモニターすることによって検知す
ることができる。
学結晶素子のレーザ光照射部分が劣化した場合には、基
準線に対して筐体全体を平行に移動させることによっ
て、レーザ光が非線形光学結晶素子に入射する領域を変
えることができる。筐体全体の平行移動は、取付部の一
部を、例えばモータ及び歯車機構を用いて、ガイドに沿
って移動させ得る構造とすることによって達成すること
ができる。非線形光学結晶素子の劣化は、例えば、受動
光センサの出力信号をモニターすることによって検知す
ることができる。
【0047】非線形光学結晶素子の一部に欠陥が存在す
る場合もある。筐体を取付部に取り付けて、光軸調整等
の取り付け位置調整を完了した後、受動光センサの出力
信号が所定の値以下であれば、レーザ光が通過する非線
形光学結晶素子の領域に欠陥が存在すると判断し、基準
線に対して筐体全体を平行に移動させることによって、
レーザ光が非線形光学結晶素子に入射する領域を変える
ことができる。
る場合もある。筐体を取付部に取り付けて、光軸調整等
の取り付け位置調整を完了した後、受動光センサの出力
信号が所定の値以下であれば、レーザ光が通過する非線
形光学結晶素子の領域に欠陥が存在すると判断し、基準
線に対して筐体全体を平行に移動させることによって、
レーザ光が非線形光学結晶素子に入射する領域を変える
ことができる。
【0048】更には、筐体を取付部に取り付けて、光軸
調整等の取り付け位置調整を完了した後、受動光センサ
の出力信号を測定し、次に、基準線に対して筐体全体を
平行に移動させた後、再び光軸調整等の取り付け位置調
整を行い受動光センサの出力信号を測定する。このよう
な作業を繰り返すことによって、第2高調波を発生させ
るために、最適な非線形光学結晶素子の領域を選択する
ことが可能になる。
調整等の取り付け位置調整を完了した後、受動光センサ
の出力信号を測定し、次に、基準線に対して筐体全体を
平行に移動させた後、再び光軸調整等の取り付け位置調
整を行い受動光センサの出力信号を測定する。このよう
な作業を繰り返すことによって、第2高調波を発生させ
るために、最適な非線形光学結晶素子の領域を選択する
ことが可能になる。
【0049】本発明の半導体露光装置は、上述した実施
例のような屈折系の光学系を用いた投影露光装置にのみ
限定されるものでなく、例えば反射系の光学系を用いた
半導体露光装置や近接露光装置にも応用することができ
る。
例のような屈折系の光学系を用いた投影露光装置にのみ
限定されるものでなく、例えば反射系の光学系を用いた
半導体露光装置や近接露光装置にも応用することができ
る。
【0050】レーザ光源40及び第2高調波発生装置5
0の構造は例示であり、適宜設計変更することができ
る。固体レーザ媒質は、Nd:YAG以外にも、Nd:
YVO4、Nd:BEL、LNP等から構成することが
できる。レーザダイオードによる固体レーザ媒質の励起
方式も、端面励起方式だけでなく、側面励起方式や表面
励起方式とすることができ、更にはスラブ固体レーザを
用いることもできる。
0の構造は例示であり、適宜設計変更することができ
る。固体レーザ媒質は、Nd:YAG以外にも、Nd:
YVO4、Nd:BEL、LNP等から構成することが
できる。レーザダイオードによる固体レーザ媒質の励起
方式も、端面励起方式だけでなく、側面励起方式や表面
励起方式とすることができ、更にはスラブ固体レーザを
用いることもできる。
【0051】一対の反射鏡から成る光共振器の光路内に
固体レーザ媒質と非線形光学結晶素子が配置された、所
謂内部SHG方式のレーザ光源を用いることもできる。
また、固体レーザ媒質42からの射出光を非線形光学結
晶素子43に通すような構造(即ち、平面鏡45及び凹
面鏡46から成る光共振器を省略する構造)とすること
もできる。更には、レーザ光源として、LD励起固体レ
ーザの代わりに、例えば青色半導体レーザを使用し、か
かる半導体レーザの射出光を第2高調波発生装置50に
直接入射させることもできるし、かかる半導体レーザと
非線形光学結晶素子とを組み合わせた所謂内部SHG方
式から成るレーザ光源と第2高調波発生装置との組み合
わせ構造とすることもできる。また、第2高調波発生装
置50における光共振器52の構造を、例えば、凹面鏡
と平面鏡から構成されたファブリ−ペロー型共振器とす
ることもできる。
固体レーザ媒質と非線形光学結晶素子が配置された、所
謂内部SHG方式のレーザ光源を用いることもできる。
また、固体レーザ媒質42からの射出光を非線形光学結
晶素子43に通すような構造(即ち、平面鏡45及び凹
面鏡46から成る光共振器を省略する構造)とすること
もできる。更には、レーザ光源として、LD励起固体レ
ーザの代わりに、例えば青色半導体レーザを使用し、か
かる半導体レーザの射出光を第2高調波発生装置50に
直接入射させることもできるし、かかる半導体レーザと
非線形光学結晶素子とを組み合わせた所謂内部SHG方
式から成るレーザ光源と第2高調波発生装置との組み合
わせ構造とすることもできる。また、第2高調波発生装
置50における光共振器52の構造を、例えば、凹面鏡
と平面鏡から構成されたファブリ−ペロー型共振器とす
ることもできる。
【0052】
【発明の効果】本発明の半導体露光装置構成部品におい
ては、非線形光学結晶素子の交換を短時間で行うことが
でき、しかも、非線形光学結晶素子の取り付け位置調整
を比較的容易に行うことができる。本発明の半導体露光
装置構成部品若しくは半導体露光装置においては、筐体
又は半導体露光装置に非線形光学結晶素子の取り付け位
置調整のための光学部品が設けられているので、一層容
易に筐体又は非線形光学結晶素子の光軸調整等を行うこ
とができる。従って、半導体露光装置の稼働率を向上さ
せることが可能となる。また、レーザ光が非線形光学結
晶素子へ入射する領域を容易に最適化することができ、
あるいは又、かかる領域を容易に変更することができ、
非線形光学結晶素子を効率的に使用することが可能にな
る。
ては、非線形光学結晶素子の交換を短時間で行うことが
でき、しかも、非線形光学結晶素子の取り付け位置調整
を比較的容易に行うことができる。本発明の半導体露光
装置構成部品若しくは半導体露光装置においては、筐体
又は半導体露光装置に非線形光学結晶素子の取り付け位
置調整のための光学部品が設けられているので、一層容
易に筐体又は非線形光学結晶素子の光軸調整等を行うこ
とができる。従って、半導体露光装置の稼働率を向上さ
せることが可能となる。また、レーザ光が非線形光学結
晶素子へ入射する領域を容易に最適化することができ、
あるいは又、かかる領域を容易に変更することができ、
非線形光学結晶素子を効率的に使用することが可能にな
る。
【図1】実施例1の半導体露光装置構成部品を示す図で
ある。
ある。
【図2】実施例2の半導体露光装置構成部品を示す図で
ある。
ある。
【図3】実施例3の半導体露光装置構成部品を示す図で
ある。
ある。
【図4】半導体露光装置全体の概要を示す図である。
【図5】レーザ光源及び第2高調波発生装置の模式図で
ある。
ある。
10 筐体 20 非線形光学結晶素子 12A,12B 窓(筐体の光入射部分及び光射出部
分) 14 取付孔 30A,30B,70A,70B,72A,72B 光
学部品 32 窓 40 レーザ光源 41 レーザダイオード 42 固体レーザ媒質 43 非線形光学結晶素子 44 1/4波長板 45 平面鏡 46 凹面鏡 50 第2高調波発生装置 51 非線形光学結晶素子 52 光共振器 53 第1の凹面鏡 54 第2の凹面鏡 55,56 平面鏡 61 レチクル 62 縮小投影光学系 63 レジスト 64 基板 65 基板ステージ 71A,71B、73A,73B 受動光センサ
分) 14 取付孔 30A,30B,70A,70B,72A,72B 光
学部品 32 窓 40 レーザ光源 41 レーザダイオード 42 固体レーザ媒質 43 非線形光学結晶素子 44 1/4波長板 45 平面鏡 46 凹面鏡 50 第2高調波発生装置 51 非線形光学結晶素子 52 光共振器 53 第1の凹面鏡 54 第2の凹面鏡 55,56 平面鏡 61 レチクル 62 縮小投影光学系 63 レジスト 64 基板 65 基板ステージ 71A,71B、73A,73B 受動光センサ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01S 3/109 7352−4M H01L 21/30 527
Claims (7)
- 【請求項1】(イ)非線形光学結晶素子、及び、 (ロ)該非線形光学結晶素子を収納した筐体、 から成ることを特徴とする半導体露光装置構成部品。
- 【請求項2】(ハ)該筐体を半導体露光装置に取り付け
た後筐体の取り付け位置の調整を行うために、筐体に取
り付けられた光学部品を更に備えていることを特徴とす
る請求項1に記載の半導体露光装置構成部品。 - 【請求項3】光学部品は、筐体の光入射部分及び光射出
部分の近傍に取り付けられており、入射光の一部を反射
するプリズム若しくは反射鏡から成ることを特徴とする
請求項2に記載の半導体露光装置構成部品。 - 【請求項4】非線形光学結晶素子が組み込まれた露光光
源を具備した半導体露光装置であって、非線形光学結晶
素子を組み込む露光光源の部分に、非線形光学結晶素子
の取り付け位置調整のための光学部品が取り付けられて
いることを特徴とする半導体露光装置。 - 【請求項5】光学部品によって反射された光を受光する
受動光センサが、非線形光学結晶素子を組み込む露光光
源の部分に備えられていることを特徴とする請求項4に
記載の半導体露光装置。 - 【請求項6】受動光センサは2次元光センサであること
を特徴とする請求項5に記載の半導体露光装置。 - 【請求項7】光学部品は、非線形光学結晶素子の光入射
部分及び光射出部分の近傍に取り付けられており、入射
光の一部を反射するプリズム若しくは反射鏡から成るこ
とを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれか1項に
記載の半導体露光装置構成部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5309797A JPH07142785A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 半導体露光装置構成部品及び半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5309797A JPH07142785A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 半導体露光装置構成部品及び半導体露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07142785A true JPH07142785A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17997362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5309797A Pending JPH07142785A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 半導体露光装置構成部品及び半導体露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07142785A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019133176A (ja) * | 2013-09-10 | 2019-08-08 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 深紫外線連続波レーザー、システム、及び方法 |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP5309797A patent/JPH07142785A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019133176A (ja) * | 2013-09-10 | 2019-08-08 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 深紫外線連続波レーザー、システム、及び方法 |
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