JPH07142397A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH07142397A JPH07142397A JP28541193A JP28541193A JPH07142397A JP H07142397 A JPH07142397 A JP H07142397A JP 28541193 A JP28541193 A JP 28541193A JP 28541193 A JP28541193 A JP 28541193A JP H07142397 A JPH07142397 A JP H07142397A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】筒状反応管の外側に複数の高周波電極を配した
低気圧（減圧）ＣＶＤ気相成長装置を、反応管内のプラ
ズマ洗浄時に、導入したエッチングガスの圧力が反応管
内よりも低くなる排気管内にプラズマが生じるのを防止
して反応室内にプラズマが形成される装置に構成する。 【構成】高周波電極２１，２２側から排気管３０管路内
に加えられる電界の強度を緩和する電界緩和手段を備え
た装置とする。具体的にはこの手段を、排気管に巻き付
けた金属線，金属テープ，金属箔、あるいは排気管の長
手方向に沿わせて接地した金属テープ，金属棒（２
２）、あるいは排気管を出口近傍で挟み込み高周波電極
の１つを構成する２個の部分電極で構成する。または、
ガス導入と排気とを間欠的に行い、反応管内と排気管内
とで圧力差の生じない時間帯をつくり出し、この時間帯
にプラズマを形成させるものとする。
低気圧（減圧）ＣＶＤ気相成長装置を、反応管内のプラ
ズマ洗浄時に、導入したエッチングガスの圧力が反応管
内よりも低くなる排気管内にプラズマが生じるのを防止
して反応室内にプラズマが形成される装置に構成する。 【構成】高周波電極２１，２２側から排気管３０管路内
に加えられる電界の強度を緩和する電界緩和手段を備え
た装置とする。具体的にはこの手段を、排気管に巻き付
けた金属線，金属テープ，金属箔、あるいは排気管の長
手方向に沿わせて接地した金属テープ，金属棒（２
２）、あるいは排気管を出口近傍で挟み込み高周波電極
の１つを構成する２個の部分電極で構成する。または、
ガス導入と排気とを間欠的に行い、反応管内と排気管内
とで圧力差の生じない時間帯をつくり出し、この時間帯
にプラズマを形成させるものとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、集積回路等の基板と
して使用するシリコンウエハ等の表面に薄膜を気相成長
させる気相成長装置に関し、より詳しくは、筒状に形成
されてガス導入口と導入されたガスを排出する排気管と
を備えるとともに外側に高周波電源に接続される複数の
電極が配備される反応管を備えてなり、基板表面に薄膜
を気相成長させるときには成膜用反応ガスがガス導入口
から反応室内へ導入されて反応管内部に配置された基板
表面に薄膜を形成しつつ排気管から外部へ排出され、反
応管内部の洗浄時にはエッチングガスがガス導入口から
反応管内へ導入され高周波電源に接続された複数の電極
が反応管内に形成する高周波電界中でプラズマ化されて
反応管内部を洗浄した後排気管から外部へ排出される気
相成長装置における前記反応室内部のプラズマ清浄を有
効に行わせるための装置構成に関する。
して使用するシリコンウエハ等の表面に薄膜を気相成長
させる気相成長装置に関し、より詳しくは、筒状に形成
されてガス導入口と導入されたガスを排出する排気管と
を備えるとともに外側に高周波電源に接続される複数の
電極が配備される反応管を備えてなり、基板表面に薄膜
を気相成長させるときには成膜用反応ガスがガス導入口
から反応室内へ導入されて反応管内部に配置された基板
表面に薄膜を形成しつつ排気管から外部へ排出され、反
応管内部の洗浄時にはエッチングガスがガス導入口から
反応管内へ導入され高周波電源に接続された複数の電極
が反応管内に形成する高周波電界中でプラズマ化されて
反応管内部を洗浄した後排気管から外部へ排出される気
相成長装置における前記反応室内部のプラズマ清浄を有
効に行わせるための装置構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学的気相成長法（ＣＶＤ法）では、膜
にする元素を含む発揮性化合物をガス化して高温に加熱
した基板上に均一に送り込み、該基板上で熱分解を行わ
せて薄膜を形成する。この場合、反応ガスの平均自由行
程が大きい（拡散が大きい）理由で均一な薄膜が形成で
きる低気圧化学的気相成長法（ＬＰＣＶＤ）が広く用い
られている。
にする元素を含む発揮性化合物をガス化して高温に加熱
した基板上に均一に送り込み、該基板上で熱分解を行わ
せて薄膜を形成する。この場合、反応ガスの平均自由行
程が大きい（拡散が大きい）理由で均一な薄膜が形成で
きる低気圧化学的気相成長法（ＬＰＣＶＤ）が広く用い
られている。
【０００３】図５は本発明が対象とした気相成長装置の
従来の構成例を示す説明図で、一般には縦型ＬＰＣＶＤ
と呼ばれている装置の断面図である。石英からなる筒状
の反応管１の中には支持台２を介してウエハ群３が配置
され、該反応管は図示しない真空排気装置によって排気
管４から真空排気される。また、反応管およびウエハ群
は図示しないヒータで均一に加熱される。
従来の構成例を示す説明図で、一般には縦型ＬＰＣＶＤ
と呼ばれている装置の断面図である。石英からなる筒状
の反応管１の中には支持台２を介してウエハ群３が配置
され、該反応管は図示しない真空排気装置によって排気
管４から真空排気される。また、反応管およびウエハ群
は図示しないヒータで均一に加熱される。
【０００４】例えばポリシリコン薄膜を形成する場合、
ウエハ群３はヒータによって６００〜６５０℃程度に加
熱され、ガス導入管５からは反応ガス、例えばＳｉＨ4
が供給される。反応ガスＳｉＨ4 は熱分解で ＳｉＨ4 → Ｓｉ＋２Ｈ2 となり、シリコン膜が形成される。成膜速度はウエハ加
熱温度や反応管内圧力、ガス流速等で律則される。
ウエハ群３はヒータによって６００〜６５０℃程度に加
熱され、ガス導入管５からは反応ガス、例えばＳｉＨ4
が供給される。反応ガスＳｉＨ4 は熱分解で ＳｉＨ4 → Ｓｉ＋２Ｈ2 となり、シリコン膜が形成される。成膜速度はウエハ加
熱温度や反応管内圧力、ガス流速等で律則される。
【０００５】このような装置においては、石英で作られ
た反応管もウエハと同様に加熱されるため、反応管内表
面にも結果的に膜成長が起こる。ウエハへの成膜プロセ
スを繰り返すと、反応管内面の膜は徐々に厚くなり、大
気開放等の時に剥離してパーティクル汚染の原因にな
る。これを防止するため、一定周期で装置を解体して反
応管を取り出してふっ酸で湿式洗浄したり、あるいは同
図（ａ）のように反応管の外側に電極６、７を配置して
高周波電力を供給するとともに反応管内にエッチングガ
スを流して高周波プラズマを形成し、このプラズマで反
応管内面をクリーニングしている。
た反応管もウエハと同様に加熱されるため、反応管内表
面にも結果的に膜成長が起こる。ウエハへの成膜プロセ
スを繰り返すと、反応管内面の膜は徐々に厚くなり、大
気開放等の時に剥離してパーティクル汚染の原因にな
る。これを防止するため、一定周期で装置を解体して反
応管を取り出してふっ酸で湿式洗浄したり、あるいは同
図（ａ）のように反応管の外側に電極６、７を配置して
高周波電力を供給するとともに反応管内にエッチングガ
スを流して高周波プラズマを形成し、このプラズマで反
応管内面をクリーニングしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述したクリーニング
方法において、ふっ酸利用の湿式は時間と労力を費やす
ので生産性を低下するため、乾式洗浄である後者に移行
しつつあるが、排気抵抗のために反応管内と排気管内と
では圧力が異なり、圧力の低い排気管部分のみでプラズ
マが形成されてしまい、高周波電源からみてその部分が
高周波電極側から出る電気力線上で低いインピーダンス
となり、かつプラズマの垂下特性（プラズマ電流ととも
にプラズマ中の電圧降下が小さくなる性質）のために、
この部分の電気力線と並列関係にある反応管内電気力線
に沿って十分な強度の電界を形成することができず、目
的とする反応管内部がクリーニングできないという問題
があった。
方法において、ふっ酸利用の湿式は時間と労力を費やす
ので生産性を低下するため、乾式洗浄である後者に移行
しつつあるが、排気抵抗のために反応管内と排気管内と
では圧力が異なり、圧力の低い排気管部分のみでプラズ
マが形成されてしまい、高周波電源からみてその部分が
高周波電極側から出る電気力線上で低いインピーダンス
となり、かつプラズマの垂下特性（プラズマ電流ととも
にプラズマ中の電圧降下が小さくなる性質）のために、
この部分の電気力線と並列関係にある反応管内電気力線
に沿って十分な強度の電界を形成することができず、目
的とする反応管内部がクリーニングできないという問題
があった。
【０００７】この発明の目的は、気相成長装置が、反応
管内と排気管内との間に圧力差が生じるようなものであ
ってもプラズマを反応室内に発生させることができ、こ
れにより効果的に反応室内部をクリーニングすることの
できる気相成長装置を提供することである。
管内と排気管内との間に圧力差が生じるようなものであ
ってもプラズマを反応室内に発生させることができ、こ
れにより効果的に反応室内部をクリーニングすることの
できる気相成長装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては、本発明が対象とした冒頭記載の
気相成長装置すなわち、筒状に形成されてガス導入口と
導入されたガスを排出する排気管とを備えるとともに外
側に高周波電源に接続される複数の電極が配備される反
応管を備えてなり、基板表面に薄膜を気相成長させると
きには成膜用反応ガスがガス導入口から反応室内へ導入
されて反応管内部に配置された基板表面に薄膜を形成し
つつ排気管から外部へ排出され、反応管内部の洗浄時に
はエッチングガスがガス導入口から反応管内へ導入され
高周波電源に接続された複数の電極が反応管内に形成す
る高周波電界中でプラズマ化されて反応管内部を洗浄し
た後排気管から外部へ排出される気相成長装置を、反応
室外部に配備された複数の電極側から排気管管路内部に
加えられる高周波電界の強度を緩和させる電界緩和手段
を備えた装置とする。
に、本発明においては、本発明が対象とした冒頭記載の
気相成長装置すなわち、筒状に形成されてガス導入口と
導入されたガスを排出する排気管とを備えるとともに外
側に高周波電源に接続される複数の電極が配備される反
応管を備えてなり、基板表面に薄膜を気相成長させると
きには成膜用反応ガスがガス導入口から反応室内へ導入
されて反応管内部に配置された基板表面に薄膜を形成し
つつ排気管から外部へ排出され、反応管内部の洗浄時に
はエッチングガスがガス導入口から反応管内へ導入され
高周波電源に接続された複数の電極が反応管内に形成す
る高周波電界中でプラズマ化されて反応管内部を洗浄し
た後排気管から外部へ排出される気相成長装置を、反応
室外部に配備された複数の電極側から排気管管路内部に
加えられる高周波電界の強度を緩和させる電界緩和手段
を備えた装置とする。
【０００９】ここで、電界緩和手段は、排気管に巻き付
けた導電性の線，導電性のテープまたは導電性の箔で構
成してもよく、また、排気管にその長手方向に添わせて
接地された１本の導電性テープまたは導電性の棒、ある
いは相互間の導電接続もしくは導電接続後の接地もしく
はそれぞれの接地により等電位化された複数本の導電性
のテープまたは導電性の棒で構成してもよく、あるい
は、排気管の反応管出口近傍を挟み込み高周波電源の同
一極に接続されて複数の電極中の１つを構成する２個の
部分電極で構成するようにしてもよい。
けた導電性の線，導電性のテープまたは導電性の箔で構
成してもよく、また、排気管にその長手方向に添わせて
接地された１本の導電性テープまたは導電性の棒、ある
いは相互間の導電接続もしくは導電接続後の接地もしく
はそれぞれの接地により等電位化された複数本の導電性
のテープまたは導電性の棒で構成してもよく、あるい
は、排気管の反応管出口近傍を挟み込み高周波電源の同
一極に接続されて複数の電極中の１つを構成する２個の
部分電極で構成するようにしてもよい。
【００１０】あるいは、上記課題を解決するための別の
手段として、気相成長装置を、反応管内部の洗浄時に反
応管内へのエッチングガスの導入と排出とが間欠的に行
われる装置としてもよい。この場合には、反応管内への
エッチングガスの導入と排気停止と複数電極を介した高
周波電力の供給が同期して行われるようにすれば好適で
ある。
手段として、気相成長装置を、反応管内部の洗浄時に反
応管内へのエッチングガスの導入と排出とが間欠的に行
われる装置としてもよい。この場合には、反応管内への
エッチングガスの導入と排気停止と複数電極を介した高
周波電力の供給が同期して行われるようにすれば好適で
ある。
【００１１】
【作用】このように、反応室外部に配備された複数の電
極側から排気管管路内部に加えられる高周波電界の強度
を緩和させる電界緩和手段を備えた装置とすれば、圧力
の低い排気管部分でのプラズマ放電が生じなくなり、排
気管部分を通る電気力線上で低インピーダンス部分が生
じなくなるので、反応管内に高周波プラズマを形成させ
ることができる。イオンに比べて電子の移動速度がはる
かに大きいので、反応管の内面、また反応管内に絶縁物
があるときにはその絶縁物の表面も電子によって負に帯
電し、プラズマとの電位差が大きくなってイオンが加速
されて衝突、反応管内面あるいは絶縁物表面がスパッタ
リングされる。また、ＣＦ4 やＮＦ 3 等のエッチングガ
スを流して反応管内を低気圧雰囲気にすると、このガス
がプラズマ化，分解して反応管内面あるいは絶縁物表面
の膜と反応し、化学的エッチングも同時に行われる。こ
れにより反応管内面に付いている膜が除去できる。そこ
で電界緩和手段を排気管に巻き付けた導電性の線，導電
性のテープまたは導電性の箔、あるいは、排気管にその
長手方向に添わせて接地された１本の導電性テープまた
は導電性の棒、あるいは相互間の導電接続もしくは導電
接続後の接地もしくはそれぞれの接地により等電位化さ
れた複数本の導電性のテープまたは導電性の棒、あるい
は、排気管の反応管出口近傍を挟み込み高周波電源の同
一極に接続されて複数の電極中の１つを構成する２個の
部分電極で構成するようにすると、排気管管路内部を簡
易に電界シールドすることができ、反応管内にプラズマ
を形成することができる。
極側から排気管管路内部に加えられる高周波電界の強度
を緩和させる電界緩和手段を備えた装置とすれば、圧力
の低い排気管部分でのプラズマ放電が生じなくなり、排
気管部分を通る電気力線上で低インピーダンス部分が生
じなくなるので、反応管内に高周波プラズマを形成させ
ることができる。イオンに比べて電子の移動速度がはる
かに大きいので、反応管の内面、また反応管内に絶縁物
があるときにはその絶縁物の表面も電子によって負に帯
電し、プラズマとの電位差が大きくなってイオンが加速
されて衝突、反応管内面あるいは絶縁物表面がスパッタ
リングされる。また、ＣＦ4 やＮＦ 3 等のエッチングガ
スを流して反応管内を低気圧雰囲気にすると、このガス
がプラズマ化，分解して反応管内面あるいは絶縁物表面
の膜と反応し、化学的エッチングも同時に行われる。こ
れにより反応管内面に付いている膜が除去できる。そこ
で電界緩和手段を排気管に巻き付けた導電性の線，導電
性のテープまたは導電性の箔、あるいは、排気管にその
長手方向に添わせて接地された１本の導電性テープまた
は導電性の棒、あるいは相互間の導電接続もしくは導電
接続後の接地もしくはそれぞれの接地により等電位化さ
れた複数本の導電性のテープまたは導電性の棒、あるい
は、排気管の反応管出口近傍を挟み込み高周波電源の同
一極に接続されて複数の電極中の１つを構成する２個の
部分電極で構成するようにすると、排気管管路内部を簡
易に電界シールドすることができ、反応管内にプラズマ
を形成することができる。
【００１２】なお、装置として、反応管内部の洗浄時に
反応管内へのエッチングガスの導入と排出とが間欠的に
行われるようにすれば、排気停止の期間では反応室内と
排気管内とで圧力差が生じなくなるので、この期間反応
室内にプラズマを形成することができる。従って排気を
停止してプラズマを形成した後ある一定の時間を経て、
プラズマ洗浄により反応室内面から除去された膜物質を
排気管から排出し、必要回数この操作を繰り返すことに
より、反応室内面のクリーニングを完了させることがで
きる。
反応管内へのエッチングガスの導入と排出とが間欠的に
行われるようにすれば、排気停止の期間では反応室内と
排気管内とで圧力差が生じなくなるので、この期間反応
室内にプラズマを形成することができる。従って排気を
停止してプラズマを形成した後ある一定の時間を経て、
プラズマ洗浄により反応室内面から除去された膜物質を
排気管から排出し、必要回数この操作を繰り返すことに
より、反応室内面のクリーニングを完了させることがで
きる。
【００１３】従って、反応管内へのエッチングガスの導
入と排気停止と複数電極を介した高周波電力の供給が同
期して行われるようにすれば、ガスや高周波電力や洗浄
時間の無駄を生じることなくクリーニングを行うことが
できる。
入と排気停止と複数電極を介した高周波電力の供給が同
期して行われるようにすれば、ガスや高周波電力や洗浄
時間の無駄を生じることなくクリーニングを行うことが
できる。
【００１４】
【実施例】図１に本発明による気相成長装置が備える電
界緩和手段の第１の実施例を示す。図は装置の平面断面
を示すものであり符号１０がクリーニング対象となる反
応管を示す。反応管１０内の２点鎖線で示した円形は、
本発明者がさきに特開昭４−１２２３１９号公報にて提
案した柱状の誘電体であり、プラズマ洗浄時に反応室内
に導入するエッチングガスの量を節約し、かつ反応室内
面とこの柱状誘電体との間の円筒状空間内にプラズマを
形成して、洗浄に与らないプラズマの生成を少なくし、
高周波電力を有効にプラズマ洗浄に利用するとともに高
周波電界の強度を高めて洗浄時間を短縮するために洗浄
時に反応室内に挿入されるものである。また、符号２
１，２２は、それぞれ図示されない共通の高周波電源の
両極に接続される棒電極であり、反応管１０の周方向に
交互に異極性となる。符号３０は排気管を示し、この排
気管３０に金属棒４０，４０が添設され、かつ互いに導
体で接続した後接地されている。これにより、排気管３
０に最も近い２本の異極性棒電極２１，２２の間の電界
を構成する電気力線中，排気管管路内部を通る電気力線
の量が激減し、排気管管路内部にはもはやプラズマは生
成されない。
界緩和手段の第１の実施例を示す。図は装置の平面断面
を示すものであり符号１０がクリーニング対象となる反
応管を示す。反応管１０内の２点鎖線で示した円形は、
本発明者がさきに特開昭４−１２２３１９号公報にて提
案した柱状の誘電体であり、プラズマ洗浄時に反応室内
に導入するエッチングガスの量を節約し、かつ反応室内
面とこの柱状誘電体との間の円筒状空間内にプラズマを
形成して、洗浄に与らないプラズマの生成を少なくし、
高周波電力を有効にプラズマ洗浄に利用するとともに高
周波電界の強度を高めて洗浄時間を短縮するために洗浄
時に反応室内に挿入されるものである。また、符号２
１，２２は、それぞれ図示されない共通の高周波電源の
両極に接続される棒電極であり、反応管１０の周方向に
交互に異極性となる。符号３０は排気管を示し、この排
気管３０に金属棒４０，４０が添設され、かつ互いに導
体で接続した後接地されている。これにより、排気管３
０に最も近い２本の異極性棒電極２１，２２の間の電界
を構成する電気力線中，排気管管路内部を通る電気力線
の量が激減し、排気管管路内部にはもはやプラズマは生
成されない。
【００１５】図２に本発明における電界緩和手段の第２
の実施例を示す。この実施例では、電界緩和手段は、排
気管の反応管出口近傍を挟み込んで高周波電源の同極に
接続された２本の電極棒２２ａ，２２ａで構成され、こ
の電極棒２２ａ，２２ａが２個の部分電極として１つの
高周波電極２２を構成する。図３に本発明における電界
緩和手段の第３の実施例を示す。この実施例では、電界
緩和手段は、排気管３０に巻き付けた金属線４１で構成
されている。この金属線４１に例えばピアノ線あるいは
燐青銅線のようなばね材を用いてコイル状のばねを形成
し、コイルの径を広げながら排気管３０に嵌め込むよう
にすれば、電界緩和手段を簡易に構成することができ、
また、図２に示した金属棒と比較して電界シールド効果
が向上する。
の実施例を示す。この実施例では、電界緩和手段は、排
気管の反応管出口近傍を挟み込んで高周波電源の同極に
接続された２本の電極棒２２ａ，２２ａで構成され、こ
の電極棒２２ａ，２２ａが２個の部分電極として１つの
高周波電極２２を構成する。図３に本発明における電界
緩和手段の第３の実施例を示す。この実施例では、電界
緩和手段は、排気管３０に巻き付けた金属線４１で構成
されている。この金属線４１に例えばピアノ線あるいは
燐青銅線のようなばね材を用いてコイル状のばねを形成
し、コイルの径を広げながら排気管３０に嵌め込むよう
にすれば、電界緩和手段を簡易に構成することができ、
また、図２に示した金属棒と比較して電界シールド効果
が向上する。
【００１６】図４は本発明による気相成長装置の別の実
施例を示すものであり、装置として、電路のＯＮ／ＯＦ
Ｆ操作を所定の時間間隔で行う，例えばサイリスタと点
滅可能に形成されたタイマとを組み合わせた制御手段が
付設されたものとして、図４のように排気の開始と停
止、ガス導入の停止と開始、高周波電力供給の停止と開
始、を同期させて行うようにすると、反応室内と排気管
内との間に圧力差が生じる時間帯がなくなり、反応室内
へのエッチングガスの導入から排気までの時間帯に高周
波電力が時間帯いっぱいに供給されるので、エッチング
ガスと高周波電力と洗浄時間とに無駄が生じることな
く、効率よく反応室内のクリーニングをすることができ
る。
施例を示すものであり、装置として、電路のＯＮ／ＯＦ
Ｆ操作を所定の時間間隔で行う，例えばサイリスタと点
滅可能に形成されたタイマとを組み合わせた制御手段が
付設されたものとして、図４のように排気の開始と停
止、ガス導入の停止と開始、高周波電力供給の停止と開
始、を同期させて行うようにすると、反応室内と排気管
内との間に圧力差が生じる時間帯がなくなり、反応室内
へのエッチングガスの導入から排気までの時間帯に高周
波電力が時間帯いっぱいに供給されるので、エッチング
ガスと高周波電力と洗浄時間とに無駄が生じることな
く、効率よく反応室内のクリーニングをすることができ
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明においては、冒頭記載の構成によ
る低気圧ＣＶＤ気相成長装置を以上のように構成したの
で、以下に記載したような効果が得られる。請求項１の
装置では、反応室内のクリーニング時にプラズマが排気
管内に形成されなくなって反応室内に形成されるので、
反応室内のプラズマ洗浄が可能になり、反応室内を効率
よく洗浄することができるようになって装置の稼働率を
向上させることができた。
る低気圧ＣＶＤ気相成長装置を以上のように構成したの
で、以下に記載したような効果が得られる。請求項１の
装置では、反応室内のクリーニング時にプラズマが排気
管内に形成されなくなって反応室内に形成されるので、
反応室内のプラズマ洗浄が可能になり、反応室内を効率
よく洗浄することができるようになって装置の稼働率を
向上させることができた。
【００１８】請求項２ないし４の装置では、本発明が目
的とした反応管内面のプラズマ洗浄を簡易にかつ安価に
実現させることができる。請求項５の装置では、反応管
内と排気管内との間に圧力差が生じない時間帯をつくり
出すことができるので、この時間帯に高周波電力の供給
が行われるようにすることによりプラズマが反応室内に
形成され、反応室内へエッチングガスを導入して効率の
よいクリーニングが可能になり、装置の稼働率が向上す
る。
的とした反応管内面のプラズマ洗浄を簡易にかつ安価に
実現させることができる。請求項５の装置では、反応管
内と排気管内との間に圧力差が生じない時間帯をつくり
出すことができるので、この時間帯に高周波電力の供給
が行われるようにすることによりプラズマが反応室内に
形成され、反応室内へエッチングガスを導入して効率の
よいクリーニングが可能になり、装置の稼働率が向上す
る。
【００１９】請求項６の装置では、プラズマ洗浄が、エ
ッチングガス，高周波電力，洗浄時間の無駄なく行われ
るメリットがある。なお、以上の説明では、低気圧ＣＶ
Ｄ気相成長装置として、反応管が縦型のものを対象とし
て説明を行ったが、反応管を水平にした横型低気圧ＣＶ
Ｄ気相成長装置でも、反応管の地上高さなど、反応管の
外側に配備される高周波電極まわりの電界に配慮したも
のであれば本発明が問題なく適用できることは明らかで
ある。
ッチングガス，高周波電力，洗浄時間の無駄なく行われ
るメリットがある。なお、以上の説明では、低気圧ＣＶ
Ｄ気相成長装置として、反応管が縦型のものを対象とし
て説明を行ったが、反応管を水平にした横型低気圧ＣＶ
Ｄ気相成長装置でも、反応管の地上高さなど、反応管の
外側に配備される高周波電極まわりの電界に配慮したも
のであれば本発明が問題なく適用できることは明らかで
ある。
【図１】本発明による気相成長装置が備える電界緩和手
段の第１の実施例を示す装置の平面断面図
段の第１の実施例を示す装置の平面断面図
【図２】本発明による気相成長装置が備える電界緩和手
段の第２の実施例を示す装置の平面断面図
段の第２の実施例を示す装置の平面断面図
【図３】本発明による気相成長装置が備える電界緩和手
段の第３の実施例を示す斜視図
段の第３の実施例を示す斜視図
【図４】本発明による気相成長装置の上記図１ないし図
３の構成と異なる構成の一実施例を、反応管内に導入し
たガスの排気開始ならびに停止の各時点、ガス導入の停
止ならびに開始の各時点、高周波電力供給の停止ならび
に開始の各時点、相互の関係で示すシーケンス図
３の構成と異なる構成の一実施例を、反応管内に導入し
たガスの排気開始ならびに停止の各時点、ガス導入の停
止ならびに開始の各時点、高周波電力供給の停止ならび
に開始の各時点、相互の関係で示すシーケンス図
【図５】従来の低気圧ＣＶＤ気相成長装置構成の一例を
示す図であって、同図（ｂ）は正面断面図、同図（ａ）
は同図（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う平面断面図
示す図であって、同図（ｂ）は正面断面図、同図（ａ）
は同図（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う平面断面図
１ 反応管 ３ ウエハ群（基板） ４ 排気管 ５ ガス導入管 ６ 電極 ７ 電極 １０ 反応管 ２１ 電極 ２２ 電極 ２２ａ 部分電極 ３０ 排気管 ４０ 金属棒（導電性の棒） ４１ 金属線（導電性の線）
Claims (6)
- 【請求項１】筒状に形成されてガス導入口と導入された
ガスを排出する排気管とを備えるとともに外側に高周波
電源に接続される複数の電極が配備される反応管を備え
てなり、基板表面に薄膜を気相成長させるときには成膜
用反応ガスがガス導入口から反応室内へ導入されて反応
管内部に配置された基板表面に薄膜を形成しつつ排気管
から外部へ排出され、反応管内部の洗浄時にはエッチン
グガスがガス導入口から反応管内へ導入され高周波電源
に接続された複数の電極が反応管内に形成する高周波電
界中でプラズマ化されて反応管内部を洗浄した後排気管
から外部へ排出される気相成長装置において、反応室外
部に配備された複数の電極側から排気管管路内部に加え
られる高周波電界の強度を緩和させる電界緩和手段を備
えていることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】請求項第１項に記載のものにおいて、電界
緩和手段が、排気管に巻き付けた導電性の線，導電性の
テープまたは導電性の箔で構成されていることを特徴と
する気相成長装置。 - 【請求項３】請求項第１項に記載のものにおいて、電界
緩和手段が、排気管にその長手方向に添わせて接地され
た１本の導電性テープまたは導電性の棒、あるいは相互
間の導電接続もしくは導電接続後の接地もしくはそれぞ
れの接地により等電位化された複数本の導電性のテープ
または導電性の棒で構成されていることを特徴とする気
相成長装置。 - 【請求項４】請求項第１項に記載のものにおいて、電界
緩和手段が、排気管の反応管出口近傍を挟み込み高周波
電源の同一極に接続されて複数の電極中の１つを構成す
る２個の部分電極で構成されていることを特徴とする気
相成長装置。 - 【請求項５】筒状に形成されてガス導入口と導入された
ガスを排出する排気管とを備えるとともに外側に高周波
電源に接続される複数の電極が配備される反応管を備え
てなり、基板表面に薄膜を気相成長させるときには成膜
用反応ガスがガス導入口から反応室内へ導入されて反応
管内部に配置された基板表面に薄膜を形成しつつ排気管
から外部へ排出され、反応管内部の洗浄時にはエッチン
グガスがガス導入口から反応管内へ導入され高周波電源
に接続された複数の電極が反応管内に形成する高周波電
界中でプラズマ化されて反応管内部を洗浄した後排気管
から外部へ排出される気相成長装置において、反応管内
部の洗浄時に反応管内へのエッチングガスの導入と排出
とが間欠的に行われることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項６】請求項第５項に記載のものにおいて、反応
管内へのエッチングガスの導入と排気停止と複数電極を
介した高周波電力の供給とが同期して行われることを特
徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28541193A JPH07142397A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28541193A JPH07142397A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142397A true JPH07142397A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17691175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28541193A Pending JPH07142397A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142397A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008229557A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Asahi Breweries Ltd | タンク洗浄システム |
| JP2011035434A (ja) * | 2002-03-28 | 2011-02-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法およびクリーニング方法 |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP28541193A patent/JPH07142397A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035434A (ja) * | 2002-03-28 | 2011-02-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法およびクリーニング方法 |
| JP2008229557A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Asahi Breweries Ltd | タンク洗浄システム |
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