JPH07140663A - 感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法及びそれを用いた電子装置の製造方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法及びそれを用いた電子装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】水系溶剤で現像可能なポジ型感光性樹脂組成物
を提供すること。 【構成】カルボン酸基を有する高分子と電磁波の照射に
より塩基を発生する光塩基発生剤を含むことを特徴とす
る感光性樹脂組成物。 【効果】水溶剤系で現像可能なポジ型感光性樹脂組成物
の提供で、環境汚染防止，作業環境の改善，適用製品の
高密度，高信頼度化が達成される。
を提供すること。 【構成】カルボン酸基を有する高分子と電磁波の照射に
より塩基を発生する光塩基発生剤を含むことを特徴とす
る感光性樹脂組成物。 【効果】水溶剤系で現像可能なポジ型感光性樹脂組成物
の提供で、環境汚染防止，作業環境の改善，適用製品の
高密度，高信頼度化が達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規な感光性樹脂組成物
及び該組成物を用いたパターン形成方法及びそれを用い
た電子装置の製造方法に関する。
及び該組成物を用いたパターン形成方法及びそれを用い
た電子装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】感光性樹脂組成物は、露光した部分がエ
ッチングされるポジ型と露光されなかった部分がエッチ
ングされるネガ型に分類される。ネガ型は現像液による
露光部の膨潤が起るため高解像度の微細加工がむずかし
い。また、環境汚染防止，作業環境改善の観点から、塩
素系溶剤や有機溶剤系の現像液を用いる感光性樹脂組成
物にはその代替えとなりうる水系溶剤系の現像液を用い
る感光性樹脂組成物の開発が強く望まれている。
ッチングされるポジ型と露光されなかった部分がエッチ
ングされるネガ型に分類される。ネガ型は現像液による
露光部の膨潤が起るため高解像度の微細加工がむずかし
い。また、環境汚染防止，作業環境改善の観点から、塩
素系溶剤や有機溶剤系の現像液を用いる感光性樹脂組成
物にはその代替えとなりうる水系溶剤系の現像液を用い
る感光性樹脂組成物の開発が強く望まれている。
【０００３】従来、有機感光性樹脂としては、耐熱性に
すぐれたポリイミド系が広く検討されている。
すぐれたポリイミド系が広く検討されている。
【０００４】例えば、ポリイミド前駆体であるポリイミ
ド酸を基板にコーティングし、熱処理を行ってポリイミ
ドに変換したのち、そのポリイミド膜上にフォトレジス
トのレリーフパターンを形成させ、ヒドラジン系エッチ
ング剤によりポリイミドを選択的にエッチングしてレリ
ーフパターンをポリイミドに転写させている。
ド酸を基板にコーティングし、熱処理を行ってポリイミ
ドに変換したのち、そのポリイミド膜上にフォトレジス
トのレリーフパターンを形成させ、ヒドラジン系エッチ
ング剤によりポリイミドを選択的にエッチングしてレリ
ーフパターンをポリイミドに転写させている。
【０００５】しかし、上記工程におけるポリイミドのパ
ターン化には、フォトレジストの塗布や剥離などの工程
が含まれるため、プロセスが非常に煩雑となる。また、
レリーフパターンをレジストを介して転写することによ
る寸法精度の低下が起こる。従って、微細加工工程の簡
略化や高精度化を図るため、直接光で微細加工可能な耐
熱材料の開発が望まれていた。
ターン化には、フォトレジストの塗布や剥離などの工程
が含まれるため、プロセスが非常に煩雑となる。また、
レリーフパターンをレジストを介して転写することによ
る寸法精度の低下が起こる。従って、微細加工工程の簡
略化や高精度化を図るため、直接光で微細加工可能な耐
熱材料の開発が望まれていた。
【０００６】上記目的のための材料として、ポリアミド
酸と重クロム酸塩からなる感光性耐熱材料(特公昭49−1
7374号公報），ピロメリット酸誘導体から誘導される感
光性ポリアミド酸（特開昭49−112241号公報），ポリア
ミド酸と不飽和アミンから成る感光性耐熱材料（特開昭
54−145794号公報），ポリアミド酸と飽和エポキシを反
応させて成る感光性耐熱材料（特開昭55−45746 号公
報）などの材料が提案された。しかしながら、上記の感
光材料はすべて架橋反応を用いたネガ型である。架橋反
応を用いた感光材料は、前述のように現像液による露光
部の膨潤が起こるために高解像度の微細加工を行う上で
不利となる。一方、ポジ型の感光性耐熱材料としては、
ポジ型感光性耐熱材料（特公平1−59571 号公報），
（特開昭62−229242号）等が提案されている。
酸と重クロム酸塩からなる感光性耐熱材料(特公昭49−1
7374号公報），ピロメリット酸誘導体から誘導される感
光性ポリアミド酸（特開昭49−112241号公報），ポリア
ミド酸と不飽和アミンから成る感光性耐熱材料（特開昭
54−145794号公報），ポリアミド酸と飽和エポキシを反
応させて成る感光性耐熱材料（特開昭55−45746 号公
報）などの材料が提案された。しかしながら、上記の感
光材料はすべて架橋反応を用いたネガ型である。架橋反
応を用いた感光材料は、前述のように現像液による露光
部の膨潤が起こるために高解像度の微細加工を行う上で
不利となる。一方、ポジ型の感光性耐熱材料としては、
ポジ型感光性耐熱材料（特公平1−59571 号公報），
（特開昭62−229242号）等が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ポジ型感光性耐熱材料を得るには、酸塩化物をモノマー
として用いる必要があるため、合成に際しては反応温
度，水分の除去など条件を厳密に制御する必要がある。
また生成した前駆体についても塩素イオンの除去が必要
となるなど純度の点で問題がある。また上記ポジ型感光
性耐熱材料は感光基がポリイミド前駆体に強固な共有結
合で付加されているために、イミド化過程で脱離しにく
く、膜特性に悪影響を与えるなどの問題がある。また、
現像特性についても不十分であった。
ポジ型感光性耐熱材料を得るには、酸塩化物をモノマー
として用いる必要があるため、合成に際しては反応温
度，水分の除去など条件を厳密に制御する必要がある。
また生成した前駆体についても塩素イオンの除去が必要
となるなど純度の点で問題がある。また上記ポジ型感光
性耐熱材料は感光基がポリイミド前駆体に強固な共有結
合で付加されているために、イミド化過程で脱離しにく
く、膜特性に悪影響を与えるなどの問題がある。また、
現像特性についても不十分であった。
【０００８】本発明は、上記問題を解決しうる水系溶剤
で現像可能なポジ型感光性樹脂組成物及び該組成物を用
いたパターン形成方法及びそれを用いた電子装置の製造
方法を提供することを目的とする。
で現像可能なポジ型感光性樹脂組成物及び該組成物を用
いたパターン形成方法及びそれを用いた電子装置の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、技術的手段が用いられる。その第１の手
段は、一般式（Ｉ）
成するために、技術的手段が用いられる。その第１の手
段は、一般式（Ｉ）
【００１０】
【化１１】
【００１１】（式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは
10〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされる重
合体の全重量に対してカルボキシル基の割合が２０重量
％以上であり、数平均分子量が10,000〜1,000,000 のカ
ルボン酸重合体（イ）と、電磁波の照射により塩基を発
生する光塩基発生剤（ロ）を前記カルボキシル基に対し
て０.２〜２.０モル当量含むことを特徴とする感光性樹
脂組成物。
10〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされる重
合体の全重量に対してカルボキシル基の割合が２０重量
％以上であり、数平均分子量が10,000〜1,000,000 のカ
ルボン酸重合体（イ）と、電磁波の照射により塩基を発
生する光塩基発生剤（ロ）を前記カルボキシル基に対し
て０.２〜２.０モル当量含むことを特徴とする感光性樹
脂組成物。
【００１２】第２の手段は、カルボキシル基を含む重合
体と、一般式（III）
体と、一般式（III）
【００１３】
【化１２】
【００１４】（式中、Ｒ4 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。ｐは０〜４の整数
である。また、Ｒ5，Ｒ6は炭素数１２以下の有機基、Ｒ
7 は水素又は炭素数１０以下の有機基である。）で表わ
される化合物を含み、水に溶解性のポジ型感光性樹脂組
成物。
素，ハロゲン原子のいずれかである。ｐは０〜４の整数
である。また、Ｒ5，Ｒ6は炭素数１２以下の有機基、Ｒ
7 は水素又は炭素数１０以下の有機基である。）で表わ
される化合物を含み、水に溶解性のポジ型感光性樹脂組
成物。
【００１５】第３の手段はカルボキシル基を含む化合物
と塩基発生剤を含み、電磁波照射によってパターン形成
可能なことを特徴とする組成物。
と塩基発生剤を含み、電磁波照射によってパターン形成
可能なことを特徴とする組成物。
【００１６】第４の手段は一般式（Ｉ）
【００１７】
【化１３】
【００１８】（式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは
10〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされる重
合体の全重量に対してカルボキシル基の割合が２０重量
％以上であり、数平均分子量が10,000〜1,000,000 のカ
ルボン酸重合体（イ）と、電磁波の照射により塩基を発
生する光塩基発生剤（ロ）を前記カルボキシル基に対し
て０.２〜２.０モル当量含む感光性樹脂組成物を基板上
に塗布し、乾燥する工程，遮光性マスクを介して光露光
する工程，水溶剤中で現像する工程を含むことを特徴と
するパターン形成方法。
10〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされる重
合体の全重量に対してカルボキシル基の割合が２０重量
％以上であり、数平均分子量が10,000〜1,000,000 のカ
ルボン酸重合体（イ）と、電磁波の照射により塩基を発
生する光塩基発生剤（ロ）を前記カルボキシル基に対し
て０.２〜２.０モル当量含む感光性樹脂組成物を基板上
に塗布し、乾燥する工程，遮光性マスクを介して光露光
する工程，水溶剤中で現像する工程を含むことを特徴と
するパターン形成方法。
【００１９】第５の手段は一般式（Ｉ）
【００２０】
【化１４】
【００２１】（式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは
１０〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，
水素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされる
カルボン酸重合体を含む樹脂成分の全重量に対してカル
ボキシル基の割合が２０重量％以上であり、数平均分子
量が10,000〜1,000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、
電磁波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）
を前記カルボキシル基に対して０.２〜２.０モル当量含
むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
１０〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，
水素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされる
カルボン酸重合体を含む樹脂成分の全重量に対してカル
ボキシル基の割合が２０重量％以上であり、数平均分子
量が10,000〜1,000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、
電磁波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）
を前記カルボキシル基に対して０.２〜２.０モル当量含
むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
【００２２】第６の手段は、一般式（Ｉ）
【００２３】
【化１５】
【００２４】（式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは
10〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされるカ
ルボン酸重合体を含む樹脂成分の全重量に対してカルボ
キシル基の割合が ２０重量％以上であり、数平均分子
量が10,000〜1,000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、
電磁波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）
を前記カルボキシル基に対して０.２〜２.０モル当量含
む感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、乾燥する工程，
遮光性マスクを介して光露光する工程，水中で現像する
工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
10〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされるカ
ルボン酸重合体を含む樹脂成分の全重量に対してカルボ
キシル基の割合が ２０重量％以上であり、数平均分子
量が10,000〜1,000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、
電磁波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）
を前記カルボキシル基に対して０.２〜２.０モル当量含
む感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、乾燥する工程，
遮光性マスクを介して光露光する工程，水中で現像する
工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【００２５】第７の手段は、(a）基板上に第１の配線を
形成した配線シートを形成する工程、(b）前記基板と配
線間および配線上に接着層を形成する工程、(c）前記接
着層を介して第２の配線を形成した配線シートを積層す
る工程、(d）前記積層した配線シートを加圧，加熱して
接着層を硬化し、前記第１の配線と第２の配線を接続す
る工程、を含む多層配線回路板の製法において、前記第
１の配線及び第２の配線の形成工程が、一般式（Ｉ）
形成した配線シートを形成する工程、(b）前記基板と配
線間および配線上に接着層を形成する工程、(c）前記接
着層を介して第２の配線を形成した配線シートを積層す
る工程、(d）前記積層した配線シートを加圧，加熱して
接着層を硬化し、前記第１の配線と第２の配線を接続す
る工程、を含む多層配線回路板の製法において、前記第
１の配線及び第２の配線の形成工程が、一般式（Ｉ）
【００２６】
【化１６】
【００２７】（式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは
10〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされるカ
ルボン酸重合体を含む樹脂成分の全重量に対してカルボ
キシル基の割合が２０重量％以上であり、数平均分子量
が10,000〜1,000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、電
磁波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）を
前記カルボキシル基に対して０.２〜２.０モル当量含む
ことを特徴とする感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、
乾燥する工程，遮光性マスクを介して光露光する工程，
水溶剤中で現像する工程を含むことを特徴とする多層配
線回路板の製法。
10〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされるカ
ルボン酸重合体を含む樹脂成分の全重量に対してカルボ
キシル基の割合が２０重量％以上であり、数平均分子量
が10,000〜1,000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、電
磁波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）を
前記カルボキシル基に対して０.２〜２.０モル当量含む
ことを特徴とする感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、
乾燥する工程，遮光性マスクを介して光露光する工程，
水溶剤中で現像する工程を含むことを特徴とする多層配
線回路板の製法。
【００２８】第８の発明は、大規模集積回路における回
路形成手段が、一般式（Ｉ）
路形成手段が、一般式（Ｉ）
【００２９】
【化１７】
【００３０】（式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは
10〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされるカ
ルボン酸重合体を含む樹脂成分の全重量に対してカルボ
キシル基の割合が ２０重量％以上であり、数平均分子
量が10,000〜1,000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、
電磁波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）
を前記カルボキシル基に対して０.２〜２.０モル当量含
む感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、乾燥する工程，
遮光性マスクを介して光露光する工程，水中で現像する
工程を含むことを特徴とする大規模集積回路及び第３の
手段により提供される組成物を用いることを特徴とする
液晶配向膜パターンの形成方法を提供することにある。
10〜200,000 の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。）で表わされるカ
ルボン酸重合体を含む樹脂成分の全重量に対してカルボ
キシル基の割合が ２０重量％以上であり、数平均分子
量が10,000〜1,000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、
電磁波の照射により塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）
を前記カルボキシル基に対して０.２〜２.０モル当量含
む感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、乾燥する工程，
遮光性マスクを介して光露光する工程，水中で現像する
工程を含むことを特徴とする大規模集積回路及び第３の
手段により提供される組成物を用いることを特徴とする
液晶配向膜パターンの形成方法を提供することにある。
【００３１】本発明において、前記一般式(Ｉ)の構造中
のカルボン酸基を有する分子の溶解度が、塩基の存在に
よって大きく変化することを利用し達成されたものであ
る。従って、構造中にカルボン酸基を有するものであれ
ば適用可能である。カルボン酸の数平均分子量として
は、レリーフパターンの機械特性を考慮した場合10000
以上であることが望ましい、分子量の上限については特
に制限はないが、溶剤への溶解しやすさを考えた場合は
1000000 以下であることが望ましい。
のカルボン酸基を有する分子の溶解度が、塩基の存在に
よって大きく変化することを利用し達成されたものであ
る。従って、構造中にカルボン酸基を有するものであれ
ば適用可能である。カルボン酸の数平均分子量として
は、レリーフパターンの機械特性を考慮した場合10000
以上であることが望ましい、分子量の上限については特
に制限はないが、溶剤への溶解しやすさを考えた場合は
1000000 以下であることが望ましい。
【００３２】連鎖重合によってカルボン酸基を有する高
分子構造を与える繰り返し単位としては、高分子データ
ハンドブック基礎編（高分子学会編，培風館，１９８
６）表９．１記載のポリアクリル酸及びポリアクリル酸
アルキル誘導体、表１４．１記載のマレイン酸及びその
誘導体、アレイン酸フルオロアルキル及び酢酸ビニルな
どがあげられる。ここにあげたモノマーの重合体及びこ
こにあげたモノマーを共重合成分とする高分子であれ
ば、そのまま本発明を適用することができる。また、重
合時のモノマーにカルボン酸基を含まない高分子であっ
ても、化学修飾によってカルボン酸基を導入することに
よって、本発明が適用可能になる。
分子構造を与える繰り返し単位としては、高分子データ
ハンドブック基礎編（高分子学会編，培風館，１９８
６）表９．１記載のポリアクリル酸及びポリアクリル酸
アルキル誘導体、表１４．１記載のマレイン酸及びその
誘導体、アレイン酸フルオロアルキル及び酢酸ビニルな
どがあげられる。ここにあげたモノマーの重合体及びこ
こにあげたモノマーを共重合成分とする高分子であれ
ば、そのまま本発明を適用することができる。また、重
合時のモノマーにカルボン酸基を含まない高分子であっ
ても、化学修飾によってカルボン酸基を導入することに
よって、本発明が適用可能になる。
【００３３】また、前記一般式（Ｉ）が、一般式（II）
【００３４】
【化１８】
【００３５】（式中、Ｒ1 は前記と同じである。Ｒ2 は
炭素数２以上の有機基、Ｒ3 は炭素数４以上の有機基で
ある。ｎは前記と同じである。）である場合に、本発明
の効果がより高く発揮される。
炭素数２以上の有機基、Ｒ3 は炭素数４以上の有機基で
ある。ｎは前記と同じである。）である場合に、本発明
の効果がより高く発揮される。
【００３６】例えば、縮重合型の高分子としてはポリア
ミド酸やキチンがカルボン酸基を有する代表的高分子と
して挙げることができる。特に、ポリアミド酸に本発明
に適用した場合はレリーフ像を形成した後に、加熱また
は化学的にイミド化しポリイミドに変換することによっ
て、耐熱性，耐薬品性に優れたレリーフ像を得ることが
できるため、ＬＳＩの保護膜，配線基板の絶縁膜等とし
て優れた性能を発揮する。本発明で用いるポリアミド酸
はジアミンあるいはジイソシアネートと、テトラカルボ
ン酸及びその誘導体の反応によって得られる。テトラカ
ルボン酸誘導体としては、酸無水物，酸塩水物などがあ
る。酸無水物を用いると、反応性や副生成物などの点で
好ましい。本発明で用いられるジアミンと酸無水物誘導
体としては、公開特許公報昭61−181829号記載の物など
が例として挙げられる。
ミド酸やキチンがカルボン酸基を有する代表的高分子と
して挙げることができる。特に、ポリアミド酸に本発明
に適用した場合はレリーフ像を形成した後に、加熱また
は化学的にイミド化しポリイミドに変換することによっ
て、耐熱性，耐薬品性に優れたレリーフ像を得ることが
できるため、ＬＳＩの保護膜，配線基板の絶縁膜等とし
て優れた性能を発揮する。本発明で用いるポリアミド酸
はジアミンあるいはジイソシアネートと、テトラカルボ
ン酸及びその誘導体の反応によって得られる。テトラカ
ルボン酸誘導体としては、酸無水物，酸塩水物などがあ
る。酸無水物を用いると、反応性や副生成物などの点で
好ましい。本発明で用いられるジアミンと酸無水物誘導
体としては、公開特許公報昭61−181829号記載の物など
が例として挙げられる。
【００３７】本発明において、前記塩基発生剤（ロ）
が、一般式（III）
が、一般式（III）
【００３８】
【化１９】
【００３９】（式中、Ｒ4 は炭素数１以上の有機基，水
素，ハロゲン原子のいずれかである。ｐは０〜４の整数
である。また、Ｒ5 ，Ｒ6 は炭素数１２以下の有機基、
Ｒ7は水素又は炭素数１０以下の有機基である。）で表
わされる化合物を使用される場合に、本発明の効果がよ
り高く発揮される。
素，ハロゲン原子のいずれかである。ｐは０〜４の整数
である。また、Ｒ5 ，Ｒ6 は炭素数１２以下の有機基、
Ｒ7は水素又は炭素数１０以下の有機基である。）で表
わされる化合物を使用される場合に、本発明の効果がよ
り高く発揮される。
【００４０】具体的化合物としては、シクロヘキシルパ
ラトルエンスルホニルアミン、［［（３，５−ジメチル
ベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミ
ン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボ
ニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２，６−ジニ
トロフェニル）−１−メチルメトキシ］カルボニル］シ
クロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２，６−ジニトロフェ
ニル）−１−（２′，６′−ジニトロフェニル）メトキ
シ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２
−ニトロフェニル）−１−（２′−ニトロフェニル）メ
トキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（２
−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシ
ルアミン、Ｎ−［［（２−ニトロフェニル）−１−メチ
ルメトキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、
［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペ
リジン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カル
ボニル］ヘキサン１，６−ジアミンなどが挙げられる。
これらの化合法と構造については、J.Am.Chem.Soc.199
1，113，4303−4313，Fahey，J．T．and Frechet J.M.
J.(1991)Proc.SPIE，1466，67，Frecheｔ，J.M.J.,Stan
ciulescu，M.,Lizawa，T.,and Willson，C.G.,(1989)Pr
oc.ACS Div.Polym.Mater.Sci.Eng.,60，170．Grazian
o，K.A.,Thompson,S.D.,and Winkle,M.R.(1990)Proc.SP
IE,1466，75．などに記載されており、この分野の研究
者であれば必要とする塩基発生剤を容易に合成可能であ
る。また、コバルト（III）アミン塩，コバルト（III）
アルキルアミン塩、α−ケトカルボン酸アンモニウム
塩，フェニルグリオキシ酸アンモニウム塩、４−メチル
フェニルスルホンアミド、Ｎ−シクロヘキシル−４−メ
チルフェニルスルホンアミドなども有用である。これら
の化合物はいずれも電磁波の照射により分解し塩基を発
生する。これらのうち化３式で表される塩基発生剤は、
発生効率が高くすぐれた特性を得る。構造式中Ｒ7 で表
される基はレリーフパターン形成時の膜ベりの点から、
炭素数１０以下の有機基であることが望ましい。また、
本発明で用いる光塩基発生剤は上記の構造に拘らず、電
磁波の照射によって水溶性の脂肪族アミンを発生するも
のであれば用いることができる。塩形成によって水溶性
を得るためには、一般に炭素数１２以下のアミンが望ま
しい。本発明において、電磁波とは波長が１０μｍ〜１
ｎｍ、好ましくは２００〜９００ｎｍの光線を用いるこ
とが望ましい。
ラトルエンスルホニルアミン、［［（３，５−ジメチル
ベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミ
ン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボ
ニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２，６−ジニ
トロフェニル）−１−メチルメトキシ］カルボニル］シ
クロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２，６−ジニトロフェ
ニル）−１−（２′，６′−ジニトロフェニル）メトキ
シ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２
−ニトロフェニル）−１−（２′−ニトロフェニル）メ
トキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（２
−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシ
ルアミン、Ｎ−［［（２−ニトロフェニル）−１−メチ
ルメトキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、
［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペ
リジン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カル
ボニル］ヘキサン１，６−ジアミンなどが挙げられる。
これらの化合法と構造については、J.Am.Chem.Soc.199
1，113，4303−4313，Fahey，J．T．and Frechet J.M.
J.(1991)Proc.SPIE，1466，67，Frecheｔ，J.M.J.,Stan
ciulescu，M.,Lizawa，T.,and Willson，C.G.,(1989)Pr
oc.ACS Div.Polym.Mater.Sci.Eng.,60，170．Grazian
o，K.A.,Thompson,S.D.,and Winkle,M.R.(1990)Proc.SP
IE,1466，75．などに記載されており、この分野の研究
者であれば必要とする塩基発生剤を容易に合成可能であ
る。また、コバルト（III）アミン塩，コバルト（III）
アルキルアミン塩、α−ケトカルボン酸アンモニウム
塩，フェニルグリオキシ酸アンモニウム塩、４−メチル
フェニルスルホンアミド、Ｎ−シクロヘキシル−４−メ
チルフェニルスルホンアミドなども有用である。これら
の化合物はいずれも電磁波の照射により分解し塩基を発
生する。これらのうち化３式で表される塩基発生剤は、
発生効率が高くすぐれた特性を得る。構造式中Ｒ7 で表
される基はレリーフパターン形成時の膜ベりの点から、
炭素数１０以下の有機基であることが望ましい。また、
本発明で用いる光塩基発生剤は上記の構造に拘らず、電
磁波の照射によって水溶性の脂肪族アミンを発生するも
のであれば用いることができる。塩形成によって水溶性
を得るためには、一般に炭素数１２以下のアミンが望ま
しい。本発明において、電磁波とは波長が１０μｍ〜１
ｎｍ、好ましくは２００〜９００ｎｍの光線を用いるこ
とが望ましい。
【００４１】本発明は、上記常法によって合成されたポ
リアミド酸と塩基発生剤を混合することによって容易に
達成される。本発明において三重項増感剤との併用、各
種アミン化合物からなる密着向上剤，界面活性剤等との
併用が可能であることは言うまでもない。
リアミド酸と塩基発生剤を混合することによって容易に
達成される。本発明において三重項増感剤との併用、各
種アミン化合物からなる密着向上剤，界面活性剤等との
併用が可能であることは言うまでもない。
【００４２】光照射によって発生した塩基は、高分子中
のカルボン酸塩と反応し、高分子の溶解性を変化させ
る。すなわち塩基とカルボン酸が反応し塩を形成した部
分は水に対する溶解性が向上し、有機溶剤に対する溶解
性が低下する。これにより、極性の高い水溶剤を現像液
として用いた場合はポジ像が得られ、有機溶剤を現像液
として用いた場合はネガ像を得ることが可能になる。カ
ルボン酸基と発生した塩基の結合は弱いためイミド化過
程で容易に脱離し優れた膜質のレリーフパターンを与え
ることが可能となる。上記レリーフパターンは塩形成に
基づくため、樹脂組成物中のカルボン酸と塩基発生剤の
量が重要となる。これらの配合量について検討した結
果、カルボン酸が全樹脂成分に対して２０重量％以上と
した場合に良好なレリーフパターンが得られることが分
かった。また塩基発生剤の量が、カルボン酸に対して
０.２から２.０モル当量の場合に良好なレリーフパター
ンが得られることが分かった。０.２モル当量以下およ
び２.０モル当量以上の場合には、いずれも良好なレリ
ーフパターンを得ることができなかった。
のカルボン酸塩と反応し、高分子の溶解性を変化させ
る。すなわち塩基とカルボン酸が反応し塩を形成した部
分は水に対する溶解性が向上し、有機溶剤に対する溶解
性が低下する。これにより、極性の高い水溶剤を現像液
として用いた場合はポジ像が得られ、有機溶剤を現像液
として用いた場合はネガ像を得ることが可能になる。カ
ルボン酸基と発生した塩基の結合は弱いためイミド化過
程で容易に脱離し優れた膜質のレリーフパターンを与え
ることが可能となる。上記レリーフパターンは塩形成に
基づくため、樹脂組成物中のカルボン酸と塩基発生剤の
量が重要となる。これらの配合量について検討した結
果、カルボン酸が全樹脂成分に対して２０重量％以上と
した場合に良好なレリーフパターンが得られることが分
かった。また塩基発生剤の量が、カルボン酸に対して
０.２から２.０モル当量の場合に良好なレリーフパター
ンが得られることが分かった。０.２モル当量以下およ
び２.０モル当量以上の場合には、いずれも良好なレリ
ーフパターンを得ることができなかった。
【００４３】
【作用】光照射によって発生した塩基は、高分子中のカ
ルボン酸基と反応し、高分子の水に対する溶解性を変化
させ、未露光部との間での現像を可能にする。カルボン
酸塩と生成した塩基あるいはカルボン酸基と塩基発生剤
の結合は弱いためで容易に脱離し優れた膜質のレリーフ
パターンを与える。
ルボン酸基と反応し、高分子の水に対する溶解性を変化
させ、未露光部との間での現像を可能にする。カルボン
酸塩と生成した塩基あるいはカルボン酸基と塩基発生剤
の結合は弱いためで容易に脱離し優れた膜質のレリーフ
パターンを与える。
【００４４】
（実施例１）３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と当量のｐ−フェニレン
ジアミン（ＰＤＡ）をＮ−メチル−２−ピロリドン中で
反応させ、固形分含量１０重量％のポリアミド酸溶液を
得た。このポリアミド酸溶液に、ＢＰＤＡと当量の
［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニ
ル］シクロヘキシルアミンを加え感光性樹脂組成物を得
た。この感光性樹脂組成物をスピンコート法によってガ
ラス基板上に塗布し、１００℃で乾燥し、遮光性マスク
を介して高圧水銀灯で露光した。このフィルムを水中で
現像したところ、未露後部をほとんど侵食することなく
レリーフパターンを得ることができた。更に３００℃で
１時間熱処理し、強靭なレリーフパターンを得ることが
できた。
ルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と当量のｐ−フェニレン
ジアミン（ＰＤＡ）をＮ−メチル−２−ピロリドン中で
反応させ、固形分含量１０重量％のポリアミド酸溶液を
得た。このポリアミド酸溶液に、ＢＰＤＡと当量の
［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニ
ル］シクロヘキシルアミンを加え感光性樹脂組成物を得
た。この感光性樹脂組成物をスピンコート法によってガ
ラス基板上に塗布し、１００℃で乾燥し、遮光性マスク
を介して高圧水銀灯で露光した。このフィルムを水中で
現像したところ、未露後部をほとんど侵食することなく
レリーフパターンを得ることができた。更に３００℃で
１時間熱処理し、強靭なレリーフパターンを得ることが
できた。
【００４５】（実施例２−５）［［（２，６−ジニトロ
ベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン
の量をＢＰＤＡの０.３，０.５，２.０，３.０当量と変
化させ実施例１と同様の検討を行った。その結果、実施
例１と同様未露後部をほとんど侵食することなくレリー
フパタンを得ることができた。
ベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン
の量をＢＰＤＡの０.３，０.５，２.０，３.０当量と変
化させ実施例１と同様の検討を行った。その結果、実施
例１と同様未露後部をほとんど侵食することなくレリー
フパタンを得ることができた。
【００４６】（実施例６）［［（２，６−ジニトロベン
ジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンをＮ
−［［(２，６−ジニトロフェニル)−１−メチルメトキ
シ］カルボニル］シクロヘキシルアミンに変えて実施例
１と同様の検討を行った。その結果、実施例１と同様未
露後部をほとんど侵食することなくレリーフパターンを
得ることができた。
ジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンをＮ
−［［(２，６−ジニトロフェニル)−１−メチルメトキ
シ］カルボニル］シクロヘキシルアミンに変えて実施例
１と同様の検討を行った。その結果、実施例１と同様未
露後部をほとんど侵食することなくレリーフパターンを
得ることができた。
【００４７】（実施例７）［［（２，６−ジニトロベン
ジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンをＮ
−［［（２，６−ジニトロフェニル）−１−（２′，
６′−ジニトロフェニル）メトキシ］カルボニル］シク
ロヘキシルアミンに変えて実施例１と同様の検討を行っ
た。その結果、実施例１と同様未露後部をほとんど侵食
することなくレリーフパターンを得ることができた。
ジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンをＮ
−［［（２，６−ジニトロフェニル）−１−（２′，
６′−ジニトロフェニル）メトキシ］カルボニル］シク
ロヘキシルアミンに変えて実施例１と同様の検討を行っ
た。その結果、実施例１と同様未露後部をほとんど侵食
することなくレリーフパターンを得ることができた。
【００４８】（実施例８）［［（２，６−ジニトロベン
ジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンをＮ
−［［(２−ニトロフェニル)−１−（２′−ニトロフェ
ニル）メトキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンに
変えて実施例１と同様の検討を行った。その結果、実施
例１と同様未露後部をほとんど侵食することなくレリー
フパターンを得ることができた。
ジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンをＮ
−［［(２−ニトロフェニル)−１−（２′−ニトロフェ
ニル）メトキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンに
変えて実施例１と同様の検討を行った。その結果、実施
例１と同様未露後部をほとんど侵食することなくレリー
フパターンを得ることができた。
【００４９】（実施例９）ＢＰＤＡをベンゾフエノンテ
トラカルボン酸二無水物に変えて実施例１と同様の検討
を行った。その結果、実施例１と同様未露後部をほとん
ど侵食することなくレリーフパターンを得ることができ
た。
トラカルボン酸二無水物に変えて実施例１と同様の検討
を行った。その結果、実施例１と同様未露後部をほとん
ど侵食することなくレリーフパターンを得ることができ
た。
【００５０】（実施例１０）ＢＰＤＡをピロメリティッ
ク酸二無水物（ＰＭＤＡ）に変えて実施例１と同様の検
討を行った。その結果、実施例１と同様未露後部をほと
んど侵食することなくレリーフパターンを得ることがで
きた。
ク酸二無水物（ＰＭＤＡ）に変えて実施例１と同様の検
討を行った。その結果、実施例１と同様未露後部をほと
んど侵食することなくレリーフパターンを得ることがで
きた。
【００５１】（実施例１１）ＢＰＤＡをピロメリティッ
ク酸二無水物（ＰＭＤＡ）に変え、ＰＤＡをオキシジア
ニリン（ＯＤＡ）に変えて実施例１と同様の検討を行っ
た。その結果、実施例１と同様未露後部をほとんど侵食
することなくレリーフパターンを得ることができた。
ク酸二無水物（ＰＭＤＡ）に変え、ＰＤＡをオキシジア
ニリン（ＯＤＡ）に変えて実施例１と同様の検討を行っ
た。その結果、実施例１と同様未露後部をほとんど侵食
することなくレリーフパターンを得ることができた。
【００５２】（比較例１）［［（２，６−ジニトロベン
ジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンを加
えずに、実施例１と同様の検討を行った結果、露光部，
未露光部とも侵食されなかった。
ジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンを加
えずに、実施例１と同様の検討を行った結果、露光部，
未露光部とも侵食されなかった。
【００５３】（実施例１２）３，３′，４，４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と当量の
ｐ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）をＮ−メチル−２−
ピロリドン中で反応させ、固形分含量１０重量％のポリ
アミド酸溶液を得た。このポリアミド酸溶液に、ＢＰＤ
Ａと当量の［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］
カルボニル］シクロヘキシルアミンを加え露光性樹脂組
成物を得た。この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってガラス基板上に塗布し、１００℃で乾燥し、遮光
性マスクを介して高圧水銀灯で露光した。このフィルム
をＮ−メチル−２−ピロリドンで現像したところ、露後
部をほとんど侵食することなくレリーフパターンを得る
ことができた。更に３００℃で１時間熱処理し、強靭な
レリーフパターンを得ることができた。
ェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と当量の
ｐ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）をＮ−メチル−２−
ピロリドン中で反応させ、固形分含量１０重量％のポリ
アミド酸溶液を得た。このポリアミド酸溶液に、ＢＰＤ
Ａと当量の［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］
カルボニル］シクロヘキシルアミンを加え露光性樹脂組
成物を得た。この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってガラス基板上に塗布し、１００℃で乾燥し、遮光
性マスクを介して高圧水銀灯で露光した。このフィルム
をＮ−メチル−２−ピロリドンで現像したところ、露後
部をほとんど侵食することなくレリーフパターンを得る
ことができた。更に３００℃で１時間熱処理し、強靭な
レリーフパターンを得ることができた。
【００５４】（実施例１３−１６）［［（２，６−ジニ
トロベンジン）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルア
ミンの量をＢＰＤＡの０.３，０.５，１.５０，２.０当
量と変化させ実施例１３と同様の検討を行った。その結
果、実施例１２と同様露後部をほとんど侵食することな
くレリーフパターンを得ることができた。
トロベンジン）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルア
ミンの量をＢＰＤＡの０.３，０.５，１.５０，２.０当
量と変化させ実施例１３と同様の検討を行った。その結
果、実施例１２と同様露後部をほとんど侵食することな
くレリーフパターンを得ることができた。
【００５５】（実施例１７）現像液をＮＭＰに変えて実
施例１と同様の実験を行った結果、露光部をほとんど侵
食することなくレリーフパターンを得ることが出来た。
さらに、３００℃で１時間熱処理し、厚さ５μｍ，線幅
５μｍのレリーフパターンを得ることが出来た。
施例１と同様の実験を行った結果、露光部をほとんど侵
食することなくレリーフパターンを得ることが出来た。
さらに、３００℃で１時間熱処理し、厚さ５μｍ，線幅
５μｍのレリーフパターンを得ることが出来た。
【００５６】（実施例１８）実施例１１の感光性樹脂組
成物をＬＳＩの配線形成が終了したシリコンウエハー上
に塗布露光し実施例１と同様にしてバファーコート膜を
形成した。現像工程で有機溶剤を用いないために、排気
設備，配溶剤処理の負担が大幅に軽減された。得られた
ＬＳＩチップをモールドした後はんだ耐熱試験を行った
結果、膨れの発生が見られず耐熱性の優れたＬＳＩパッ
ケージを得られた。
成物をＬＳＩの配線形成が終了したシリコンウエハー上
に塗布露光し実施例１と同様にしてバファーコート膜を
形成した。現像工程で有機溶剤を用いないために、排気
設備，配溶剤処理の負担が大幅に軽減された。得られた
ＬＳＩチップをモールドした後はんだ耐熱試験を行った
結果、膨れの発生が見られず耐熱性の優れたＬＳＩパッ
ケージを得られた。
【００５７】（実施例１９）現像液をＮＭＰに変えて、
実施例１８と同様にＬＳＩ上にバファーコート膜を形成
した。この際マスクは実施例１８の場合を用いたものと
ネガポジ反転されたものを用いた。得られたＬＳＩチッ
プをモールドした後はんだ耐熱試験を行った結果、膨れ
の発生が見られず耐熱性の優れたＬＳＩパッケージを得
られた。
実施例１８と同様にＬＳＩ上にバファーコート膜を形成
した。この際マスクは実施例１８の場合を用いたものと
ネガポジ反転されたものを用いた。得られたＬＳＩチッ
プをモールドした後はんだ耐熱試験を行った結果、膨れ
の発生が見られず耐熱性の優れたＬＳＩパッケージを得
られた。
【００５８】（比較例２）実施例１１のポリアミド酸溶
液（塩基発生剤を含まない）を用いてバファーコート膜
を形成した、パターンを形成のためのレジストは東京応
化成社製ＯＦＰＲ８０００をもちいた。得られたＬＳＩ
チップをモールドした後はんだ耐熱試験を行った結果、
膨れの発生が得られた。
液（塩基発生剤を含まない）を用いてバファーコート膜
を形成した、パターンを形成のためのレジストは東京応
化成社製ＯＦＰＲ８０００をもちいた。得られたＬＳＩ
チップをモールドした後はんだ耐熱試験を行った結果、
膨れの発生が得られた。
【００５９】（比較例３）日立化成社製を用いてバファ
ーコート膜を形成した、現像液としてはＮＭＰと水の混
合溶媒を用いた。
ーコート膜を形成した、現像液としてはＮＭＰと水の混
合溶媒を用いた。
【００６０】
【発明の効果】本発明は、容易にしかも広範囲の水系溶
剤で現像可能なポジ型感光性樹脂組成物を与え、その工
業的価値は大きい。
剤で現像可能なポジ型感光性樹脂組成物を与え、その工
業的価値は大きい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 美奈 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 昭雄 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 沼田 俊一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (14)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは10〜200,000
の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水素，ハロゲン
原子のいずれかである。）で表わされる重合体の全重量
に対してカルボキシル基の割合が２０重量％以上であ
り、数平均分子量が10,000〜1,000,000 のカルボン酸重
合体（イ）と、電磁波の照射により塩基を発生する光塩
基発生剤（ロ）を前記カルボキシル基に対して０.２〜
２.０モル当量含むことを特徴とする感光性樹脂組成
物。 - 【請求項２】前記一般式（Ｉ）が、一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ1 は前記と同じである。Ｒ2 は炭素数２以上
の有機基、Ｒ3 は炭素数４以上の有機基である。ｎは前
記と同じである。）であることを特徴とする請求項１に
記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項３】前記塩基発生剤（ロ）が、一般式（III） 【化３】 （式中、Ｒ4 は炭素数１以上の有機基，水素，ハロゲン
原子のいずれかである。ｐは０〜４の整数である。ま
た、Ｒ5，Ｒ6は炭素数１２以下の有機基、Ｒ7 は水素又
は炭素数１０以下の有機基である。）で表わされること
を特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項４】カルボキシル基を含む重合体と、一般式
（III） 【化４】 （式中、Ｒ4 は炭素数１以上の有機基，水素，ハロゲン
原子のいずれかである。ｐは０〜４の整数である。ま
た、Ｒ5，Ｒ6は炭素数１２以下の有機基、Ｒ7 は水素又
は炭素数１０以下の有機基である。）で表わされる化合
物を含み、水に溶解性のポジ型感光性樹脂組成物。 - 【請求項５】一般式（Ｉ） 【化５】 （式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは10〜200,000
の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水素，ハロゲン
原子のいずれかである。）で表わされる重合体の全重量
に対してカルボキシル基の割合が２０重量％以上であ
り、数平均分子量が10,000〜1,000,000 のカルボン酸重
合体（イ）と、電磁波の照射により塩基を発生する光塩
基発生剤（ロ）を前記カルボキシル基に対して０.２〜
２.０モル当量含む感光性樹脂組成物を基板上に塗布
し、乾燥する工程，遮光性マスクを介して光露光する工
程，水溶剤中で現像する工程を含むことを特徴とするパ
ターン形成方法。 - 【請求項６】カルボキシル基を含む化合物と塩基発生剤
を含み、電磁波照射によってパターン形成可能なことを
特徴とする組成物。 - 【請求項７】塩基性発生剤が、一般式（III） 【化６】 （式中、Ｒ4 は炭素数１以上の有機基，水素，ハロゲン
原子のいずれかである。ｐは０〜４の整数である。ま
た、Ｒ5，Ｒ6は炭素数１２以下の有機基、Ｒ7 は水素又
は炭素数１０以下の有機基である。）で表わされる化合
物であることを特徴とする請求項６に記載の組成物。 - 【請求項８】塩基発生剤が、コバルト（III）アミン
塩，コバルト（III）アルキルアミン塩，α−ケトカル
ボン酸アンモニウム塩，フェニルグリオキシ酸アンモニ
ウム塩，４−メチルフェニルスルホンアマイド，Ｎ−シ
クロヘキシル−４−メチルフェニルスルホンアマイドの
中の少なくとも１種を用いてなることを特徴とする請求
項６に記載の組成物。 - 【請求項９】電磁波の波長が２００〜９００mmであるこ
とを特徴とする請求項１〜６に記載の組成物。 - 【請求項１０】一般式（Ｉ） 【化７】 （式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは10〜200,000
の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水素，ハロゲン
原子のいずれかである。）で表わされるカルボン酸重合
体を含む樹脂成分の全重量に対してカルボキシル基の割
合が２０重量％以上であり、数平均分子量が10,000〜1,
000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、電磁波の照射に
より塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）を前記カルボキ
シル基に対して０.２〜２.０モル当量含むことを特徴と
する感光性樹脂組成物。 - 【請求項１１】一般式（Ｉ） 【化８】 （式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは10〜200,000
の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水素，ハロゲン
原子のいずれかである。）で表わされるカルボン酸重合
体を含む樹脂成分の全重量に対してカルボキシル基の割
合が２０重量％以上であり、数平均分子量が10,000〜1,
000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、電磁波の照射に
より塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）を前記カルボキ
シル基に対して０.２〜２.０モル当量含む感光性樹脂組
成物を基板上に塗布し、乾燥する工程，遮光性マスクを
介して光露光する工程，水中で現像する工程を含むこと
を特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項１２】（ａ）基板上に第１の配線を形成した配
線シートを形成する工程、（ｂ）前記基板と配線間およ
び配線上に接着層を形成する工程、（ｃ）前記接着層を
介して第２の配線を形成した配線シートを積層する工
程、（ｄ）前記積層した配線シートを加圧，加熱して接
着層を硬化し、前記第１の配線と第２の配線を接続する
工程、を含む多層配線回路板の製法において、前記第１
の配線及び第２の配線の形成工程が、一般式（Ｉ） 【化９】 （式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは10〜200,000
の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水素，ハロゲン
原子のいずれかである。）で表わされるカルボン酸重合
体を含む樹脂成分の全重量に対してカルボキシル基の割
合が２０重量％以上であり、数平均分子量が10,000〜1,
000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、電磁波の照射に
より塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）を前記カルボキ
シル基に対して０.２〜２.０モル当量含む感光性樹脂組
成物を基板上に塗布し、乾燥する工程，遮光性マスクを
介して光露光する工程，水溶剤中で現像する工程を含む
ことを特徴とする多層配線回路板の製法。 - 【請求項１３】大規模集積回路における回路形成手段
が、一般式（Ｉ） 【化１０】 （式中、Ａは炭素数２以上の有機基、ｎは10〜200,000
の整数、Ｒ1 は炭素数１以上の有機基，水素，ハロゲン
原子のいずれかである。）で表わされるカルボン酸重合
体を含む樹脂成分の全重量に対してカルボキシル基の割
合が２０重量％以上であり、数平均分子量が10,000〜1,
000,000 のカルボン酸重合体（イ）と、電磁波の照射に
より塩基を発生する光塩基発生剤（ロ）を前記カルボキ
シル基に対して０.２〜２.０モル当量含む感光性樹脂組
成物を基板上に塗布し、乾燥する工程，遮光性マスクを
介して光露光する工程，水中で現像する工程を含むこと
を特徴とする大規模集積回路。 - 【請求項１４】請求項６に記載の組成物を用いることを
特徴とする液晶配向膜パターンの形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154805A JPH07140663A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法及びそれを用いた電子装置の製造方法 |
| KR1019940014734A KR950001419A (ko) | 1993-06-25 | 1994-06-25 | 감광성 수지 조성물 및 이 조성물을 사용한 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154805A JPH07140663A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法及びそれを用いた電子装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140663A true JPH07140663A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=15592279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154805A Pending JPH07140663A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 感光性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法及びそれを用いた電子装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07140663A (ja) |
| KR (1) | KR950001419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6017683A (en) * | 1997-02-20 | 2000-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern forming material and pattern forming method |
| JP2007098844A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Canon Inc | インクジェットヘッドの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050040275A (ko) * | 2003-10-28 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | 절연막 형성용 조성물 및 이를 이용한 절연막 또는 절연막패턴의 형성방법 |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP5154805A patent/JPH07140663A/ja active Pending
-
1994
- 1994-06-25 KR KR1019940014734A patent/KR950001419A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6017683A (en) * | 1997-02-20 | 2000-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern forming material and pattern forming method |
| US6261736B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern forming material and pattern forming method |
| JP2007098844A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Canon Inc | インクジェットヘッドの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950001419A (ko) | 1995-01-03 |
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