JPH07130468A - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
有機薄膜発光素子Info
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- JPH07130468A JPH07130468A JP5271083A JP27108393A JPH07130468A JP H07130468 A JPH07130468 A JP H07130468A JP 5271083 A JP5271083 A JP 5271083A JP 27108393 A JP27108393 A JP 27108393A JP H07130468 A JPH07130468 A JP H07130468A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】発光効率や光安定性に優れる有機薄膜発光素子
を得る。 【構成】絶縁性基板1上に正極2と非晶質炭素層3を順
次積層し、次いで非晶質炭素層の上に有機物質である発
光層を形成する。
を得る。 【構成】絶縁性基板1上に正極2と非晶質炭素層3を順
次積層し、次いで非晶質炭素層の上に有機物質である発
光層を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は有機薄膜発光素子の正
極に係り、特に正極の表面平滑構造に関する。
極に係り、特に正極の表面平滑構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のブラウン管に代わるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子(以下EL素子とする)もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にZnS/Mn系を用いた無機材料からなるEL素
子である。しかるに、この種の無機EL素子は発光に必
要な駆動電圧が100V以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子(以下EL素子とする)もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にZnS/Mn系を用いた無機材料からなるEL素
子である。しかるに、この種の無機EL素子は発光に必
要な駆動電圧が100V以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
【0003】特に、電極/正孔注入層/発光層/電極か
らなる積層型において、発光剤にトリス(8−ヒドロキ
シキノリン)アルミニウムを、正孔注入剤に1,1−ビ
ス(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキ
サンを用いることにより、10V以下の印加電圧で10
00cd/m2 以上の輝度が得られたという報告がなさ
れて以来開発に拍車がかけられた(Appl.Phys.Lett. 5
1,913,(1987))。
らなる積層型において、発光剤にトリス(8−ヒドロキ
シキノリン)アルミニウムを、正孔注入剤に1,1−ビ
ス(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキ
サンを用いることにより、10V以下の印加電圧で10
00cd/m2 以上の輝度が得られたという報告がなさ
れて以来開発に拍車がかけられた(Appl.Phys.Lett. 5
1,913,(1987))。
【0004】図5は従来の有機薄膜発光素子の一例を示
す断面図である。絶縁性基板1の上に正極2、正孔注入
層4、発光層5、負極7が順次積層される。正孔注入
層、発光層は有機物質を用いて成膜される。
す断面図である。絶縁性基板1の上に正極2、正孔注入
層4、発光層5、負極7が順次積層される。正孔注入
層、発光層は有機物質を用いて成膜される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の有
機薄膜発光素子においては絶縁性透明基板上の正極の表
面平滑性が悪いために正極上に形成される有機層に膜質
の低下や界面の乱れが発生し有機薄膜発光素子の発光安
定性や発光効率が阻害されるという問題があった。
機薄膜発光素子においては絶縁性透明基板上の正極の表
面平滑性が悪いために正極上に形成される有機層に膜質
の低下や界面の乱れが発生し有機薄膜発光素子の発光安
定性や発光効率が阻害されるという問題があった。
【0006】この発明は上述の点に鑑みてなされ、その
目的は正極の表面平滑性を向上させることにより発光安
定性と発光効率に優れる有機薄膜発光素子を提供するこ
とにある。
目的は正極の表面平滑性を向上させることにより発光安
定性と発光効率に優れる有機薄膜発光素子を提供するこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば透明積層体と、発光層と、負極とを有し、透明積
層体は絶縁性基板上に正極と非晶質炭素層とが順次積層
されてなり、発光層は有機物質からなり、透明積層体と
負極の間に挟持されてなるとすることにより達成され
る。
よれば透明積層体と、発光層と、負極とを有し、透明積
層体は絶縁性基板上に正極と非晶質炭素層とが順次積層
されてなり、発光層は有機物質からなり、透明積層体と
負極の間に挟持されてなるとすることにより達成され
る。
【0008】
【作用】非晶質炭素層を設けることにより、正極の表面
が平坦化し、均一な膜厚の有機層が形成されて電界の局
所集中や結晶化が抑制され、その結果正極の導電性や光
透過率に影響をあたえることなく有機薄膜発光素子の発
光効率や発光安定性が向上する。結晶化が進むと電気的
な短絡が起こる。
が平坦化し、均一な膜厚の有機層が形成されて電界の局
所集中や結晶化が抑制され、その結果正極の導電性や光
透過率に影響をあたえることなく有機薄膜発光素子の発
光効率や発光安定性が向上する。結晶化が進むと電気的
な短絡が起こる。
【0009】
【実施例】図1はこの発明の実施例に係る有機薄膜発光
素子を示す断面図である。図2はこの発明の異なる実施
例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。図3は
この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す断面図である。
素子を示す断面図である。図2はこの発明の異なる実施
例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。図3は
この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す断面図である。
【0010】図4はこの発明のさらに異なる実施例に係
る有機薄膜発光素子を示す断面図である。1は絶縁性基
板、2は正極、3は非晶質炭素層、4は正孔注入層、5
は発光層、6は電子注入層、7は負極、8は電源であ
る。絶縁性基板と正極と非晶質炭素層は透明積層体を形
成する。絶縁性基板1は素子の支持体でガラス,樹脂等
の透明な材料を用いる。
る有機薄膜発光素子を示す断面図である。1は絶縁性基
板、2は正極、3は非晶質炭素層、4は正孔注入層、5
は発光層、6は電子注入層、7は負極、8は電源であ
る。絶縁性基板と正極と非晶質炭素層は透明積層体を形
成する。絶縁性基板1は素子の支持体でガラス,樹脂等
の透明な材料を用いる。
【0011】正極2はインジウムスズ酸化物(IT
O),酸化スズ(SnO2 )等の透明導電膜やポリピロ
ール等の導電性高分子からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−
ム蒸着、スパッタ法または電解重合法、化学重合法によ
り形成する。該正極2は、透明性を持たせるために、1
0〜300nmの厚さにすることが望ましい。非晶質炭
素層3は正極2上にプラズマCVD やスパッタ法により形
成する。スパッタ法による非晶質炭素層の成膜は以下の
通りである。ターゲットに焼結グラファイト、スパッタ
ガスに水素とアルゴンの混合ガス(水素の割合は2ない
し20%)を用い前記正極上に成膜速度0.03nm/sの速度
で成膜した。膜厚の範囲は10なし100 nm、好適には15な
いし50nmである。即ち10nm以下では基板の凹凸をカバー
しきれずまた100nm 以上では非晶質炭素層による光吸収
による素子の発光特性の低下を招く。なお基板の加熱は
行わない。
O),酸化スズ(SnO2 )等の透明導電膜やポリピロ
ール等の導電性高分子からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−
ム蒸着、スパッタ法または電解重合法、化学重合法によ
り形成する。該正極2は、透明性を持たせるために、1
0〜300nmの厚さにすることが望ましい。非晶質炭
素層3は正極2上にプラズマCVD やスパッタ法により形
成する。スパッタ法による非晶質炭素層の成膜は以下の
通りである。ターゲットに焼結グラファイト、スパッタ
ガスに水素とアルゴンの混合ガス(水素の割合は2ない
し20%)を用い前記正極上に成膜速度0.03nm/sの速度
で成膜した。膜厚の範囲は10なし100 nm、好適には15な
いし50nmである。即ち10nm以下では基板の凹凸をカバー
しきれずまた100nm 以上では非晶質炭素層による光吸収
による素子の発光特性の低下を招く。なお基板の加熱は
行わない。
【0012】正孔注入層4は正孔を効率良く輸送し、且
つ注入することが必要で発光した光の発光極大波長領域
においてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方
法としてスピンコ−ト、キャスティング、LB法、抵抗
加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一
般的である。膜厚は10ないし200nm であり、好適には20
ないし80nmである。正孔注入物質としては化学式(I−
1)ないし化学式(I−7)に示すような有機物質また
はその誘導体が用いられる。代表的な正孔注入物質が化
1に示される。
つ注入することが必要で発光した光の発光極大波長領域
においてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方
法としてスピンコ−ト、キャスティング、LB法、抵抗
加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一
般的である。膜厚は10ないし200nm であり、好適には20
ないし80nmである。正孔注入物質としては化学式(I−
1)ないし化学式(I−7)に示すような有機物質また
はその誘導体が用いられる。代表的な正孔注入物質が化
1に示される。
【0013】
【化1】
【0014】発光層5は正孔注入層または正極から注入
された正孔と、負極または電子注入層より注入された電
子の再結合により効率良く発光を行う。成膜方法はスピ
ンコ−ト、キャスティング、LB法、抵抗加熱蒸着、電
子ビ−ム蒸着、分子線エピタキシ等があるが抵抗加熱蒸
着、分子線エピタキシが好ましい。膜厚は10ないし200n
m であるが好適には20ないし80nmである。発光物質とし
ては化学式(II−1)ないし化学式(II−5)に示すよ
うな有機物質またはその誘導体が用いられる。発光物質
が化2に示される。
された正孔と、負極または電子注入層より注入された電
子の再結合により効率良く発光を行う。成膜方法はスピ
ンコ−ト、キャスティング、LB法、抵抗加熱蒸着、電
子ビ−ム蒸着、分子線エピタキシ等があるが抵抗加熱蒸
着、分子線エピタキシが好ましい。膜厚は10ないし200n
m であるが好適には20ないし80nmである。発光物質とし
ては化学式(II−1)ないし化学式(II−5)に示すよ
うな有機物質またはその誘導体が用いられる。発光物質
が化2に示される。
【0015】
【化2】
【0016】電子注入層6は電子を効率良く発光層に注
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、LB法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、
分子線エピタキシ等があるが抵抗加熱蒸着、分子線エピ
タキシが一般的である。膜厚は10ないし200nm であるが
好適には20ないし80nmである。電子注入物質としては化
学式(III −1)ないし化学式(III −3)に示す有機
物質またはその誘導体が用いられる。
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、LB法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、
分子線エピタキシ等があるが抵抗加熱蒸着、分子線エピ
タキシが一般的である。膜厚は10ないし200nm であるが
好適には20ないし80nmである。電子注入物質としては化
学式(III −1)ないし化学式(III −3)に示す有機
物質またはその誘導体が用いられる。
【0017】電子注入物質が化3に示される。
【0018】
【化3】
【0019】負極7は電子を効率良く有機層に注入する
ことが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着,電
子ビーム蒸着,スパッタ法が用いられる。負極7用材料
としては、仕事関数の小さいMg,Ag,In,Ca,
Al等およびこれらの合金,積層体等が用いられる。 実施例1 膜厚約100nm のITO である正極2を設けた厚さ1.1mm で
10cm角のガラス基板1の上に、図1に示すように非晶質
炭素層3を30nm厚さに成膜した。非晶質炭素層3の成膜
は上記基板をスパッタ装置内に載置し、水素とアルゴン
ガスの混合ガス( 水素の比率5%) を流しながら焼結グラ
ファイトターゲットをスパッタし、非晶質炭素層を形成
した。非晶質炭素層の形成された基板を抵抗加熱蒸着内
に載置し、正孔注入層, 発光層と順次成膜した。正孔注
入層は化学式(I−1)に示す物質を用いボート温度20
0 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として50nm厚さに成膜した。
発光層には化学式(II−1)に示す物質を用いボート温
度200 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として50nm厚さに成膜し
た。成膜に際して真空層の内圧は8 ×10-4Paとした。直
径2mm のドット400 個からなる10cm角の蒸着膜マスクを
取り付け負極としてMg−Ag合金(10:1の重量比
率)を電子ビーム蒸着法により100nm 厚さに成膜した。
ことが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着,電
子ビーム蒸着,スパッタ法が用いられる。負極7用材料
としては、仕事関数の小さいMg,Ag,In,Ca,
Al等およびこれらの合金,積層体等が用いられる。 実施例1 膜厚約100nm のITO である正極2を設けた厚さ1.1mm で
10cm角のガラス基板1の上に、図1に示すように非晶質
炭素層3を30nm厚さに成膜した。非晶質炭素層3の成膜
は上記基板をスパッタ装置内に載置し、水素とアルゴン
ガスの混合ガス( 水素の比率5%) を流しながら焼結グラ
ファイトターゲットをスパッタし、非晶質炭素層を形成
した。非晶質炭素層の形成された基板を抵抗加熱蒸着内
に載置し、正孔注入層, 発光層と順次成膜した。正孔注
入層は化学式(I−1)に示す物質を用いボート温度20
0 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として50nm厚さに成膜した。
発光層には化学式(II−1)に示す物質を用いボート温
度200 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として50nm厚さに成膜し
た。成膜に際して真空層の内圧は8 ×10-4Paとした。直
径2mm のドット400 個からなる10cm角の蒸着膜マスクを
取り付け負極としてMg−Ag合金(10:1の重量比
率)を電子ビーム蒸着法により100nm 厚さに成膜した。
【0020】上述の素子は四個製作した。 比較例1 非晶質炭素層を設けないで素子を製造するほかは実施例
1と同様にして有機薄膜発光素子を製造した。実施例1
と比較例1に係る素子につき、それぞれ400 個ドット素
子の発光特性を全数測定し、不良素子数を求めた。不良
素子数は初期特性であり、長期にわたる発光安定性の目
安となる。
1と同様にして有機薄膜発光素子を製造した。実施例1
と比較例1に係る素子につき、それぞれ400 個ドット素
子の発光特性を全数測定し、不良素子数を求めた。不良
素子数は初期特性であり、長期にわたる発光安定性の目
安となる。
【0021】また実施例1に関しては非晶質炭素層の表
面粗さを比較例1に係る素子に関してはITO 正極の表面
粗さをそれぞれ測定した。さらに実施例1に係る素子に
つき比較例1に係る素子の発光効率を基準として相対発
光効率を測定した。結果が表1に示される。
面粗さを比較例1に係る素子に関してはITO 正極の表面
粗さをそれぞれ測定した。さらに実施例1に係る素子に
つき比較例1に係る素子の発光効率を基準として相対発
光効率を測定した。結果が表1に示される。
【0022】
【表1】
【0023】図6は本発明の実施例に係る非晶質炭素層
につき比抵抗のスパッタガス組成依存性を示す線図であ
る。水素ガス組成が増加すると、比抵抗が増大すること
がわかる。本実施例に係る非晶質炭素層の抵抗は約100
Ω・cmであり、その膜厚も小さいから素子の発光特性に
対する影響は小さい。 実施例2 膜厚約100nm のITO である正極2を設けた厚さ1.1mm で
10cm角のガラス基板1の上に、図2に示すように非晶質
炭素層3を30nm厚さに成膜した。非晶質炭素層3の成膜
は上記基板をスパッタ装置内に載置し、水素とアルゴン
ガスの混合ガス( 水素の比率5%) を流しながら焼結グラ
ファイトターゲットをスパッタし、非晶質炭素層を形成
した。非晶質炭素層の形成された基板を抵抗加熱蒸着内
に載置し、発光層5を成膜した。発光層5には化学式
(II−1)に示す物質を用いボート温度200 ℃, 成膜速
度を0.2nm/s として50nm厚さに成膜した。成膜に際して
真空層の内圧は8 ×10-4Paとした。直径2mm のドット40
0 個からなる10cm角の蒸着膜マスクを取り付け負極とし
てMg−Ag合金(10:1の重量比率)を電子ビーム
蒸着法により100nm 厚さに成膜した。
につき比抵抗のスパッタガス組成依存性を示す線図であ
る。水素ガス組成が増加すると、比抵抗が増大すること
がわかる。本実施例に係る非晶質炭素層の抵抗は約100
Ω・cmであり、その膜厚も小さいから素子の発光特性に
対する影響は小さい。 実施例2 膜厚約100nm のITO である正極2を設けた厚さ1.1mm で
10cm角のガラス基板1の上に、図2に示すように非晶質
炭素層3を30nm厚さに成膜した。非晶質炭素層3の成膜
は上記基板をスパッタ装置内に載置し、水素とアルゴン
ガスの混合ガス( 水素の比率5%) を流しながら焼結グラ
ファイトターゲットをスパッタし、非晶質炭素層を形成
した。非晶質炭素層の形成された基板を抵抗加熱蒸着内
に載置し、発光層5を成膜した。発光層5には化学式
(II−1)に示す物質を用いボート温度200 ℃, 成膜速
度を0.2nm/s として50nm厚さに成膜した。成膜に際して
真空層の内圧は8 ×10-4Paとした。直径2mm のドット40
0 個からなる10cm角の蒸着膜マスクを取り付け負極とし
てMg−Ag合金(10:1の重量比率)を電子ビーム
蒸着法により100nm 厚さに成膜した。
【0024】上述の素子は四個製作した。 比較例2 非晶質炭素層を設けないで素子を製造するほかは実施例
2と同様にして有機薄膜発光素子を製造した。実施例2
と比較例2に係る素子につき、それぞれ400 個ドット素
子の発光特性を全数測定し、不良素子数を求めた。不良
素子数は初期特性であり、長期にわたる発光安定性の目
安となる。
2と同様にして有機薄膜発光素子を製造した。実施例2
と比較例2に係る素子につき、それぞれ400 個ドット素
子の発光特性を全数測定し、不良素子数を求めた。不良
素子数は初期特性であり、長期にわたる発光安定性の目
安となる。
【0025】また実施例2に関しては非晶質炭素層の表
面粗さを比較例2に係る素子に関してはITO 正極の表面
粗さをそれぞれ測定した。さらに実施例2に係る素子に
つき比較例2に係る素子の発光効率を基準として相対発
光効率を測定した。結果が表2に示される。
面粗さを比較例2に係る素子に関してはITO 正極の表面
粗さをそれぞれ測定した。さらに実施例2に係る素子に
つき比較例2に係る素子の発光効率を基準として相対発
光効率を測定した。結果が表2に示される。
【0026】
【表2】
【0027】実施例3 膜厚約100nm のITO である正極2を設けた厚さ1.1mm で
10cm角のガラス基板1の上に、図2に示すように非晶質
炭素層3を30nm厚さに成膜した。非晶質炭素層3の成膜
は上記基板をスパッタ装置内に載置し、水素とアルゴン
ガスの混合ガス( 水素の比率5%) を流しながら焼結グラ
ファイトターゲットをスパッタし、非晶質炭素層を形成
した。非晶質炭素層の形成された基板を抵抗加熱蒸着内
に載置し、発光層5、電子注入層6を順次形成した。発
光層5には化学式(II−1)に示す物質を用いボート温
度200 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として50nm厚さに成膜し
た。電子注入層には化学式(III −3)に示される物質
を用い、ボート温度300 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として
40nm厚さに成膜した。成膜に際して真空層の内圧は8 ×
10-4Paとした。直径2mm のドット400 個からなる10cm角
の蒸着膜マスクを取り付け負極としてMg−Ag合金
(10:1の重量比率)を電子ビーム蒸着法により100n
m 厚さに成膜した。
10cm角のガラス基板1の上に、図2に示すように非晶質
炭素層3を30nm厚さに成膜した。非晶質炭素層3の成膜
は上記基板をスパッタ装置内に載置し、水素とアルゴン
ガスの混合ガス( 水素の比率5%) を流しながら焼結グラ
ファイトターゲットをスパッタし、非晶質炭素層を形成
した。非晶質炭素層の形成された基板を抵抗加熱蒸着内
に載置し、発光層5、電子注入層6を順次形成した。発
光層5には化学式(II−1)に示す物質を用いボート温
度200 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として50nm厚さに成膜し
た。電子注入層には化学式(III −3)に示される物質
を用い、ボート温度300 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として
40nm厚さに成膜した。成膜に際して真空層の内圧は8 ×
10-4Paとした。直径2mm のドット400 個からなる10cm角
の蒸着膜マスクを取り付け負極としてMg−Ag合金
(10:1の重量比率)を電子ビーム蒸着法により100n
m 厚さに成膜した。
【0028】上述の素子は四個製作した。 比較例3 非晶質炭素層を設けないで素子を製造するほかは実施例
3と同様にして有機薄膜発光素子を製造した。実施例3
と比較例3に係る素子につき、それぞれ400 個ドット素
子の発光特性を全数測定し、不良素子数を求めた。不良
素子数は初期特性であり、長期にわたる発光安定性の目
安となる。
3と同様にして有機薄膜発光素子を製造した。実施例3
と比較例3に係る素子につき、それぞれ400 個ドット素
子の発光特性を全数測定し、不良素子数を求めた。不良
素子数は初期特性であり、長期にわたる発光安定性の目
安となる。
【0029】また実施例3に関しては非晶質炭素層の表
面粗さを比較例3に係る素子に関してはITO 正極の表面
粗さをそれぞれ測定した。さらに実施例3に係る素子に
つき比較例3に係る素子の発光効率を基準として相対発
光効率を測定した。結果が表3に示される。
面粗さを比較例3に係る素子に関してはITO 正極の表面
粗さをそれぞれ測定した。さらに実施例3に係る素子に
つき比較例3に係る素子の発光効率を基準として相対発
光効率を測定した。結果が表3に示される。
【0030】
【表3】
【0031】実施例4 膜厚約100nm のITO である正極2を設けた厚さ1.1mm で
10cm角のガラス基板1の上に、図1に示すように非晶質
炭素層3を30nm厚さに成膜した。非晶質炭素層3の成膜
は上記基板をスパッタ装置内に載置し、水素とアルゴン
ガスの混合ガス( 水素の比率5%) を流しながら焼結グラ
ファイトターゲットをスパッタし、非晶質炭素層を形成
した。非晶質炭素層の形成された基板を抵抗加熱蒸着内
に載置し、正孔注入層4, 発光層3,電子注入層と順次
成膜した。正孔注入層は化学式(I−1)に示す物質を
用いボート温度200 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として50nm
厚さに成膜した。発光層には化学式(II−1)に示す物
質を用いボート温度200 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として
50nm厚さに成膜した。電子注入層には化学式(III−
3)に示される物質を用い、ボート温度300 ℃, 成膜速
度を0.2nm/s として40nm厚さに成膜した。成膜に際して
真空層の内圧は8 ×10-4Paとした。直径2mm のドット40
0 個からなる10cm角の蒸着膜マスクを取り付け負極とし
てMg−Ag合金(10:1の重量比率)を電子ビーム
蒸着法により100nm 厚さに成膜した。
10cm角のガラス基板1の上に、図1に示すように非晶質
炭素層3を30nm厚さに成膜した。非晶質炭素層3の成膜
は上記基板をスパッタ装置内に載置し、水素とアルゴン
ガスの混合ガス( 水素の比率5%) を流しながら焼結グラ
ファイトターゲットをスパッタし、非晶質炭素層を形成
した。非晶質炭素層の形成された基板を抵抗加熱蒸着内
に載置し、正孔注入層4, 発光層3,電子注入層と順次
成膜した。正孔注入層は化学式(I−1)に示す物質を
用いボート温度200 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として50nm
厚さに成膜した。発光層には化学式(II−1)に示す物
質を用いボート温度200 ℃, 成膜速度を0.2nm/s として
50nm厚さに成膜した。電子注入層には化学式(III−
3)に示される物質を用い、ボート温度300 ℃, 成膜速
度を0.2nm/s として40nm厚さに成膜した。成膜に際して
真空層の内圧は8 ×10-4Paとした。直径2mm のドット40
0 個からなる10cm角の蒸着膜マスクを取り付け負極とし
てMg−Ag合金(10:1の重量比率)を電子ビーム
蒸着法により100nm 厚さに成膜した。
【0032】上述の素子は四個製作した。 比較例4 非晶質炭素層を設けないで素子を製造するほかは実施例
4と同様にして有機薄膜発光素子を製造した。実施例4
と比較例4に係る素子につき、それぞれ400 個ドット素
子の発光特性を全数測定し、不良素子数を求めた。不良
素子数は初期特性であり、長期にわたる発光安定性の目
安となる。
4と同様にして有機薄膜発光素子を製造した。実施例4
と比較例4に係る素子につき、それぞれ400 個ドット素
子の発光特性を全数測定し、不良素子数を求めた。不良
素子数は初期特性であり、長期にわたる発光安定性の目
安となる。
【0033】また実施例4に関しては非晶質炭素層の表
面粗さを比較例4に係る素子に関してはITO 正極の表面
粗さをそれぞれ測定した。さらに実施例4に係る素子に
つき比較例4に係る素子の発光効率を基準として相対発
光効率を測定した。結果が表4に示される。
面粗さを比較例4に係る素子に関してはITO 正極の表面
粗さをそれぞれ測定した。さらに実施例4に係る素子に
つき比較例4に係る素子の発光効率を基準として相対発
光効率を測定した。結果が表4に示される。
【0034】
【表4】
【0035】
【発明の効果】この発明によれば透明積層体と、発光層
と、負極とを有し、透明積層体は絶縁性基板上に正極と
非晶質炭素層とが順次積層されてなり、発光層は有機物
質からなり、透明積層体と負極の間に挟持されてなると
するので、非晶質炭素層を設けることにより、正極の表
面が平坦化し、均一な膜厚の有機層が形成されて電界の
局所集中や結晶化が抑制され、その結果正極の導電性や
光透過率に影響をあたえることなく発光効率や発光安定
性が向上した有機薄膜発光素子が得られる。
と、負極とを有し、透明積層体は絶縁性基板上に正極と
非晶質炭素層とが順次積層されてなり、発光層は有機物
質からなり、透明積層体と負極の間に挟持されてなると
するので、非晶質炭素層を設けることにより、正極の表
面が平坦化し、均一な膜厚の有機層が形成されて電界の
局所集中や結晶化が抑制され、その結果正極の導電性や
光透過率に影響をあたえることなく発光効率や発光安定
性が向上した有機薄膜発光素子が得られる。
【図1】この発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示
す断面図
す断面図
【図2】この発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子を示す断面図
子を示す断面図
【図3】この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜
発光素子を示す断面図
発光素子を示す断面図
【図4】この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜
発光素子を示す断面図
発光素子を示す断面図
【図5】従来の有機薄膜発光素子を示す断面図
【図6】本発明の実施例に係る非晶質炭素層につき比抵
抗のスパッタガス組成依存性を示す線図
抗のスパッタガス組成依存性を示す線図
1 絶縁性基板 2 正極 3 非晶質炭素層 4 正孔注入層 5 発光層 6 電子注入層 7 負極 8 電源
Claims (5)
- 【請求項1】透明積層体と、発光層と、負極とを有し、 透明積層体は絶縁性基板上に正極と非晶質炭素層とが順
次積層されてなり、 発光層は有機物質からなり、発光層は透明積層体と負極
の間に挟持されてなることを特徴とする有機薄膜発光素
子。 - 【請求項2】請求項1記載の有機薄膜発光素子におい
て、正極はインジウムスズ酸化物からなることを特徴と
する有機薄膜発光素子。 - 【請求項3】請求項1記載の有機薄膜発光素子におい
て、非晶質炭素層は10ないし100nm の範囲にあることを
特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項4】請求項1記載の有機薄膜発光素子におい
て、透明積層体の非晶質炭素層と発光層との間に有機物
質である正孔注入層を設けてなることを特徴とする有機
薄膜発光素子。 - 【請求項5】請求項1記載の有機薄膜発光素子におい
て、発光層と負極の間に電子注入層を設けてなることを
特徴とする有機薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5271083A JPH07130468A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5271083A JPH07130468A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 有機薄膜発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07130468A true JPH07130468A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17495137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5271083A Pending JPH07130468A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07130468A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999059382A1 (fr) * | 1998-05-08 | 1999-11-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif a electroluminescence organique |
WO2002056641A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Sony Corporation | Dispositif electroluminescent et procede de fabrication |
WO2011016312A1 (ja) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 三井金属鉱業株式会社 | 有機el素子に用いられるアノード構造体およびその製造方法ならびに有機el素子 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP5271083A patent/JPH07130468A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999059382A1 (fr) * | 1998-05-08 | 1999-11-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif a electroluminescence organique |
US6762438B2 (en) | 1998-05-08 | 2004-07-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent layer with oligomer hole injection layer |
WO2002056641A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Sony Corporation | Dispositif electroluminescent et procede de fabrication |
US6774561B2 (en) | 2001-01-15 | 2004-08-10 | Sony Corporation | Light-emitting device and process for production thereof having an emission laser held between electrodes |
KR100792537B1 (ko) * | 2001-01-15 | 2008-01-09 | 소니 가부시끼 가이샤 | 발광소자 및 그 제조방법 |
CN100401550C (zh) * | 2001-01-15 | 2008-07-09 | 索尼公司 | 发光装置及其制造方法 |
WO2011016312A1 (ja) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 三井金属鉱業株式会社 | 有機el素子に用いられるアノード構造体およびその製造方法ならびに有機el素子 |
US8258508B2 (en) | 2009-08-07 | 2012-09-04 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Anode structure for use in organic EL device, production method thereof and organic EL device |
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