JPH07129254A

JPH07129254A - 温度制御装置

Info

Publication number: JPH07129254A
Application number: JP30573293A
Authority: JP
Inventors: Yasuhisa Nomura; 泰久野村
Original assignee: HAMANISHI SANGYO KK
Current assignee: HAMANISHI SANGYO KK
Priority date: 1993-10-30
Filing date: 1993-10-30
Publication date: 1995-05-19

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】測温素子に印加される交流電圧とこれに流れ
る交流電流の位相差を検出し、この位相差を測温信号と
して利用する温度制御装置において、測温素子から測温
回路に至る電路の断線或いは測温素子の両端電極の短絡
時に、通電制御素子をオフすると共にヒータへの電源路
を遮断するような温度制御装置を提供する。【構成】電源電圧が正の半波に変わったときパルス電
圧を発生させ、装置が正常時にはこのパルス電圧が零電
位に落ち、測温素子の両電極間あるいは測温素子と測温
回路間の電路が断線、短絡などの異常状態になると、前
記パルス電圧がサイリスタを導通させて発熱用抵抗に大
きな電流が流れる。発熱用抵抗の発熱でこれに接設の温
度ヒューズが溶断し、ヒータへの電路が遮断する。これ
と同時に通電制御素子をオンする電圧出力が零電位に落
ち、通電制御素子がオフする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、温度に対応してインピ
ーダンスの位相角が変わる測温素子を利用する温度制御
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】測温素子のインピーダンスの位相角を、
測温素子に印加される交流電圧とこれに流れる交流電流
の位相差として検出し、この位相差を温度信号としてヒ
ータへの通電を制御する温度制御装置の例としては、特
開昭５１−２５６９２号公報、特開平４−１９０５８１
号公報に開示の技術が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術は、測
温素子に印加される交流電圧とこれに流れる交流電流の
位相差を夫々のゼロクロス点で検出して、通電制御素子
をオン・オフし、ヒータへの通電を制御するだけのもの
で、測温素子から測温回路に至る電路が断線したり、測
温素子の両端電極が短絡した場合には、正常な温度制御
ができなくなってヒータ温度が異状に上昇し、焼損事故
をひき起こす問題点がある。

【０００４】さらに、両者ともに入力電源として一般商
用電源を装置に印加した場合、この電源に重畳している
他の機器で発生した高調波が、上記ゼロクロス点を本来
の位置から変位させ、真の位相差を検出できなくなる。
特に、測温素子として、静電容量と抵抗成分が温度に対
応して変化する特性の感熱線は、ハイパスフィルターの
働きをするので、これに流れる電流は高調波の影響を受
けてそのゼロクロス点が一層ずれ、制御温度が不安定と
なる致命的な問題点がある。

【０００５】本発明は、上記従来技術の有する問題点を
解消するもので、測温素子に印加される電圧とこれに流
れる電流の位相差を検出し、これを測温信号として利用
する温度制御装置において、測温素子から測温回路に至
る電路の断線時或いは測温素子の両端電極の短絡時にヒ
ータへの通電を遮断する温度制御装置の提供を目的とす
る。

【０００６】本発明の別の目的は、入力電源に重畳した
高調波の影響を受けず上記位相差を検出し、ヒータ温度
を安定して制御することができる装置の提供を目的とす
る。本発明の更に別の目的は、測温素子に流れる電流は
交流波形の正と負に関して同一とし、測温素子の特性が
経時変化することなく、長期に渉り正確且つ安定して温
度制御ができる装置の提供を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、測温素子に印加される交流電圧とこれに
流れる電流の位相差を測温信号として利用する温度制御
装置において、該装置の測温回路の前段にハイカツトフ
ィルターを設け、前記測温素子と測温回路間電路の断線
或いは測温素子の両端電極間の短絡時にヒータへの通電
を遮断するようにしている。

【０００８】測温素子の一方の電極にはＮＰＮ型トラン
ジスタとＰＮＰ型トランジスタの各ベースを接続し、両
トランジスタのエミッタは電源の一方に接続している。
コンデンサの一方は、電源に２個のツェナーダイオード
を逆極性にして接続した該部に接続し、コンデンサの他
方と電源の一方間には、交流電源の負の半波の印加時に
コンデンサに充電され、正の半波の印加時に放電される
ように２個のダイオードを設けている。

【０００９】測温素子に流れる電流のゼロクロス点が測
温素子に印加される電圧のゼロクロス点に接近すると、
通電制御素子のゲート電位を零にクランプするようにな
っており、同時に交流電源に並列接続した発熱用抵抗
に、これが発熱するのに充分な電流を流すようにしてい
る。この発熱用抵抗は、電源経路に介設されている温度
ヒューズに接触させている。また、交流電源に動作表示
灯が発熱用抵抗と直列接続されている。

【００１０】

【作用】測温素子に正の電流が流れ、同時に負の電圧が
印加されている間コンデンサは充電され、測温素子に正
の電圧が印加されると該コンデンサには逆電位が印加さ
れて前記の充電電荷はダイオードを経て放電される。こ
の放電エネルギーの大小に応じて通電制御素子がオン・
オフしてヒータへの通電を制御する。

【００１１】測温素子に対して正の交流電流は、測温素
子〜ＮＰＮ型トランジスタのベース〜エミッタと、負の
交流電流はＰＮＰ型トランジスタのエミッタ〜ベース〜
測温素子と流れて、測温素子には交流の正負に関して不
平衡成分の発生がなく、測温素子の経時変化は起こらな
い。また、この交流電流に重畳した高調波はハイカット
フィルターで除去され、電源電圧の変動はツェナーダイ
オードによって定電圧にされ、コンデンサの充放電は安
定し、温度信号は高調波の影響を受けない。

【００１２】測温素子と測温回路間の電路が断線するか
或いは測温素子の両端電極間が短絡すると、通電制御素
子のゲート電位が零になって通電制御素子がオフしヒー
タへの通電は遮断される。また、発熱用抵抗の発熱によ
って温度ヒューズが溶断し、制御装置及びヒータへの通
電を遮断する。

【００１３】

【実施例】図１は、本発明装置の回路図を示し、交流電
源１に温度ヒューズ２、ヒータ３、通電制御素子４が直
列接続されてヒータ電源路を構成している。測温素子５
は、一対の導体５ａ、５ｂ間に温度に対応して位相角が
変化するサーミスタ層５ｃを充填したもので、ヒータ３
に近接して設けられる。一方の導体５ａは電源一端１ａ
に、他方導体５ｂは抵抗６、７、８を経て電源他端１ｂ
に夫々接続され、また抵抗６、７接続部と電源他端１ｂ
間にはコンデンサ９が接続されてハイカットフィルター
を構成している。前記測温素子５のサーミスタ層５ｃは
柔軟な高分子化合物で構成し、線状、面状、網目状など
任意形状の導体５ａ、５ｂを電極としてこれらの間に充
填する。

【００１４】ツェナーダイオード１２、１３は各カソー
ド側を電源１ａ、１ｂ側として発熱用抵抗１０、抵抗１
１を経て電源１に直列接続され、両アノード接続部Ａと
電源１ｂ間にはコンデンサ１４、カソードを該コンデン
サ１４側としたダイオード１５、抵抗１６が直列接続さ
れている。トランジスタ１７のベースは前記抵抗７、８
間に、同コレクタは前記接続部Ａに、同エミッタは電源
他端１ｂに夫々接続されている。またコンデンサ１４に
は、アノードを該コンデンサ１４側としたダイオード１
８、可変抵抗１９、抵抗２０の直列回路がカスケード接
続されている。さらに、前記可変抵抗１９の可動子には
抵抗２１、２２がカスケード接続され、両抵抗２１、２
２の接続部に前記通電制御素子４のゲートが接続されて
いる。

【００１５】ツェナーダイオード１２のカソード側と電
源１ｂ間には、コンデンサ２３と抵抗２４が直列接続さ
れ、コンデンサ２３と抵抗２４の接続部にはダイオード
２５と抵抗２６がカスケード接続され、該ダイオード２
５のカソードはサイリスタ２７のゲート及び抵抗２８
に、該抵抗２８の他端はＮＰＮ型トランジスタ２９のコ
レクタに夫々接続されている。トランジスタ２９のベー
ス〜エミッタ間にはコンデンサ３０が介設され、同２９
のベースは前記トランジスタ１７のベースに、同２９の
エミッタは電源他端１ｂに夫々接続されている。尚、該
トランジスタ２９と前記トランジスタ１７の各ベース〜
エミッタ間は、測温素子５に流れる電流の正と負に関し
同一のインピーダンスを有する。

【００１６】発熱用抵抗１０と抵抗１１の接続部と電源
他端１ｂ間にはダイオード３１、サイリスタ２７の直列
回路が、両者ともカソードを電源他端１ｂ側にしてカス
ケード接続されている。また、サイリスタ２７のアノー
ドと前記ダイオード１５のカソード間には同方向極性で
ダイオード３２が介設されている。また、発熱用抵抗１
０と電源他端１ｂ間には抵抗３３と発光ダイオード３４
が直列接続され、該発光ダイオード３４にはダイオード
３５が並列接続されている。さらに、電源１には異常な
高電圧を吸収し装置を保護するためバリスター３６が接
続されている。

【００１７】図２は、本発明の他の実施例を示し、図１
に示したダイオード３１、３２を取除いて、安全回路部
及び駆動回路部を次のように変更している。安全回路部
の変更は、抵抗２８をサイリスタ２７のゲートから解放
して、コンデンサ２３と抵抗２４の接続部間とにダイオ
ード３７を介設し、コンデンサ１４とダイオード１８間
にＰＮＰ型トランジスタ３８のエミッタ〜コレクタを接
続し、同ベースは抵抗３９を介して前記トランジスタ２
９のコレクタに接続し、また、トランジスタ３８のベー
ス〜エミッタ間には抵抗４０を接続している。尚、図２
では、図１の測温素子５の一方電極５ａをヒータ３と共
通にしている。

【００１８】駆動回路部の変更は、通電制御素子４を片
方向サイリスタから双方向サイリスタとして、電源１
ａ、１ｂ間にはコンデンサ４１、抵抗４２、ダイオード
４３、サイリスタ４４を直列接続し、該サイリスタ４４
のゲートは抵抗２１、２２間に接続する。また、ヒータ
３と通電制御素子４の接続部には、前記ダイオード４３
のカソードからダイオード４５が、同アノードから抵抗
４６が夫々接続され、通電制御素子４のゲートは前記サ
イリスタ４４のアノードに接続される。

【００１９】図３は測温回路部の動作を説明するための
図を示し、図３（ａ）はトランジスタ１７に印加される
電圧ｖと流れる電流ｉの波形図で、電圧ｖはツェナーダ
イオード１２、１３で定電圧にされ、電流ｉは抵抗６、
７及びコンデンサ９によって電源に含まれる高調波成分
が除去されたものになる。図８は、測温素子５の温度−
位相角特性の一例を示し、位相角φは高温側で小さくな
る。該位相角φの変化と、電圧ｖと電流ｉの位相差φ′
の変化とは対応するので、該位相差φ′を測定すれば温
度を知ることができる。

【００２０】ツェナーダイオード１２、１３のツェナー
電圧を１５ボルト程度に選択するとトランジスタ１７の
閾電圧（０．７ボルト以下）は無視できることになり、
トランジスタ１７がオフしてから電圧ｖが零ボルトにな
る時間幅φ１は、電圧ｖと電流ｉの位相差φ′に略対応
する。図３（ｂ）はトランジスタ１７の動作図、図３
（ｃ）はＡ点の電圧、図３（ｄ）はＢ点の電圧、図３
（ｅ）はＣ点の電圧を夫々示し、Ａ点が負電圧（φ１に
相当）の区間、抵抗１６、ダイオード１５を経てコンデ
ンサ１４は充電され、電圧ｖが正に変わると、コンデン
サ１４には逆電圧が印加されて充電電荷はダイオード１
８から可変抵抗１９〜抵抗２０を経て放電される。該放
電電圧を可変抵抗１９の可動子で調整することによって
通電制御素子４をオン・オフし、ヒータ３への通電を制
御する。

【００２１】図２において、電源電圧が正の半波のとき
ヒータ３〜抵抗４６〜通電制御素子４のゲートの経路で
電流が流れて通電制御素子４がオンする。このとき同時
にコンデンサ４１〜抵抗４２〜ダイオード４５の経路で
電流が流れ、コンデンサ４１が充電される。電源電圧が
負の半波に変わって通電制御素子４がオフすると、コン
デンサ４１の充電電荷は、通電制御素子４のアノード〜
ゲート〜ダイオード４３〜抵抗４２の経路で放電され、
通電制御素子４は再度オンする。通電制御素子４がオン
すると測温素子５を流れる電流が少なくなるので、図３
の破線で示すようにトランジスタ１７のオフ点が移動し
て位相差φ２となり適量のヒステリシスが生じる。

【００２２】図４は、図１に示す安全回路の動作を説明
するためのもので、図４（ａ）は測温素子５への印加電
圧Ｖとこれに流れる電流Ｉの波形図、図４（ｂ）はＤ点
の電圧、図４（ｃ）はトランジスタ２９がないときのＥ
点の電圧、図４（ｄ）はトランジスタ２９の動作図、図
４（ｅ）はサイリスタ２７のゲート電圧を夫々示す。

【００２３】電源電圧Ｖが正の半波でＤ点電圧はツェナ
ーダイオード１２のツェナー電圧まで上昇（図４（ｂ）
参照）してコンデンサ２３と抵抗２４で微分され、パル
ス電圧（図４（ｃ）参照）が発生する。このときの充電
されたコンデンサ２３の電荷は、次の負の半波で抵抗１
１、１０、２４の経路で放電される。正の電圧パルスは
ダイオード２５を通ってサイリスタ２７のゲートをトリ
ガーしサイリスタ２７をオンさせようとするが、このと
きトランジスタ２９がオン状態にあるとサイリスタ２７
をオンしない。

【００２４】トランジスタ２９のベースに接続のコンデ
ンサ３０は、測温素子５を流れる電流の正の立上がりよ
り若干遅れてトランジスタ２９をオンするので、電源電
圧Ｖが正に立ち上がった時点でトランジスタ２９がオフ
している状態、即ち、測温素子５の両端電極が短絡して
位相差φが零か、電路Ｆの断線若しくは測温素子５の一
方の電極５ｂ下端と電路Ｇとの短絡時のいずれかの場合
にサイリスタ２７はオンする。サイリスタ２７がオンす
ると、Ｂ点はダイオード３２を経て零電位に落とされる
ので通電制御素子４はオフされると共に、ダイオード３
１を経て発熱用抵抗１０に相当電流が流れてこれが発熱
し、温度ヒューズ２の溶断によってヒータ３及び装置全
体への電源印加が遮断される。尚、抵抗１１の抵抗値は
抵抗１０のそれよりも数十倍に設計しているので、サイ
リスタ２７がオフ状態では発熱用抵抗１０が発熱するの
に充分な電流は流れない。前記トランジスタ２９が遅れ
てオンする時点はコンデンサ３０の定数によって変えら
れる。

【００２５】図２に示す安全回路の動作は次のようにな
る。装置が正常な場合、トランジスタ２９がオン（トラ
ンジスタ１７はオフ）している期間は、コンデンサ１４
のダイオード１８側が正になったとき、コンデンサ１４
の電荷の一部がトランジスタ３８のエミッタ〜ベースに
流れてトランジスタ３８がオンし、コンデンサ１４の電
荷はダイオード１８を経て可変抵抗１９に流れ、上記の
動作をする。

【００２６】測温素子５から測温回路に至る電路Ｆの断
線或いはヒータ３に通電時測温素子の一方電極５ｂ下端
が電路Ｇと短絡すると、トランジスタ２９がオフするの
でトランジスタ３８もオフし、コンデンサ１４がダイオ
ード１８を経て放電する経路が断たれる。従って、可変
抵抗１９には電流が流れずサイリスタ４４も通電制御素
子４も全くオンしない。また同時に、Ｄ点の電圧が微分
されたパルス電圧はダイオード２５を経てサイリスタ２
７をトリガーするので、上記同様発熱用抵抗１０に相当
電流が流れてこれが発熱し、温度ヒューズ２を溶断す
る。

【００２７】位相差φが零のときにはトランジスタ２９
が正の半波でオンするが、そのときコンデンサ１４には
充電が行なわれないのでトランジスタ３８がオンでき
ず、上記同様サイリスタ４４も通電制御素子４も全くオ
ンしない。

【００２８】図５は、測温回路部の他の実施例を示し、
直列接続の抵抗５０と可変抵抗１９を上記トランジスタ
１７のコレクタ〜エミッタ間に接続し、抵抗１６の一端
を可変抵抗１９の可動子に接続したものである。

【００２９】図６は、測温回路部の更に他の実施例を示
し、上記トランジスタ１７のコレクタ〜エミッタ間に、
他のＮＰＮ型トランジスタ５１のエミッタ〜コレクタを
並列接続し、該トランジスタ５１のベースとダイオード
５２間には抵抗５３を、同５１のベース〜エミッタ間に
は抵抗５４を接続し、電源電圧が正の半波になった直後
にトランジスタ５１をオンさせてコンデンサ１４の放電
路を作るようにしている。

【００３０】図７は、駆動回路部の他の実施例を示し、
抵抗２１、２２間にＮＰＮ型トランジスタ５５のベース
とＰＮＰ型トランジスタ５６のコレクタを接続し、トラ
ンジスタ５５のコレクタはトランジスタ５６のベース
に、またトランジスタ５５のコレクタとトランジスタ５
６のエミッタ間にはコンデンサ５７、抵抗５８を並列接
続して自己保持回路を形成している。該自己保持回路に
は、電源１の正の半波が印加される方向性でダイオード
５９が介設されている。

【００３１】電源１の正の半波のとき可変抵抗１９から
の電流でトランジスタ５５がオンすると、トランジスタ
５６にベース電流が流れてこれがオンし、トランジスタ
５６がオンするとトランジスタ５５のベースに電流がを
流れて両トランジスタ５５、５６が共にオンし、可変抵
抗１９から抵抗２１に電流が流れなくなってもこの状態
を保持する。トランジスタ５５、５６がオンすると上記
同様通電制御素子４が電源１の１サイクル間オンし、ヒ
ータ３の電源路を閉じる。通電制御素子４がオンすると
トランジスタ５５、５６には電圧が印加されなくなって
これらはオフし、待機状態になる。電源１に重畳した高
調波はコンデンサ５７と抵抗５８のハイカットフィルタ
ーによって除去され、自己保持回路は該高調波の影響を
受けず正確な動作を行なう。

【００３２】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように、電源電
圧が正の半波に変わったときパルス電圧を発生させ、測
温素子の両電極間或いは測温素子と測温回路間の電路が
正常時にはこのパルス電圧が零電位に落とされ、測温素
子の両電極間或いは測温素子と測温回路間の電路が断
線、短絡などの異常状態になると、前記パルス電圧は発
熱用抵抗に大きな電流が流れるようにサイリスタをトリ
ガーするので、電源路に介設の温度ヒューズが溶断して
ヒータ及び制御装置への電源印加を遮断し、ヒータの異
状昇温による焼損事故を未然に防止する。発熱用抵抗が
断線している場合には発光ダイオードが消灯するので、
発熱用抵抗の事前チェックを目視で行うことができる。
このとき装置は動作しないので二重の安全が図られる。

【００３３】また、測温素子の両電極間或いは測温素子
と測温回路間の電路が断線、短絡などの異常状態になる
と、前記と同時に通電制御素子をオンするための電圧出
力も遮断されるのでフェールセーフは確実となる。

【００３４】そして、交流電源に高調波が重畳した場
合、位相差検出用トランジスタのコレクタ電圧への影響
はツェナーダイオードで、同ベース電流への影響は抵抗
とコンデンサを組み合わせたハイカットフィルターで夫
々除去されるので、温度信号となる位相差の検出及びこ
れによるヒータへの通電制御は前記高調波の影響を受け
ず正確で安定したものとなる。

【００３５】さらに、測温素子のサーミスタ層に対して
交流の正の半波はＮＰＮ型トランジスタのベース〜エミ
ッタと、また負の半波はＰＮＰ型トランジスタのエミッ
タ〜ベースと流れるので、高分子化合物で構成したサー
ミスタ層には交流波形に対して不平衡成分の発生がな
く、経時変化は起こらない。

【００３６】その上測温信号として位相差に相当する時
間幅でコンデンサに充電された電荷は、該コンデンサに
交流の逆電圧を印加することによって放電されるので放
電エネルギーが大きく、検出位相差が小さくても駆動回
路を制御することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る温度制御装置の回路図である。

【図２】本発明の他の実施例に係る温度制御装置の回路
図である。

【図３】本発明装置の測温回路部の動作を説明するため
の波形図である。

【図４】本発明装置の安全回路部の動作を説明するため
の波形図である。

【図５】本発明装置の測温回路部の他の実施例を示す要
部回路図である。

【図６】本発明装置の測温回路部の更に他の実施例を示
す要部回路図である。

【図７】本発明装置の駆動回路部の他の実施例を示す要
部回路図である。

【図８】測温素子の温度−位相角特性の一例図である。

【符号の説明】

１交流電源２温度ヒューズ３ヒータ４通電制御素子５測温素子６、７、８、１１、１６、２０、２１、２２、２４、２
６、５８抵抗９、１４、２３、３０、４１、５７コンデンサ１０発熱用抵抗１２、１３ツェナーダイオード１５、１８、２５、３１、３２、３５、４３、４５、５
９ダイオード１９可変抵抗１７、３８、５６ＰＮＰ型トランジスタ２９、５１、５５ＮＰＮ型トランジスタ２７、４４サイリスタ３４発光ダイオード

【手続補正書】

【提出日】平成６年７月４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００６】本発明の別の目的は、入力電源に重畳し
た高調波の影響を受けずに上記位相差を検出し、ヒータ
温度を安定して制御することができる装置を得ることで
ある。本発明の更に別の目的は、測温素子に流れる電流
は交流波形の正と負に関して同一とし、測温素子の特性
が経時変化することなく、長期に渉り正確且つ安定して
温度制御ができる装置を得ることである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】測温素子に印加される交流電圧とこれに
流れる交流電流の位相差を測温回路で検出して測温信号
とし、該測温信号に対応してヒータへの通電を通電制御
素子で制御する温度制御装置において、前記測温素子と
測温回路間電路の断線あるいは測温素子の両端電極間の
短絡時にヒータへの通電を遮断するようにしたことを特
徴とする温度制御装置。
【請求項２】上記測温素子と測温回路間電路が断線あ
るいは測温素子の両端電極間が短絡した場合に、交流電
源に並列接続した発熱用抵抗に充分な電流が流れてこれ
が発熱し、該発熱によって電源路に介設の温度ヒューズ
が溶断しヒータ及び装置への電源印加を遮断するように
した請求項１記載の温度制御装置。
【請求項３】上記測温素子と測温回路間電路が断線あ
るいは測温素子の両端電極間が短絡した場合に、通電制
御素子をオフするようにした請求項１記載の温度制御装
置。
【請求項４】上記測温素子を流れる交流電流は、交流
の正と負に関し同一のインピーダンスを有する回路を流
れ、交流波形に対して不平衡成分が生じないようにした
請求項１記載の温度制御装置。
【請求項５】上記測温回路の前段にハイカットフィル
ターを介設した請求項１記載の温度制御装置。
【請求項６】上記測温素子に交流電源の一方の半波が
印加されるとき、測温素子に印加される交流電圧のゼロ
クロス点とこれに流れる交流電流のゼロクロス点間の位
相差に相当する時間においてコンデンサを充電し、測温
素子に交流電源の他方の半波が印加されるとき前記コン
デンサに充電された電荷をダイオードを経て放電させて
通電制御素子を制御するようにした請求項１記載の温度
制御装置。
【請求項７】上記コンデンサの放電は、交流電源の他
方の半波を該コンデンサに印加させることによって行う
ようにした請求項６記載の温度制御装置。
【請求項８】上記ダイオードと通電制御素子との間に
は、一対のトランジスタを組み合わせた自己保持回路を
介設し、該自己保持回路には別のハイカットフィルター
を介して電源を供給するようにした請求項６記載の温度
制御装置。
【請求項９】上記測温素子は、一対の導体間に高分子
化合物のサーミスタ層を充填した柔軟な構成である請求
項１記載の温度制御装置。
【請求項１０】上記ヒータは、サーミスタ層を充填し
た一対の導体の一方を用いるようにした請求項１記載の
温度制御装置。