JPH07106384A - ボンディングパッド - Google Patents
ボンディングパッドInfo
- Publication number
- JPH07106384A JPH07106384A JP27753693A JP27753693A JPH07106384A JP H07106384 A JPH07106384 A JP H07106384A JP 27753693 A JP27753693 A JP 27753693A JP 27753693 A JP27753693 A JP 27753693A JP H07106384 A JPH07106384 A JP H07106384A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding pad
- pad
- substrate
- insulating layer
- raised
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プローバによる半導体装置の電気的特性試験
に際し、プローブ針の針ずれが生じないように改良され
たボンディングパッドを提供する。 【構成】 ボンディングパッド１０は、平坦な中央領域
部２２と、中央領域部２２を取り囲むように***した周
辺部２０とから構成されている。周辺部を***させるに
は、ボンディングパッドの周辺部の下方に位置する基板
領域１２に***部２４を設け、次いで***部２４上を含
め、基板１２に絶縁層１４を成膜し、更にボンディング
パッド１０を形成する。その後、ボンディングパッドの
中央領域部と周辺部の内縁部とが露出するように、保護
層１８を成膜する。
に際し、プローブ針の針ずれが生じないように改良され
たボンディングパッドを提供する。 【構成】 ボンディングパッド１０は、平坦な中央領域
部２２と、中央領域部２２を取り囲むように***した周
辺部２０とから構成されている。周辺部を***させるに
は、ボンディングパッドの周辺部の下方に位置する基板
領域１２に***部２４を設け、次いで***部２４上を含
め、基板１２に絶縁層１４を成膜し、更にボンディング
パッド１０を形成する。その後、ボンディングパッドの
中央領域部と周辺部の内縁部とが露出するように、保護
層１８を成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のボンディ
ングパッドに関し、更に詳細には、ペレットチュックを
行うときプローブ針の針ずれが生じ難いように工夫され
たボンディングパッドに関するものである。
ングパッドに関し、更に詳細には、ペレットチュックを
行うときプローブ針の針ずれが生じ難いように工夫され
たボンディングパッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のボンディングパッド５０は、図５
に示すように、基板１２上の絶縁層１４上に平坦に形成
されていて、ボンディングパッド５０の周辺部１６には
保護層１８の周縁部１９がオーバーコートしている。
に示すように、基板１２上の絶縁層１４上に平坦に形成
されていて、ボンディングパッド５０の周辺部１６には
保護層１８の周縁部１９がオーバーコートしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような平坦なボン
ディングパッドを備える半導体装置をプローバにより検
査しようとすると、図６に示すように、プローブ針Ａが
ボンディングパッド５０上で針ずれして保護層のオーバ
ーコート部１９に衝突し、そこにクラック（図６でＢ）
を発生させる事故が、しばしば生じていた。ところで、
プローバとは、半導体ウエーハ上に形成されたＩＣ、Ｌ
ＳＩ等の電子回路ダイの電気的特性を効率良く試験する
ために、各ダイの電極にプローブ針を自動的に接触させ
て、プローブ針に接続した外部のテスタによる各ダイの
電気的特性試験を可能とすると共に、テスタが不良と判
断したダイを識別するできる装置である。
ディングパッドを備える半導体装置をプローバにより検
査しようとすると、図６に示すように、プローブ針Ａが
ボンディングパッド５０上で針ずれして保護層のオーバ
ーコート部１９に衝突し、そこにクラック（図６でＢ）
を発生させる事故が、しばしば生じていた。ところで、
プローバとは、半導体ウエーハ上に形成されたＩＣ、Ｌ
ＳＩ等の電子回路ダイの電気的特性を効率良く試験する
ために、各ダイの電極にプローブ針を自動的に接触させ
て、プローブ針に接続した外部のテスタによる各ダイの
電気的特性試験を可能とすると共に、テスタが不良と判
断したダイを識別するできる装置である。
【０００４】このような問題に鑑み、本発明の目的は、
プローバによる半導体装置の電気的特性試験に際し、プ
ローブ針の針ずれが生じないように改良されたボンディ
ングパッドを提供することである。
プローバによる半導体装置の電気的特性試験に際し、プ
ローブ針の針ずれが生じないように改良されたボンディ
ングパッドを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、プローブ針
がボンディングパッド上で針ずれを起こす原因を調べた
結果、ボンディングパッドが平坦なために、プローブ針
が滑って、それにより針ずれを起こすことを突き止め、
本発明を完成するに到った。
がボンディングパッド上で針ずれを起こす原因を調べた
結果、ボンディングパッドが平坦なために、プローブ針
が滑って、それにより針ずれを起こすことを突き止め、
本発明を完成するに到った。
【０００６】上記目的を達成するために、上の知見に基
づき、本発明に係るボンディングパッドは、基板上に絶
縁層を形成し、その絶縁層上に形成してなるボンディン
グパッドにおいて、ボンディングパッドの周辺部の下方
に位置する前記基板領域に***部を設け、次いで前記絶
縁層及び前記ボンディングパッドを形成して、ボンディ
ングパッドが、平坦な中央領域部と、中央領域部を取り
囲むように***した周辺部とから構成されていることを
特徴としている。
づき、本発明に係るボンディングパッドは、基板上に絶
縁層を形成し、その絶縁層上に形成してなるボンディン
グパッドにおいて、ボンディングパッドの周辺部の下方
に位置する前記基板領域に***部を設け、次いで前記絶
縁層及び前記ボンディングパッドを形成して、ボンディ
ングパッドが、平坦な中央領域部と、中央領域部を取り
囲むように***した周辺部とから構成されていることを
特徴としている。
【０００７】ボンディングパッドの周辺部と中央領域部
との高さの差は、特に限定はなく、プローブ針の滑りを
止めることが出来る程度の差であれば十分であるが、望
ましくは００〜００である。基板領域に設ける***部の
材料は、特に限定は無いが、形成が容易であると言う理
由からポリシリコン（多結晶シリコン）が望ましい。隆
起部の高さは、ボンディングパッドの中央領域部と周辺
部の高さの差に応じて決めるべき寸法である。また、隆
起部の形成方法も特に限定はなく、通常の気相成長方法
或いはスパッタリングにより成膜し、パターニングによ
り***部を形成する。また、***部は、必ずしも連続的
である必要はなく、中央領域部を取り囲むようにボンデ
ィングパッドの周辺部を***させることができる限り、
不連続であってもよい。
との高さの差は、特に限定はなく、プローブ針の滑りを
止めることが出来る程度の差であれば十分であるが、望
ましくは００〜００である。基板領域に設ける***部の
材料は、特に限定は無いが、形成が容易であると言う理
由からポリシリコン（多結晶シリコン）が望ましい。隆
起部の高さは、ボンディングパッドの中央領域部と周辺
部の高さの差に応じて決めるべき寸法である。また、隆
起部の形成方法も特に限定はなく、通常の気相成長方法
或いはスパッタリングにより成膜し、パターニングによ
り***部を形成する。また、***部は、必ずしも連続的
である必要はなく、中央領域部を取り囲むようにボンデ
ィングパッドの周辺部を***させることができる限り、
不連続であってもよい。
【０００８】
【作用】本発明では、ボンディングパッドの周辺部が、
中央領域部を取り囲むように***していて、プローブ針
の滑りに対して障壁の機能を果たしている。よって、プ
ローブ針が滑っても周辺部の根元で停止し、それ以上滑
って保護層のオーバーコート部に衝突してクラックを発
生させるようなことは生じない。
中央領域部を取り囲むように***していて、プローブ針
の滑りに対して障壁の機能を果たしている。よって、プ
ローブ針が滑っても周辺部の根元で停止し、それ以上滑
って保護層のオーバーコート部に衝突してクラックを発
生させるようなことは生じない。
【０００９】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図１は本発明に係るボン
ディングパッドの一実施例の平面図、図２は図１のＸ−
Ｘ線でのボンディングパッドの断面図、図３は図２の矢
視Ｙ−Ｙでの断面平面図であって、基板上に***させた
***部の平面形状を示し、及び図４は図１のボンディン
グパッドとプローブ針との関係を示す断面図である。本
実施例のボンディングパッド１０は、図１及び図２に示
すように、平坦な中央領域部２２と、中央領域部２２を
取り囲むように***した周辺部２０とから構成されてい
る。中央領域部２２と周辺部２０との高さの差は、本実
施例では００である。
本発明をより詳細に説明する。図１は本発明に係るボン
ディングパッドの一実施例の平面図、図２は図１のＸ−
Ｘ線でのボンディングパッドの断面図、図３は図２の矢
視Ｙ−Ｙでの断面平面図であって、基板上に***させた
***部の平面形状を示し、及び図４は図１のボンディン
グパッドとプローブ針との関係を示す断面図である。本
実施例のボンディングパッド１０は、図１及び図２に示
すように、平坦な中央領域部２２と、中央領域部２２を
取り囲むように***した周辺部２０とから構成されてい
る。中央領域部２２と周辺部２０との高さの差は、本実
施例では００である。
【００１０】ボンディングパッド１０においては、以下
に述べる方法により、中央領域部２２を取り囲むように
周辺部２０を***させている。まず、基板１２上にポリ
シリコン（多結晶シリコン）を使用して***部２４を常
用の方法により形成する。例えば、減圧ＣＶＤ装置を用
い、シラン（ＳｉＨ4）ガスを熱分解することにより、
ポリシリコン層を基板上に堆積させ、通常のパターニン
グにより図３に示すように枠型に***させる。***部２
４の寸法は、その外形がボンディングパッド１０の周辺
部２０の***している部分の輪郭とほぼ同じであり、そ
の幅Ｗが周辺部２０の***している部分の幅とほぼ同じ
であり、その高さは、本実施例では、００である。次い
で、従来の方法によって、***部２４上を含め、基板１
２上に絶縁層１４を成膜し、更にボンディングパッド１
０を形成する。その後、ボンディングパッド１０の中央
領域部２２と周辺部２０の内縁部とが露出するように、
保護層１８を形成する。以上の工程により、図１及び図
２に示すボンディングパッド１０を得ることができる。
に述べる方法により、中央領域部２２を取り囲むように
周辺部２０を***させている。まず、基板１２上にポリ
シリコン（多結晶シリコン）を使用して***部２４を常
用の方法により形成する。例えば、減圧ＣＶＤ装置を用
い、シラン（ＳｉＨ4）ガスを熱分解することにより、
ポリシリコン層を基板上に堆積させ、通常のパターニン
グにより図３に示すように枠型に***させる。***部２
４の寸法は、その外形がボンディングパッド１０の周辺
部２０の***している部分の輪郭とほぼ同じであり、そ
の幅Ｗが周辺部２０の***している部分の幅とほぼ同じ
であり、その高さは、本実施例では、００である。次い
で、従来の方法によって、***部２４上を含め、基板１
２上に絶縁層１４を成膜し、更にボンディングパッド１
０を形成する。その後、ボンディングパッド１０の中央
領域部２２と周辺部２０の内縁部とが露出するように、
保護層１８を形成する。以上の工程により、図１及び図
２に示すボンディングパッド１０を得ることができる。
【００１１】以上の構成を備えたボンディングパッド１
０にプローブ針Ｂにて触診すると、図４に示すように、
仮にプローブ針Ａが滑って針ずれしても、周辺部２０の
根元２６で停止する。従って、それを越えて保護層１６
のオーバーコート部１８に衝突してそこにクラックを発
生させるようなことはない。
０にプローブ針Ｂにて触診すると、図４に示すように、
仮にプローブ針Ａが滑って針ずれしても、周辺部２０の
根元２６で停止する。従って、それを越えて保護層１６
のオーバーコート部１８に衝突してそこにクラックを発
生させるようなことはない。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、基板上に絶縁層を形成
し、その絶縁層上に形成してなるボンディングパッドに
おいて、平坦な中央領域部と中央領域部を取り囲むよう
に***した周辺部とからボンディングパッドを構成する
ことにより、周辺部が障壁の機能を果たし、プローバに
よる電気的特性試験に際し、プローブ針が仮に滑って針
ずれしても周辺部の根元で停止する。従って、プローブ
針による触診において、プローブ針が滑って、保護層の
オーバーコート部に衝突してクラックを発生させるよう
なことが無くなる。よって、本発明に係るボンディング
パッドを使用することにより、プローバによる電気的特
性試験での製品損傷が減り、製品の歩留りが向上する。
し、その絶縁層上に形成してなるボンディングパッドに
おいて、平坦な中央領域部と中央領域部を取り囲むよう
に***した周辺部とからボンディングパッドを構成する
ことにより、周辺部が障壁の機能を果たし、プローバに
よる電気的特性試験に際し、プローブ針が仮に滑って針
ずれしても周辺部の根元で停止する。従って、プローブ
針による触診において、プローブ針が滑って、保護層の
オーバーコート部に衝突してクラックを発生させるよう
なことが無くなる。よって、本発明に係るボンディング
パッドを使用することにより、プローバによる電気的特
性試験での製品損傷が減り、製品の歩留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るボンディングパッドの一実施例の
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のボンディングパッドのＸ−Ｘ線の断面図
である。
である。
【図３】基板上に***させた***部の図２の矢視Ｙ−Ｙ
での平面図である。
での平面図である。
【図４】図１のボンディングパッドとプローブ針との関
係を示す断面図である。
係を示す断面図である。
【図５】従来のボンディングパッドの断面図である。
【図６】図５に示すボンディングパッドにおいて、保護
層のオーバーコート部にクラックが発生した状態を示す
説明用斜視図である。
層のオーバーコート部にクラックが発生した状態を示す
説明用斜視図である。
１０ 本発明に係るボンディングパッドの一実施例 １２ 基板 １４ 絶縁層 １６ 平坦なボンディングパッドの周辺部 １８ 保護層 １９ 保護層のオーバーコート部 ２０ ボンディングパッドの***した周辺部 ２２ ボンディングパッドの中央領域部 ２４ ***部 ２６ 周辺部の根元
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に絶縁層を形成し、その絶縁層上
に形成してなるボンディングパッドにおいて、 ボンディングパッドの周辺部の下方に位置する前記基板
領域に***部を設け、次いで前記絶縁層及び前記ボンデ
ィングパッドを形成して、ボンディングパッドが、平坦
な中央領域部と、中央領域部を取り囲むように***した
周辺部とから構成されていることを特徴とするボンディ
ングパッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27753693A JPH07106384A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | ボンディングパッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27753693A JPH07106384A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | ボンディングパッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106384A true JPH07106384A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17584928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27753693A Pending JPH07106384A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | ボンディングパッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0907207A2 (en) * | 1997-08-27 | 1999-04-07 | Nec Corporation | Semiconductor device having alternating long and short contact pads with a fine pitch |
-
1993
- 1993-10-08 JP JP27753693A patent/JPH07106384A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0907207A2 (en) * | 1997-08-27 | 1999-04-07 | Nec Corporation | Semiconductor device having alternating long and short contact pads with a fine pitch |
| EP0907207A3 (en) * | 1997-08-27 | 1999-05-06 | Nec Corporation | Semiconductor device having alternating long and short contact pads with a fine pitch |
| US6008542A (en) * | 1997-08-27 | 1999-12-28 | Nec Corporation | Semiconductor device having long pads and short pads alternated for fine pitch without sacrifice of probing |
| KR100304679B1 (ko) * | 1997-08-27 | 2001-11-02 | 가네꼬 히사시 | 프로빙을방해하지않고미세한피치로교대로배치되는롱패드와숏패드를구비한반도체장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |