JPH07106288A - 半導体基板の形成方法 - Google Patents
半導体基板の形成方法Info
- Publication number
- JPH07106288A JPH07106288A JP24440793A JP24440793A JPH07106288A JP H07106288 A JPH07106288 A JP H07106288A JP 24440793 A JP24440793 A JP 24440793A JP 24440793 A JP24440793 A JP 24440793A JP H07106288 A JPH07106288 A JP H07106288A
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- Japan
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- semiconductor
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- semiconductor substrate
- slicing
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- Pending
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D—PLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D57/00—Sawing machines or sawing devices not covered by one of the preceding groups B23D45/00 - B23D55/00
- B23D57/0007—Sawing machines or sawing devices not covered by one of the preceding groups B23D45/00 - B23D55/00 using saw wires
- B23D57/0023—Sawing machines or sawing devices not covered by one of the preceding groups B23D45/00 - B23D55/00 using saw wires with a plurality of saw wires or saw wires having plural cutting zones
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体塊１をマルチワイヤーソー装置でスラ
イスして複数の半導体基板を形成する半導体基板の形成
方法において、前記半導体塊１をスライスする際に、前
記マルチワイヤーソー装置のワイヤー２上方からスライ
ス用スラリーを供給する。 【効果】 スラリーを常に同じ状態で供給でき、切りは
じめの不良やスライス面の品質のバラツキが無くなる。
また、槽７内に砥粒が沈澱することも無く、スライス後
の清掃も不要になり、スライス終了後に、段取り替えの
時間も短縮できる。
イスして複数の半導体基板を形成する半導体基板の形成
方法において、前記半導体塊１をスライスする際に、前
記マルチワイヤーソー装置のワイヤー２上方からスライ
ス用スラリーを供給する。 【効果】 スラリーを常に同じ状態で供給でき、切りは
じめの不良やスライス面の品質のバラツキが無くなる。
また、槽７内に砥粒が沈澱することも無く、スライス後
の清掃も不要になり、スライス終了後に、段取り替えの
時間も短縮できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の形成方法に
関し、特に半導体塊をマルチワイヤーソー装置でスライ
スして太陽電池用半導体基板などを形成する半導体基板
の形成方法に関する。
関し、特に半導体塊をマルチワイヤーソー装置でスライ
スして太陽電池用半導体基板などを形成する半導体基板
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多結晶シリコンなどで太陽電池用
半導体基板を形成する場合、例えば鋳造法によって多結
晶シリコンのインゴットを形成し、このインゴットを所
定寸法にカットして半導体塊を形成した後、この半導体
塊をマルチワイヤーソー装置で複数枚にスライスしてい
た。
半導体基板を形成する場合、例えば鋳造法によって多結
晶シリコンのインゴットを形成し、このインゴットを所
定寸法にカットして半導体塊を形成した後、この半導体
塊をマルチワイヤーソー装置で複数枚にスライスしてい
た。
【０００３】半導体塊をスライスする際に用いるマルチ
ワイヤーソー装置は、図３に示すように、スラリー供給
口１２が設けられたスラリー溜まり槽１１を中心に、三
つのローラー１３ａ、１３ｂ、１３ｃを配置し、このロ
ーラー１３ａ、１３ｂ、１３ｃにワイヤー１４を張って
構成されていた。
ワイヤーソー装置は、図３に示すように、スラリー供給
口１２が設けられたスラリー溜まり槽１１を中心に、三
つのローラー１３ａ、１３ｂ、１３ｃを配置し、このロ
ーラー１３ａ、１３ｂ、１３ｃにワイヤー１４を張って
構成されていた。
【０００４】半導体塊１５ａ、１５ｂをスライスする場
合、スラリー供給口１２から砥粒が混在するスラリーを
供給すると共に、三つのローラー１３ａ、１３ｂ、１３
ｃ間でワイヤー１４を高速回転させながら、複数の半導
体塊１５ａ、１５ｂをワイヤー１４部分に徐々に下降さ
せることによって半導体塊１５ａ、１５ｂをスライスす
るものである。この場合、半導体塊１５ａ、１５ｂは、
カーボンなどから成る基材１６ａ、１６ｂに貼着され、
半導体塊１５ａ、１５ｂをスライスしても、個々の半導
体基板がバラバラにならないようにスライスされる。ま
た、スラリーは、供給口１２から順次供給され、オーバ
ーフローさせながら、半導体塊１５ａ、１５ｂをスライ
スする。
合、スラリー供給口１２から砥粒が混在するスラリーを
供給すると共に、三つのローラー１３ａ、１３ｂ、１３
ｃ間でワイヤー１４を高速回転させながら、複数の半導
体塊１５ａ、１５ｂをワイヤー１４部分に徐々に下降さ
せることによって半導体塊１５ａ、１５ｂをスライスす
るものである。この場合、半導体塊１５ａ、１５ｂは、
カーボンなどから成る基材１６ａ、１６ｂに貼着され、
半導体塊１５ａ、１５ｂをスライスしても、個々の半導
体基板がバラバラにならないようにスライスされる。ま
た、スラリーは、供給口１２から順次供給され、オーバ
ーフローさせながら、半導体塊１５ａ、１５ｂをスライ
スする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
半導体基板の形成方法では、ワイヤー１４を高速で走行
させるため、スラリー溜まり槽１１内のスラリーが飛散
し、半導体塊１５ａ、１５ｂの切りはじめが垂直になら
ず、また半導体塊１５ａ、１５ｂのスライス中に負荷が
大きくなり、スライス面にワイヤー痕が発生して半導体
基板の品質を低下させるという問題があった。すなわ
ち、ワイヤーが高速であると、スラリーは、ワイヤーの
走査方向に多くオーバーフローし、ワイヤーの入口と出
口におけるスラリーの液面が水平でなくなる。この場
合、ワイヤーの入口側のインゴットをスライスすると
き、スラリーはワイヤーの下にあり、ワイヤーの出口側
のインゴットをスライスするとき、スラリーはワイヤー
の上にある。左右同時にスライスしているのに、条件が
それぞれ異なるため、ワイヤーの切れ味が全く違ってく
るために、切りはじめのみに限定して垂直にならない不
良が発生する。切りはじめが垂直でなければ、後工程で
太陽電池などのデバイスを作成する際に、割れが発生
し、デバイスを作成できない。
半導体基板の形成方法では、ワイヤー１４を高速で走行
させるため、スラリー溜まり槽１１内のスラリーが飛散
し、半導体塊１５ａ、１５ｂの切りはじめが垂直になら
ず、また半導体塊１５ａ、１５ｂのスライス中に負荷が
大きくなり、スライス面にワイヤー痕が発生して半導体
基板の品質を低下させるという問題があった。すなわ
ち、ワイヤーが高速であると、スラリーは、ワイヤーの
走査方向に多くオーバーフローし、ワイヤーの入口と出
口におけるスラリーの液面が水平でなくなる。この場
合、ワイヤーの入口側のインゴットをスライスすると
き、スラリーはワイヤーの下にあり、ワイヤーの出口側
のインゴットをスライスするとき、スラリーはワイヤー
の上にある。左右同時にスライスしているのに、条件が
それぞれ異なるため、ワイヤーの切れ味が全く違ってく
るために、切りはじめのみに限定して垂直にならない不
良が発生する。切りはじめが垂直でなければ、後工程で
太陽電池などのデバイスを作成する際に、割れが発生
し、デバイスを作成できない。
【０００６】また、ワイヤー１４の高速走行によって、
スラリー溜まり槽１１内のスラリーが対流し、スラリー
溜まり槽１１内に、切粉を多く含んだスラリーがよど
み、その結果、切粉を多く含んだスラリーで、半導体塊
１５ａ、１５ｂをスライスしなければならず、スライス
面にワイヤー痕が発生して半導体基板の品質を低下させ
るという問題もあった。
スラリー溜まり槽１１内のスラリーが対流し、スラリー
溜まり槽１１内に、切粉を多く含んだスラリーがよど
み、その結果、切粉を多く含んだスラリーで、半導体塊
１５ａ、１５ｂをスライスしなければならず、スライス
面にワイヤー痕が発生して半導体基板の品質を低下させ
るという問題もあった。
【０００７】さらに、スラリー中の砥粒がスラリー溜ま
り槽１１の底部に沈澱し、スライスの終了毎に、スラリ
ー溜まり槽１１の清掃を行わなければならないという問
題もあった。
り槽１１の底部に沈澱し、スライスの終了毎に、スラリ
ー溜まり槽１１の清掃を行わなければならないという問
題もあった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体基板
の形成方法は、このような従来技術の問題点に鑑みてな
されたものであり、その特徴とするところは、半導体塊
をマルチワイヤーソー装置でスライスして複数の半導体
基板を形成する半導体基板の形成方法において、前記半
導体塊をスライスする際に、前記マルチワイヤーソー装
置のワイヤー上方からスライス用スラリーを供給する点
にある。
の形成方法は、このような従来技術の問題点に鑑みてな
されたものであり、その特徴とするところは、半導体塊
をマルチワイヤーソー装置でスライスして複数の半導体
基板を形成する半導体基板の形成方法において、前記半
導体塊をスライスする際に、前記マルチワイヤーソー装
置のワイヤー上方からスライス用スラリーを供給する点
にある。
【０００９】
【作用】上記のように構成すると、スラリーを常に同じ
状態で供給でき、切りはじめの不良やスライス面の品質
のバラツキが無くなる。また、槽内に砥粒が沈澱するこ
とも無く、スライス後の清掃も不要になり、スライス終
了後に、次の半導体塊をセットするための段取り替えの
時間も短縮できる。
状態で供給でき、切りはじめの不良やスライス面の品質
のバラツキが無くなる。また、槽内に砥粒が沈澱するこ
とも無く、スライス後の清掃も不要になり、スライス終
了後に、次の半導体塊をセットするための段取り替えの
時間も短縮できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は、本発明に係る半導体基板の形成
方法を説明するための図であり、１は半導体塊、２はワ
イヤー、３はワイヤー２を高速走行させるためのローラ
ーである。
細に説明する。図１は、本発明に係る半導体基板の形成
方法を説明するための図であり、１は半導体塊、２はワ
イヤー、３はワイヤー２を高速走行させるためのローラ
ーである。
【００１１】半導体塊１は、例えば鋳造法などによって
形成された多結晶シリコンのインゴットを所定寸法に切
り出したものなどで構成される。この半導体塊１の一面
には、カーボンなどから成る基材４がエポキシ系の接着
剤などで貼着されている。
形成された多結晶シリコンのインゴットを所定寸法に切
り出したものなどで構成される。この半導体塊１の一面
には、カーボンなどから成る基材４がエポキシ系の接着
剤などで貼着されている。
【００１２】ワイヤー２は、例えば１６０μｍ程度の直
径を有するピアノ線などから成り、５００μｍ程度のピ
ッチで配置されている。このワイヤー２は、例えば５０
０ｍ／ｍｉｎ程度に高速走行される。
径を有するピアノ線などから成り、５００μｍ程度のピ
ッチで配置されている。このワイヤー２は、例えば５０
０ｍ／ｍｉｎ程度に高速走行される。
【００１３】半導体塊１の上方には、スライス用スラリ
ー供給口５が設けられており、ワイヤー２の上方からス
ラリーが供給されるように構成されている。すなわち、
図１に示す例では、半導体塊１を二個設置し、ワイヤー
２がいずれの方向に回転した場合でも、二個の半導体塊
１に均等にスラリーが供給できるようにスラリー供給ノ
ズル５ａを三箇所設けている。スラリー供給ノズル５ａ
の対峙部分には、スラリーを多数本のワイヤー２に均一
に供給できるように、スラリー受け６が設けられてい
る。このスライス用スラリーは、例えば砥粒を混ぜた鉱
物油などで構成される。
ー供給口５が設けられており、ワイヤー２の上方からス
ラリーが供給されるように構成されている。すなわち、
図１に示す例では、半導体塊１を二個設置し、ワイヤー
２がいずれの方向に回転した場合でも、二個の半導体塊
１に均等にスラリーが供給できるようにスラリー供給ノ
ズル５ａを三箇所設けている。スラリー供給ノズル５ａ
の対峙部分には、スラリーを多数本のワイヤー２に均一
に供給できるように、スラリー受け６が設けられてい
る。このスライス用スラリーは、例えば砥粒を混ぜた鉱
物油などで構成される。
【００１４】また、ワイヤー２の下方には、半導体塊１
をスライスする際に、落下するかもしれない端材を受け
るための槽７が設けられている。この槽７には、スラリ
ーを溜めない。
をスライスする際に、落下するかもしれない端材を受け
るための槽７が設けられている。この槽７には、スラリ
ーを溜めない。
【００１５】図２は、スラリー供給部分の斜視図であ
る。スラリーは、パイプに孔を開けたスラリー供給ノズ
ル５ａの下にスラリー受け６を設け、ワイヤー２の上方
からカーテン状にスラリーをムラなく供給する。すなわ
ち、スラリー供給ノズル５ａから、スラリー供給ノズル
１本につき、例えば４０リットル／ｍｉｎ以上供給す
る。
る。スラリーは、パイプに孔を開けたスラリー供給ノズ
ル５ａの下にスラリー受け６を設け、ワイヤー２の上方
からカーテン状にスラリーをムラなく供給する。すなわ
ち、スラリー供給ノズル５ａから、スラリー供給ノズル
１本につき、例えば４０リットル／ｍｉｎ以上供給す
る。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体基板
の形成方法によれば、半導体塊をスライスする際に、マ
ルチワイヤーソー装置のワイヤー上方からスライス用ス
ラリーを供給することから、スラリーを常に同じ状態で
供給でき、切りはじめの不良やスライス面の品質のバラ
ツキが無くなる。また、槽内に砥粒が沈澱することも無
く、スライス後の清掃も不要になり、スライス終了後
に、次の半導体塊をセットするための段取り替えの時間
も短縮できる。
の形成方法によれば、半導体塊をスライスする際に、マ
ルチワイヤーソー装置のワイヤー上方からスライス用ス
ラリーを供給することから、スラリーを常に同じ状態で
供給でき、切りはじめの不良やスライス面の品質のバラ
ツキが無くなる。また、槽内に砥粒が沈澱することも無
く、スライス後の清掃も不要になり、スライス終了後
に、次の半導体塊をセットするための段取り替えの時間
も短縮できる。
【図１】本発明に係る半導体基板の形成方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図２】本発明に係る半導体基板の形成方法の要部を説
明するための図である。
明するための図である。
【図３】従来の半導体基板の形成方法を説明するための
図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体塊をマルチワイヤーソー装置でス
ライスして複数の半導体基板を形成する半導体基板の形
成方法において、前記半導体塊をスライスする際に、前
記マルチワイヤーソー装置のワイヤー上方からスライス
用スラリーを供給することを特徴とする半導体基板の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24440793A JPH07106288A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体基板の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24440793A JPH07106288A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体基板の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106288A true JPH07106288A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17118210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24440793A Pending JPH07106288A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体基板の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106288A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6381830B1 (en) | 1998-09-01 | 2002-05-07 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method for cutting rare earth alloy, method for manufacturing rare earth alloy plates and method for manufacturing rare earth alloy magnets using wire saw, and voice coil motor |
| US6408840B2 (en) | 1999-12-14 | 2002-06-25 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method and apparatus for cutting a rare earth alloy |
| US6443143B1 (en) | 1999-09-17 | 2002-09-03 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method and apparatus for cutting rare earth alloy |
| JP2004306250A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-11-04 | Hct Shaping Systems Sa | ワイヤ式挽き切り方法及び装置 |
| DE102008030826A1 (de) * | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Wacker Schott Solar Gmbh | Drahtsägevorrichtung |
| EP2165805A1 (en) * | 2007-06-27 | 2010-03-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Multi-wire saw and method of cutting ingot |
| CN101863087A (zh) * | 2010-07-01 | 2010-10-20 | 绍兴县精功机电研究所有限公司 | 多线切割机的砂浆箱 |
| JP2016203303A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソー装置 |
-
1993
- 1993-09-30 JP JP24440793A patent/JPH07106288A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6381830B1 (en) | 1998-09-01 | 2002-05-07 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method for cutting rare earth alloy, method for manufacturing rare earth alloy plates and method for manufacturing rare earth alloy magnets using wire saw, and voice coil motor |
| US6505394B2 (en) | 1998-09-01 | 2003-01-14 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method for cutting rare earth alloy, method for manufacturing rare earth alloy plates and method for manufacturing rare earth alloy magnets using wire saw, and voice coil motor |
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| JP4602679B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2010-12-22 | アプライド マテリアルズ スウィッツァランド ソシエテ アノニム | ワイヤ式挽き切り方法及び装置 |
| EP2165805A1 (en) * | 2007-06-27 | 2010-03-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Multi-wire saw and method of cutting ingot |
| EP2165805A4 (en) * | 2007-06-27 | 2014-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | MULTI-THREAD SAW AND CUTTING METHOD OF INGOT |
| DE102008030826A1 (de) * | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Wacker Schott Solar Gmbh | Drahtsägevorrichtung |
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| JP2016203303A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 信越半導体株式会社 | ワイヤソー装置 |
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