JPH07106268A - 炉心管 - Google Patents

炉心管

Info

Publication number
JPH07106268A
JPH07106268A JP26808593A JP26808593A JPH07106268A JP H07106268 A JPH07106268 A JP H07106268A JP 26808593 A JP26808593 A JP 26808593A JP 26808593 A JP26808593 A JP 26808593A JP H07106268 A JPH07106268 A JP H07106268A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core tube
main body
impurities
tube main
furnace core
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26808593A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayori Kuroki
敬順 黒木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP26808593A priority Critical patent/JPH07106268A/ja
Publication of JPH07106268A publication Critical patent/JPH07106268A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】炉心管内における不純物の堆積や不純物の垂れ
流しによる装置内外の汚染のおそれを防止する。 【構成】水平方向に延長するように取り付けられてなる
管状の炉心管本体11に気化された不純物を供給し、炉
心管本体内に載置された被対象物に不純物を拡散又は堆
積させる際に用いられる炉心管において、炉心管本体の
うち搬出及び搬入用に設けられた開口の底部に受け皿1
2を配設し、再液化した不純物を収集する。この結果、
炉心管本体内における不純物の堆積や不純物の垂れ流し
による装置内外の汚染のおそれを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は炉心管に関し、例えば不
純物拡散炉に使用する炉心管に適用して好適なものであ
る。
【0002】
【従来の技術】集積回路装置の製造工程では、ウエハ処
理工程の1つとして不純物をウエハ中に熱拡散させるド
ーピング工程が設けられている。従来、図3に示すよう
に不純物拡散炉1においては、石英ガラスからなる炉心
管本体2、炉内を加熱するためのヒータ源3及び炭化ケ
イ素からなるライナーチユーブ4で構成されている。
【0003】炉心管本体2の一端には、不純物を管内に
導入するための導入口5が設けられている。この導入口
5は、炉心管本体2内で拡散させるための液体不純物の
POCl3(オキシ塩化リン)を不活性ガスにてバブリング
し気化させることにより得られる不純物ガスを炉心管本
体2内に導入するためのものである。また炉心管本体2
の他端には、ウエハの搬入及び搬出のための開口部6が
設けられている。
【0004】また炉心管本体2のうち開口部6付近に
は、管内に導入された不純物ガスを排気するための排気
口7が設けられている。この不純物ガスは有害であり人
体に悪影響を与えるため、拡散後、排気口7より排気さ
れ無害な状態に処理された後に排出される。
【0005】炉心管本体2の周囲には、ヒータ源3から
発生する熱を炉心管本体2内に均一に伝え、また金属か
らなるヒータ源3の汚染を防止するためのライナーチユ
ーブ4が配設されている。
【0006】導入口5より炉心管本体2内に取り入れら
れる不純物ガスは、ヒータ源3にて発生する熱により加
熱され、炉心管本体2内に沿つて並べられた状態で挿入
されているウエハ上に拡散される。このとき炉心管本体
2内は 950〜1000度位になつている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが炉心管本体の
開口部の温度はウエハの搬出及び搬入により低下するた
め、不純物ガスの一部が開口部にて液化し開口部付近に
堆積したり、固形化するという問題があつた。
【0008】また排気口付近にはヒータ源が配設されて
おらず、ヒータ源の配設されている位置に比べて低温で
あるため、この付近でも不純物ガスの一部が液化し炉心
管から排出されずに堆積するという問題がある。加えて
搬出及び搬入の際、この開口部に溜まつた液体不純物が
床に垂れて装置周辺を汚染するといつた問題がある。
【0009】また液体不純物が炉心管内に残留するた
め、炉心管内に挿入されているウエハ表面における抵抗
値のばらつきや、堆積した不純物がはがれることにより
半導体製品の特性を変えてしまうおそれがある。
【0010】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、炉心管内における不純物の堆積や不純物の垂れ流し
による装置内外の汚染のおそれを防止することができる
炉心管を提案しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、水平方向に延長するように取り付
けられてなる管状の炉心管本体11に気化された不純物
を供給し、炉心管本体11内に載置された被対象物に不
純物を拡散又は堆積させる際に用いられる炉心管10に
おいて、炉心管本体11のうち搬出及び搬入用に設けら
れた開口6の底部に再液化した不純物を収集するための
受け皿12を備えるようにする。
【0012】
【作用】水平方向に延長するように取り付けられてなる
管状の炉心管本体11に気化された不純物を供給し、炉
心管本体11内に載置された被対象物に不純物を拡散又
は堆積させる際に用いられる炉心管10において、炉心
管本体11のうち搬出及び搬入用に設けられた開口6の
底部に受け皿12を配設し、再液化した不純物を収集す
ることにより炉心管本体11内における不純物の堆積や
不純物の垂れ流しによる装置内外の汚染のおそれを防止
することができる。
【0013】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
【0014】図3との対応部分に同一符号を付して示す
図1において、10は全体として炉心管を示し、炉心管
本体11に設けられた開口部6付近の底部に受け皿12
を有することを除いて同様の構成を有している。この炉
心管本体11には、開口部6付近の下方部に液化した不
純物 POCl3を収集するための受け皿12が設けられてい
る。この液体不純物を受け皿12まで流すための凹形状
の溝13を炉心管本体11の底部に沿つて受け皿12か
ら導入口5に向けて設ける。また受け皿12の底部に
は、集められた液体不純物を排出するための排液口14
を設けている。
【0015】この例の場合、例えば炉心管本体11は長
さaが2.4〔m〕、開口部6の外径bが18.5〔cm〕で
なる。炉心管本体11に設けられた受け皿12は長さc
を12〜13〔cm〕、幅dを4〜5〔cm〕、深さeを 1.5
〔cm〕とし、受け皿12の端から溝13の端までの長さ
fを1〔m〕とする。
【0016】以上の構成において、ヒータ源(図示せ
ず)でウエハがセツトされている炉心管本体11の内部
を加熱する。この際炉心管本体11内には導入口5から
導入された不純物ガス POCl3があるためヒータ源による
加熱によつてウエハ中に熱拡散する。また熱拡散後の不
純物ガスは排気口7より排出される。
【0017】拡散後、処理が終了したウエハを搬出し、
続いて新たなウエハを搬入する際、開口部6付近の温度
が低下し不純物ガスが液化する。この液体不純物は炉心
管本体11内に付着し、炉心管本体11の下方に集まり
溝13をつたつて受け皿12へと集まり、受け皿12に
設けられている排液口14より排出される。
【0018】以上の構成によれば、炉心管本体11の開
口部6付近に受け皿12及び溝13を設けることにより
液体不純物 POCl3は受け皿12に集められ排出される。
このため炉心管本体11に不純物が大量に残留すること
がなくなり、これら不純物が炉心管本体11内壁に付着
や堆積することはない。これにより、炉心管本体11内
に挿入されているウエハ表面における抵抗値を均一にで
き、また装置内外の洗浄回数を減少することができる。
【0019】なお上述の実施例において、液体の不純物
を溝13に伝つて受け皿12へと収集させるものについ
て述べたが、本発明はこれに限らず、溝13を設ける代
わりに、図2に示すように、開口部6が低くなるように
炉心管本体11に2〜3°の傾斜をつけても同様の効果
を得ることができる。
【0020】また上述の実施例において、液体の不純物
を溝13に伝つて受け皿12へと収集させるものについ
て述べたが、本発明はこれに限らず、溝13及び受け皿
12を設ることに加えて炉心管本体11全体に2〜3°
の傾斜をつけても同様の効果を得ることができる。
【0021】また上述の実施例において、拡散源として
不純物 POCl3を用いてN型半導体を作成する時について
述べたが、本発明はこれに限らず、拡散源としてB(ホ
ウ素)等のガスを用いてP型半導体を作成するときにも
良い。
【0022】さらに上述の実施例において、不純物拡散
炉について述べたが、本発明はこれに限らず、横型減圧
CVD装置等水平方向に延長する炉心管を有する装置に
も適用し得る。
【0023】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、炉心管本
体に再液化した不純物を収集するための受け皿を設ける
ことにより、炉心管内壁への不純物の堆積や不純物の垂
れ流しによる装置内外の汚染のおそれを低減することが
できる炉心管を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による炉心管の構造を示す斜
視図である。
【図2】その他の不純物拡散炉を示す斜視図である。
【図3】従来の不純物拡散炉を示す斜視図である。
【符号の説明】
1……不純物拡散炉、2、11……炉心管本体、3……
ヒータ源、4……ライナーチユーブ、5……導入口、6
……開口部、7……排気口、10……炉心管、12……
受け皿、13……溝、14……排液口。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】水平方向に延長するように取り付けられて
    なる管状の炉心管本体に気化された不純物を供給し、上
    記炉心管本体内に載置された被対象物に不純物を拡散又
    は堆積させる際に用いられる炉心管において、 上記炉心管本体のうち搬出及び搬入用に設けられた開口
    の底部に再液化した不純物を収集するための受け皿を具
    えることを特徴とする炉心管。
  2. 【請求項2】上記炉心管本体の底部に沿つて上記受け皿
    から上記開口と反対方向に伸びる溝を具えることを特徴
    とする請求項1に記載の炉心管。
  3. 【請求項3】上記炉心管本体を上記開口側が反対側に比
    して低くなるように傾斜をつけ配設することを特徴とす
    る請求項1又は請求項2に記載の炉心管。
  4. 【請求項4】上記受け皿の底部に収集された液体を排出
    する排出部を具えることを特徴とする請求項1、請求項
    2又は請求項3に記載の炉心管。
JP26808593A 1993-09-30 1993-09-30 炉心管 Pending JPH07106268A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26808593A JPH07106268A (ja) 1993-09-30 1993-09-30 炉心管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26808593A JPH07106268A (ja) 1993-09-30 1993-09-30 炉心管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07106268A true JPH07106268A (ja) 1995-04-21

Family

ID=17453681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26808593A Pending JPH07106268A (ja) 1993-09-30 1993-09-30 炉心管

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07106268A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009253179A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Koyo Thermo System Kk 横型炉装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009253179A (ja) * 2008-04-10 2009-10-29 Koyo Thermo System Kk 横型炉装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4778559A (en) Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus
US4938815A (en) Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus
KR100241293B1 (ko) 고속열처리로의 온도제어방법 및 그 장치
US4745088A (en) Vapor phase growth on semiconductor wafers
US20060032848A1 (en) Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor
EP0463633A1 (en) Chemical-vapor-deposition apparatus and method for reducing particulate contamination in a chemical-vapor-deposition process
CN102668033A (zh) 半导体薄膜制造方法、半导体薄膜制造装置、基座和基座保持器
TW557534B (en) Boat for heat treatment and vertical heat-treating furnace
US4957781A (en) Processing apparatus
EP0164892B1 (en) Horizontal furnace apparatus
US5080039A (en) Processing apparatus
JPH07106268A (ja) 炉心管
JPH11121311A (ja) 炭化ケイ素材およびその製造方法並びに炭化ケイ素ウエハ
KR102518977B1 (ko) 횡형 열처리로를 이용한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법
JPH0815144B2 (ja) 縦型処理装置
TW578215B (en) Method to produce components or its inter-products, vacuum-processing equipment and ultra-high-vacuum CVD-reactor
US4956046A (en) Semiconductor substrate treating method
JP2658947B2 (ja) 縦型拡散炉
JPH1050613A (ja) エピタキシャル成長装置
US11219851B2 (en) Vertical furnace with device for trapping contaminants
JPS63181315A (ja) 熱処理装置
JPH0927488A (ja) 熱処理装置
JPH01272112A (ja) ウエハ保持治具
JPH07221022A (ja) バレル型気相成長装置
JPH0778780A (ja) 縦型拡散炉用炉芯管