JPH07105034B2 - 磁気記録体 - Google Patents
磁気記録体Info
- Publication number
- JPH07105034B2 JPH07105034B2 JP61281790A JP28179086A JPH07105034B2 JP H07105034 B2 JPH07105034 B2 JP H07105034B2 JP 61281790 A JP61281790 A JP 61281790A JP 28179086 A JP28179086 A JP 28179086A JP H07105034 B2 JPH07105034 B2 JP H07105034B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic recording
- magnetic
- protective layer
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Lubricants (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記憶装置に用いられる磁気記録体に関す
る。
る。
磁気記憶装置は、磁気記録体と記録再生磁気ヘツド（以
下ヘツドと呼ぶ）を主要構成部としている。その記録再
生方法は、操作開始前にはヘツドと磁気記録体面が接触
状態であるが、磁気記録体が所定の回転数で回転するこ
とにより、ヘツドと磁気記録体面の間に所定の空間を作
り、この状態で記録再生する方法が現在では主流となつ
ている（コンタクト・スタート・ストツプ方式、以下CS
S方式と称す）。この方法では、操作終了時に磁気記録
体の回転が止まる際には、ヘツドと磁気記録体は、再
び、接触状態になる。この方式では操作開始時、及び、
終了時にヘツドと磁気記録体面は接触摩擦状態となり、
この時のヘツドと磁気記録体面の摩擦力を低減させるた
めに、磁気記録体の表面に保護層を形成させることが一
般的に行なわれている。保護層の役割は、ヘツドと磁気
記録体面の摩擦力を低減させるだけではなく、ヘツドが
磁気記録体面から浮上している際に、わずかなバランス
の変化により、ヘツドが磁気記録体面に衝突した際に
も、磁性層が傷がつくのを保護する役目もある。さら
に、磁性層の材質によつては、空気中の湿度等による腐
食の心配があり、保護層はそれを防止する役割もある。
下ヘツドと呼ぶ）を主要構成部としている。その記録再
生方法は、操作開始前にはヘツドと磁気記録体面が接触
状態であるが、磁気記録体が所定の回転数で回転するこ
とにより、ヘツドと磁気記録体面の間に所定の空間を作
り、この状態で記録再生する方法が現在では主流となつ
ている（コンタクト・スタート・ストツプ方式、以下CS
S方式と称す）。この方法では、操作終了時に磁気記録
体の回転が止まる際には、ヘツドと磁気記録体は、再
び、接触状態になる。この方式では操作開始時、及び、
終了時にヘツドと磁気記録体面は接触摩擦状態となり、
この時のヘツドと磁気記録体面の摩擦力を低減させるた
めに、磁気記録体の表面に保護層を形成させることが一
般的に行なわれている。保護層の役割は、ヘツドと磁気
記録体面の摩擦力を低減させるだけではなく、ヘツドが
磁気記録体面から浮上している際に、わずかなバランス
の変化により、ヘツドが磁気記録体面に衝突した際に
も、磁性層が傷がつくのを保護する役目もある。さら
に、磁性層の材質によつては、空気中の湿度等による腐
食の心配があり、保護層はそれを防止する役割もある。
磁気記録体にとつて重要な構成部である保護層は、従来
から種々の材料が知られている。例えば、金属メツキ膜
（例えばCr,Rh,Ni−Ｐ等）を保護層として被覆する方法
があるが、いずれも上記の接触摩擦現象に対して有力な
手段とはならない。より信頼性の高い保護層として、Si
O2層と潤滑層を形成させる方法や、カーボン膜を形成さ
せる方法も試みられている（NIKKEI NEW MATERIALS PP2
4−33 1985年12月号）。このうちカーボン保護層は、他
の保護層に比べて優れた特性を示すが、耐摺動性の面で
は不十分で長時間にわたるヘツドとの接触摩擦によつて
徐々にけずられてカーボン粉が析出してしまう。
から種々の材料が知られている。例えば、金属メツキ膜
（例えばCr,Rh,Ni−Ｐ等）を保護層として被覆する方法
があるが、いずれも上記の接触摩擦現象に対して有力な
手段とはならない。より信頼性の高い保護層として、Si
O2層と潤滑層を形成させる方法や、カーボン膜を形成さ
せる方法も試みられている（NIKKEI NEW MATERIALS PP2
4−33 1985年12月号）。このうちカーボン保護層は、他
の保護層に比べて優れた特性を示すが、耐摺動性の面で
は不十分で長時間にわたるヘツドとの接触摩擦によつて
徐々にけずられてカーボン粉が析出してしまう。
このように、磁気記録体の保護層としては種々の材料が
知られているが、常に、高信頼度化が望まれている。
知られているが、常に、高信頼度化が望まれている。
上記従来技術はヘツドと磁気記録体面の接触摩擦現象に
対して、磁気記録体を保護するための信頼性、とりわけ
耐摺動潤滑性が不十分である。
対して、磁気記録体を保護するための信頼性、とりわけ
耐摺動潤滑性が不十分である。
本発明の目的は、接触摩擦現象に対してより高信頼度の
磁気記録体を提供することにある。
磁気記録体を提供することにある。
上記目的は、磁気記録体を構成するカーボン保護層を表
面処理して官能基を形成し、この官能基に対して潤滑性
をもつ高分子化合物を化学結合することにより達成され
る。
面処理して官能基を形成し、この官能基に対して潤滑性
をもつ高分子化合物を化学結合することにより達成され
る。
磁気記録体を構成するカーボン保護層は、酸化性プラズ
マ処理、あるいは、化学的酸化処理によつて表面に−OH
基あるいは−COOH基を形成しうる。このカーボン保護層
表面に形成した官能基と化学的に反応しうる官能基（例
えばシラノール基、−Si（OH）３）を末端にもつ高分子
潤滑剤を化学結合させることにより、カーボン保護層上
に強固な潤滑層を形成することができる。
マ処理、あるいは、化学的酸化処理によつて表面に−OH
基あるいは−COOH基を形成しうる。このカーボン保護層
表面に形成した官能基と化学的に反応しうる官能基（例
えばシラノール基、−Si（OH）３）を末端にもつ高分子
潤滑剤を化学結合させることにより、カーボン保護層上
に強固な潤滑層を形成することができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
図は本発明の磁気記録体の一実施例を示す断面図であ
る。本発明の磁気記録体は、合金円盤１とその上に被覆
された非磁性合金層２と、この非磁性合金層２の研摩面
上に被覆された磁性薄膜層３と、この磁性薄膜層３上に
被覆されたカーボン保護層４と、このカーボン保護層４
上に化学結合された潤滑層５から構成される。
る。本発明の磁気記録体は、合金円盤１とその上に被覆
された非磁性合金層２と、この非磁性合金層２の研摩面
上に被覆された磁性薄膜層３と、この磁性薄膜層３上に
被覆されたカーボン保護層４と、このカーボン保護層４
上に化学結合された潤滑層５から構成される。
合金円盤１の材料は、通常、Al−Mg合金が用いられ、十
分小さなうねりを持つた面に仕上げられていなければな
らない。この合金円盤１の上には機械的表面精度と、ヘ
ツドとの接触時に変形損傷を生じない強度をもつ非磁性
合金層２が形成される。この非磁性合金層２には、磁性
薄膜層３の材料がCo−Ni系の場合、メツキ法によりNi−
Ｐ膜が形成されることが多い。磁性薄膜層３がγ−Fe2O
3の場合には、この磁性層の形成時に300℃前後の熱処理
を要するため、Ni−Ｐ膜では耐熱性が不十分であり、ア
ルマイト層、あるいは、耐熱性に優れた他の材料が用い
られる。
分小さなうねりを持つた面に仕上げられていなければな
らない。この合金円盤１の上には機械的表面精度と、ヘ
ツドとの接触時に変形損傷を生じない強度をもつ非磁性
合金層２が形成される。この非磁性合金層２には、磁性
薄膜層３の材料がCo−Ni系の場合、メツキ法によりNi−
Ｐ膜が形成されることが多い。磁性薄膜層３がγ−Fe2O
3の場合には、この磁性層の形成時に300℃前後の熱処理
を要するため、Ni−Ｐ膜では耐熱性が不十分であり、ア
ルマイト層、あるいは、耐熱性に優れた他の材料が用い
られる。
非磁性合金層２は機械的研摩により表面粗さ0.04μｍ以
下に鏡面仕上げされたあと、磁性薄膜層３が形成され
る。この磁性薄膜層３には、スパツタ法によるCo−Ni膜
やγ−Fe2O3膜、あるいは、メツキ法によるCo−Ni−Ｐ
膜などが用いられる。
下に鏡面仕上げされたあと、磁性薄膜層３が形成され
る。この磁性薄膜層３には、スパツタ法によるCo−Ni膜
やγ−Fe2O3膜、あるいは、メツキ法によるCo−Ni−Ｐ
膜などが用いられる。
磁性薄膜層３は、そのままでは耐食性およびヘツドとの
接触摩擦に対する耐久性が十分でないため、磁性薄膜層
３上にカーボン保護層４が形成される。このカーボン保
護層４は、潤滑性をもつているが、長時間にわたるヘツ
ドとの接触摩擦によつて徐々にけずられてカーボン粉が
折出する。ここで折出するカーボン粉は磁気記録体面上
に付着してヘツドの走行を妨げるのみでなく、記録再生
を誤動作させる原因となる。そこで、カーボン保護層４
の表面の潤滑性を高めるために、潤滑層５が形成され
る。この潤滑層５は、ヘツドとの摩擦係数が十分小さい
ことが必要で、また、ヘツドとの接触により簡単に損耗
しないように、単に保護層に物理的に結合しているだけ
では不十分で、保護層と化学的に結合していることが重
要である。
接触摩擦に対する耐久性が十分でないため、磁性薄膜層
３上にカーボン保護層４が形成される。このカーボン保
護層４は、潤滑性をもつているが、長時間にわたるヘツ
ドとの接触摩擦によつて徐々にけずられてカーボン粉が
折出する。ここで折出するカーボン粉は磁気記録体面上
に付着してヘツドの走行を妨げるのみでなく、記録再生
を誤動作させる原因となる。そこで、カーボン保護層４
の表面の潤滑性を高めるために、潤滑層５が形成され
る。この潤滑層５は、ヘツドとの摩擦係数が十分小さい
ことが必要で、また、ヘツドとの接触により簡単に損耗
しないように、単に保護層に物理的に結合しているだけ
では不十分で、保護層と化学的に結合していることが重
要である。
カーボン保護層４の表面には、そのままでは潤滑剤と化
学的に結合しうる官能基は存在しない。しかし、カーボ
ン保護層４を表面処理（例えば、酸化的プラズマ処理や
化学的酸化処理）することにより、表面に水酸基（−OH
基）やカルボキシル基（−COOH）を容易に形成すること
ができる。これに着目することにより、これと反応しう
る官能基をもつ潤滑性高分子化合物を化学的にカーボン
保護層４上に結合させることができる。ここで用いるこ
とができる潤滑性高分子化合物は配向したシリコーンオ
イル、ふつ素油、および、フロロシリコーンなどのオイ
ル類やオクタデシルトリクロロシラン、ヘキサメチルジ
シラザンなどのシラン、または、シラザン類など、カー
ボン保護層４の表面に存在する水酸基やカルボキシル基
と化学的な結合を形成しうるものである。その他、カー
ボン保護層４の表面の水酸基やカルボキシル基と化学的
な結合を形成しうる官能基をもち、潤滑性をもつもので
あればどのようなものでもよい。
学的に結合しうる官能基は存在しない。しかし、カーボ
ン保護層４を表面処理（例えば、酸化的プラズマ処理や
化学的酸化処理）することにより、表面に水酸基（−OH
基）やカルボキシル基（−COOH）を容易に形成すること
ができる。これに着目することにより、これと反応しう
る官能基をもつ潤滑性高分子化合物を化学的にカーボン
保護層４上に結合させることができる。ここで用いるこ
とができる潤滑性高分子化合物は配向したシリコーンオ
イル、ふつ素油、および、フロロシリコーンなどのオイ
ル類やオクタデシルトリクロロシラン、ヘキサメチルジ
シラザンなどのシラン、または、シラザン類など、カー
ボン保護層４の表面に存在する水酸基やカルボキシル基
と化学的な結合を形成しうるものである。その他、カー
ボン保護層４の表面の水酸基やカルボキシル基と化学的
な結合を形成しうる官能基をもち、潤滑性をもつもので
あればどのようなものでもよい。
例えば、RSiCl3（Ｒは直鎖炭化水素）の構造を持つもの
は、水によつて加水分解されて反応性に富むシラノール
基（Si−OH）を含む化合物となる。このシラノール基を
含む部分は、カーボン保護層４表面に存在する水酸基や
カルボキル基と脱水縮合反応を起こし、強固に化学結合
する。
は、水によつて加水分解されて反応性に富むシラノール
基（Si−OH）を含む化合物となる。このシラノール基を
含む部分は、カーボン保護層４表面に存在する水酸基や
カルボキル基と脱水縮合反応を起こし、強固に化学結合
する。
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
＜実施例 １＞ 磁気記録体の合金円盤１の材料としてAl−Mg合金を用
い、加工によつて十分小さなうねり（真直度14μｍ以
下）をもつた面に仕上げられた上に非磁性合金層２とし
て無電解メツキによりNi−Ｐ層を30μｍ形成させこのNi
−Ｐ層を機械的研摩により、表面粗さとしてＲmax0.04
μｍ以下、厚さ20μｍまで鏡面研摩仕上げした。この面
上に磁性薄膜層３としてスパツタ法により、Co−Ni系合
金磁性層を厚さ500Å形成した。この面上にスパツタ法
によりカーボン保護膜４を厚さ300Åに形成させた。こ
のようにして得られたデイスク状円盤を、酸素と水蒸気
を雰囲気ガスとした高周波プラズマ中で二分間処理した
後、この面上にオクタデシルトリクロロシランの0.1wt
％ｎ−ブタノール溶液をスピンコート法により塗布し、
全体を200℃で二時間焼成して潤滑層５を形成し、磁気
記録体を作製した。
い、加工によつて十分小さなうねり（真直度14μｍ以
下）をもつた面に仕上げられた上に非磁性合金層２とし
て無電解メツキによりNi−Ｐ層を30μｍ形成させこのNi
−Ｐ層を機械的研摩により、表面粗さとしてＲmax0.04
μｍ以下、厚さ20μｍまで鏡面研摩仕上げした。この面
上に磁性薄膜層３としてスパツタ法により、Co−Ni系合
金磁性層を厚さ500Å形成した。この面上にスパツタ法
によりカーボン保護膜４を厚さ300Åに形成させた。こ
のようにして得られたデイスク状円盤を、酸素と水蒸気
を雰囲気ガスとした高周波プラズマ中で二分間処理した
後、この面上にオクタデシルトリクロロシランの0.1wt
％ｎ−ブタノール溶液をスピンコート法により塗布し、
全体を200℃で二時間焼成して潤滑層５を形成し、磁気
記録体を作製した。
＜実施例 ２＞ 実施例１と同様に、合金円盤１の材料として、Al−Mg合
金を用い、非磁性合金層２としてNi−Ｐ層を形成した
後、磁性薄膜層３としてCo−Ni系合金層を厚さ500Åで
形成し、この面上にカーボン保護層４を厚さ300Åに形
成させた。このようにして得られたデイスク状円盤を、
過酸化水素10％溶液で40℃、二時間処理した後、この面
上にオクタデシルトリクロロシランの0.1wt％ｎ−ブタ
ノール溶液をスピンコート法により塗布し、全体を200
℃で二時間焼成して潤滑層５を形成し、磁気記録体を作
製した。
金を用い、非磁性合金層２としてNi−Ｐ層を形成した
後、磁性薄膜層３としてCo−Ni系合金層を厚さ500Åで
形成し、この面上にカーボン保護層４を厚さ300Åに形
成させた。このようにして得られたデイスク状円盤を、
過酸化水素10％溶液で40℃、二時間処理した後、この面
上にオクタデシルトリクロロシランの0.1wt％ｎ−ブタ
ノール溶液をスピンコート法により塗布し、全体を200
℃で二時間焼成して潤滑層５を形成し、磁気記録体を作
製した。
＜実施例３＞ 実施例１と同様に、合金円盤１の材料としてAl−Mg合金
を用い、非磁性合金層２としてNi−Ｐ層を形成した後、
磁性薄膜３としてCo−Ni系合金層を厚さ500Åで形成
し、この面上にカーボン保護層４を厚さ300Åに形成さ
せた。こうして得られたディスク状円盤を、アルゴン、
酸素及び水蒸気の混合ガスを雰囲気ガスとした高周波プ
ラズマ中で２分間処理した。処理時のガス雰囲気条件
は、Ar:0〜90％、O2:90〜50％、H2O:0〜50％、全圧力:
0.1〜20torrの範囲が好適である。本実施例において
は、Ar:70％、O2:25％、H2O:5％の混合ガス中、全圧1to
rrにおいて前記処理を行った。このように処理したディ
スク状円盤を、パーフロオロポリエーテル鎖を持ち、そ
の末端の一方又は両方に、カーボン層上に形成された−
OH基や−COOH基と結合しうる官能基を有するフッ素系潤
滑剤（例えばFomblin Z Deal,Fomblin Z Dol,Fomblin Z
Disoc等）溶液中に浸せきする法、またはスピンコート
する法等により潤滑層５を形成することができる。ここ
では、上記のFomblin Z Dolを0.2wt％含む溶液中に上記
のディスク状円盤を浸せきして潤滑層５を形成した。得
られたディスク状円盤を、フレオンで洗浄してカーボン
保護層４上に化学結合していない余分の潤滑剤を洗い流
して磁気記録体とした。得られた磁気記録体の表面に化
学装飾された潤滑剤５の厚さを、FT−IRによる吸収ピー
クにより検量したところ2.5〜7.0nmの厚さに入っている
ことがわかった。
を用い、非磁性合金層２としてNi−Ｐ層を形成した後、
磁性薄膜３としてCo−Ni系合金層を厚さ500Åで形成
し、この面上にカーボン保護層４を厚さ300Åに形成さ
せた。こうして得られたディスク状円盤を、アルゴン、
酸素及び水蒸気の混合ガスを雰囲気ガスとした高周波プ
ラズマ中で２分間処理した。処理時のガス雰囲気条件
は、Ar:0〜90％、O2:90〜50％、H2O:0〜50％、全圧力:
0.1〜20torrの範囲が好適である。本実施例において
は、Ar:70％、O2:25％、H2O:5％の混合ガス中、全圧1to
rrにおいて前記処理を行った。このように処理したディ
スク状円盤を、パーフロオロポリエーテル鎖を持ち、そ
の末端の一方又は両方に、カーボン層上に形成された−
OH基や−COOH基と結合しうる官能基を有するフッ素系潤
滑剤（例えばFomblin Z Deal,Fomblin Z Dol,Fomblin Z
Disoc等）溶液中に浸せきする法、またはスピンコート
する法等により潤滑層５を形成することができる。ここ
では、上記のFomblin Z Dolを0.2wt％含む溶液中に上記
のディスク状円盤を浸せきして潤滑層５を形成した。得
られたディスク状円盤を、フレオンで洗浄してカーボン
保護層４上に化学結合していない余分の潤滑剤を洗い流
して磁気記録体とした。得られた磁気記録体の表面に化
学装飾された潤滑剤５の厚さを、FT−IRによる吸収ピー
クにより検量したところ2.5〜7.0nmの厚さに入っている
ことがわかった。
本実施例に示したように、カーボン保護層４を表面処理
して、上記保護層４上に−OH基あるいは−COOH基等を形
成することにより、潤滑層５を強固に形成することがで
きる。上記のカーボン保護層４を表面処理する方法とし
ては、本実施例ではプラズマ処理法を示したが、この方
法に限定されることなく、カーボン保護層４上に上記の
官能基を形成しうる方法であれば、どのような方法でも
かまわない。
して、上記保護層４上に−OH基あるいは−COOH基等を形
成することにより、潤滑層５を強固に形成することがで
きる。上記のカーボン保護層４を表面処理する方法とし
ては、本実施例ではプラズマ処理法を示したが、この方
法に限定されることなく、カーボン保護層４上に上記の
官能基を形成しうる方法であれば、どのような方法でも
かまわない。
＜比較例 １＞ 実施例１と同様に、合金円盤１の材料としてAl−Mg合金
を用い、非磁性合金層２としてNi−Ｐ層を形成し、磁性
薄膜層３としてCo−Ni系合金を厚さ500Åで形成した
後、この面上にカーボン保護層４を厚さ300Åに形成
し、潤滑層５として弗素系の潤滑油を塗布して磁気記録
体を作製した。
を用い、非磁性合金層２としてNi−Ｐ層を形成し、磁性
薄膜層３としてCo−Ni系合金を厚さ500Åで形成した
後、この面上にカーボン保護層４を厚さ300Åに形成
し、潤滑層５として弗素系の潤滑油を塗布して磁気記録
体を作製した。
＜比較例 ２＞ 実施例１と同様に、合金円盤１の材料としてAl−Mg合金
を用い、非磁性合金層２としてNi−Ｐ層を形成し、磁性
薄膜層３としてCo−Ni系合金を厚さ500Åに形成した
後、この面上にカーボン保護層４を厚さ300Åに形成し
て磁気記録体を作製した。
を用い、非磁性合金層２としてNi−Ｐ層を形成し、磁性
薄膜層３としてCo−Ni系合金を厚さ500Åに形成した
後、この面上にカーボン保護層４を厚さ300Åに形成し
て磁気記録体を作製した。
＜比較例３＞ 実施例１と同様に、合金円盤１の材料としてAl−Mg合金
を用い、非磁性合金層２としてNi−Ｐ層を形成し、磁性
薄膜層３としてCo−Ni系合金を厚さ500Åで形成し、こ
の面上にカーボン保護層４を厚さ300Åに形成させた。
こうして得られたディスク状円盤を、実施例３に示した
フッ素系潤滑剤を含む溶液中に浸せきした後、表面をフ
レオンで洗浄して磁気記録体とした。
を用い、非磁性合金層２としてNi−Ｐ層を形成し、磁性
薄膜層３としてCo−Ni系合金を厚さ500Åで形成し、こ
の面上にカーボン保護層４を厚さ300Åに形成させた。
こうして得られたディスク状円盤を、実施例３に示した
フッ素系潤滑剤を含む溶液中に浸せきした後、表面をフ
レオンで洗浄して磁気記録体とした。
得られた磁気記録体の表面に形成された潤滑層５の厚さ
を実施例３と同様な方法で測定したところ、1nm以下で
あった。
を実施例３と同様な方法で測定したところ、1nm以下で
あった。
実施例３と比較例３に示したように、カーボン保護層４
を表面処理して官能基を形成することにより、潤滑剤が
容易にカーボン保護層４上に化学結合するようになり、
潤滑層５を強固に結合させることができる。
を表面処理して官能基を形成することにより、潤滑剤が
容易にカーボン保護層４上に化学結合するようになり、
潤滑層５を強固に結合させることができる。
実施例１〜３および比較例１〜３に示した磁気記録体
と、Mn−Znフェライトヘッドを用いてヘッド浮上量0.2
μｍで、CSS方式による記録再生試験を実施した。比較
例２の場合には一万回の繰返し後に、比較例１、３の場
合には二万回の繰返し後に目視観察できるきずが発生
し、記録再生エラーを生じた。また比較例１の場合に
は、試験初期よりヘッドと磁気記録体が密着して始動時
にヘッドが浮上しにくいという欠点があった。これに対
し、実施例１〜３の場合には、ヘッドと磁気記録体の密
着は見られず、三万回の繰返し後にもきずは皆無であ
り、記録再生エラーも生じなかった。
と、Mn−Znフェライトヘッドを用いてヘッド浮上量0.2
μｍで、CSS方式による記録再生試験を実施した。比較
例２の場合には一万回の繰返し後に、比較例１、３の場
合には二万回の繰返し後に目視観察できるきずが発生
し、記録再生エラーを生じた。また比較例１の場合に
は、試験初期よりヘッドと磁気記録体が密着して始動時
にヘッドが浮上しにくいという欠点があった。これに対
し、実施例１〜３の場合には、ヘッドと磁気記録体の密
着は見られず、三万回の繰返し後にもきずは皆無であ
り、記録再生エラーも生じなかった。
潤滑剤をカーボン保護層表面に化学結合させて潤滑層を
形成したため、磁気記録体の潤滑性が向上し、また、潤
滑剤を単に塗布した場合に比べて、ヘツドとの接触で潤
滑剤が機械的にこすりとられることが少なくなつた。こ
れにより、より高信頼性の磁気記録体を提供することが
できる。
形成したため、磁気記録体の潤滑性が向上し、また、潤
滑剤を単に塗布した場合に比べて、ヘツドとの接触で潤
滑剤が機械的にこすりとられることが少なくなつた。こ
れにより、より高信頼性の磁気記録体を提供することが
できる。
本発明によれば、潤滑層の耐久性を増し、磁気記録体が
摩耗により損傷するのを防ぐことができる。
摩耗により損傷するのを防ぐことができる。
図は本発明の磁気記録体の一実施例を示す断面図であ
る。 １……合金円盤、２……非磁性合金層、３……磁性薄膜
層、４……カーボン保護層、５……潤滑層。
る。 １……合金円盤、２……非磁性合金層、３……磁性薄膜
層、４……カーボン保護層、５……潤滑層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 一紀 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 武内 瀞士 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 沢畠 昇一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 森 利克 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 本地 章夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−146430（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性円盤状基体上に磁性薄膜が形成さ
れ、前記磁性薄膜上にカーボン保護膜が被覆された磁気
記録体において、前記カーボン保護膜を酸化表面処理す
ることにより表面に酸素を含有する官能基を形成し、該
官能基を介して潤滑層がカーボン保護膜の上に化学結合
されていることを特徴とする磁気記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281790A JPH07105034B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 磁気記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281790A JPH07105034B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 磁気記録体 |
Publications (2)
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61281790A Expired - Lifetime JPH07105034B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 磁気記録体 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH07105034B2 (ja) |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146430A (ja) * | 1985-12-21 | 1987-06-30 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61281790A patent/JPH07105034B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63136316A (ja) | 1988-06-08 |
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