JPH0697708A - マイクロ波伝送線路 - Google Patents
マイクロ波伝送線路Info
- Publication number
- JPH0697708A JPH0697708A JP4242837A JP24283792A JPH0697708A JP H0697708 A JPH0697708 A JP H0697708A JP 4242837 A JP4242837 A JP 4242837A JP 24283792 A JP24283792 A JP 24283792A JP H0697708 A JPH0697708 A JP H0697708A
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- Japan
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- conductor
- dielectric substrate
- line
- transmission line
- isolation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波伝送線路に関し、小型化を図ると
ともに伝送損失の抑制を図ることを目的とする。 【構成】 誘電体基板2と、誘電体基板2の下面に形成
されたグラウンド用導体3と、誘電体基板2の上面側の
所定の高さ位置に設けられた隔離導体1とからなるマイ
クロ波伝送線路であって、隔離導体1の幅を、誘電体基
板2の上面に設けられるストリップ導体4の幅よりも広
く設定するとともに、隔離導体1を、誘電体基板2の上
面との間の空間部分に空気が存在するブリッジ線路の状
態に形成したものである。また、誘電体基板2と隔離導
体1との間には支持体6を伝播波の4分の1波長以下の
間隔で配置し、隔離導体1とストリップ導体4との接続
部分として、このストリップ導体と同じ幅の接続導体5
を用いている。
ともに伝送損失の抑制を図ることを目的とする。 【構成】 誘電体基板2と、誘電体基板2の下面に形成
されたグラウンド用導体3と、誘電体基板2の上面側の
所定の高さ位置に設けられた隔離導体1とからなるマイ
クロ波伝送線路であって、隔離導体1の幅を、誘電体基
板2の上面に設けられるストリップ導体4の幅よりも広
く設定するとともに、隔離導体1を、誘電体基板2の上
面との間の空間部分に空気が存在するブリッジ線路の状
態に形成したものである。また、誘電体基板2と隔離導
体1との間には支持体6を伝播波の4分の1波長以下の
間隔で配置し、隔離導体1とストリップ導体4との接続
部分として、このストリップ導体と同じ幅の接続導体5
を用いている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波伝送線路に
関し、特に誘電体基板と、この誘電体基板の下面に形成
されたグラウンド用導体と、前記誘電体基板の上面側の
所定の高さ位置に設けられている隔離導体とからなり、
この隔離導体を、前記誘電体基板の上面との間の空間部
分に空気が存在するブリッジ線路の状態に形成したマイ
クロ波伝送線路に関する。
関し、特に誘電体基板と、この誘電体基板の下面に形成
されたグラウンド用導体と、前記誘電体基板の上面側の
所定の高さ位置に設けられている隔離導体とからなり、
この隔離導体を、前記誘電体基板の上面との間の空間部
分に空気が存在するブリッジ線路の状態に形成したマイ
クロ波伝送線路に関する。
【0002】一般に、周波数が数百MHzから数万Hzの電
磁波(マイクロ波)の伝送線路、とりわけ小型できわめ
て広い動作周波数範囲を持つマイクロ波半導体素子の伝
送線路としては誘電体基板やストリップ導体などからな
る小型軽量のマイクロストリップ線路が用いられてい
る。
磁波(マイクロ波)の伝送線路、とりわけ小型できわめ
て広い動作周波数範囲を持つマイクロ波半導体素子の伝
送線路としては誘電体基板やストリップ導体などからな
る小型軽量のマイクロストリップ線路が用いられてい
る。
【0003】そして、このような小型軽量のマイクロ波
伝送線路においては、その電流密度が高くなるのを抑え
て伝送損失を少なくすることが要請されており、本発明
はこのような要請に応えるものである。
伝送線路においては、その電流密度が高くなるのを抑え
て伝送損失を少なくすることが要請されており、本発明
はこのような要請に応えるものである。
【0004】
【従来の技術】従来のマイクロストリップ線路は、図3
に示すように、周波数特性のよい誘電体基板22の下面に
グラウンド用導体23を、また誘電体基板22の上面にスト
リップ導体24をそれぞれ蒸着技術などにより形成した構
造となっており、この誘電体基板としてはGaAs,S
i,InP,セラミックなどが用いられ、また導体とし
てはAu,Ag,Cuなどが用いられている。
に示すように、周波数特性のよい誘電体基板22の下面に
グラウンド用導体23を、また誘電体基板22の上面にスト
リップ導体24をそれぞれ蒸着技術などにより形成した構
造となっており、この誘電体基板としてはGaAs,S
i,InP,セラミックなどが用いられ、また導体とし
てはAu,Ag,Cuなどが用いられている。
【0005】また、このマイクロストリップ線路は、他
のマイクロ波伝送線路である同軸線路や導波管に比べて
構造が簡単、プリント配線が可能、半導体素子との結合
が容易などといった利点をもっており、マイクロ波回路
をIC化するさいの伝送線路として広く利用されてい
る。
のマイクロ波伝送線路である同軸線路や導波管に比べて
構造が簡単、プリント配線が可能、半導体素子との結合
が容易などといった利点をもっており、マイクロ波回路
をIC化するさいの伝送線路として広く利用されてい
る。
【0006】そして、マイクロストリップ線路を構成す
る誘電体基板22の種類や厚さおよびストリップ導体24の
厚さや幅などの値は、この線路についての特性インピー
ダンスが所定の設定値、例えば50オームになるように決
められている。
る誘電体基板22の種類や厚さおよびストリップ導体24の
厚さや幅などの値は、この線路についての特性インピー
ダンスが所定の設定値、例えば50オームになるように決
められている。
【0007】すなわち、マイクロストリップ線路の特性
インピーダンスZo は、 Zo =(L/C)1/2 (ただし、Lは線路の単位長あたりのインダクタンス、
Cは線路の単位長あたりのキャパシタンスとする)で表
され、このインダクタンスLやキャパシタンスCの値を
決定する誘電体基板22やストリップ導体24の厚さや幅な
どが、例えばZo =50となるように設定されている。
インピーダンスZo は、 Zo =(L/C)1/2 (ただし、Lは線路の単位長あたりのインダクタンス、
Cは線路の単位長あたりのキャパシタンスとする)で表
され、このインダクタンスLやキャパシタンスCの値を
決定する誘電体基板22やストリップ導体24の厚さや幅な
どが、例えばZo =50となるように設定されている。
【0008】また、キャパシタンスCの値は、 C=ε×S/d (ただし、εは誘電体基板22の誘電率、Sはグラウンド
用導体23と対向しているストリップ導体24の幅、dは誘
電体基板22の厚みとする)で表される。
用導体23と対向しているストリップ導体24の幅、dは誘
電体基板22の厚みとする)で表される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のマ
イクロストリップ線路では、誘電体基板22の下面にグラ
ウンド用導体23を、また上面にはストリップ導体24をそ
れぞれ設けるといった構造をとっているため、誘電体基
板22が小型化(薄膜化)されて先のdの値が小さくなる
とそれに応じて先のSの値、すなわちストリップ導体24
の幅も小さくしなければならず、その結果、電流密度が
高くなって伝送損失が大きくなるという問題点があっ
た。
イクロストリップ線路では、誘電体基板22の下面にグラ
ウンド用導体23を、また上面にはストリップ導体24をそ
れぞれ設けるといった構造をとっているため、誘電体基
板22が小型化(薄膜化)されて先のdの値が小さくなる
とそれに応じて先のSの値、すなわちストリップ導体24
の幅も小さくしなければならず、その結果、電流密度が
高くなって伝送損失が大きくなるという問題点があっ
た。
【0010】そこで、本発明では、ストリップ導体に相
当する導体部分を、誘電体基板の上面から所定高さの位
置に配置した隔離導体で構成し、この隔離導体と誘電体
基板との間には空気層からなる第2の誘電体部分を形成
して、この隔離導体の幅を従来のストリップ導体の幅よ
りも広く設定した状態で誘電体基板の薄膜化を図れるよ
うにすることにより、マイクロ波伝送線路の小型化を図
るとともに伝送損失の抑制を図ることを目的とする。
当する導体部分を、誘電体基板の上面から所定高さの位
置に配置した隔離導体で構成し、この隔離導体と誘電体
基板との間には空気層からなる第2の誘電体部分を形成
して、この隔離導体の幅を従来のストリップ導体の幅よ
りも広く設定した状態で誘電体基板の薄膜化を図れるよ
うにすることにより、マイクロ波伝送線路の小型化を図
るとともに伝送損失の抑制を図ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】図1の実施例を用いて本
発明の基本構成を説明する。本発明は、基本的には隔離
導体1、誘電体基板2およびグラウンド用導体3からな
るマイクロ波伝送線路であり、線路としての隔離導体1
とグラウンド用導体3との間には、従来と同様の誘電体
基板2の上部に空気層からなる誘電体部分が新たに付加
されたものになっている。
発明の基本構成を説明する。本発明は、基本的には隔離
導体1、誘電体基板2およびグラウンド用導体3からな
るマイクロ波伝送線路であり、線路としての隔離導体1
とグラウンド用導体3との間には、従来と同様の誘電体
基板2の上部に空気層からなる誘電体部分が新たに付加
されたものになっている。
【0012】また、隔離導体1の幅は従来の回路で用い
られていたストリップ導体4の幅よりも広く形成され、
このストリップ導体4と隔離導体1との接続部分には前
者と同じ幅の接続導体5が設けられている。
られていたストリップ導体4の幅よりも広く形成され、
このストリップ導体4と隔離導体1との接続部分には前
者と同じ幅の接続導体5が設けられている。
【0013】また、原理的には、誘電体基板2から所定
高さだけ離れた状態の隔離導体1をその両端部、すなわ
ち前記接続導体5で支持すればよいが、隔離導体1と誘
電体基板2との間の空気層部分に支持体6を設けること
により両者の位置関係をより確実なものにしている。
高さだけ離れた状態の隔離導体1をその両端部、すなわ
ち前記接続導体5で支持すればよいが、隔離導体1と誘
電体基板2との間の空気層部分に支持体6を設けること
により両者の位置関係をより確実なものにしている。
【0014】
【作用】本発明は、このように、マイクロ波の伝送線路
においてグラウンド用導体3と対になる導体部分とし
て、誘電体基板2から所定高さだけ離れた位置に設けた
幅広の隔離導体1を用い、かつこの隔離導体1と誘電体
基板2の間の空間部分を空気層とすることにより、この
伝送線路の電流密度が高くならないようにして伝送損失
を抑えようとするものである。
においてグラウンド用導体3と対になる導体部分とし
て、誘電体基板2から所定高さだけ離れた位置に設けた
幅広の隔離導体1を用い、かつこの隔離導体1と誘電体
基板2の間の空間部分を空気層とすることにより、この
伝送線路の電流密度が高くならないようにして伝送損失
を抑えようとするものである。
【0015】ここで、線路の単位長あたりのキャパシタ
ンスは、誘電体基板2と先の空気層部分とを直列接続し
たときの静電容量、すなわち従来の誘電体基板2の静電
容量と今回新たに付加された空気層部分の静電容量との
直列静電容量として求められる。
ンスは、誘電体基板2と先の空気層部分とを直列接続し
たときの静電容量、すなわち従来の誘電体基板2の静電
容量と今回新たに付加された空気層部分の静電容量との
直列静電容量として求められる。
【0016】そして、この空気層部分の誘電率は誘電体
基板2のそれよりも小さく(例えば1/13)、また誘
電体基板2と当該空気層部分とが直列接続の状態になっ
ているため、隔離導体1の幅を従来のストリップ導体4
の幅より広くしても、線路の単位長あたりのキャパシタ
ンスの値を従来の線路と同じにすることができる。
基板2のそれよりも小さく(例えば1/13)、また誘
電体基板2と当該空気層部分とが直列接続の状態になっ
ているため、隔離導体1の幅を従来のストリップ導体4
の幅より広くしても、線路の単位長あたりのキャパシタ
ンスの値を従来の線路と同じにすることができる。
【0017】
【実施例】図1〜図2を参照して本発明の実施例を説明
する。図1は、本発明のマイクロ波伝送線路を示す説明
図であり、また図2は、図1のマイクロ波伝送線路の各
部分の寸法を示す説明図である。
する。図1は、本発明のマイクロ波伝送線路を示す説明
図であり、また図2は、図1のマイクロ波伝送線路の各
部分の寸法を示す説明図である。
【0018】図1において、隔離導体1、グラウンド用
導体3、ストリップ導体4および接続導体5としては従
来と同様の導体が、誘電体基板2としてはGaAs、I
nP、セラミック、アルミナ、サファイアなどが、また
支持体6としてはAu、Alなどの金属がそれぞれ用い
られている。
導体3、ストリップ導体4および接続導体5としては従
来と同様の導体が、誘電体基板2としてはGaAs、I
nP、セラミック、アルミナ、サファイアなどが、また
支持体6としてはAu、Alなどの金属がそれぞれ用い
られている。
【0019】ここで、隔離導体1や支持体6の作成プロ
セスは、例えば次のようになっている。すなわち, 誘電体基板2の表面に樹脂を塗布する。 支持体6を形成するためのマスクをこの塗布面にセッ
トした状態でエッチング処理を行ない、窓をあける。 この窓部分にAu、Alなどの金属を蒸着、メッキ処
理して支持体6を作成する。 これからの支持体6および樹脂の表面に金属導体を蒸
着、メッキ処理する。 隔離導体1を形成するためのマスクをこの金属導体表
面にセットした状態でエッチング処理を行なう。このと
き、隔離導体1の部分が残ることになる。 先ので塗布した樹脂を有機溶媒で除去する。 といったプロセスにより、隔離導体1と支持体6とを誘
電体基板2に作成している。
セスは、例えば次のようになっている。すなわち, 誘電体基板2の表面に樹脂を塗布する。 支持体6を形成するためのマスクをこの塗布面にセッ
トした状態でエッチング処理を行ない、窓をあける。 この窓部分にAu、Alなどの金属を蒸着、メッキ処
理して支持体6を作成する。 これからの支持体6および樹脂の表面に金属導体を蒸
着、メッキ処理する。 隔離導体1を形成するためのマスクをこの金属導体表
面にセットした状態でエッチング処理を行なう。このと
き、隔離導体1の部分が残ることになる。 先ので塗布した樹脂を有機溶媒で除去する。 といったプロセスにより、隔離導体1と支持体6とを誘
電体基板2に作成している。
【0020】そして、隔離導体1の幅Wは、空気層部分
の高さ(3μm)とストリップ導体4の幅(36μm)と
に基づいて決まるもので、図2の場合には、例えば72μ
mに設定されている。
の高さ(3μm)とストリップ導体4の幅(36μm)と
に基づいて決まるもので、図2の場合には、例えば72μ
mに設定されている。
【0021】また、隔離導体1の長さは570 μm、スト
リップ導体4の長さは15μm、誘電体基板2の高さは50
μm、支持体6の設置間隔は30μm、支持体6の長さは
3μmにそれぞれ設定されている。
リップ導体4の長さは15μm、誘電体基板2の高さは50
μm、支持体6の設置間隔は30μm、支持体6の長さは
3μmにそれぞれ設定されている。
【0022】なお、支持体6の設置間隔は、この支持体
部分でのマイクロ波の反射などによって伝送損失が増加
するのを防止するために1/4波長以下の値に設定さ
れ、また、同様の理由のため接続導体5の幅はストリッ
プ導体4と同じ幅に設定されている。
部分でのマイクロ波の反射などによって伝送損失が増加
するのを防止するために1/4波長以下の値に設定さ
れ、また、同様の理由のため接続導体5の幅はストリッ
プ導体4と同じ幅に設定されている。
【0023】
【発明の効果】本発明は、このように、マイクロ波の伝
送線路において基板導体と対になる導体部分として、誘
電体基板から所定の高さだけ離れた位置に設けた隔離導
体を用い、かつこの隔離導体と誘電体基板との間の空間
部分を空気層とすることにより、当該隔離導体の幅を従
来の誘電体基板上のストリップ導体よりも広いものとし
ているため、この隔離導体からなる伝送線路の電流密度
が高くなるのを抑えて伝送損失を少なくすることができ
る。
送線路において基板導体と対になる導体部分として、誘
電体基板から所定の高さだけ離れた位置に設けた隔離導
体を用い、かつこの隔離導体と誘電体基板との間の空間
部分を空気層とすることにより、当該隔離導体の幅を従
来の誘電体基板上のストリップ導体よりも広いものとし
ているため、この隔離導体からなる伝送線路の電流密度
が高くなるのを抑えて伝送損失を少なくすることができ
る。
【図1】本発明の、マイクロ波伝送線路を示す説明図で
ある。
ある。
【図2】本発明の、マイクロ波伝送線路の各部分の寸法
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図3】従来の、マイクロストリップ線路を示す説明図
である。
である。
図1において、 1・・・隔離導体 2・・・誘電体基板 3・・・グラウンド用導体 4・・・ストリップ導体 5・・・接続導体 6・・・支持体
Claims (3)
- 【請求項1】 誘電体基板と、この誘電体基板の下面に
形成されたグラウンド用導体と、前記誘電体基板の上面
側の所定の高さ位置に設けられた隔離導体とからなるマ
イクロ波伝送線路であって、 前記隔離導体の幅を、前記誘電体基板の上面に設けられ
るストリップ導体の幅よりも広く設定し、 前記隔離導体を、前記誘電体基板の上面との間の空間部
分に空気が存在するブリッジ線路の状態に形成したこと
を特徴とするマイクロ波伝送線路。 - 【請求項2】 前記誘電体基板と前記隔離導体との間
に、支持体を伝播波の4分の1波長以下の間隔で配置し
たことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波伝送線
路。 - 【請求項3】 前記隔離導体と前記ストリップ導体との
接続部分として、このストリップ導体と同じ幅の接続導
体を用いるようにしたことを特徴とする請求項1または
2記載のマイクロ波伝送線路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4242837A JPH0697708A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | マイクロ波伝送線路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4242837A JPH0697708A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | マイクロ波伝送線路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0697708A true JPH0697708A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17095034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4242837A Withdrawn JPH0697708A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | マイクロ波伝送線路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0697708A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6041245A (en) * | 1994-12-28 | 2000-03-21 | Com Dev Ltd. | High power superconductive circuits and method of construction thereof |
JP2010114502A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | バイアス回路 |
JP2010187220A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波回路調整機構及び方法 |
KR101438125B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2014-09-12 | 한국원자력연구원 | 고주파용 직류차단기 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP4242837A patent/JPH0697708A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6041245A (en) * | 1994-12-28 | 2000-03-21 | Com Dev Ltd. | High power superconductive circuits and method of construction thereof |
JP2010114502A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | バイアス回路 |
JP2010187220A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波回路調整機構及び方法 |
KR101438125B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2014-09-12 | 한국원자력연구원 | 고주파용 직류차단기 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |