JPH069487Y2 - ウェハ周辺露光装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ＩＣ、ＬＳＩ、その他のエレクトロニクス
素子における部品の加工における微細パターンの形成工
程において、シリコンウエハに代表される半導体基板、
あるいは誘電体、金属、絶縁体等の基板に塗布されたレ
ジストの内の該基板周辺部の不用レジストを現像工程で
除去するためのウエハ周辺露光装置に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

ＩＣやＬＳＩ等の製造工程においては、微細パターンを
形成するにあたって、シリコンウエハ等の表面にレジス
トを塗布し、さらに露光、現像を行いレジストパターン
を形成することが行われる。次に、このレジストパター
ンをマスクにしてイオン注入、エッチング、リフトオフ
等の加工が行われる。

通常、レジストの塗布はスピンコート法によって行われ
る。スピンコート法はウエハ表面の中心位置にレジスト
を注ぎながらウエハを回転させ、遠心力によってウエハ
の全表面にレジストを塗布するものである。しかし、ウ
エハ周辺部では大部分の場合正しく回路パターンを描く
ことができず、例え描けたとしても歩留まりが悪い。ウ
エハ周辺部のレジストは回路パターン形成にあたっては
ほとんど不要なレジストである。またレジストの塗布さ
れたウエハはいろいろな処理工程及びいろいろな方式で
搬送される。この時、ウエハ周辺部を機械的につかんで
保持したり、ウエハ周辺部がウエハカセット等の収納器
の部にこすれたりする。この時、ウエハ周辺部の不要レ
ジストがとれてウエハのパターン形成部に付着すると、
正しいパターン形成ができなくなり、歩留まりを下げ
る。

ウエハ周辺部に残留した不要レジストが「ゴミ」となっ
て歩留まりを低下させることは、特に集積回路の高機能
化、微細化が進みつつある現在、深刻な問題となってい
る。

そこで、最近ではパターン形成のための露光工程とは別
にウエハ周辺部の不要レジストを現像工程で除去するた
めに別途露光することが行われている。

第３図（ａ）、（ｂ）はこのような不要レジスト除去の
ための従来のウエハ周辺露光装置の概略説明図である。

搬送系（不図示）により回転ステージ７１の上にウエハ
７０を設置し、回転ステージ７１を回転させ、センサ７
２により、ウエハ７０のオリエンテーションフラット７
３を検出し、このオリエンテーションフラット７３が概
略所定の位置にきた時回転をとめ、次にオリエンテーシ
ョンフラットあて板７４ａ及びピン７４ｂ、７４ｃ、７
４ｄによりセンタリングとオリエンテーションフラット
７３の位置出しを行う。

上記の位置出し後、ウエハ７０を回転させながら、ミラ
ー７８、ランプ７９、シャッタ８０等からなる光源部か
らの放射光を受け入れる位置にその一端７５ａを、他端
７５ｂをウエハ７０の周辺近傍に配置したオプチカルフ
ァイバ８１により、レンズ系を通して、ウエハ周辺部７
６を露光する。この場合、円形の照射区域Ｅを中心にし
て、レンズ系内の多重繰り返し反射や漏光のため、リン
グ状の弱い「シマ模様」７７が生ずる。したがって処理
時間を短縮するために、照射区域の照射強度を大きくす
ると、この模様部分も露光され、せっかくシャープな露
光境界Ｐを作ろうとしても必しも良好な結果が得られな
い。

〔考案の目的〕

本考案は、上記リング状のシマ模様の生じないようにし
たウエハ周辺露光装置の提供を目的とする。

〔目的を達成するための手段〕

上記目的を達成するため、本考案においては、ウエハ周
辺露光装置を、 光源部と、一端が光源部よりの放射光を受け入れる位置
にあり他端がウエハ周辺部の表面近傍に位置したオプチ
カルファイバと、該他端に配置されたレンズ系と、該レ
ンズ系とウエハ周辺部の表面との間に配置された遮光手
段とよりなり、該遮光手段は、筒部とアパーチャを設け
た底板とより構成する。

〔作用〕

筒部で漏光を遮断し、底板で多重繰り返し反射を防止し
たので、リング状のシマ模様を消すことができる。

〔実施例〕

第１図は、本考案の実施例の説明図、第２図（ａ）
（ｂ）は遮光手段の説明図であって、第２図（ａ）は一
部分切開してある。図において８２は、オプチカルファ
イバ８１の他端７５ｂをおおうように設けられたレンズ
系であって、ウエハ７０の周辺部７６に、光源部からの
放射光が集光するようにする。そして、オプチカルファ
イバの他端を方形に束ねておき、照射区域を方形にし、
したがって遮光手段のアパーチャ１も方形にしておく。
遮光手段は、中空状の角筒２と、底板３とより成り、反
射の少ない黒色塗料が塗布されている。筒２は、四面必
しも必要ではなく、一面なくとも、そのない部分の方
を、ウエハ７０に対して反射側へ向くように取り付けれ
ば、ウエハ７０におけるシマ模様の防止効果は同じであ
る。ウエハ７０と底板３との間隙ｄは１mm以下、大体0.
5mm〜0.2mm程度であって、底板に黒色塗料が塗布させて
いるとシマ模様の防止効果が大きい。

〔考案の効果〕

以上のとうり、オプチカルファイバの他端からレンズ系
を介してウエハ周辺部を露光する場合、レンズ系とウエ
ハとの間に、ウエハ表面に極接近した底板を有する遮光
手段を設け、底板に設けるアパーチャも、ファイバの束
ねた形状と相似的に形成し、かつ黒色塗料を塗布してい
るので、レンズ系を通ってくる漏光、迷光、多重反射等
が抑制され、したがって照射区域を中心としたリング状
のシマ模様を確実に抑制できる。特に照射区域は方形に
すると区域内の露光量の均一化に都合が良い。

尚、このウエハ周辺露光装置は、第２図（ａ）の遮光手
段を利用すると周辺部以外の極所区域の露光にも利用で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案のウエハ露光装置の要部の概略説明
図、第２図（ａ）、（ｂ）は遮光手段の説明図、第３図
（ａ）、（ｂ）は従来のウエハ周辺露光装置の説明図で
ある。 図において、１はアパーチャ、２は角筒、３は底板、７
０はウエハ、７６はウエハの周辺部、８１はオプチカル
ファイバ、８２はレンズ系、８３は遮光手段を示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】光源部と、一端が光源部よりの放射光を受
   け入れる位置にあり他端がウエハ周辺部の表面近傍に位
   置したオプチカルファイバと、該他端に配置されたレン
   ズ系と、該レンズ系とウエハ周辺部の表面との間に配置
   された遮光手段とよりなり、該遮光手段は、筒部とアパ
   ーチャを設けた底板とよりなることを特徴とするウエハ
   周辺露光装置。