JPH0689855A - Method and apparatus for applying resist - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To form a photoresist film of uniform thickness by controlling the amount of resist based on the results of measurement. CONSTITUTION:A pumping roll 12 feeds photoresist solution 3 from a container 11 to a coating roll 15 which, in turn, spreads it to form a photoresist film 4 on an ITO layer 2 of a transparent plastic substrate 1. The photoresist film is dried in a resist dryer 7 before passing between a lamp 24 and a spectrometer 25. The lamp emits light 24a about 550nm in wavelength, which passes through the photoresist 4, the ITO layer 2 and the transparent substrate 1. The spectrometer measures the transmittance, based on which a resist controller 9 sends a pumping roll drive 26 a control signal. The pumping roll drive rotates the pumping roll at a speed depending on the control signal. In this manner, the photoresist film 4 has a uniform thickness.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はレジスト塗布方法およ
びその塗布装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating method and a coating apparatus therefor.

【０００２】[0002]

【従来の技術】例えば液晶表示パネルでは、樹脂やガラ
ス等からなる基板の表面にＩＴＯを被膜してＩＴＯ膜を
形成し、次いでＩＴＯ膜の表面にフォトレジスト液をロ
ールコートにより塗布してフォトレジスト膜を形成し、
次いで露光工程および現像工程を経て不要な部分のフォ
トレジスト膜を除去することによりフォトレジストパタ
ーンを形成し、次いでフォトレジストパターンをマスク
としてエッチングすることにより不要な部分のＩＴＯ膜
を除去し、次いでフォトレジストパターンを剥離し、こ
れにより基板上にＩＴＯからなる所定の配線パターンを
形成することがある。2. Description of the Related Art For example, in a liquid crystal display panel, an ITO film is formed by coating ITO on the surface of a substrate made of resin or glass, and then a photoresist solution is applied on the surface of the ITO film by roll coating to form a photoresist. Forming a film,
Next, a photoresist pattern is formed by removing an unnecessary portion of the photoresist film through an exposure step and a development step, and then the unnecessary portion of the ITO film is removed by etching using the photoresist pattern as a mask, and then the photoresist film is removed. The resist pattern may be peeled off to form a predetermined wiring pattern made of ITO on the substrate.

【０００３】ところで、従来のロールコートによるレジ
スト塗布装置では、例えば図１を参照しながら説明する
と、容器１１内に収容されたフォトレジスト液３をポン
ピングロール１２によって汲み上げ、ポンピングロール
１２に対向して配置されたメタリングロール１３によっ
てポンピングロール１２上のフォトレジスト液３の単位
面積当たりの量を制御し、量制御後のフォトレジスト液
３をポンピングロール１２に転接されたコーティングロ
ール１５に供給し、この供給されたフォトレジスト液３
をコーティングロール１５に摺接された基板１上のＩＴ
Ｏ膜２の表面に塗布してフォトレジスト膜４を形成する
ようにしている。By the way, in a conventional resist coating apparatus using roll coating, for example, referring to FIG. 1, the photoresist liquid 3 contained in a container 11 is pumped up by a pumping roll 12 and faces the pumping roll 12. The amount of the photoresist liquid 3 on the pumping roll 12 per unit area is controlled by the arranged metaling roll 13, and the photoresist liquid 3 after the amount control is supplied to the coating roll 15 which is transferred to the pumping roll 12. , This supplied photoresist liquid 3
On the substrate 1 that is in sliding contact with the coating roll 15
The photoresist film 4 is formed by coating on the surface of the O film 2.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
フォトレジスト液３には溶剤が含まれており、この溶剤
が時間の経過とともに蒸発し、これによりフォトレジス
ト液３の粘度が経時的に高くなるので、従来のこのよう
なレジスト塗布装置では、ポンピングロール１２による
フォトレジスト液３の単位時間当たりの汲み上げ量が増
加し、このためＩＴＯ膜２の表面に塗布されたフォトレ
ジスト膜４の膜厚が経時的に厚くなってしまう。ＩＴＯ
膜２の表面に塗布されたフォトレジスト膜４の膜厚が所
期値よりも厚くなると、この後の露光工程においてフォ
トレジスト膜４を十分に露光することができず、現像工
程後のフォトレジストパターンに不良が生じ、この後の
ＩＴＯ膜エッチング工程およびフォトレジストパターン
剥離工程に支障を来すことになるという問題があった。
この発明の目的は、塗布前のレジストの粘度が経時的に
高くなっても、塗布されたレジストの膜厚を一定に保つ
ことのできるレジスト塗布方法およびその塗布装置を提
供することにある。However, the photoresist solution 3 generally contains a solvent, and this solvent evaporates with the passage of time, which increases the viscosity of the photoresist solution 3 with time. In such a conventional resist coating apparatus, the pumping amount of the photoresist liquid 3 per unit time by the pumping roll 12 is increased, so that the film thickness of the photoresist film 4 coated on the surface of the ITO film 2 is aged. Thickens. ITO
If the film thickness of the photoresist film 4 applied to the surface of the film 2 becomes thicker than a desired value, the photoresist film 4 cannot be sufficiently exposed in the subsequent exposure process, and the photoresist after the developing process is not able to be exposed. There is a problem in that a defect occurs in the pattern, which hinders the subsequent ITO film etching process and the photoresist pattern peeling process.
An object of the present invention is to provide a resist coating method and a coating apparatus for the same, which can keep the film thickness of the coated resist constant even if the viscosity of the resist before coating increases with time.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項１記載のレジスト
塗布方法は、基板上にレジストをロールコートにより塗
布し、この塗布されたレジストの膜厚を光学的に測定
し、その測定結果に基づいて前記基板上に塗布するレジ
スト量を制御するようにしたものである。請求項２記載
のレジスト塗布装置は、容器内に収容されたレジストを
汲み上げて基板上にロールコートにより塗布するレジス
ト塗布手段と、前記レジスト塗布手段によって前記基板
上に塗布されたレジストの膜厚を光学的に測定する膜厚
測定手段と、前記膜厚測定手段の測定結果に基づいて前
記レジスト塗布手段による単位時間当たりのレジスト汲
み上げ量を制御する制御手段とを具備したものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a resist coating method, wherein a substrate is coated with a resist by roll coating, and the thickness of the coated resist is optically measured. The amount of resist applied on the substrate is controlled. The resist coating apparatus according to claim 2, wherein a resist coating means for pumping up the resist contained in the container and applying the resist on the substrate by roll coating, and a film thickness of the resist coated on the substrate by the resist coating means are provided. It is provided with a film thickness measuring means for optically measuring, and a control means for controlling the amount of resist drawing up per unit time by the resist applying means based on the measurement result of the film thickness measuring means.

【０００６】[0006]

【作用】この発明によれば、塗布されたレジストの膜厚
を光学的に測定して得られた測定結果に基づいて塗布す
べきレジスト量を制御することになるので、塗布前のレ
ジストの粘度が経時的に高くなっても、塗布されたレジ
ストの膜厚を一定に保つことができる。According to the present invention, since the amount of resist to be applied is controlled based on the measurement result obtained by optically measuring the thickness of the applied resist, the viscosity of the resist before application is controlled. The film thickness of the applied resist can be kept constant even when the value becomes higher with time.

【０００７】[0007]

【実施例】図１はこの発明の一実施例におけるレジスト
塗布装置の概略構成を示したものである。このレジスト
塗布装置は、長尺なフィルム状の透明樹脂基板１の表面
に予め被膜されたＩＴＯ膜２の表面にフォトレジスト液
３を塗布してフォトレジスト膜４を形成するためのもの
であり、レジスト塗布部５、基板搬送部６、レジスト乾
燥部７、レジスト膜厚測定部８、レジスト塗布量制御部
９等を備えている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a schematic structure of a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention. This resist coating apparatus is for coating the surface of an ITO film 2 previously coated on the surface of a long film-shaped transparent resin substrate 1 with a photoresist solution 3 to form a photoresist film 4. A resist coating unit 5, a substrate transfer unit 6, a resist drying unit 7, a resist film thickness measuring unit 8, a resist coating amount control unit 9 and the like are provided.

【０００８】レジスト塗布部５は、フォトレジスト液３
が収容された容器１１を備えている。容器１１内に収容
されたフォトレジスト液３は、図１において時計方向に
回転するポンピングロール１２によって汲み上げられる
ようになっている。ポンピングロール１２の図１におけ
る左側にはメタリングロール１３が配置されている。メ
タリングロール１３は、図１において時計方向に回転す
ることにより、ポンピングロール１２上のフォトレジス
ト液３の単位面積当たりの量を制御するためのものであ
る。そして、メタリングロール１３にはこのメタリング
ロール１３上のフォトレジスト液３を掻き取って除去す
るためのドクター１４が摺接されている。ポンピングロ
ール１２の図１における右側にはコーティングロール１
５が転接されている。コーティングロール１５は、図１
において時計方向に回転しながら、ポンピングロール１
２からフォトレジスト液３の供給を受けるようになって
いる。コーティングロール１５の図１における左斜め下
方にはバックアップロール１６が配置されている。そし
て、コーティングロール１５に供給されたフォトレジス
ト液３は、コーティングロール１５およびバックアップ
ロール１６が共に図１において時計方向に回転すること
により、その間を搬送される透明樹脂基板１上のＩＴＯ
膜２の表面に塗布されるようになっている。ここで、バ
ックアップロール１６の回転数は透明樹脂基板１の搬送
速度に対応している。The resist coating section 5 is provided with the photoresist liquid 3
Is provided with the container 11. The photoresist liquid 3 contained in the container 11 is pumped up by a pumping roll 12 rotating clockwise in FIG. A metering roll 13 is arranged on the left side of the pumping roll 12 in FIG. 1. The metering roll 13 is for controlling the amount of the photoresist liquid 3 on the pumping roll 12 per unit area by rotating clockwise in FIG. A doctor 14 for scraping and removing the photoresist liquid 3 on the metalling roll 13 is slidably contacted with the metalling roll 13. The coating roll 1 is on the right side of the pumping roll 12 in FIG.
5 has been transposed. The coating roll 15 is shown in FIG.
Pumping roll 1 while rotating clockwise at
The photoresist liquid 3 is supplied from 2. A backup roll 16 is disposed diagonally below and to the left of the coating roll 15 in FIG. Then, the photoresist liquid 3 supplied to the coating roll 15 is transferred to the ITO on the transparent resin substrate 1 by rotating the coating roll 15 and the backup roll 16 in the clockwise direction in FIG.
It is adapted to be applied to the surface of the film 2. Here, the rotation speed of the backup roll 16 corresponds to the transport speed of the transparent resin substrate 1.

【０００９】基板搬送部６は、図１において時計方向に
回転するスプロケット２１を備えている。スプロケット
２１は、透明樹脂基板１に設けられた図示しないスプロ
ケットホールに嵌合された状態で図１において時計方向
に回転されると、透明樹脂基板１を所定の方向に一定の
搬送速度で搬送するようになっている。レジスト乾燥部
７は、ヒータ２２を備えた乾燥炉２３からなり、その中
を透明樹脂基板１が搬送されるようになっている。レジ
スト膜厚測定部８は、投光器２４と分光器２５とからな
る分光光度計によって構成され、投光器２４と分光器２
５との間を透明樹脂基板１が搬送されるようになってい
る。投光器２４から出射される光２４ａとしては例えば
波長５５０ｎｍ程度のものを用いると、フォトレジスト
を透過する光の透過率とそのときのフォトレジストの膜
厚との間にリニアな相関関係（比例関係）が得られる。
また、このときフォトレジストは一般に波長が４５０ｎ
ｍ以上の光では感光しないので何ら問題はない。分光器
２５は、フォトレジスト膜４、ＩＴＯ膜２および透明樹
脂基板１を透過した光の透過率を測定するためのもので
ある。分光器２５の測定結果はレジスト塗布量制御部９
に供給される。The substrate transfer section 6 is provided with a sprocket 21 that rotates clockwise in FIG. When the sprocket 21 is rotated clockwise in FIG. 1 while being fitted in a sprocket hole (not shown) provided in the transparent resin substrate 1, the transparent resin substrate 1 is transported in a predetermined direction at a constant transport speed. It is like this. The resist drying unit 7 is composed of a drying oven 23 having a heater 22, and the transparent resin substrate 1 is conveyed in the drying oven 23. The resist film thickness measuring unit 8 is composed of a spectrophotometer including a light projector 24 and a spectroscope 25.
The transparent resin substrate 1 is conveyed between the transparent resin substrate 1 and the substrate 5. As the light 24a emitted from the light projector 24, for example, a light having a wavelength of about 550 nm is used, a linear correlation (proportional relationship) between the transmittance of light passing through the photoresist and the film thickness of the photoresist at that time. Is obtained.
At this time, the photoresist generally has a wavelength of 450 n.
There is no problem because it is not exposed to light of m or more. The spectroscope 25 is for measuring the transmittance of light transmitted through the photoresist film 4, the ITO film 2, and the transparent resin substrate 1. The measurement result of the spectroscope 25 is the resist coating amount control unit 9
Is supplied to.

【００１０】レジスト塗布量制御部９は、分光器２５か
ら供給された測定結果（透過率）に基づいて、予め求め
ておいた透過率とフォトレジスト膜厚との相関関係か
ら、フォトレジスト膜４の膜厚を算出し、この算出結果
に応じた制御信号をレジスト塗布部５の一部であるポン
ピングロール駆動部２６に供給するようになっている。
ポンピングロール駆動部２６は、レジスト塗布量制御部
９から供給された制御信号に応じた回転数でポンピング
ロール１２を回転させるようになっている。これは、レ
ジスト塗布部５では、透明樹脂基板１の搬送速度が一定
の場合、ポンピングロール１２の回転数がフォトレジス
ト膜４の膜厚に最も大きな影響を及ぼすからである。そ
して、ポンピングロール１２の回転数が小さいほど、ポ
ンピングロール１２の汲み上げによってコーティングロ
ール１５に供給されるフォトレジスト液３の単位時間当
たりの供給量が少なくなる。Based on the measurement result (transmittance) supplied from the spectroscope 25, the resist coating amount control section 9 determines the photoresist film 4 from the correlation between the transmittance and the photoresist film thickness which has been obtained in advance. Is calculated, and a control signal corresponding to the calculation result is supplied to the pumping roll driving unit 26 which is a part of the resist coating unit 5.
The pumping roll drive unit 26 rotates the pumping roll 12 at a rotation speed according to the control signal supplied from the resist coating amount control unit 9. This is because in the resist coating section 5, when the transport speed of the transparent resin substrate 1 is constant, the rotation speed of the pumping roll 12 has the greatest influence on the film thickness of the photoresist film 4. The smaller the rotation speed of the pumping roll 12, the smaller the amount of the photoresist liquid 3 supplied per unit time to the coating roll 15 by the pumping roll 12 being pumped.

【００１１】次に、このレジスト塗布装置の動作につい
て説明する。基板搬送部６の駆動により所定の方向に一
定の搬送速度で搬送される透明樹脂基板１上のＩＴＯ膜
２がレジスト塗布部５のコーティングロール１５とバッ
クアップロール１６との間を通過すると、コーティング
ロール１５上のフォトレジスト液３がＩＴＯ膜２の表面
に塗布され、ＩＴＯ膜２の表面にフォトレジスト膜４が
形成される。このフォトレジスト膜４は、透明樹脂基板
１の所定の方向への搬送に伴いレジスト乾燥部７に送ら
れ、乾燥される。乾燥後のフォトレジスト膜４は、透明
樹脂基板１の所定の方向への搬送に伴い、レジスト膜厚
測定部８の投光器２４と分光器２５との間を通過する。
このとき、投光器２４から出射された波長５５０ｎｍ程
度の光２４ａがフォトレジスト膜４、ＩＴＯ膜２および
透明樹脂基板１を透過し、その透過率が分光器２５で測
定される。分光器２５の測定結果はレジスト塗布量制御
部９に供給される。Next, the operation of this resist coating apparatus will be described. When the ITO film 2 on the transparent resin substrate 1 conveyed at a constant conveying speed in a predetermined direction by the driving of the substrate conveying unit 6 passes between the coating roll 15 and the backup roll 16 of the resist coating unit 5, the coating roll The photoresist liquid 3 on 15 is applied to the surface of the ITO film 2, and the photoresist film 4 is formed on the surface of the ITO film 2. The photoresist film 4 is sent to the resist drying section 7 and dried as the transparent resin substrate 1 is transported in a predetermined direction. The dried photoresist film 4 passes between the light projector 24 and the spectroscope 25 of the resist film thickness measuring unit 8 as the transparent resin substrate 1 is conveyed in a predetermined direction.
At this time, the light 24 a having a wavelength of about 550 nm emitted from the light projector 24 passes through the photoresist film 4, the ITO film 2 and the transparent resin substrate 1, and the transmittance thereof is measured by the spectroscope 25. The measurement result of the spectroscope 25 is supplied to the resist coating amount control unit 9.

【００１２】レジスト塗布量制御部９は、分光器２５か
ら供給された測定結果に基づいてフォトレジスト膜４の
膜厚を算出し、この算出結果に応じた制御信号をポンピ
ングロール駆動部２６に供給する。ポンピングロール駆
動部２６は、レジスト塗布量制御部９から供給された制
御信号に応じた回転数でポンピングロール１２を回転さ
せる。すなわち、フォトレジスト膜４の膜厚に変化がな
い場合には、ポンピングロール１２をそのままの回転数
で回転させる。フォトレジスト膜４の膜厚が厚くなった
場合には、ポンピングロール１２をそれまでの回転数よ
りも低い回転数で回転させ、ポンピングロール１２の汲
み上げによってコーティングロール１５に供給されるフ
ォトレジスト液３の単位時間当たりの供給量を少なくす
る。フォトレジスト膜４の膜厚が薄くなった場合には、
ポンピングロール１２をそれまでの回転数よりも高い回
転数で回転させ、ポンピングロール１２の汲み上げによ
ってコーティングロール１５に供給されるフォトレジス
ト液３の単位時間当たりの供給量を多くする。The resist coating amount control unit 9 calculates the film thickness of the photoresist film 4 based on the measurement result supplied from the spectroscope 25, and supplies a control signal corresponding to the calculation result to the pumping roll driving unit 26. To do. The pumping roll driving unit 26 rotates the pumping roll 12 at a rotation speed according to the control signal supplied from the resist coating amount control unit 9. That is, when there is no change in the film thickness of the photoresist film 4, the pumping roll 12 is rotated at the same rotation speed. When the photoresist film 4 becomes thicker, the pumping roll 12 is rotated at a lower rotation speed than the rotation speed up to then, and the photoresist liquid 3 supplied to the coating roll 15 by pumping up the pumping roll 12 is increased. Reduce the amount supplied per unit time of. When the photoresist film 4 becomes thinner,
The pumping roll 12 is rotated at a rotational speed higher than the rotational speed up to then, and the amount of the photoresist liquid 3 supplied per unit time to the coating roll 15 by pumping up the pumping roll 12 is increased.

【００１３】このように、このレジスト塗布装置では、
フォトレジスト膜４の膜厚が厚くなった場合には、ポン
ピングロール１２の汲み上げによってコーティングロー
ル１５に供給されるフォトレジスト液３の単位時間当た
りの供給量を少なくし、逆の場合には多くしているの
で、フォトレジスト膜４の膜厚を一定に保つことができ
る。この結果、容器１１内に収容されたフォトレジスト
液３中の溶剤が蒸発して、容器１１内に収容されたフォ
トレジスト液３の粘度が経時的に高くなっても、塗布さ
れたフォトレジスト膜４の膜厚を一定に保つことがで
き、したがってその後の工程に支障を来さないようにす
ることができる。Thus, in this resist coating apparatus,
When the film thickness of the photoresist film 4 becomes thick, the supply amount of the photoresist liquid 3 supplied to the coating roll 15 by pumping up the pumping roll 12 per unit time is decreased, and in the opposite case, it is increased. Therefore, the film thickness of the photoresist film 4 can be kept constant. As a result, even if the solvent in the photoresist liquid 3 contained in the container 11 evaporates and the viscosity of the photoresist liquid 3 contained in the container 11 increases with time, the applied photoresist film It is possible to keep the film thickness of No. 4 constant, so that it does not hinder the subsequent steps.

【００１４】なお、上記実施例では、長尺なフィルム状
の透明樹脂基板１に適用した場合について説明したが、
基板は長尺なフィルム状である必要はなく、短尺な透明
樹脂基板またはガラス基板であってもよい。また、膜厚
測定用の光として波長５５０ｎｍ程度のものを用いてい
るが、５５０ｎｍの波長を含むある程度の波長幅を有し
た光を用い、５５０ｎｍの波長成分についての透過率を
測定するようにしてもよい。In the above embodiment, the case where the transparent resin substrate 1 having a long film shape is applied is described.
The substrate does not have to be a long film and may be a short transparent resin substrate or glass substrate. Although light having a wavelength of about 550 nm is used as the film thickness measurement light, light having a certain wavelength width including the wavelength of 550 nm is used to measure the transmittance for the wavelength component of 550 nm. Good.

【００１５】[0015]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、塗布されたレジストの膜厚を光学的に測定して得ら
れた測定結果に基づいて塗布すべきレジスト量を制御し
ているので、塗布前のレジストの粘度が経時的に高くな
っても、塗布されたレジストの膜厚を一定に保つことが
でき、したがってその後の工程に支障を来さないように
することができる。As described above, according to the present invention, the amount of resist to be applied is controlled based on the measurement result obtained by optically measuring the film thickness of the applied resist. Even if the viscosity of the resist before application increases with time, the film thickness of the applied resist can be kept constant, and therefore the subsequent steps can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明の一実施例におけるレジスト塗布装置
の概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 透明樹脂基板 ２ ＩＴＯ膜 ３ フォトレジスト液 ４ フォトレジスト膜 ５ レジスト塗布部 ８ レジスト膜厚測定部 ９ レジスト塗布量制御部 1 Transparent Resin Substrate 2 ITO Film 3 Photoresist Liquid 4 Photoresist Film 5 Resist Coating Section 8 Resist Film Thickness Measuring Section 9 Resist Coating Quantity Control Section

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上にレジストをロールコートにより
塗布し、この塗布されたレジストの膜厚を光学的に測定
し、その測定結果に基づいて前記基板上に塗布するレジ
スト量を制御するようにしたことを特徴とするレジスト
塗布方法。1. A resist is applied onto a substrate by roll coating, the film thickness of the applied resist is optically measured, and the amount of resist applied onto the substrate is controlled based on the measurement result. A resist coating method characterized by the above. 【請求項２】 容器内に収容されたレジストを汲み上げ
て基板上にロールコートにより塗布するレジスト塗布手
段と、 前記レジスト塗布手段によって前記基板上に塗布された
レジストの膜厚を光学的に測定する膜厚測定手段と、 前記膜厚測定手段の測定結果に基づいて前記レジスト塗
布手段による単位時間当たりのレジスト汲み上げ量を制
御する制御手段と、 を具備することを特徴とするレジスト塗布装置。2. A resist coating means for pumping up a resist contained in a container and applying the resist on the substrate by roll coating, and a film thickness of the resist coated on the substrate by the resist coating means is optically measured. A resist coating apparatus comprising: a film thickness measuring unit; and a control unit for controlling a resist pumping amount per unit time by the resist coating unit based on a measurement result of the film thickness measuring unit.