JPH0689839A - Fine pattern formation and fine pattern aligner - Google Patents
Fine pattern formation and fine pattern alignerInfo
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- JPH0689839A JPH0689839A JP4240267A JP24026792A JPH0689839A JP H0689839 A JPH0689839 A JP H0689839A JP 4240267 A JP4240267 A JP 4240267A JP 24026792 A JP24026792 A JP 24026792A JP H0689839 A JPH0689839 A JP H0689839A
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- resist
- fine pattern
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- pattern
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線と紫外線の近接露
光による微細パターン形成方法および微細パターン露光
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fine pattern forming method and a fine pattern exposure apparatus by proximity exposure of X-rays and ultraviolet rays.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路の製造工程等において、
フォトリソグラフィー技術による露光パターンの解像度
を向上するために、微細な露光マスクを用いるととも
に、露光に用いる光の波長を短くすることが必要で、次
世代のＵＬＳＩを製造するためには、露光光としてＸ線
を用いる技術を確立することが必要になっている。とこ
ろで、実際のＵＬＳＩのパターンは、微細なパターンと
巨大パターンによって構成されている。2. Description of the Related Art In the manufacturing process of semiconductor integrated circuits,
In order to improve the resolution of the exposure pattern by the photolithography technique, it is necessary to use a fine exposure mask and to shorten the wavelength of the light used for the exposure. There is a need to establish technology that uses X-rays. By the way, the actual ULSI pattern is composed of a fine pattern and a huge pattern.
【０００３】図５は、ＵＬＳＩの露光パターンの一例を
示す模式図である。この図において、４１は微細パター
ン、４２はダイシングラインパターンを示している。FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of an exposure pattern of ULSI. In this figure, 41 indicates a fine pattern and 42 indicates a dicing line pattern.
【０００４】この図に示されているように、実際のＵＬ
ＳＩのパターンは、線幅が１μｍ以下の微細パターン４
１と、幅が数百μｍのダイシングラインパターン４２の
ような巨大パターンによって構成されており、いずれの
大きさのパターンについても高い精度の露光を行うこと
が必要である。従来は、これらの大きさが極端に異なる
パターンが混在していても、Ｘ線を光源とする一回の露
光によってパターンを形成することが考えられていた。As shown in this figure, the actual UL
The SI pattern is a fine pattern 4 with a line width of 1 μm or less.
1 and a huge pattern such as a dicing line pattern 42 having a width of several hundreds of μm, and it is necessary to perform highly accurate exposure for any size pattern. Conventionally, it has been considered to form a pattern by a single exposure using X-rays as a light source, even if patterns having extremely different sizes are mixed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、パターンの
大きさが極端に異なると、近接露光で発生するフレネル
回折の影響で、レジスト上の光の強度分布が不均一にな
ることがわかった。However, it has been found that when the pattern sizes are extremely different, the intensity distribution of light on the resist becomes non-uniform due to the influence of Fresnel diffraction that occurs in proximity exposure.
【０００６】図６は、微細パターンと巨大パターンの光
強度分布を示す図である。この図において、４５は吸収
体、４６は微細パターン部分の開口、４７は巨大パター
ン部分の開口である。この図は、微細パターンと巨大パ
ターンの光の強度分布をシミュレーションした結果を示
しており、横軸は距離、縦軸は規格化した光（Ｘ線）露
光強度を示している。FIG. 6 is a diagram showing the light intensity distributions of a fine pattern and a huge pattern. In this figure, 45 is an absorber, 46 is an opening for a fine pattern portion, and 47 is an opening for a huge pattern portion. This figure shows the result of simulating the light intensity distribution of a fine pattern and a huge pattern, the horizontal axis shows the distance, and the vertical axis shows the standardized light (X-ray) exposure intensity.
【０００７】この図に示されているように、吸収体４５
に形成された、幅０．２５μｍの微細パターン４１から
なる微細パターン部分の開口４６を通過した光（Ｘ線）
の露光強度は、ダイシングラインパターン４２等の数百
μｍの巨大パターン部分の開口４７を通過した光（Ｘ
線）の露光強度より大きくなっている。As shown in this figure, the absorber 45
(X-ray) that has passed through the opening 46 of the fine pattern portion formed of the fine pattern 41 having a width of 0.25 μm
The exposure intensity of the light (X
Line) is higher than the exposure intensity.
【０００８】そのため、レジスト中の吸収エネルギー量
の分布においても微細パターン部分の方が大きくなる。
したがって、レジスト中に吸収されたエネルギーによっ
て決まる現像によるレジストの溶解速度がパターンの大
きさ、形状によって異なり、吸収エネルギーが大きい微
細パターン部分のレジストパターンが適正に形成される
と、巨大なパターン部分のレジストパターンが露光不足
で適正なパターンが形成できないといった問題が生じて
いた。Therefore, the distribution of the amount of absorbed energy in the resist is larger in the fine pattern portion.
Therefore, the dissolution rate of the resist due to development, which is determined by the energy absorbed in the resist, differs depending on the size and shape of the pattern. When the resist pattern of the fine pattern portion with large absorbed energy is properly formed, the huge pattern portion There has been a problem that the resist pattern is underexposed and an appropriate pattern cannot be formed.
【０００９】本発明は、サブミクロンの微細パターン
と、その数千倍の大きさの巨大パターンを有する露光パ
ターンを、いずれのパターンについても高精度で形成す
る手段を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a means for forming an exposure pattern having a submicron fine pattern and a gigantic pattern several thousand times as large as the pattern with high accuracy.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明にかかる微細パタ
ーン形成方法においては、被加工体上にＸ線と紫外線に
感光するレジストを塗布する工程と、該レジストをＸ線
と紫外線によって多重露光する工程を採用した。In the method of forming a fine pattern according to the present invention, a step of applying a resist sensitive to X-rays and ultraviolet rays on a work piece, and multiple exposure of the resist with the X-rays and ultraviolet rays. Adopted the process.
【００１１】また、被加工体上にＸ線と紫外線に感光す
るレジストを塗布する工程と、該レジストをＸ線用露光
マスクを用いてＸ線によって露光する工程と、紫外線用
露光マスクを用いて紫外線によって露光する工程を採用
した。Further, a step of applying a resist sensitive to X-rays and ultraviolet rays on the object to be processed, a step of exposing the resist with X-rays using an exposure mask for X-rays, and an exposure mask for ultraviolet rays are used. The process of exposing with ultraviolet rays was adopted.
【００１２】また、被加工体上にＸ線と紫外線に感光す
るレジストを塗布する工程と、該レジストをＸ線用露光
マスクを用いてＸ線および紫外線によって同時露光する
工程を採用した。Further, a step of applying a resist sensitive to X-rays and ultraviolet rays on the object to be processed and a step of simultaneously exposing the resist with X-rays and ultraviolet rays using an exposure mask for X-rays were adopted.
【００１３】また、被加工体上にＸ線と紫外線に感光す
るレジストを塗布する工程と、該レジストをＸ線用露光
マスクを用いてＸ線によって露光する工程と、該Ｘ線用
露光マスクを用いて紫外線によって露光する工程を採用
した。Further, a step of applying a resist sensitive to X-rays and ultraviolet rays on the object to be processed, a step of exposing the resist with X-rays using an X-ray exposure mask, and a step of exposing the X-ray exposure mask The step of exposing with ultraviolet light was used.
【００１４】また、本発明にかかる微細パターン露光装
置においては、被加工体上に塗布されたレジスト上に、
露光マスクを通してＸ線を垂直に照射するＸ線源と、紫
外線を垂直に照射する紫外線源を具える構成を採用し
た。Further, in the fine pattern exposure apparatus according to the present invention, the resist applied on the workpiece is
A structure including an X-ray source for vertically irradiating X-rays through an exposure mask and an ultraviolet ray source for vertically irradiating ultraviolet rays was adopted.
【００１５】[0015]
【作用】本発明のように、Ｘ線と紫外線に感光するレジ
ストを用い、まず、Ｘ線を光源としてＸ線マスクを通し
て微細パターンの露光を行い、次いで、紫外線を光源と
して紫外線用マスクを通して巨大パターンの露光を行う
と、巨大パターン部分を形成するレジスト中のトータル
吸収エネルギーと、微細パターン部分を形成するレジス
ト中のトータル吸収エネルギーを同等にすることができ
る。As in the present invention, a resist that is sensitive to X-rays and ultraviolet rays is used. First, a fine pattern is exposed through an X-ray mask using X-rays as a light source, and then a huge pattern is passed through an ultraviolet mask using UV rays as a light source. When the exposure is performed, the total absorbed energy in the resist forming the huge pattern portion and the total absorbed energy in the resist forming the fine pattern portion can be made equal to each other.
【００１６】また、Ｘ線と紫外線は波長が異なり、Ｘ線
を照射する場合と紫外線を照射する場合とは解像度が異
なるため、紫外線によって、微細なＸ線用マスクを通し
て露光してＸ線用マスクの巨大パターン部分のみ解像度
よく露光し、Ｘ線によってこのＸ線用マスクを通して微
細パターン部分を解像すると、巨大パターン部分を形成
するレジスト中のトータル吸収エネルギーと、微細パタ
ーン部分を形成するレジスト中のトータル吸収エネルギ
ーを同等にすることができる。Since X-rays and ultraviolet rays have different wavelengths, and the resolutions for irradiating X-rays and for irradiating ultraviolet rays are different, the ultraviolet rays are used to expose through a fine X-ray mask to expose the X-ray mask. When the fine pattern portion is exposed with high resolution through the X-ray mask and the fine pattern portion is resolved by X-rays, the total absorbed energy in the resist forming the huge pattern portion and the resist in the resist forming the fine pattern portion are The total absorbed energy can be made equal.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （第１実施例）図１（Ａ），（Ｂ）は、第１実施例の微
細パターン形成方法の工程説明図である。この図におい
て、１はＸ線用マスク、２は基板、３は吸収体、４は支
持体、５は微細パターン部分、６は巨大パターン部分、
７はレジスト、８はウェハ、９はＸ線、１０は紫外線用
マスク、１１は基板、１２は遮光部、１３は紫外線を示
している。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. (First Embodiment) FIGS. 1A and 1B are process explanatory views of a fine pattern forming method of the first embodiment. In this figure, 1 is an X-ray mask, 2 is a substrate, 3 is an absorber, 4 is a support, 5 is a fine pattern portion, 6 is a huge pattern portion,
7 is a resist, 8 is a wafer, 9 is an X-ray, 10 is a mask for ultraviolet rays, 11 is a substrate, 12 is a light-shielding portion, and 13 is ultraviolet rays.
【００１８】図１（Ａ）は、Ｘ線露光段階を示し、支持
体４によって補強された基板２上に吸収体３によって、
ｘ1 とｘ2 の間、および、ｘ3 とｘ4 の間の巨大パター
ン部分６と、ｘ2 とｘ3 の間の微細パターン部分５が形
成されているＸ線用マスク１を通してＸ線９を照射し、
ウェハ８の上に塗布されたＸ線と紫外線に感光するレジ
スト７を露光する。FIG. 1A shows the X-ray exposure stage, in which the absorber 3 is placed on the substrate 2 reinforced by the support 4.
X-rays 9 pass through the X-ray mask 1 in which the huge pattern portions 6 between x 1 and x 2 and between x 3 and x 4 and the fine pattern portions 5 between x 2 and x 3 are formed. Irradiate
The resist 7 which is exposed to X-rays and ultraviolet rays applied on the wafer 8 is exposed.
【００１９】このＸ線と紫外線に感光するレジスト７と
しては、感光剤としてトリフェニルスルホニウムトリフ
レイト等、有機ポリマーとしてＰＶＰ／ｔＢＭＡ等を用
いたものを挙げることができ、このレジストをウェハ上
に塗布し、プリベークを行った後、Ｘ線露光装置とＸ線
用マスクを用いて上記のＸ線露光を行う。Examples of the resist 7 that is sensitive to X-rays and ultraviolet rays include those that use triphenylsulfonium triflate as a photosensitizer and PVP / tBMA as an organic polymer. This resist is coated on a wafer. Then, after prebaking, the above X-ray exposure is performed using an X-ray exposure device and an X-ray mask.
【００２０】次いで、Ｘ線露光装置からウェハを取り出
し、図１（Ｂ）に示されているように、基板１１上に、
ｘ1 とｘ2 の間、および、ｘ3 とｘ4 の間の巨大パター
ン部分６に開口を有し、ｘ2 とｘ3 の間の微細パターン
部分５に開口を有しない遮光部１２が形成された紫外線
用マスク１０を用い、エキシマレーザ等の紫外線１３に
よって紫外線露光を行い、ポストエクスポージャベーク
を行った後、現像処理をしてレジストパターンを得る。Then, the wafer is taken out from the X-ray exposure apparatus, and is placed on the substrate 11 as shown in FIG.
Forming a light-shielding portion 12 having an opening in the huge pattern portion 6 between x 1 and x 2 and between x 3 and x 4 and having no opening in the fine pattern portion 5 between x 2 and x 3. Using the ultraviolet mask 10 thus formed, ultraviolet exposure is performed with ultraviolet 13 such as an excimer laser to perform post-exposure bake, and then development processing is performed to obtain a resist pattern.
【００２１】図２（Ａ）〜（Ｃ）は、第１実施例の微細
パターン形成方法の露光量説明図である。この図におけ
る符号は図１で同符号を付して説明したものと同様であ
る。FIGS. 2A to 2C are explanatory views of the exposure dose of the fine pattern forming method of the first embodiment. The reference numerals in this figure are the same as those explained with the same reference numerals in FIG.
【００２２】図２（Ａ）は、基板２上に吸収体３によっ
て微細パターン部分５と巨大パターン部分６を有するＸ
線用マスクを通してＸ線９を照射し、ウェハ８の上に塗
布されたＸ線と紫外線に感光するレジスト７を露光した
後の露光量を示しているが、前記のように、フレネル回
折の影響で、微細パターン部分５を通過する光の強度
は、巨大パターン部分６を通過した光の強度より大きく
なるから、レジスト７の微細パターン部分５を適正露光
（二重斜線部分）すると、巨大パターン部分６は露光不
足（斜線部分）の状態になる。FIG. 2A shows an X having a fine pattern portion 5 and a huge pattern portion 6 formed on the substrate 2 by the absorber 3.
The amount of exposure after irradiating the X-ray 9 applied through the mask for X-rays and exposing the resist 7 which is exposed to the X-rays and the ultraviolet rays on the wafer 8 is shown. As described above, the influence of Fresnel diffraction is shown. Since the intensity of light passing through the fine pattern portion 5 is higher than the intensity of light passing through the giant pattern portion 6, if the fine pattern portion 5 of the resist 7 is properly exposed (double shaded portion), the giant pattern portion 5 6 is underexposed (hatched portion).
【００２３】図２（Ｂ）は、その後、基板１１上に、巨
大パターン部分６に開口を有し、微細パターン部分５に
開口を有しない遮光部１２が形成された紫外線用マスク
を通して紫外線１３を照射し、先にＸ線露光したレジス
ト７を紫外線露光した後の露光量を示しているが、Ｘ線
露光によっては露光不足であった巨大パターン部分６の
露光量が補充された適正露光（二重斜線部分）に達して
いる。In FIG. 2B, after that, the ultraviolet rays 13 are passed through the ultraviolet ray mask on the substrate 11 where the light shielding portion 12 having the opening in the huge pattern portion 6 and the opening in the fine pattern portion 5 is formed. The exposure amount is shown after the resist 7 that has been exposed to X-rays and exposed to ultraviolet rays is shown. However, the exposure amount of the huge pattern portion 6 that was underexposed by the X-ray exposure is replenished appropriately (two The heavy diagonal line) has been reached.
【００２４】図２（Ｃ）は、現像後のレジストパターン
の断面を示しているが、微細パターン部分５と巨大パタ
ーン部分６を通じて均一な厚さのレジストパターンが形
成されている。FIG. 2C shows a cross section of the resist pattern after development. A resist pattern having a uniform thickness is formed through the fine pattern portion 5 and the giant pattern portion 6.
【００２５】なお、前記の工程を逆にして、レジストを
塗布し、プリベークした後、エキシマレーザ露光装置と
エキシマレーザ用マスクによって紫外線露光を行い、そ
の後に、Ｘ線露光装置とＸ線用マスクを用いてＸ線露光
しても上記と同様の効果が得られることはいうまでもな
い。After the resist is applied and pre-baked by reversing the above steps, UV exposure is performed by an excimer laser exposure device and an excimer laser mask, and then an X-ray exposure device and an X-ray mask are used. Needless to say, the same effects as described above can be obtained by using X-ray exposure.
【００２６】（第２実施例）図３（Ａ），（Ｂ）は、第
２実施例の微細パターン形成方法の工程説明図である。
この図において、２１はＸ線用マスク、２２は基板、２
３は吸収体、２４は支持体、２５は微細パターン部分、
２６は巨大パターン部分、２７はレジスト、２８はウェ
ハ、２９はＸ線、３０は紫外線を示している。(Second Embodiment) FIGS. 3A and 3B are process explanatory views of a fine pattern forming method of the second embodiment.
In this figure, 21 is an X-ray mask, 22 is a substrate, and 2 is a substrate.
3 is an absorber, 24 is a support, 25 is a fine pattern portion,
26 is a huge pattern part, 27 is a resist, 28 is a wafer, 29 is an X-ray, and 30 is an ultraviolet ray.
【００２７】図３（Ａ）は、Ｘ線露光段階を示し、支持
体２４によって補強された基板２２上に吸収体２３によ
って、ｘ1 とｘ2 の間、および、ｘ3 とｘ4 の間の巨大
パターン部分２６と、ｘ2 とｘ3 の間の微細パターン部
分２５が形成されているＸ線用マスク２１を通してＸ線
２９を照射し、ウェハ２８の上に塗布されたＸ線と紫外
線に感光するレジスト２７を露光する。FIG. 3A shows the X-ray exposure step, with the absorber 23 on the substrate 22 reinforced by the support 24 between x 1 and x 2 and between x 3 and x 4 . The X-ray 29 is irradiated through the X-ray mask 21 in which the huge pattern portion 26 of X and the fine pattern portion 25 between x 2 and x 3 are formed, so that the X-rays and the ultraviolet rays coated on the wafer 28 are exposed. The exposed resist 27 is exposed.
【００２８】このＸ線と紫外線に感光するレジスト２７
としては、第１実施例と同様に、感光剤としてトリフェ
ニルスルホニウムトリフレイト等、有機ポリマーとして
ＰＶＰ／ｔＢＭＡ等を用いたものを挙げることができ
る。このレジストをウェハ上に塗布し、プリベークを行
った後、Ｘ線２９をＸ線用マスク２１を通して露光を行
う。A resist 27 sensitive to this X-ray and ultraviolet rays.
Examples thereof include those using triphenylsulfonium triflate as a photosensitizer and PVP / tBMA as an organic polymer, as in the first embodiment. This resist is applied on the wafer and prebaked, and then X-ray 29 is exposed through the X-ray mask 21.
【００２９】次いで、このＸ線用マスク２１を通して、
図３（Ｂ）に示されているように、エキシマレーザ等の
紫外線源を用いて紫外線露光を行い、ポストエクスポー
ジャベークを行った後、現像処理をしてレジストパター
ンを得る。Then, through the X-ray mask 21,
As shown in FIG. 3B, ultraviolet exposure is performed using an ultraviolet source such as an excimer laser, post exposure bake is performed, and then development processing is performed to obtain a resist pattern.
【００３０】図４（Ａ）〜（Ｃ）は、第２実施例の微細
パターン形成方法の露光量説明図である。この図におけ
る符号は図３で同符号を付して説明したものと同様であ
る。FIGS. 4A to 4C are explanatory views of the exposure dose of the fine pattern forming method of the second embodiment. The reference numerals in this figure are the same as those described with the same reference numerals in FIG.
【００３１】図４（Ａ）は基板２２上に吸収体２３によ
って微細パターン部分２５と巨大パターン部分２６を有
するＸ線用マスクを通してＸ線２９を照射し、ウェハ２
８の上に塗布されたＸ線と紫外線に感光するレジスト２
７を露光した後の露光量を示しているが、フレネル回折
の影響で、微細パターン部分２５を通過する光の強度
は、巨大パターン部分２６を通過した光の強度より大き
くなるから、レジスト２７の微細パターン部分２５を適
正露光（二重斜線部分）すると、巨大パターン部分２６
は露光不足（斜線部分）になる。In FIG. 4A, an X-ray 29 is irradiated by an absorber 23 on a substrate 22 through an X-ray mask having a fine pattern portion 25 and a giant pattern portion 26, and the wafer 2
Resist 2 that is sensitive to X-rays and ultraviolet rays applied on 8
7 shows the exposure amount after the exposure of No. 7, but the intensity of the light passing through the fine pattern portion 25 becomes larger than the intensity of the light passing through the giant pattern portion 26 due to the influence of Fresnel diffraction. When the fine pattern portion 25 is properly exposed (double hatched portion), the huge pattern portion 26
Is underexposed (hatched portion).
【００３２】図４（Ｂ）はその後、上記と同じＸ線用マ
スクを通して紫外線３０を照射し、先にＸ線露光したレ
ジスト２７を紫外線露光した後の露光量を示している
が、このＸ線用マスクの微細パターン部分２５は、Ｘ線
２９より波長が長い紫外線３０に対しては微細すぎるた
め、この部分の解像度は悪いが、巨大パターン部分２６
の開口は紫外線３０の波長に対しても充分な解像度が得
られるため、Ｘ線露光によっては露光不足であったこの
巨大パターン部分２６の露光量が補充された適正露光
（二重斜線部分）に達している。FIG. 4B shows the exposure amount after irradiating the ultraviolet rays 30 through the same X-ray mask as described above and exposing the resist 27 previously exposed to the X-rays to the ultraviolet rays. The fine pattern portion 25 of the mask for use is too fine for the ultraviolet rays 30 having a wavelength longer than that of the X-ray 29.
Since the aperture of the can obtain a sufficient resolution even for the wavelength of the ultraviolet ray 30, the proper exposure (double-hatched portion) is supplemented with the exposure amount of the huge pattern portion 26 which was underexposed by the X-ray exposure. Has reached
【００３３】図４（Ｃ）は前記２段階の現像後現像した
レジストパターンの断面を示しているが、微細パターン
部分２５と巨大パターン部分２６を通じて均一な厚さの
レジストパターン２７が形成されている。FIG. 4C shows a cross section of the resist pattern developed after the two-stage development, and a resist pattern 27 having a uniform thickness is formed through the fine pattern portion 25 and the giant pattern portion 26. .
【００３４】この実施例においては、Ｘ線露光の後に紫
外線露光を行うこととして説明したが、上記の説明から
明らかなように、紫外線露光の後にＸ線露光を行うこと
もでき、あるいは、Ｘ線露光と紫外線露光を同時に行う
こともできる。この場合、従来から慣用されていたＸ線
露光装置に近接して、例えばエキシマレーザを設置し、
その紫外線を単数または複数の反射鏡を用いてＸ線の照
射経路に一致させるように導くことができる。In this embodiment, the UV exposure is performed after the X-ray exposure. However, as is clear from the above description, the X-ray exposure can be performed after the UV exposure, or the X-ray exposure can be performed. It is also possible to perform the exposure and the ultraviolet exposure at the same time. In this case, for example, an excimer laser is installed close to a conventionally used X-ray exposure apparatus,
The ultraviolet rays can be guided so as to match the X-ray irradiation path by using one or more reflecting mirrors.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
Ｘ線の近接露光によってレジスト上に多様な大きさのパ
ターンを要求される解像度で転写することができ、微細
加工技術の向上に寄与するところが大きい。As described above, according to the present invention,
By the proximity exposure of X-rays, patterns of various sizes can be transferred onto the resist at the required resolution, which greatly contributes to the improvement of fine processing technology.
【図１】（Ａ），（Ｂ）は第１実施例の微細パターン形
成方法の工程説明図である。1A and 1B are process explanatory diagrams of a fine pattern forming method of a first embodiment.
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は第１実施例の微細パターン形
成方法の露光量説明図である。FIG. 2A to FIG. 2C are explanatory diagrams of the exposure amount of the fine pattern forming method of the first embodiment.
【図３】（Ａ），（Ｂ）は第２実施例の微細パターン形
成方法の工程説明図である。3A and 3B are process explanatory diagrams of a fine pattern forming method of a second embodiment.
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は第２実施例の微細パターン形
成方法の露光量説明図である。FIG. 4A to FIG. 4C are explanatory diagrams of the exposure dose in the fine pattern forming method of the second embodiment.
【図５】ＵＬＳＩの露光パターンの一例を示す模式図で
ある。FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a ULSI exposure pattern.
【図６】微細パターンと巨大パターンの光強度分布を示
す図である。FIG. 6 is a diagram showing light intensity distributions of a fine pattern and a huge pattern.
１ Ｘ線用マスク ２ 基板 ３ 吸収体 ４ 支持体 ５ 微細パターン部分 ６ 巨大パターン部分 ７ レジスト ８ ウェハ ９ Ｘ線 １０ 紫外線用マスク １１ 基板 １２ 遮光部 １３ 紫外線 ２１ Ｘ線用マスク ２２ 基板 ２３ 吸収体 ２４ 支持体 ２５ 微細パターン部分 ２６ 巨大パターン部分 ２７ レジスト ２８ ウェハ ２９ Ｘ線 ３０ 紫外線 1 X-ray mask 2 Substrate 3 Absorber 4 Support 5 Fine pattern part 6 Giant pattern part 7 Resist 8 Wafer 9 X-ray 10 UV mask 11 Substrate 12 Light-shielding part 13 UV 21 X-ray mask 22 Substrate 23 Absorber 24 Support 25 Fine pattern part 26 Giant pattern part 27 Resist 28 Wafer 29 X-ray 30 Ultraviolet
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０３ 9122−2Ｈ 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３１１ Ａ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI Technical display location G03F 7/20 503 9122-2H 7352-4M H01L 21/30 311 A
Claims (5)
ジストを塗布する工程と、該レジストをＸ線と紫外線に
よって多重露光する工程を含むことを特徴とする微細パ
ターン形成方法。1. A method for forming a fine pattern, comprising: a step of applying a resist sensitive to X-rays and ultraviolet rays onto a work piece; and a step of multiple-exposing the resist with the X-rays and ultraviolet rays.
ジストを塗布する工程と、該レジストをＸ線用露光マス
クを用いてＸ線によって露光する工程と、紫外線用露光
マスクを用いて紫外線によって露光する工程を含むこと
を特徴とする微細パターン形成方法。2. A step of applying a resist that is sensitive to X-rays and ultraviolet rays onto a workpiece, a step of exposing the resist to X-rays using an X-ray exposure mask, and a step of using an ultraviolet exposure mask. A fine pattern forming method comprising a step of exposing to ultraviolet rays.
ジストを塗布する工程と、該レジストをＸ線用露光マス
クを用いてＸ線および紫外線によって同時露光する工程
を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。3. A step of applying a resist sensitive to X-rays and ultraviolet rays onto a work piece, and a step of simultaneously exposing the resist to X-rays and ultraviolet rays using an exposure mask for X-rays. Fine pattern forming method.
ジストを塗布する工程と、該レジストをＸ線用露光マス
クを用いてＸ線によって露光する工程と、該Ｘ線用露光
マスクを用いて紫外線によって露光する工程を含むこと
を特徴とする微細パターン形成方法。4. A step of applying a resist that is sensitive to X-rays and ultraviolet rays onto a workpiece, a step of exposing the resist to X-rays using an X-ray exposure mask, and a step of exposing the X-ray exposure mask. A method for forming a fine pattern, which comprises the step of exposing using ultraviolet rays.
露光マスクを通してＸ線を垂直に照射するＸ線源と、紫
外線を垂直に照射する紫外線源を具えることを特徴とす
る微細パターン露光装置。5. A resist applied on a work piece,
A fine pattern exposure apparatus comprising an X-ray source for vertically irradiating X-rays through an exposure mask and an ultraviolet ray source for vertically irradiating ultraviolet rays.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4240267A JPH0689839A (en) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | Fine pattern formation and fine pattern aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4240267A JPH0689839A (en) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | Fine pattern formation and fine pattern aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689839A true JPH0689839A (en) | 1994-03-29 |
Family
ID=17056956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4240267A Withdrawn JPH0689839A (en) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | Fine pattern formation and fine pattern aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689839A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133586A (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Canon Inc | Aligner |
| KR20000047561A (en) * | 1998-10-27 | 2000-07-25 | 미다라이 후지오 | Exposure method |
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-
1992
- 1992-09-09 JP JP4240267A patent/JPH0689839A/en not_active Withdrawn
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