JPH06818Y2 - Ｃｖｄ装置のための基板支持装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置のための基板支持装置Info
- Publication number
- JPH06818Y2 JPH06818Y2 JP1989109677U JP10967789U JPH06818Y2 JP H06818 Y2 JPH06818 Y2 JP H06818Y2 JP 1989109677 U JP1989109677 U JP 1989109677U JP 10967789 U JP10967789 U JP 10967789U JP H06818 Y2 JPH06818 Y2 JP H06818Y2
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- JP
- Japan
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- substrate
- supporting
- opening
- support plate
- substrates
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本考案は、複数の半導体等の基板を支持する支持装置、
およびこれを利用して基板に所定の薄膜を形成するＣＶ
Ｄ装置に関するものである。
およびこれを利用して基板に所定の薄膜を形成するＣＶ
Ｄ装置に関するものである。
近年、ＯＡ機器、テレビ、コンピューターなどに利用す
る電子部品の分野が、急速に発展し、推進されてきてい
る。これらの電子部品のための半導体デバイスの製造工
程において、半導体基板に酸化膜、多結晶シリコン等の
薄膜を形成するためにＣＶＤ（気相成長）装置が用いら
れている。ＣＶＤ装置には、半導体基板を縦に積み重ね
た縦型ＣＶＤ装置があるが、この装置は一度に多量の基
板を処理できるというバッチ処理の特性をもつ。なお、
バッチ処理の特性をもつ装置には、この縦型の外に横型
のＣＶＤ装置がある。 従来の縦型のＣＶＤ装置の略示縦断面図を第３図に示
す。石英から成るベルジャー型の石英管１の内側には、
４本の支持体２とその支持体２により平行に支持された
複数の支持板３とから成る基板支持装置Ａが配置されて
いる。 第４図において、基板を支持する支持板３が示されてい
る。そして、第５図において、同じ大きさの開口を有す
る同じ構造の支持板３が等間隔で平行に配列された基板
支持装置の一部断面図が示されている（この図では３つ
の支持板が示されているが、これらは複数の平行に配列
された支持板のうちの一部である）。第４図から分かる
ように、その支持板３は、基板６と同程度の開口４を中
央に有し、かつ基板６を支持する複数のクリップ５をそ
の開口に沿つて有する。このような支持板により基板を
支持するのは、次の理由による。すなわち、基板上の薄
膜形成に必要な反応ガスは、第５図から理解できるよう
に、支持板間のみならず、上に位置する支持板の開口４
からも流れ込み、基板６′上に比較的均一的に反応ガス
が到着し、基板上に均一な薄膜が形成できるからであ
る。
る電子部品の分野が、急速に発展し、推進されてきてい
る。これらの電子部品のための半導体デバイスの製造工
程において、半導体基板に酸化膜、多結晶シリコン等の
薄膜を形成するためにＣＶＤ（気相成長）装置が用いら
れている。ＣＶＤ装置には、半導体基板を縦に積み重ね
た縦型ＣＶＤ装置があるが、この装置は一度に多量の基
板を処理できるというバッチ処理の特性をもつ。なお、
バッチ処理の特性をもつ装置には、この縦型の外に横型
のＣＶＤ装置がある。 従来の縦型のＣＶＤ装置の略示縦断面図を第３図に示
す。石英から成るベルジャー型の石英管１の内側には、
４本の支持体２とその支持体２により平行に支持された
複数の支持板３とから成る基板支持装置Ａが配置されて
いる。 第４図において、基板を支持する支持板３が示されてい
る。そして、第５図において、同じ大きさの開口を有す
る同じ構造の支持板３が等間隔で平行に配列された基板
支持装置の一部断面図が示されている（この図では３つ
の支持板が示されているが、これらは複数の平行に配列
された支持板のうちの一部である）。第４図から分かる
ように、その支持板３は、基板６と同程度の開口４を中
央に有し、かつ基板６を支持する複数のクリップ５をそ
の開口に沿つて有する。このような支持板により基板を
支持するのは、次の理由による。すなわち、基板上の薄
膜形成に必要な反応ガスは、第５図から理解できるよう
に、支持板間のみならず、上に位置する支持板の開口４
からも流れ込み、基板６′上に比較的均一的に反応ガス
が到着し、基板上に均一な薄膜が形成できるからであ
る。
しかし、このような支持装置が配置されたＣＶＤ装置に
は以下の欠点がある。 第５図に示すように、同一構造の支持板を等間隔で平行
に配置した基板支持装置Ａにおいて、各基板のそれぞれ
に均一な薄膜を形成することができるのは、各支持板間
に同一の反応ガスの流れが存在するという前提があれば
こそである。しかし、一般的に、反応ガスが基板支持装
置を通って流れるときは、下方に位置する基板の周囲の
反応ガスの流れ、温度、圧力等と上方に位置する基板の
周囲のそれらとは異なる。そのため、同じ大きさの開口
を有する支持板により平行に配置された複数の基板のう
ち、下方に位置する基板上には、中央が厚い膜が形成さ
れ、上方に位置する基板上には、その周囲が厚い膜が形
成される。同じことが、横型のＣＶＤ装置におけるガス
流の上流と下流に位置する基板についてもいえる。 このような不均一な薄膜の形成は、高度の精度が要求さ
れる半導体デバイス製造の分野では許容しがたいもので
ある。 そこで、本考案の目的は、ＣＶＤ装置において複数の半
導体等の基板を同時に処理し、その基板上に形成される
薄膜の均一性を改良し、および／または膜に導入される
不純物の濃度を適性化するための基板支持装置を提供す
ることである。
は以下の欠点がある。 第５図に示すように、同一構造の支持板を等間隔で平行
に配置した基板支持装置Ａにおいて、各基板のそれぞれ
に均一な薄膜を形成することができるのは、各支持板間
に同一の反応ガスの流れが存在するという前提があれば
こそである。しかし、一般的に、反応ガスが基板支持装
置を通って流れるときは、下方に位置する基板の周囲の
反応ガスの流れ、温度、圧力等と上方に位置する基板の
周囲のそれらとは異なる。そのため、同じ大きさの開口
を有する支持板により平行に配置された複数の基板のう
ち、下方に位置する基板上には、中央が厚い膜が形成さ
れ、上方に位置する基板上には、その周囲が厚い膜が形
成される。同じことが、横型のＣＶＤ装置におけるガス
流の上流と下流に位置する基板についてもいえる。 このような不均一な薄膜の形成は、高度の精度が要求さ
れる半導体デバイス製造の分野では許容しがたいもので
ある。 そこで、本考案の目的は、ＣＶＤ装置において複数の半
導体等の基板を同時に処理し、その基板上に形成される
薄膜の均一性を改良し、および／または膜に導入される
不純物の濃度を適性化するための基板支持装置を提供す
ることである。
上記目的を達成するため、本考案の基板支持装置は、複
数の処理すべき基板のそれぞれを支持する、平行に配列
された複数の支持板を有して成るもので、その各支持板
が、その中央に開口を有し、基板を支持板から離して、
前記開口上に支持するための複数の基板支持用のクリッ
プをその開口の周囲に沿って有し、それら支持板の開口
の大きさが２種類以上異なることを特徴とするものであ
る。 本考案のＣＶＤ装置は、上記基板支持装置を内部に配置
したものである。 なお、基板、開口、支持板は円形でもよく、また多角形
でもよい。また、処理基板は半導体に限定されず、たと
えばガラス基板、セラミック基板等の基板でも良い。
数の処理すべき基板のそれぞれを支持する、平行に配列
された複数の支持板を有して成るもので、その各支持板
が、その中央に開口を有し、基板を支持板から離して、
前記開口上に支持するための複数の基板支持用のクリッ
プをその開口の周囲に沿って有し、それら支持板の開口
の大きさが２種類以上異なることを特徴とするものであ
る。 本考案のＣＶＤ装置は、上記基板支持装置を内部に配置
したものである。 なお、基板、開口、支持板は円形でもよく、また多角形
でもよい。また、処理基板は半導体に限定されず、たと
えばガラス基板、セラミック基板等の基板でも良い。
本考案の基板支持装置は、ＣＶＤ装置における反応ガス
の状態（流れ方、温度、圧力等）に応じて、少なくとも
支持板の開口の大きさを２種類以上異なったものにする
ことで、薄膜を形成するのに必要な空間を基板の上方に
画成し、均一な薄膜を各基板上に形成することを可能に
する。
の状態（流れ方、温度、圧力等）に応じて、少なくとも
支持板の開口の大きさを２種類以上異なったものにする
ことで、薄膜を形成するのに必要な空間を基板の上方に
画成し、均一な薄膜を各基板上に形成することを可能に
する。
次に、本考案の実施例を図面を参照して説明する。第１
図は、縦型のＣＶＤ装置内に配置される本考案の基板支
持装置の一部断面図を示す。この断面図では、支持体１
２により平行に配列された３つの支持板１３、２３、３
３が示されているが、実際にはＣＶＤ装置の内部の大き
さに応じて適切な数の支持板が配列される。これら支持
板の基本的構造は第４図に示す支持板と同じである。 すなわち、基板を支持する支持板１３、２３、３３は、
第４図と同様に円形のものである。しかし、これに限定
されず、多角形のものでもよい。ただし、処理されるべ
き基板が円形の場合には、支持板は円形が望ましい。 その支持板１３、２３、３の中央には、薄膜形成のため
の反応ガスが流れることができる開口１４、２４、３４
が設けられている。これら開口は円形の基板に合わせて
円形である。そして、それら開口１４、２４、３４の周
囲には、それぞれ基板１６、２６、３６を支持板から離
して支持するための複数のクリップ１５、２５、３５が
設けられている。クリップの数は基板の確実な把持と着
脱の容易さの観点から決定されるべきで、好適には３個
である。こりクリップより、基板は、支持板の開口の真
上に支持される。 ここで、基板は、半導体であるが、これに限定されずガ
ラス基板、セラミック基板等の基板でもよい。 このように本考案の基板支持装置を構成する支持板その
ものの基本構造は従来のもの（第４図）と同じである
が、本考案の基板支持装置と従来の基板支持装置との違
いは、第１図と第５図とを比較すると明らかなとおり、
支持板に設けられた開口の大きさが、従来の基板支持装
置では一定であるのに対して、本考案の基板支持装置で
は様々に変えられている点である。 すなわち、第３図に示す縦型のＣＶＤ装置に使用する基
板支持装置の好適実施例（第１図）では、各支持板１
３、１４、１５の開口１４、１５、１６の大きさは、下
方に行ほど大きい（例えば、直径が１５０mmの半導体ウ
ェーハに場合、最上位の支持板の開口の直径は１４６mm
で、最下位の支持板の開口の直径は１５８mmである）。
ただし、下方に行くにしたがって開口を大きくすると、
第１図に示すように支持板３３の開口３４が、基板３６
よりも大きくする必要がある場合のあるので、このよう
な場合には、基板３６を支持するクリップ３５を逆Ｌ字
にする必要がある。 このように、開口の大きさ（第１図においてＤで示す）
を種々に変えることで、その基板の周囲のガス状態（温
度、圧力、流れ方など）に応じて均一な薄膜形成に必要
な空間を基板の上方に画成することができる。しかし、
開口の大きさを変えるのは、このような空間を基板上に
画成するためであるから、それぞれの支持板の開口の大
きさを総て異なったものにする必要はない。最も簡単な
例としては、複数の支持板の上半分のそれぞれが小さな
同じ径の開口を有し、その下半分のそれぞれが大きな同
じ径の開口を有する場合である。 第１図は、下方に行くほど支持板の開口が大きい基板支
持装置を示すが、これは一般的な縦型のＣＶＤ装置に利
用した一実施例である。もし、ＣＶＤ装置の形式、処理
すべき基板の数、反応ガスの種類、反応の状態、処理時
間により、ガスの状態が基板支持装置の各支持板におい
て様々に変化する場合は、その変化に応じて支持板の開
口（Ｂ）をより大きく、または小さくする必要がある。 したがって、ある場合には、上方の支持板と下方の支持
板の開口が最も小さく、中央の支持板の開口が最も大き
くなり、また、ある場合には、上方の支持板の開口が最
も大きく、下方の支持板の開口が最も小さくなる。 このように、基板支持装置の各支持板の開口の大きさ
は、ＣＶＤ装置の動作状態によりにより個別的に定める
ものである。 薄膜に導入する不純物の濃度についても、いろいろな大
きさの開口をもった複数の支持板から構成される本考案
の基板支持装置を利用することにより適性化を図ること
ができることは明らかである。 第２図は、本考案の他の実施例であって、ホットウォー
ル型のＣＶＤ装置において使用される，基板１６、２
６、３６をクリップ１５、２５、３５により支持し、横
方向に間隔を置いて配置された複数の支持板１３、２
３、３３をから成る基板支持装置の一部断面図を示す。
図は、縦型のＣＶＤ装置内に配置される本考案の基板支
持装置の一部断面図を示す。この断面図では、支持体１
２により平行に配列された３つの支持板１３、２３、３
３が示されているが、実際にはＣＶＤ装置の内部の大き
さに応じて適切な数の支持板が配列される。これら支持
板の基本的構造は第４図に示す支持板と同じである。 すなわち、基板を支持する支持板１３、２３、３３は、
第４図と同様に円形のものである。しかし、これに限定
されず、多角形のものでもよい。ただし、処理されるべ
き基板が円形の場合には、支持板は円形が望ましい。 その支持板１３、２３、３の中央には、薄膜形成のため
の反応ガスが流れることができる開口１４、２４、３４
が設けられている。これら開口は円形の基板に合わせて
円形である。そして、それら開口１４、２４、３４の周
囲には、それぞれ基板１６、２６、３６を支持板から離
して支持するための複数のクリップ１５、２５、３５が
設けられている。クリップの数は基板の確実な把持と着
脱の容易さの観点から決定されるべきで、好適には３個
である。こりクリップより、基板は、支持板の開口の真
上に支持される。 ここで、基板は、半導体であるが、これに限定されずガ
ラス基板、セラミック基板等の基板でもよい。 このように本考案の基板支持装置を構成する支持板その
ものの基本構造は従来のもの（第４図）と同じである
が、本考案の基板支持装置と従来の基板支持装置との違
いは、第１図と第５図とを比較すると明らかなとおり、
支持板に設けられた開口の大きさが、従来の基板支持装
置では一定であるのに対して、本考案の基板支持装置で
は様々に変えられている点である。 すなわち、第３図に示す縦型のＣＶＤ装置に使用する基
板支持装置の好適実施例（第１図）では、各支持板１
３、１４、１５の開口１４、１５、１６の大きさは、下
方に行ほど大きい（例えば、直径が１５０mmの半導体ウ
ェーハに場合、最上位の支持板の開口の直径は１４６mm
で、最下位の支持板の開口の直径は１５８mmである）。
ただし、下方に行くにしたがって開口を大きくすると、
第１図に示すように支持板３３の開口３４が、基板３６
よりも大きくする必要がある場合のあるので、このよう
な場合には、基板３６を支持するクリップ３５を逆Ｌ字
にする必要がある。 このように、開口の大きさ（第１図においてＤで示す）
を種々に変えることで、その基板の周囲のガス状態（温
度、圧力、流れ方など）に応じて均一な薄膜形成に必要
な空間を基板の上方に画成することができる。しかし、
開口の大きさを変えるのは、このような空間を基板上に
画成するためであるから、それぞれの支持板の開口の大
きさを総て異なったものにする必要はない。最も簡単な
例としては、複数の支持板の上半分のそれぞれが小さな
同じ径の開口を有し、その下半分のそれぞれが大きな同
じ径の開口を有する場合である。 第１図は、下方に行くほど支持板の開口が大きい基板支
持装置を示すが、これは一般的な縦型のＣＶＤ装置に利
用した一実施例である。もし、ＣＶＤ装置の形式、処理
すべき基板の数、反応ガスの種類、反応の状態、処理時
間により、ガスの状態が基板支持装置の各支持板におい
て様々に変化する場合は、その変化に応じて支持板の開
口（Ｂ）をより大きく、または小さくする必要がある。 したがって、ある場合には、上方の支持板と下方の支持
板の開口が最も小さく、中央の支持板の開口が最も大き
くなり、また、ある場合には、上方の支持板の開口が最
も大きく、下方の支持板の開口が最も小さくなる。 このように、基板支持装置の各支持板の開口の大きさ
は、ＣＶＤ装置の動作状態によりにより個別的に定める
ものである。 薄膜に導入する不純物の濃度についても、いろいろな大
きさの開口をもった複数の支持板から構成される本考案
の基板支持装置を利用することにより適性化を図ること
ができることは明らかである。 第２図は、本考案の他の実施例であって、ホットウォー
ル型のＣＶＤ装置において使用される，基板１６、２
６、３６をクリップ１５、２５、３５により支持し、横
方向に間隔を置いて配置された複数の支持板１３、２
３、３３をから成る基板支持装置の一部断面図を示す。
以上のように本考案は、基板支持装置の支持板の開口の
大きさを変えることで、基板の周囲のガス状態（温度、
圧力、流れ方など）に応じて、均一な薄膜形成に必要な
空間を基板上に画成でき、そして多量の基板に対して均
一な薄膜の形成という処理を行うことができる。同様
に、薄膜に導入される不純物の濃度を適性にすることが
できる。
大きさを変えることで、基板の周囲のガス状態（温度、
圧力、流れ方など）に応じて、均一な薄膜形成に必要な
空間を基板上に画成でき、そして多量の基板に対して均
一な薄膜の形成という処理を行うことができる。同様
に、薄膜に導入される不純物の濃度を適性にすることが
できる。
第１図は、本考案に従った、基板支持装置の一部断面図
である。 第２図は、ホットウォール型のＣＶＤ装置に使用する本
考案の基板支持装置の他の実施例の一部断面図である。 第３図は、従来の基板支持装置が配置されたベルジャー
型のＣＶＤ装置の略示断面図である。 第４図は、従来の基板支持装置に使用された支持板の斜
視図である。 第５図は、第４図の従来の基板支持装置の一部断面図を
示す。
である。 第２図は、ホットウォール型のＣＶＤ装置に使用する本
考案の基板支持装置の他の実施例の一部断面図である。 第３図は、従来の基板支持装置が配置されたベルジャー
型のＣＶＤ装置の略示断面図である。 第４図は、従来の基板支持装置に使用された支持板の斜
視図である。 第５図は、第４図の従来の基板支持装置の一部断面図を
示す。
１…石英管 ２…支持体 ３…支持板 ４…開口 ５…クリップ ６、６′…基板 １２…支持体 １３、２３、３３…支持板 １４、２４、３４…開口 １５、２５、３５…クリップ １６、２６、３６…基板 Ａ…基板支持装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 深澤 靖 東京都多摩市永山６丁目23番１ 日本エ ー・エス・エム株式会社内 (72)考案者 大崎 実 東京都港区芝５丁目33番１ 日本電気株式 会社内
Claims (2)
- 【請求項１】複数の処理すべき基板のそれぞれを支持す
る、平行に配列された複数の支持板を有する基板支持装
置であって、 前記各支持板が、その中央に開口を有し、かつ前記基板
を前記支持板から離して、前記開口上に支持するための
複数のクリップをその開口の周囲に沿って有し、 前記支持板の開口の大きさが２種類以上異なる、 ところの基板支持装置。 - 【請求項２】複数の基板上にＣＶＤにより薄膜を形成す
るＣＶＤ装置において、 前記複数の基板のそれぞれを支持する、平行に配列され
た複数の支持板を有する基板支持装置がＣＶＤ装置内に
設置され、 前記各支持板が、その中央に開口を有し、かつ前記基板
を前記支持板から離して、前記開口上に支持するための
複数の基板支持用のクリップをその開口の周囲に沿って
有し、 前記支持板の開口の大きさが２種類以上異なる、 ところのＣＶＤ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989109677U JPH06818Y2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | Ｃｖｄ装置のための基板支持装置 |
| DE69024478T DE69024478T2 (de) | 1989-09-21 | 1990-09-14 | Substratträgeranordnung für chemische dampfniederschlagvorrichtung |
| KR1019910700507A KR950013428B1 (ko) | 1989-09-21 | 1990-09-14 | Cvd장치를 위한 기판 지지 장치 |
| PCT/JP1990/001182 WO1991004572A1 (en) | 1989-09-21 | 1990-09-14 | Substrate support device for cvd apparatus |
| EP90913542A EP0444205B1 (en) | 1989-09-21 | 1990-09-14 | Substrate support device for cvd apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989109677U JPH06818Y2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | Ｃｖｄ装置のための基板支持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350324U JPH0350324U (ja) | 1991-05-16 |
| JPH06818Y2 true JPH06818Y2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=14516382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989109677U Expired - Lifetime JPH06818Y2 (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | Ｃｖｄ装置のための基板支持装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0444205B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06818Y2 (ja) |
| KR (1) | KR950013428B1 (ja) |
| DE (1) | DE69024478T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991004572A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4426518B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| BR112014008177A2 (pt) * | 2012-02-16 | 2017-04-11 | Saint Gobain | caixa de processo, arranjos, e métodos para processar substratos revestidos |
| JP5977274B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | バッチ式縦型基板処理装置および基板保持具 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108735A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | 縦型反応管用バスケツト |
| JPS59117138U (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置 |
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