JPH0678218A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPH0678218A
JPH0678218A JP4247205A JP24720592A JPH0678218A JP H0678218 A JPH0678218 A JP H0678218A JP 4247205 A JP4247205 A JP 4247205A JP 24720592 A JP24720592 A JP 24720592A JP H0678218 A JPH0678218 A JP H0678218A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
solid
column
image pickup
lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4247205A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Takayanagi
功 高柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Priority to JP4247205A priority Critical patent/JPH0678218A/ja
Publication of JPH0678218A publication Critical patent/JPH0678218A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フレームメモリーを用いず且つチップ面積を
増大させずにオフセット性のFPNをリアルタイムにキ
ャンセルできるようにしたXYアドレス型の固体撮像装
置を提供する。 【構成】 CMD画素1-11 〜1-44 を2次元的に配列
し、各行のゲート端子は垂直選択線5-1〜5-4に共通に
接続し、各列のソース端子は2本の列ライン8-1a 〜8
-4b を交互に接続して配列する。各2本の列ラインは共
通に駆動される一対の列選択用トランジスター2-1a 〜
2-4b を介して2本のビデオライン4-1,4-2に接続
し、2本のビデオライン4-1,4-2は、切り換えスイッ
チ群9-1〜9-4を介して信号線11-1及び11-2に接続す
る。信号線11-1は電流電圧変換アンプ12-1と遅延回路13
を介して差動アンプ14へ入力し、信号線11-2は電流電圧
変換アンプ12-2を介して差動アンプ14へ入力し、両者の
差信号を出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置、特に固
定パターンノイズ(以下FPNと略称する)を除去でき
るようにした増幅型撮像素子を用いたXYアドレス型の
固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、画像入力装置には、CCDイ
メージセンサー等の固体撮像装置が広く利用されてい
る。CCDイメージセンサーにおいては、フォトダイオ
ードで光電変換された電荷信号を、CCDシフトレジス
ターにより順次転送し、最終的にはチップ上に設けられ
た1つ又は複数の電荷検出アンプにより、低インピーダ
ンスの映像信号として出力する構成が一般的に用いられ
ている。CCDシフトレジスターの電荷伝送効率が99.9
9 %以上ある現在のCCDイメージセンサーでは、フォ
トダイオードの開口率ばらつきや暗電流ばらつきを除く
と、プロセス時に生じるCCD部のパターニングばらつ
きに起因する映像信号のFPNは存在しないため、低F
PNの画像を得ることができる。
【0003】しかしながら通常のCCDイメージセンサ
ーでは、電荷検出アンプで読み出した信号電荷をリセッ
トしてしまうので、一度読み出した信号は破壊されてし
まう。したがって、光情報を蓄積している途中で映像を
モニターすることによって蓄積状態を確認したり、複数
回の読み出しを行うといったことができない。またCC
Dイメージセンサーでは、その構成上、画素へのランダ
ムアクセスや、画像情報の一部のみを取り出すといっ
た、特殊な機能を付加することが困難である。更にCC
Dの問題としては、CCDイメージセンサーでは全ての
CCDの転送ゲートをパルス駆動しなければならないの
で、多画素化したり高速動作をしようとすると、ゲート
容量部で消費される電力が大きくなるということがあ
る。
【0004】それらの問題を解決するイメージセンサー
として、XYアドレス型の増幅型イメージセンサーが提
案されている。これには、例えばCMD(Charge Modul
ation Device,電荷変調素子)イメージセンサーやSI
T(Static Induction Transistor ,静電誘導トランジ
スター)イメージセンサー、AMI(Amplified MosIma
ge sensor)と呼ばれるものがある。なおCMDイメー
ジセンサーに用いられるCMD素子については、例えば
特開昭60−206063号公報や、1986年に開催され
たIEDM(International Electron Device Meeting
)の予稿集の第353 〜356 頁の“A New MOS Image Sen
sor Operating in a Non-destructive Readout Mode”
と題する論文等に詳細に説明されている。これらのイメ
ージセンサーは、いずれも光電変換機能と信号増幅機能
を各画素毎に有するものであり、更には信号電荷はリセ
ットされない限り保存されているので、信号電荷の非破
壊読み出しが可能である。
【0005】次に、従来の増幅型撮像素子を用いたXY
アドレス型イメージセンサーの一例として、CMDを画
素として用いたイメージセンサーの構成について、図5
を用いて説明する。各画素を構成するCMD101-11,10
1-12,・・・ 101-mnをマトリックス状に配列し、その各ド
レインには共通にビデオ電圧VDD(>0)を印加する。
X方向に配列された各行のCMD群のゲート端子は、垂
直選択線102-1 ,102-2 ,・・・ 102-m にそれぞれ接続
し、Y方向に配列された各列のCMD群のソース端子
は、列ライン103-1 ,103-2 ,・・・ 103-n にそれぞれ接
続する。列ライン103-1 ,103-2 ,・・・ 103-n は、それ
ぞれ列選択用トランジスター104-1 ,104-2,・・・ 104-n
、及び接地用トランジスター105-1 ,105-2 ,・・・ 105
-n を介して、ビデオ信号線106 及びグラウンドに接地
された線107 に、それぞれ接続する。ビデオ信号線106
は入力が仮想接地された電流−電圧変換型のプリアンプ
108 に接続され、プリアンプ108 の出力端109 には負極
性の映像信号が時系列で読み出されるように構成されて
いる。
【0006】また垂直選択線102-1 ,102-2 ,・・・ 102-
m は垂直走査回路110 に接続して、それぞれに信号
ΦG1,ΦG2,・・・ ΦGmが印加される。また列選択用トラ
ンジスター104-1 ,104-2 ,・・・ 104-n 、及び接地用ト
ランジスター105-1 ,105-2 ,・・・ 105-n の各ゲート端
子は水平走査回路111 に接続して、それぞれに信号
ΦS1,ΦS2,・・・ ΦSn及びその反転信号が印加されるよ
うに構成されている。なお、各CMDは同一基板上に形
成され、その基板には電圧VSUB (<0)が印加される
ようになっている。
【0007】図6は、図5に示した構成のCMD固体撮
像装置の動作を説明するための信号波形図である。垂直
選択線102-1 ,102-2 ,・・・ 102-m に印加する信号
ΦG1,ΦG2,・・・ ΦGmは、読み出しゲート電圧VRDとリ
セット電圧VRS,オーバーフロー電圧VOF,蓄積電圧V
ACよりなり、非選択行においては水平帰線期間tBL中は
オーバーフロー電圧VOF、水平映像有効期間tH 中は蓄
積電圧VACとなり、選択行においては水平映像有効期間
H 中は読み出しゲート電圧VRD、それに引き続く水平
帰線期間tBL中はリセット電圧VRSとなる。また、列選
択用トランジスター104-1 ,104-2 ,・・・ 104-n のゲー
ト端子に印加する信号ΦS1,ΦS2,・・・ ΦSnは列ライン
103-1 ,103-2 ,・・・ 103-n を選択するための信号で、
その低レベルは列選択用トランジスター104-1 ,104-2
,・・・ 104-n をオフとする共に、接地用トランジスタ
ー105-1 ,105-2 ,・・・ 105-n をオンとし、高レベルは
列選択用トランジスターをオン、接地用トランジスター
をオフとする電圧値になるように設定されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の増幅型固体
撮像装置は、CCDイメージセンサーによっては得られ
ない種々の動作を行わせることができるものであるが、
各画素毎に信号の増幅機能があるために、プロセス時に
生じるばらつきによる各画素の特性ばらつきが、FPN
として映像信号に混入し、画質を低下させるという問題
がある。各画素の特性ばらつきによるFPNは、大きく
分けて感度むらに対応する光量依存性の成分と、オフセ
ットに対応する成分とに分けられる。これらのうち光量
依存性のFPNは、一般的な映像信号としては1%以下
であれば許容できるとされているが、オフセット性のF
PNはイメージセンサーのダイナミックレンジを直接低
下させる。したがって上記構成の増幅型固体撮像装置を
用いた画像入力装置としては、何らかの方法によりオフ
セット性のFPNをキャンセルする方式がとられてい
る。
【0009】オフセット性FPNのキャンセル方式とし
ては、大きく分けて2つの方式がある。第1の方式は予
め各画素の暗時の出力をフレームメモリーに記憶させて
おき、撮像時に映像信号と暗時の出力との差分を取るこ
とで、オフセット性のFPNをキャンセルするというも
の(オフチップキャンセル方式)である。他の方式は水
平映像有効期間tH 及び水平帰線期間tBL内に、読み出
し及び記憶,リセット,読み出しという動作を行わせ、
2つの信号の差分を取ることによりオフセット性のFP
Nをキャンセルするというもの(オンチップキャンセル
方式)である。
【0010】前者の方式は、フレームメモリーといった
装置が必要になるために、画像入力装置の構成が複雑に
なると共に高価になるという問題がある。更にこの方式
では、暗時の出力をリアルタイムに変更することができ
ないので、長時間の撮像や、温度変化の激しい環境下で
使用すると、素子の特性変化によってキャンセル精度が
低下してしまうという問題がある。
【0011】また、後者の方式は通常イメージセンサー
と同一の基板上に、FPNをキャンセルする回路を設け
るので、チップ面積が増大すると共に集積化が困難にな
るという問題がある。
【0012】本発明は、従来の増幅型撮像素子を用いた
XYアドレス型の固体撮像装置における上記問題点を解
消するためになされたもので、フレームメモリーを用い
ず、且つチップ面積を増大させずにオフセット性のFP
Nをリアルタイムにキャンセルできるようにした、増幅
型撮像素子を用いたXYアドレス型の固体撮像装置を提
供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、本発明は、非破壊読み出し可能な光電変換
素子を画素として用い、該画素を2次元的に配列した画
素アレイを備えたXYアドレス型の固体撮像装置におい
て、前記画素アレイの各画素から蓄積時間の異なる複数
のビデオ信号を出力させる手段と、前記蓄積時間の異な
る複数のビデオ信号の差信号を出力させる手段とを設け
て構成する。
【0014】このように構成した固体撮像装置において
は、FPNを記憶するためのフレームメモリーを必要と
せずに、FPNキャンセルを行うことができると共に、
リアルタイムのFPNキャンセルが可能となる。またF
PNのキャンセル回路を、画素アレイを設けたチップ内
に設ける必要がないので、集積化への支障がないと共
に、チップ面積の増大を抑えることが可能となる。
【0015】
【実施例】次に実施例について説明する。図1は、本発
明による固体撮像装置の第1の実施例の回路構成図であ
る。説明を簡単にするために画素の配列を4×4とし、
図5の従来例で示した接地用トランジスターは図示を省
略している。図において、1-11 〜1-44 は、各画素を
構成する、例えばCMDに代表される、非破壊読み出し
が可能なフォトトランジスター群で2次元的に配列さ
れ、各行のCMD画素のゲート端子は垂直選択線5-1〜
5-4に共通に接続される。すなわち、CMD画素群1-1
1 〜1-14 のゲート端子は垂直選択線5-1に、CMD画
素群1-21 〜1-24 のゲート端子は垂直選択線5-2に、
というように接続される。垂直選択線5-1〜5-4にはそ
れぞれ垂直選択信号ΦG1〜ΦG4が垂直走査回路7より印
加される。
【0016】画素の各列にはそれぞれ2本の列ライン8
-1a ,8-1b ,〜,8-4a ,8-4bが設けられ、各列の
CMD画素のソース端子は1列おきに交互に異なる列ラ
インに接続される。すなわちCMD画素1-11 のソース
端子は列ライン8-1a に、CMD画素1-21 のソース端
子は列ライン8-1b に、というように接続される。列ラ
イン8-1a ,8-1b ,〜,8-4a ,8-4b は、それぞれ
列選択用トランジスター2-1a ,2-1b ,〜,2-4a ,
2-4b を介して2本のビデオライン4-1,4-2に交互に
接続される。同じ列の2本の列ラインに接続された2個
の列選択用トランジスター2-1a と2-1b ,2-2a と2
-2b ,2-3a と2-3b ,2-4a と2-4bの各ゲート端子
は、それぞれ共通の列選択信号線3-1,3-2,3-3,3
-4に接続される。列選択信号線3-1,3-2,3-3,3-4
には、それぞれ列選択信号ΦS1〜ΦS4が水平走査回路6
より印加される。
【0017】2本のビデオライン4-1,4-2は、切り換
え信号線10により制御される切り換えスイッチ群9-1〜
9-4を介して信号線11-1及び11-2に接続される。信号線
11-1と11-2より出力された2つのビデオ信号は、それぞ
れ電流電圧変換アンプ12-1,12-2によって電圧に変換さ
れる。信号線11-1側の出力信号は遅延回路13によって1
水平走査期間分遅延されたのちに差動アンプ14に入力さ
れ、一方、信号線11-2側の出力信号はそのまま差動アン
プ14に入力され、該差動アンプ14より両者の差信号が出
力される。
【0018】図2は、図1に示した構成の固体撮像装置
の1フィールドの動作を説明するための信号波形図であ
る。切り換え信号線10に印加される切り換え信号Φ
I は、パルス20が印加されているとき切り換えスイッチ
9-3と9-4がオンとなり、それ以外は切り換えスイッチ
9-1と9-2がオンする。垂直選択線5-1〜5-4に印加さ
れる垂直選択信号ΦG1〜ΦG4は、読み出し信号22,リセ
ット信号23,オーバーフロー信号21のパルスによって構
成され、それらのパルスが印加されていないときは信号
蓄積状態となる。列選択信号線3-1,3-2,3-3,3-4
に印加される列選択信号ΦS1〜ΦS4は、列選択パルス24
が印加されている時のみ選択スイッチ2-1a〜2-4b が
オンする。時間軸上のt1 〜t5 は、それぞれの水平走
査期間の始まりを示している。
【0019】次に、この図2を用いて動作を説明する。
まず時刻t1 において、垂直選択信号ΦG1に読み出し信
号22が出力され、垂直選択線5-1に接続されている第1
行のCMD画素が選択される。また切り換え信号線10に
出力されている切り換え信号ΦI は“H”レベルである
ので、切り換えスイッチ9-3と9-4がオンしている。こ
の状態で列選択信号ΦS1の列選択パルス24が列選択信号
線3-1に出力されると、列選択用トランジスター2-1a
及び2-1b がオンする。したがって、CMD画素1-11
の信号は列選択用トランジスター2-1a ,ビデオライン
4-1,スイッチ9-4を介して信号線11-1に出力される。
但し、第2行目以下は選択されていないため、信号線11
-2には何も出力されない。信号線11-1の信号は電流電圧
変換アンプ12-1によって電圧に変換された後、遅延回路
13によって1水平期間ΔtH 、すなわちt2 −t1 の時
間だけ遅延されてから、差動アンプ14の+端子に入力さ
れる。
【0020】次いで、列選択パルス24が列選択信号線3
-2に印加されると、同様にしてCMD画素1-12 の信号
が信号線11-1に出力される。以下同様に、CMD画素1
-13,1-14 の順に信号が信号線11-1に出力され、電流
電圧変換アンプ12-1で電圧に変換された後、遅延回路13
に入力される。この水平走査が終了すると、垂直選択信
号ΦG1にリセット信号23が出力され、垂直選択線5-1に
接続されている第1行のCMD画素列、すなわちCMD
画素1-11 ,1-12 ,1-13 ,1-14 の信号電荷がリセ
ットされる。この時、その他の垂直選択線5-2,5-3,
5-4にはオーバーフロー信号21が印加され、第1行以外
のCMD画素では不要な過剰電荷のオーバーフローが行
われる。
【0021】次に、時刻t2 より第2の水平走査が始ま
る。このとき垂直選択信号ΦG1とΦG2に読み出し信号22
が出力され、垂直選択線5-1及び5-2に接続されている
第1行と第2行のCMD画素が選択される。また切り換
え信号ΦI は“L”レベルとなるので、切り換えスイッ
チ9-1と9-2がオンし、9-3と9-4がオフしている。こ
の状態で列選択信号ΦS1の列選択パルス24が列選択信号
線3-1に出力されると、列選択用トランジスター2-1a
及び2-1b がオンする。したがって、CMD画素1-11
のリセットした後の信号は、列選択用トランジスター2
-1a ,ビデオライン4-1,スイッチ9-2を介して信号線
11-2に出力される。また、CMD画素1-21 の信号は列
選択用トランジスター2-1b ,ビデオライン4-2,スイ
ッチ9-1を介して信号線11-1に出力される。以下同様に
して、信号線11-1にはCMD画素1-21 ,1-22 ,1-2
3 ,1-24 のリセット直後の信号が、信号線11-2にはC
MD画素1-11 ,1-12 ,1-13 ,1-14 の信号が順次
出力される。信号線11-1への信号は第1の水平走査と同
様に、電流電圧変換アンプ12-1によって電圧に変換され
た後、遅延回路13によって1水平期間ΔtH 遅延されて
から、差動アンプ14の+端子に入力される。一方、信号
線11-2に出力された信号は、電流電圧変換アンプ12-2に
よって電圧に変換された後、直接に差動アンプ14の−端
子に入力される。
【0022】この時、差動アンプ14の+端子には遅延回
路13によって遅延された、第1の水平走査におけるCM
D画素1-11 の信号が入力されている。したがって、差
動アンプ14は第1の水平走査におけるCMD画素1-11
の信号と、第2の水平走査におけるCMD画素1-11 の
信号との差を出力する。以下同様に、差動アンプ14は順
に、CMD画素1-12 の第1の水平走査における信号と
第2の水平走査における信号との差、CMD画素1-13
の第1の水平走査における信号と第2の水平走査におけ
る信号との差、CMD画素1-14 の第1の水平走査にお
ける信号と第2の水平走査における信号との差を出力す
る。
【0023】第3以降の水平走査においても、第2の水
平走査と同様に動作を行うことによって、全ての画素に
おいて、一度読み出した信号から、リセットした後に再
び読み出した信号の差を得ることができる。
【0024】次に、このような動作によりFPNのオフ
セット成分をキャンセルできる理由について説明する。
差動アンプ14の+端子に入力される信号の大きさV
+ は、画素の縦,横のアドレスを(m,n)とすると、
次式(1)によって表される。 V+ =α×(tF −ΔtH +n×ΔtS )+V0(m,n) ・・・・・・(1)
【0025】ここでαは感度を表すパラメータ、tF
1フレーム時間、ΔtH は1水平期間すなわちt2 −t
1 、nは画素の列番号、ΔtS は水平走査のパルス幅す
なわち列選択パルス24のパルス幅、V0(m,n)は電圧に変
換された、アドレス(m,n)の画素の出力のオフセッ
ト成分であり、FPNのオフセット成分もこれに含まれ
る。また、αに掛かる(tF −ΔtH +n×ΔtS )は
画素の蓄積時間を表している。一方、差動アンプ14の−
端子に入力される信号の大きさV- は、式(1)と共通
のパラメータを用いて、次式(2)で表される。 V- =α×(n×ΔtS )+V0(m,n) ・・・・・・(2)
【0026】次に、差動アンプ14の出力VOUT はアンプ
のゲインを1とすると、次式(3)で表される。 VOUT =V+ −V- =α×(tF −ΔtH ) ・・・・・・(3) したがって、差動アンプ14の出力にはFPNのオフセッ
ト成分を含む項、V0(m,n)が除去されており、FPNの
オフセット成分がない信号を得ることができる。
【0027】本実施例の他の利点としては、従来の方式
では式(1)に示したように、蓄積時間にn×ΔtS
いう、画素の列番号に依存する項があり、列が異なると
蓄積時間も異なるという欠点があったが、その問題も解
決される。
【0028】なお本実施例では、画素としてCMDを念
頭においたフォトトランジスターを用いたものについて
示したが、本発明はCMDに限るものではなく、MOS
イメージセンサーや、SITやAMI等、他の増幅型撮
像素子を用いた固体撮像装置にも利用できることは明白
である。
【0029】次に第2の実施例について説明する。図3
は、第2の実施例を説明するための回路構成図であり、
図4は1フレームの動作を説明するための信号波形図で
ある。まず回路構成について説明する。CMDなどの非
破壊読み出しが可能なフォトトランジスター群31-11 〜
31-44 が2次元的に配列され、各行のフォトトランジス
ターのゲート端子は垂直選択線32-1〜32-4を介して共通
に接続されている。垂直選択線32-1〜32-4には、それぞ
れ垂直選択信号ΦG1〜ΦG4が垂直走査回路33より印加さ
れる。また、フォトトランジスター群31-11 〜31-44 の
各列のソース端子は、それぞれ共通の信号線34-1〜34-4
に接続し、垂直選択スイッチ35-1〜35-4を介してビデオ
ライン36に接続される。垂直選択スイッチ35-1〜35-4の
制御端子は、それぞれ水平選択線37-1〜37-4を介して水
平走査回路38に接続される。ビデオライン36に入力され
た電流信号は、電流電圧変換アンプ39によって電圧に変
換された後、二手に分かれ、一方は遅延回路40を通り遅
延されたのちに差動アンプ41の+端子に接続される。ま
た他方は直接に差動アンプ41の−端子に接続される。差
動アンプ41は両者の電圧差を出力端子42に出力する。
【0030】次に図4を用いて本実施例の動作を説明す
る。図4において、50は垂直選択信号ΦG1〜ΦG4の読み
出し信号、51は同じくリセット信号、52は水平選択信号
の選択パルスである。本実施例では1水平期間中に2回
の水平走査が行われる。まず垂直選択線32-1に読み出し
信号50が印加され、フォトトランジスターの第1行目が
選択される。この状態で水平走査が行われると、ビデオ
ライン36にはフォトトランジスター31-11 ,31-12 ,31
-13 ,31-14 の順に蓄積電荷量に対応した信号電流が出
力される。信号電圧は電流電圧変換アンプ39によって電
圧に変換されたのち二手に分かれ、一方は差動アンプ41
の−端子に入力され、他方は遅延回路40によりΔtH/2
時間遅延されたのち、差動アンプ41の+端子に入力され
る。その水平走査が終了すると、垂直選択線32-1にはリ
セット信号51が印加され、第1行目のフォトトランジス
ター31-11 ,31-12 ,31-13 ,31-14 がリセットされ
る。
【0031】その後、再び垂直選択線32-1には読み出し
信号50が印加され、次の水平走査が行われることによっ
て、リセット後の第1行目のフォトトランジスターの信
号が、フォトトランジスター31-11 ,31-12 ,31-13 ,
31-14 の順にビデオライン36に出力される。信号電流は
電流電圧変換アンプ39によって電圧に変換されたのち二
手に分かれ、一方が差動アンプ41の−端子に入力され、
他方は遅延回路40に入力される。このとき、差動アンプ
41の+端子には、ΔtH/2 時間遅延された前の水平走査
における信号が入力されている。したがって差動アンプ
41は、各画素の光情報を含む信号とリセット後の信号と
の差を出力する。以降、この動作が全行に対して繰り返
し行われる。
【0032】次に、この動作によりFPNのオフセット
成分をキャンセルできる理由について、第1の実施例と
同様に説明する。差動アンプ41の+端子に入力される信
号の大きさV+ は、画素の縦,横のアドレスを(m,
n)とすると、次式(4)によって表される。 V+ =α×(tF −ΔtH/2 +n×ΔtS )+V0(m,n) ・・・・・・(4)
【0033】第1の実施例のときと同様に、αは感度を
表すパラメータ、tF は1フレーム時間、nは画素の列
番号、ΔtS は水平走査サンプリング周期すなわち列選
択パルス52のパルス幅、V0(m,n)は電圧に変換された、
アドレス(m,n)の画素の出力のオフセット成分であ
り、FPNのオフセット成分もこれに含まれる。また、
αに掛かる(tF −ΔtH/2 +n×ΔtS )は画素の蓄
積時間を表している。一方、差動アンプ41の−端子に入
力される信号の大きさV- は、式(4)と共通のパラメ
ータを用いて、次式(5)で表される。 V- =α×(n×ΔtS )+V0(m,n) ・・・・・・(5)
【0034】次に、差動アンプ41の出力VOUT はアンプ
のゲインを1とすると、次式(6)で表される。 VOUT =V+ −V- =α×(tF −ΔtH/2 ) ・・・・・・(6) したがって、差動アンプ41の出力にはFPNのオフセッ
ト成分を含む項、V0(m,n)が除去されており、FPNの
オフセット成分がない信号を得ることができる。
【0035】以上のように、本実施例によれば複数の信
号線を設ける必要がなく、極めて単純な構成によりFP
Nのオフセット成分をキャンセルすることができる固体
撮像装置が実現される。
【0036】
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
本発明によれば、フレームメモリーを必要とせず、更に
チップ内にキャンセルのための回路を設ける必要がなく
なり、したがってチップ面積の増大のない、FPNキャ
ンセル機能を有する固体撮像装置を容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る固体撮像装置の第1実施例を示す
回路構成図である。
【図2】図1に示した第1実施例を説明するための信号
波形図である。
【図3】第2実施例を示す回路構成図である。
【図4】第2実施例の動作を説明するための信号波形図
である。
【図5】従来の固体撮像装置の構成例を示す回路構成図
である。
【図6】図5に示した従来例の動作を説明するための信
号波形図である。
【符号の説明】
1-11 〜1-44 フォトトランジスター(CMD画素) 2-1a 〜2-4b 列選択用トランジスター 3-1〜3-4 列選択信号線 4-1,4-2 ビデオライン 5-1〜5-4 垂直選択線 6 水平走査回路 7 垂直走査回路 8-1a 〜8-4b 列ライン 9-1〜9-4 切り換えスイッチ 10 切り換え信号線 11-1,11-2 信号線 12-1,12-2 電流電圧変換アンプ 13 遅延回路 14 差動アンプ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 非破壊読み出し可能な光電変換素子を画
    素として用い、該画素を2次元的に配列した画素アレイ
    を備えたXYアドレス型の固体撮像装置において、前記
    画素アレイの各画素から蓄積時間の異なる複数のビデオ
    信号を出力させる手段と、前記蓄積時間の異なる複数の
    ビデオ信号の差信号を出力させる手段とを備えているこ
    とを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 前記蓄積時間の異なる複数のビデオ信号
    のうち、少なくとも1つの信号に、蓄積時間の差に相当
    する時間を遅延させる手段を備えていることを特徴とす
    る請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 前記光電変換素子として、MOS型撮像
    素子又は増幅型撮像素子を用いたことを特徴とする請求
    項1又は2記載の固体撮像装置。
  4. 【請求項4】 前記画素アレイの1列当たりに複数の垂
    直信号線を設け、同時に複数の行を選択して読み出すよ
    うに構成したことを特徴とする請求項1〜3のいずれか
    1項に記載の固体撮像装置。
  5. 【請求項5】 複数のビデオ信号線を設け、同時に複数
    の蓄積時間の異なるビデオ信号を出力するように構成し
    たことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。
  6. 【請求項6】 前記複数のビデオ信号と出力端子との間
    の接続を、水平ブランキング期間において切り換えるス
    イッチを設けたことを特徴とする請求項5記載の固体撮
    像装置。
JP4247205A 1992-08-25 1992-08-25 固体撮像装置 Withdrawn JPH0678218A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4247205A JPH0678218A (ja) 1992-08-25 1992-08-25 固体撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4247205A JPH0678218A (ja) 1992-08-25 1992-08-25 固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0678218A true JPH0678218A (ja) 1994-03-18

Family

ID=17160016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4247205A Withdrawn JPH0678218A (ja) 1992-08-25 1992-08-25 固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0678218A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6762398B1 (en) 1997-11-17 2004-07-13 Nec Corporation Imaging device with fixed-pattern-noise correction regulated constant-current source
JP2010098516A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Sony Corp 撮像素子およびその制御方法並びにカメラ
JP2011120101A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Canon Inc 撮像装置及び撮像システム
JP2011199351A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Mitsubishi Electric Corp 撮像装置
JP2013183347A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Konica Minolta Inc 固体撮像装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6762398B1 (en) 1997-11-17 2004-07-13 Nec Corporation Imaging device with fixed-pattern-noise correction regulated constant-current source
JP2010098516A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Sony Corp 撮像素子およびその制御方法並びにカメラ
US9036068B2 (en) 2008-10-16 2015-05-19 Sony Corporation CMOS image sensor with fast read out
JP2011120101A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Canon Inc 撮像装置及び撮像システム
JP2011199351A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Mitsubishi Electric Corp 撮像装置
JP2013183347A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Konica Minolta Inc 固体撮像装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5898168A (en) Image sensor pixel circuit
EP0741493B1 (en) Solid state image pickup apparatus
US7375748B2 (en) Differential readout from pixels in CMOS sensor
EP0400985B1 (en) Photoelectric converting apparatus
EP0272152B1 (en) Signal reading out circuit
US6218656B1 (en) Photodiode active pixel sensor with shared reset signal row select
EP1271930B1 (en) Image sensing apparatus capable of outputting image with converted resolution, its control method, and image sensing system
JP2884205B2 (ja) 固体撮像装置
US5793423A (en) Solid state image sensing device
US7697051B2 (en) Image sensor with pixels having multiple capacitive storage elements
US6747699B2 (en) Solid state image pickup apparatus
JP3918248B2 (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法
US7116367B2 (en) Solid-state image pickup apparatus having a reset transistor controlled by an output line
JP3544084B2 (ja) 増幅型固体撮像装置
US7471324B2 (en) Amplifier shared between two columns in CMOS sensor
JPH0831991B2 (ja) 固体撮像装置
US20080225149A1 (en) Column sample-and-hold cell for CMOS APS sensor
JPH0678218A (ja) 固体撮像装置
JPH0834558B2 (ja) 高品質ビデオカメラ
JPH1093358A (ja) 受光素子回路及び受光素子回路アレイ
JPH03276675A (ja) 固体撮像素子
JP2610438B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JP3149126B2 (ja) 固体撮像装置
JPH05219440A (ja) 画像入力装置
JPH1093868A (ja) 固体撮像素子及びその駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19991102