JPH0677115A - フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 縮小露光を用いた半導体製造装置において半
導体装置上にホールを形成する際に、このホールの形状
精度を上げることができるフォトマスクおよび半導体装
置の製造方法を提供すること。 【構成】 フォトマスク内に形成された正方形のホール
パターン６２は、レンズの中心に対応するフォトマスク
の中心から各ホールパターン６２の中心を通るよう引か
れた放射状の直線に対し、各辺が平行あるいは垂直とな
るよう形成されている。このように各ホールパターン６
２を形成することにより、ホールパターン６２の各辺は
図４の子午面４４内あるいは球欠面４６内にのみ存在す
ることになり、収差の影響を最少限に抑えることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
での露光工程において、ホールを形成するためのフォト
マスクおよび半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置のプロセスルールは微
細化が進み、それに伴い数々の新技術が用いられるよう
になってきた。フォト工程では、サブミクロンのプロセ
スルールまではｇ線による光露光技術によってプロセス
を構築していたが、ハーフミクロンのプロセスに移行す
るにともない、より短波長のｉ線による光露光技術が導
入されつつある。また、現像工程でも定在波の低減等を
目的に露光後ベーク（Post Exposure Bake）が導入され
ている。

【０００３】このように半導体装置のプロセスルールの
微細化が進むに従い、露光に用いる光の回折が無視でき
なくなる。そのため、この回折現象も考慮したフォトマ
スクが必要となる。

【０００４】図１０は、光の回折を考慮したフォトマス
クの形状およびこのフォトマスクを用いた場合のレジス
トパターンを模式的に示した図である。同図（ａ）は、
製造しようとするレジストパターンであり、中心部に１
つ、周辺部に４つのホールパターンが形成されている。
このようなホールパターンを得るためには、光の回折を
考慮して同図（ｂ）に示すようなフォトマスクを用い
る。すなわち、フォトマスク上の正方形のホールパター
ンを通過した光が回折することにより、レジスト上では
円形のホールパターンが得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のフォトマスクは、光の回折現象を考慮した形状には
なっているが、縮小露光装置において球面レンズを用い
る場合には、露光時における光学的収差の影響が現れ、
正確なホールパターンを得ることができないという問題
があった。そのため光学的収差により図１０（ｃ）に示
すように、レジストの周辺部分に位置するホールパター
ンが円形ではなく中心から放射方向にのびた楕円形にな
り、製造された半導体の諸特性に悪影響を及ぼす可能性
がある。

【０００６】特に、半導体装置のプロセスルールの微細
化により半導体装置の集積度は向上する半面、半導体装
置のチップサイズは大きくなる傾向にある。このため、
この大きなサイズのチップを製造する縮小露光装置にお
いては、より広域露光が要求されることになる。また、
量産性を考えた場合、従来のプロセスルールにおいても
同様の要求がある。

【０００７】特に、縮小露光装置において露光域を拡大
するためには、より大口径のレンズを用いた光学系が必
要となり、これに伴いレジスト周辺部における種々の光
学的収差が現れることになる。

【０００８】一般には、縮小露光装置に用いるレンズの
口径を非常に大きくして、このレンズの中心部のみを用
いれば光学的収差は飛躍的に改善することができる。し
かし、縮小露光装置のレンズの大きさには制限があるた
め、一般の光学系と同様に凸レンズと凹レンズを組み合
わせることにより、光学的収差の低減を図っている。し
かし、このレンズを組み合わせる方法にも限界があり、
必ずしも光学的収差の影響がなくなるわけではない。

【０００９】そのため、レンズの周辺部に対応する領域
に位置するホールパターンのレジスト上でのパターン形
状が円形とはほど遠い形状になり、エッチングやエッチ
ング後のＣＶＤ工程やスパッタ工程でのホール部分にお
ける付き周りが著しく低下し、半導体装置の諸特性に悪
影響を及ぼす可能性がある。

【００１０】本発明は、このような点に鑑みて創作され
たものであり、縮小露光を用いた半導体製造装置におい
て半導体装置上にホールを形成する際に、このホールの
形状精度を上げることができるフォトマスクおよび半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明のフォトマスクは、縮小露光装置を用い
て半導体装置上に円形のホールパターンを形成するフォ
トマスクにおいて、前記フォトマスクは、前記円形のホ
ールパターンに対応した位置にほぼ正方形のホールパタ
ーンを有し、このほぼ正方形のホールパターンの各辺
を、光軸上に位置する前記フォトマスクの中心と前記ほ
ぼ正方形のホールパターンの中心を結ぶ直線に対して平
行あるいは垂直に傾斜させたことを特徴とする。

【００１２】また、本発明のフォトマスクは、縮小露光
装置を用いてレジストに円形のホールパターンを形成す
るフォトマスクにおいて、前記フォトマスクは、前記円
形のホールパターンに対応した位置にほぼ正方形のホー
ルパターンを有し、このほぼ正方形のホールパターン
を、前記フォトマスクの中心を通る任意の直線の近傍に
位置するものについては各辺を一定方向に傾斜させるこ
とにより、各辺をこの直線に対してほぼ平行あるいは垂
直に傾斜させたことを特徴とする。

【００１３】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体装置のホールを形成する工程において、上述した
本発明のフォトマスクを用いることを特徴とする。

【００１４】

【作用】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置
上に形成する円形のホールパターンの位置に対応した位
置にほぼ正方形のホールパターンを有し、このほぼ正方
形のホールパターンの各辺を、フォトマスクの中心とこ
のホールパターンの中心を結ぶ直線に対して平行・垂直
に傾斜させている。

【００１５】従って、縮小露光に用いるレンズの球面を
考えた場合に、ほぼ正方形のホールパターンの各辺がこ
の球面の子午面あるいは球欠面にのみ属することにな
り、レンズの収差の影響を最小限に抑えることができ
る。

【００１６】また、このホールパターンの各辺は、上述
した直線に完全に平行あるいは垂直にする場合の他、こ
の直線の方向に応じてほぼ平行あるいは垂直になるよう
段階的に傾斜を変化させてもよい。この場合は、各辺が
レンズの球面の子午面あるいは球欠面にほとんど属する
ことになり、やはりレンズの収差の影響を少なくするこ
とができる。

【００１７】また、半導体装置を縮小露光を行って製造
する場合に本発明のフォトマスクを用いることにより、
レンズの収差の影響を少なくしたホール形成が可能とな
る。

【００１８】本発明においては、フォトマスクのほぼ正
方形のホールパターンの各辺の傾斜方向をレンズの球面
の子午面あるいは球欠面に属するように設定することに
より、レンズの収差の影響を少なくすることができ、半
導体装置上に形成するホールの形状精度を上げることが
できる。

【００１９】

【実施例】（第１実施例）図１は、本発明の一実施例の
フォトマスク３０を模式的に示した図である。同図に示
す本実施例のフォトマスク３０は、中心部に位置するホ
ールパターン１０と、このフォトマスクの２本の対角線
の両端付近に位置する４個のホールパターン１２とを有
している。

【００２０】中心部に位置するホールパターン１０は、
後述する光学系の光軸上に位置するものであり、ほぼ正
方形形状を成している。４つのホールパターン１２のそ
れぞれは、対向する２組の各辺が四角形形状のフォトマ
スク３０の対角線とほぼ平行あるいは垂直になるよう配
置されている。

【００２１】また、ほぼ正方形形状（正方形，長方形，
菱形等の四辺形）であるこのホールパターン１２の対向
する２組の辺のうちフォトマスク３０の対角線とほぼ平
行に形成される辺は、ほぼ垂直に形成される辺に対し
て、好ましくは０．８〜１．０倍、より好ましくは０．
９〜１．０倍の範囲の長さを有している。これは、本実
施例のホールパターン１２を形成することによりレンズ
の収差の影響を少なくすることはできるが、完全に無く
することはできないため、残された収差の影響を考慮し
て楕円形のホールパターンを真円に近づけるための工夫
であり、残された収差の影響の度合いを考慮して倍率を
定めればよい。

【００２２】図２は、図１に示したフォトマスク３０を
用いて縮小露光を行った場合の半導体装置上のレジスト
に現れるパターン形状を示す図である。同図に示すよう
に、本実施例のフォトマスク３０を用いることにより、
光軸から離れた位置に形成されるホールパターンについ
てもほぼ円形形状に形成することができる。この詳細に
ついては後述する。

【００２３】図３は、図１に示したフォトマスク３０を
用いて縮小露光を行う場合の装置の概略を示す図であ
り、主にフォトマスク３０と光学系３２等とを含む縮小
露光装置の幾何学的配置が概略的に示されている。

【００２４】この縮小露光装置は、光源からの平行光線
を反射する反射鏡２０と、反射された平行光線を部分的
に透過するフォトマスク３０と、全体として凸レンズと
して機能する光学系３２と、表面にレジスト３６を有す
る半導体装置３４とを含んで構成される。光源からの平
行光線が反射鏡２０によって反射され、フォトマスク３
０に導かれる。更に、フォトマスク３０を通過した平行
光線が光学系３２によって集光され、半導体装置３４上
のレジスト３６に照射される。

【００２５】波動の性質から、光が微細パターンを通過
するために回折が生じ、現在のデバイスレベルでは、そ
れを無視することができない。そのため、図１に示した
フォトマスク３０上ではほぼ正方形のホールパターンを
形成していたものが、図２のレジスト３６上ではほぼ円
形のホールパターンとなる。以下に、その理由を述べ
る。

【００２６】図４は、一般的な光学レンズの周辺部分に
おいて発生する収差の原理を示す図である。同図に示す
ように、光学レンズは非球面レンズなどの特殊なレンズ
を除いて、その表面は球の一部と同じ曲率を有してい
る。

【００２７】同図において、球４０は凸レンズの一方の
面と同じ曲率を有し、このレンズの周辺部分４２は、子
午面４４の曲率と球欠面４６の曲率の２成分に分けられ
る。この子午面４４の曲率によって生じる結像と球欠面
４６によって生じる結像が異なるために種々の収差によ
る現象が結像面内で発生する。特に、非点収差，像面湾
曲，コマ収差は上述した曲率の違いによるところが大き
い。

【００２８】図５は、図４に示した収差の原理を実際の
フォトマスクに適用して考えた場合の説明図である。

【００２９】同図（ａ）に示すようにレンズの中心から
一定距離離れた位置にフォトマスクに形成されたと同様
の正方形パターンがあるものとする。一方の正方形パタ
ーン５２は光軸が通るレンズ中心５０に対して垂直な位
置（任意の水平線に対して垂直の位置）にあり、他方の
正方形パターン５４は、レンズ中心５０に対して４５°
の位置（任意の水平線に対して４５°の位置）にある。

【００３０】ここで、２つの正方形パターン５２，５４
による半導体装置上での結像を考える。

【００３１】同図（ｂ）は、垂直方向に位置する正方形
パターン５２を示している。同図に示すように、この正
方形パターン５２の垂直方向の辺５２ａは、図４に示し
た球欠面４６内に属し、水平方向の辺５２ｂは子午面４
４内に属している。そのため、正方形パターン５２の垂
直方向の辺５２ａは光学レンズの球欠面４６の収差のみ
の影響を受ける。同様に、水平方向の辺５２ｂは光学レ
ンズの子午面４４内の収差のみの影響を受ける。つま
り、垂直方向の辺５２ａと水平方向の辺５２ｂはそれぞ
れ独立に収差の影響を受けることになる。

【００３２】同図（ｃ）は、４５°の方向に位置する正
方形パターン５４を示している。この正方形パターン５
４は、上述した正方形パターン５２とは異なり、４本の
辺５４ａの全てが子午面４４内および球欠面４６内の両
方に属することになる。従って、正方形パターン５４の
各辺５４ａは、子午面４４内と球欠面４６内の両方の収
差の影響を受けることになる。

【００３３】図４においては、子午面４４も球欠面４６
も同一傾向の曲率を有しているため、収差に関しては４
５°の方向に位置する正方形パターン５４の各辺５４ａ
は、垂直方向に位置する正方形パターン５２の各辺５２
ａ，５２ｂよりも大きな収差の影響を受ける。また、４
５°の方向にある正方形パターン５４の場合は、レンズ
の中心５０に向かって幅が次第に狭くなるので収差の影
響がさらに顕著に現れる。

【００３４】以上からわかるように、フォトマスク上の
ホールパターンは、レンズの周辺部すなわちフォトマス
クの周辺部にいくにしたがい、および子午面４４と球欠
面４６に対して各辺が傾斜した角度を有する正方形パタ
ーンであるほど収差の影響を大きく受けることになる。
上述したように、フォトマスクの周辺部にいくにしたが
って収差の影響が大きくなるのは、レンズの周辺部にい
くにしたがって子午面４４と球欠面４６のそれぞれの曲
率の差が大きくなり、特に非点収差，像面湾曲，コマ収
差の影響を受け易くなるからである。

【００３５】本発明は、上述した収差の発生原因に着目
し、収差の影響を最少限とした点に特徴がある。すなわ
ち、図１に示したフォトマスク３０内のほぼ正方形形状
のホールパターン１２は、各辺が図４に示した子午面４
４あるいは球欠面４６のいずれか一方のみに属するよう
形成されている。すなわち、フォトマスクの中心と各ホ
ールパターン１２とを直線１４で結んだ場合に、この直
線１４とホールパターン１２の各辺とは平行あるいは垂
直の関係を有するよう形成されている。このため、直線
１４と平行な２つの辺１２ａは球欠面４６のみに属し、
直線１４と垂直な２つの辺１２ｂは子午面４４にのみ属
することになる。従って、収差の影響を最少限に抑える
ことができ、基板上のレジストに形成されるホールパタ
ーンは図２に示すようにほぼ円形となる。

【００３６】次に、従来のフォトマスクと本実施例のフ
ォトマスク３０を用いて実際に縮小露光を行った場合の
半導体装置上におけるホールパターンの寸法を示す。

【００３７】 目標パターン寸法 従来のフォトマスク 本実施例フォトマスク ０．６０μｍ ０．６４／０．５７ ０．６１／０．５９ ０．５５μｍ ０．５８／０．５３ ０．５６／０．５４ ０．５０μｍ ０．５３／０．４８ ０．５１／０．４９ （長径／短径） このように、本実施例のフォトマスク３０を用いた場合
には、従来のフォトマスクを用いた場合よりも半導体装
置上で得られるホールパターンは円形に近付き、収差の
影響が緩和されていることがわかる。ただし、周辺部分
における子午面４４と球欠面４６の曲率は同じでないた
め、正確にいえば収差の影響を０にすることはできず、
ホールパターンの各辺の長さを調整して若干長方形形状
にすることで収差の影響をほとんど無視できる程度に抑
えている。

【００３８】図６は、一般の半導体装置製造に用いられ
る複数チップを有するフォトマスクを模式的に示す図で
ある。

【００３９】同図に示すように、各チップ上に形成され
たほぼ正方形のホールパターン６０は、レンズの中心位
置に対応するフォトマスクの中心と各ホールパターン６
０の中心とを結んだ直線に対して各辺が平行あるいは垂
直となるよう形成されている。これは、上述した図１の
フォトマスクと同様であり、特にフォトマスク内のチッ
プの数には影響を受ない。

【００４０】図７は、図１および図６に示したフォトマ
スクをさらに一般的に表した図である。同図に示すよう
に、フォトマスク内に形成された正方形のホールパター
ン６２は、レンズの中心に対応するフォトマスクの中心
から各ホールパターン６２の中心を通るよう引かれた放
射状の直線に対し、各辺が平行あるいは垂直となるよう
形成されている。あるいは、表現を変えれば、各ホール
パターン６２は、フォトマスクの中心を通る水平線に対
して、このフォトマスクの中心とホールパターン６２の
中心を結ぶ直線の傾き分だけ各辺を回転して形成されて
いる。

【００４１】このように各ホールパターン６２を形成す
ることにより、ホールパターン６２の各辺は図４の子午
面４４内あるいは球欠面４６内にのみ存在することにな
り、収差の影響を最少限に抑えることができる。

【００４２】さらに、このようにレンズの光学的収差の
影響を緩和して円形に近いホールパターンを形成するこ
とにより、露光領域全域においてエッチング後の形状が
安定し、その後の造膜工程（ＣＶＤやスパッタ等）での
ホールへの付き周りが向上し、半導体装置の信頼性を著
しく向上させることができる。

【００４３】なお、上述した第１実施例においては、フ
ォトマスクの中心から各ホールパターンの中心を通るよ
う引かれた放射状の直線に対し、各辺が平行あるいは垂
直となるようほぼ正方形のホールパターンを形成した
が、このホールパターンの各辺を上述した放射状の直線
にほぼ沿うよう段階的に傾斜させるようにしてもよい。
例えば図７の第２象限を例にとると、同図のＡ領域にホ
ールパターンの中心がある場合にはこのホールパターン
の各辺を垂直軸に対して２２．５°だけ傾斜させ、Ｂ領
域にある場合は垂直軸に対して４５°だけ傾斜させ、Ｃ
領域にある場合は垂直軸に対して６７．５°だけ傾斜さ
せる。このように、段階的にホールパターンを傾斜させ
ることにより、処理すべきデータの量を減らすことがで
きる。

【００４４】（第２実施例）次に、本発明の第２実施例
のフォトマスクについて説明する。第２実施例のフォト
マスクは、ほぼ正方形のホールパターンを形成する位置
に応じて部分的に傾斜させた点に特徴がある。

【００４５】図８は、第２実施例のフォトマスクを示す
図であり、同図（ａ）〜（ｆ）にはホールパターンを傾
斜させる部分を変えた６つの例が示されている。

【００４６】同図（ａ）は、フォトマスクの中心から一
定距離内にあるホールパターンについては、各辺が任意
の水平軸あるいは垂直軸（図８に示す本実施例の場合は
紙面の横方向に水平軸を縦方向に垂直軸を考える）に平
行となるよう形成する。これは、フォトマスクの中心に
近い場合には、ホールパターンを通過した光がレンズの
中心付近を通ることになるため、ほとんど収差の影響を
受けず、特にホールパターンの傾斜を考慮する必要がな
いからである。

【００４７】一方、フォトマスクの中心から所定距離を
越えた範囲に位置するホールパターンに対は第１実施例
と同様にフォトマスクの中心から引いた放射線状の直線
に平行あるいは垂直となるよう各辺を傾斜させ、あるい
は放射線状の直線にほぼ平行あるいは垂直となるよう段
階的に各辺を傾斜させてホールパターンを形成する。

【００４８】このように、部分的にではあるがホールパ
ターンの傾斜を考慮しない領域を設けることにより、自
動化の際の処理すべきデータの量を減らすことが可能と
なる。

【００４９】図８（ｂ）は、同図（ａ）においてホール
パターンの傾斜を考慮しない領域が円形形状であったも
のを菱形形状としたことに特徴があり、処理すべきデー
タ量を減らすことができる点は同図（ａ）の場合と同様
である。

【００５０】図８（ｃ）は、フォトマスクを９分割した
場合において、フォトマスクの４隅に位置する四角形形
状の領域のみに対しホールパターンを傾斜して形成する
ものである。これは、同図（ｃ）に示すフォトマスクの
中心を通る水平軸の近傍および垂直軸の近傍については
各辺が水平および垂直なるようホールパターンを形成す
ることになるため、特にホールパターンの傾斜をフォト
マスクの中心から伸びた放射線に沿って考慮する必要が
ないことに着目したものであり、同図の斜線領域につい
てのみ第１実施例で示したようにホールパターンを傾斜
させる。このようなフォトマスクを用いる場合には、傾
斜を考慮するホールパターンの領域面積が第１実施例に
比べ４／９に減るため大幅なデータ量の削減および処理
時間の低減が可能となる。

【００５１】図８（ｄ）は、同図（ｃ）と同様にフォト
マスクの中心を通る水平軸および垂直軸近傍を除く部分
についてホールパターンを傾斜させた場合である。ま
た、同図（ｅ）は四角形形状をしたフォトマスクの４隅
から一定距離の範囲についてのみホールパターンを傾斜
させた場合であり、同図（ｆ）は同図（ｅ）に対しホー
ルパターンを傾斜させる領域と傾斜させない領域との境
目を階段状に設定した場合である。同図（ｅ）および
（ｆ）は、ホールパターンを特定する座標の指定の仕方
に応じて計算しやすい方を用いればよい。

【００５２】このように、第２実施例においては、ホー
ルパターンの傾斜を考慮する領域を部分的に設定してい
るため、フォトマスク全体についてホールパターンの傾
斜を考慮する場合に比べて処理すべきデータ量を削減
し、その結果処理時間の低減等を図ることができる。

【００５３】また、収差の影響が大きい周辺領域につい
てはホールパターンの傾斜を考慮しているため、レジス
トの周辺領域のホールパターンを円形形状に形成するこ
とができる点は第１実施例と同じである。

【００５４】（第３実施例）次に、本発明の第３実施例
のフォトマスクについて説明する。第３実施例のフォト
マスクは、形成する正方形のホールパターンを部分的
に、しかも段階的に傾斜させた点に特徴がある。

【００５５】図９は、第３実施例のフォトマスクを示す
図である。同図（ａ）は図８（ｃ）に対応しており、フ
ォトマスクを９分割した場合において、フォトマスクの
４隅に位置する四角形領域内に形成するホールパターン
についてのみ各辺を水平軸に対して４５°傾斜させてい
る。このように、ホールパターンの傾斜角を固定するこ
とにより、処理すべきデータ量を大幅に減らすことがで
きる。

【００５６】同様に、図９（ｂ）〜（ｄ）のそれぞれは
図８（ｄ）〜（ｆ）のそれぞれに対応しており、図８で
示した第２実施例において放射線状の直線に沿ってホー
ルパターンの各辺の傾斜を変えた領域については、その
傾斜を一律に４５°（第２象限及び第４象限については
１３５°）としており、処理すべきデータ量を大幅に減
らすことができる点は図８（ａ）の場合と同じである。

【００５７】このように、第３実施例においては、ホー
ルパターンの傾斜を考慮する領域を部分的に設定し、こ
の領域内のホールパターンについては一律に各辺を傾斜
させているため、フォトマスク全体についてホールパタ
ーンの傾斜を考慮する場合及び放射線状の直線に沿って
連続的に各辺を傾斜させる場合に比べて、処理すべきデ
ータ量を大幅に削減し、その結果処理時間の低減等を図
ることができる。

【００５８】また、レジストの周辺領域のホールパター
ンを円形形状に形成することができる点は第１実施例及
び第２実施例と同じである。

【００５９】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形
実施が可能である。

【００６０】例えば、上述した第３実施例についてはホ
ールパターンの各辺の傾斜を一律に４５°（あるいは１
３５°）傾斜させるようにしたが、各辺を傾斜させる領
域をさらに分割し、この分割領域毎に傾斜角を設定する
ようにしてもよい。例えば各象限をさらに２分割し、一
方については３５°傾斜させ、他方については５５°傾
斜させる。この場合は、第３実施例よりも処理すべきデ
ータの量は多くなるが収差の影響を少なくすることがで
きる。

【００６１】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、フォ
トマスクの正方形のホールパターンの各辺の傾斜方向を
レンズの球面の子午面あるいは球欠面に属するように設
定することにより、レンズの収差の影響を少なくするこ
とができ、半導体装置上に形成するホールの形状精度を
上げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のフォトマスクを示した図で
ある。

【図２】図１に示したフォトマスクを用いて縮小露光を
行った場合の半導体装置上のレジストに現れるパターン
形状を示す図である。

【図３】図１に示したフォトマスクを用いて縮小露光を
行う場合の半導体製造装置の概略を示す図である。

【図４】一般的な光学レンズの周辺部分において発生す
る収差の原理を示す図である。

【図５】図４に示した収差の原理を実際のフォトマスク
に適用して考えた場合の説明図である。

【図６】一般の半導体装置製造に用いられる複数チップ
を有するフォトマスクを示す図である。

【図７】図１及び図６に示したフォトマスクをさらに一
般的に表した図である。

【図８】第２実施例のフォトマスクを示す図である。

【図９】第３実施例のフォトマスクを示す図である。

【図１０】従来のフォトマスク及びレジスト上のホール
パターンを示す図である。

【符号の説明】

１０，１２，６０，６２ ホールパターン ３０ フォトマスク ３２ 光学系 ３４ 半導体装置 ３６ レジスト ４４ 子午面 ４６ 球欠面

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 縮小露光装置を用いてレジストに円形の
   ホールパターンを形成するフォトマスクにおいて、 前記フォトマスクは、前記円形のホールパターンに対応
   した位置にほぼ正方形のホールパターンを有し、このほ
   ぼ正方形のホールパターンの各辺を、光軸上に位置する
   前記フォトマスクの中心と前記ほぼ正方形のホールパタ
   ーンの中心を結ぶ直線に対して平行あるいは垂直に傾斜
   させたことを特徴とするフォトマスク。
2. 【請求項２】 縮小露光装置を用いてレジストに円形の
   ホールパターンを形成するフォトマスクにおいて、 前記フォトマスクは、前記円形のホールパターンに対応
   した位置にほぼ正方形のホールパターンを有し、このほ
   ぼ正方形のホールパターンを、前記フォトマスクの中心
   を通る任意の直線の近傍に位置するものについては各辺
   を一定方向に傾斜させることにより、各辺をこの直線に
   対してほぼ平行あるいは垂直に傾斜させたことを特徴と
   するフォトマスク。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、 前記フォトマスクの中心の近傍に位置する前記ほぼ正方
   形のホールパターンについては同一方向の傾斜を有し、
   それ以外の前記正方形のホールパターンついては前記フ
   ォトマスクの中心と前記ほぼ正方形のホールパターンの
   中心を結ぶ直線の方向に応じた傾斜を有することを特徴
   とするフォトマスク。
4. 【請求項４】 請求項１または２において、 前記フォトマスクの中心を通る任意の水平軸および垂直
   軸の近傍に位置する前記ほぼ正方形のホールパターンに
   ついては各辺をこの水平軸および垂直軸に平行に傾斜さ
   せ、この水平軸に対して４５度の角度方向の近傍に位置
   する前記ほぼ正方形のホールパターンについてはフォト
   マスクの中心と前記ほぼ正方形のホールパターンの中心
   を結ぶ直線の方向に応じた傾斜を有することを特徴とす
   るフォトマスク。
5. 【請求項５】 請求項４において、 前記フォトマスクの中心の近傍に位置する前記正方形の
   ホールパターンについては同一方向の傾斜を有すること
   を特徴とするフォトマスク。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかにおいて、 前記ほぼ正方形のホールパターンは、前記フォトマスク
   の中心とこのほぼ正方形のホールパターンの中心とを結
   ぶ直線に対してほぼ平行な各辺をこの直線にほぼ垂直な
   各辺の０．８〜１．０倍の範囲の長さとすることを特徴
   とするフォトマスク。
7. 【請求項７】 半導体装置のホールを形成する工程にお
   いて、請求項１〜５のいずれかのフォトマスクを用いる
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。