JPH0675196A

JPH0675196A - 導波路型光変調器

Info

Publication number: JPH0675196A
Application number: JP27437792A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Murayama; 秀一村山; Kiyoshi Takai; 潔高井
Original assignee: Yokogawa Electric Corp
Current assignee: Yokogawa Electric Corp
Priority date: 1992-07-01
Filing date: 1992-10-13
Publication date: 1994-03-18

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】温度ドリフトを低減し、直流駆動が可能な導
波路型光変調器を実現する。【構成】焦電効果のある基板１上に形成された光導波
路２と、光導波路２に駆動電圧を印加する変調用電極３
と、光導波路２に入力される光の減衰を防ぐため光導波
路２と変調用電極３との間に形成されたバッファ層５
と、光導波路２の近傍に形成され基板１の結晶軸を一定
間隔で交互に反転させ、焦電効果により生じる電荷を互
いに打ち消させる領域イ、ロ、ハと、または基板上の光
導波路２が形成されている部分以外に形成され、焦電効
果により生じる電荷を打ち消す電荷を生じさせる抵抗膜
と、または光導波路２の近傍に形成され、焦電効果によ
り基板表面に生じる電荷を中和させるコロナ放電器とコ
ロナ放電器に電圧を印加する電源と、または光導波路２
の近傍に形成され、焦電効果により基板表面に生じる電
荷を中和させる放射線源とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、焦電効果のある基板に
形成された、電気光学効果を用いた導波路型光変調器に
関し、特に温度ドリフトを低減し、直流駆動が可能であ
る導波路型光変調器に関する。

【０００２】

【従来の技術】図８は従来の導波路型光変調器の一例を
示す構成図であり、図８（Ａ）は全体構成図、図８
（Ｂ）は図８（Ａ）のＡ−Ａ断面図をそれぞれ示してい
る。図８（Ａ）および（Ｂ）において、１は例えばＬｉ
ＮｂＯ₃（ニオブ酸リチウム）などの電気光学効果（光
に電界を印加すると光の屈折率が変化する現象）を有す
る基板、２は基板１上に形成された光導波路、３および
４は変調用電極、５は酸化膜ＳｉＯ₂などにより形成さ
れたバッファ層、６は変調用駆動電圧源、７は終端抵
抗、８は変調用電極３および４間に生じる電界である。

【０００３】光導波路２は基板１上にマッハツェンダ型
の干渉器構造となるように形成され、分岐部２ａと２つ
に分岐された部分２ｂおよび２ｃと結合部２ｄから構成
される。変調用電極３および４はそれぞれこの光導波路
２の２ｂおよび２ｃの部分上に形成され、変調用電極３
および４と光導波路２の２ｂおよび２ｃの部分との間に
は光の減衰を防ぐためにバッファ層５が形成される。ま
た、変調用電極３および４の一端には変調用駆動電圧源
６が接続され、変調用電極３および４の他端には終端抵
抗７が接続される。

【０００４】このような構成において、図８（Ａ）で左
側から光導波路２に入ってきた入力光は、光導波路２の
分岐部２ａで２つに分かれて、光導波路２の２ｂおよび
２ｃの部分を進む。一方、光導波路２の２ｂおよび２ｃ
の部分上には、変調用の電極３および４が形成されてお
り、光導波路２の２ｂおよび２ｃの部分に、図８（Ｂ）
に示すように、電界８が印加される構造になっている。
この電界８により、電気光学効果が生じて、光導波路２
の２ｂおよび２ｃの部分の屈折率が変化する。

【０００５】ここで、変調用電極３および４に変調用駆
動電圧源６から電圧が印加されていない場合には、光導
波路２の２ｂおよび２ｃの部分の屈折率は変化しないの
で、分岐後の光は位相差を生じず、光導波路２の結合部
２ｄで再び合波され、入力光と同じ光が出力光となる。
一方、変調用電極３および４に変調用駆動電圧源６から
適当な電圧が印加されている場合には、光導波路２の２
ｂおよび２ｃの部分の屈折率に変化が生じ、例えば両分
岐光の位相が”π”だけずれていると、光導波路２の結
合部２ｄで合波されたときに互いに打ち消し合い、出力
光は消滅する。従って、変調用駆動電圧源６の出力電圧
を変えることにより、光の強度変調などを行うことがで
きる。

【０００６】また、基板１として用いているＬｉＮｂＯ
₃などには、電気光学効果の他に、ＬｉＮｂＯ₃などを
加熱することにより、ＬｉＮｂＯ₃ などの表面に分極電
荷が現れる焦電効果も合わせて有している。

【０００７】このため、焦電効果を有する基板１に温度
変化が加わると、基板１の表面の結晶軸方向に電荷が現
れる。例えば、ＬｉＮｂＯ₃では、図９に示すように、
Ｚ軸方向に電荷が現れ、図９では基板１表面に正電荷、
裏面に負電荷がそれぞれ現れる。図９において、９は基
板１の表面に現れた正電荷と変調用電極３および４との
間に生じる電界であり、また、１，２ｂ，２ｃ，３〜５
は図８（Ｂ）と同一符号を付してある。ここで、電界９
は光導波路２の２ｂおよび２ｃの部分を通過するので、
この結果ドリフトを生じてしまう。

【０００８】この温度ドリフトを低減するためには、図
８に示すようなマッハツェンダ型の導波路型光変調器で
は、変調用電極３および４の形状を完全に同一とすれ
ば、光導波路２の２ｂおよび２ｃの部分を通過する電界
も同じ量となり、光導波路２の２ｂおよび２ｃの部分の
屈折率の変化による相対的な位相差には影響しないため
に、温度ドリフトを低減できる。

【０００９】また、特開昭６２−７３２０７号に係る導
波路光デバイスに示されているように、ＩＴＯ膜（Indi
um Tin Oxide：酸化インジウムと酸化スズの混合酸化物
であり、以下ＩＴＯ膜と呼ぶ。）若しくはＳｉ膜などで
基板全体を覆うことにより、焦電効果の結果現れた電荷
を打ち消すことができ、この結果、温度ドリフトを低減
することができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、マッハツェン
ダ型の導波路型光変調器であっても、広帯域化を行う場
合には、インピーダンスは５０Ω、半波長電圧を下げる
ために電極の間隔をできるだけ小さくしたいなどの要請
があるために、変調用電極３および４を完全に対称にす
るのは困難である。また、特開昭６２−７３２０７号に
係る導波路光デバイスに示されているようにした場合、
電極間がＩＴＯ膜若しくはＳｉ膜などで直流的に短絡さ
れるために、直流駆動には大電流が必要である。また、
完全に温度ドリフトを抑えるためには、ＩＴＯ膜若しく
はＳｉ膜の抵抗をゼロにしなければならず、変調器とし
ては動作しない。

【００１１】本発明は、上記従来技術の課題を踏まえて
なされたものであり、その目的は、温度ドリフトを低減
し、直流駆動が可能な導波路型光変調器を実現すること
にある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第１の構成は、焦電効果のある基板に形成さ
れ電気光学効果を用いた導波路型光変調器において、前
記基板上に形成された光導波路と、前記基板上に形成さ
れ、前記光導波路に駆動電圧を印加する変調用電極と、
前記光導波路に入力される光の減衰を防ぐため前記光導
波路と前記変調用電極との間に形成されたバッファ層
と、前記光導波路の近傍に形成され前記基板の結晶軸を
一定間隔で交互に反転させ、焦電効果により生じる電荷
を互いに打ち消させる領域とを備えたことを特徴とする
ものである。また、第２の構成は、焦電効果のある基板
に形成され電気光学効果を用いた導波路型光変調器にお
いて、前記基板上に形成された光導波路と、前記基板上
に形成され、前記光導波路に駆動電圧を印加する変調用
電極と、前記光導波路に入力される光の減衰を防ぐため
前記光導波路と前記変調用電極との間に形成されたバッ
ファ層と、前記基板上の前記光導波路が形成されている
部分以外に形成され、焦電効果により生じる電荷を打ち
消す電荷を生じさせる抵抗膜とを備えたことを特徴とす
るものである。また、第３の構成は、焦電効果のある基
板に形成され電気光学効果を用いた導波路型光変調器に
おいて、前記基板上に形成された光導波路と、前記基板
上に形成され、前記光導波路に駆動電圧を印加する変調
用電極と、前記光導波路に入力される光の減衰を防ぐた
め前記光導波路と前記変調用電極との間に形成されたバ
ッファ層と、前記光導波路の近傍に形成され、焦電効果
により基板表面に生じる電荷を中和させるコロナ放電器
と、このコロナ放電器に電圧を印加する電源とを備えた
ことを特徴とするものである。また、第４の構成は、焦
電効果のある基板に形成され電気光学効果を用いた導波
路型光変調器において、前記基板上に形成された光導波
路と、前記基板上に形成され、前記光導波路に駆動電圧
を印加する変調用電極と、前記光導波路に入力される光
の減衰を防ぐため前記光導波路と前記変調用電極との間
に形成されたバッファ層と、前記光導波路の近傍に形成
され、焦電効果により基板表面に生じる電荷を中和させ
る放射線源とを備えたことを特徴とするものである。

【００１３】

【作用】本発明によれば、光導波路の近傍に結晶軸を交
互に反転させた領域を設け、または光導波路の近傍に高
抵抗膜を設け、または光導波路の近傍にコロナ放電器を
配置して放電させ、または光導波路の近傍に放射線源を
配置してイオンを発生させることにより、焦電効果によ
り生じる電荷が互いに打ち消し合う。

【００１４】

【実施例】以下、本発明を図面を用いて詳細に説明す
る。図１は本発明に係る導波路型光変調器の第１の実施
例を示す構成図であり、図１（Ａ）は全体構成図、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ断面図をそれぞれ示してい
る。ここで、１〜７は図８（Ａ）と同一符号を付してあ
り、各構成要素の接続関係についても図８（Ａ）と同様
である。図１（Ａ）および（Ｂ）において、図１（Ｂ）
中の基板１内にある矢印はＺ軸方向を示しており、”
イ”、”ロ”および”ハ”の部分は結晶軸方向、即ちＺ
軸方向を一定間隔で交互に反転させている領域である。
その他の部分では、図１（Ｂ）のようにＺ軸方向は変調
用電極３および４に対して反対側に向いている。

【００１５】また、図１（Ｂ）中”イ”〜”ハ”部分中
の結晶軸を反転させた部分は、光導波路２に対して影響
を与えないように十分深くなければならない。例えば、
図１に示す第１の実施例では基板１の表面から裏側まで
結晶軸を反転させている。

【００１６】ここで、基板１の結晶軸を反転させる方法
としては、電子ビームを−Ｚ軸方向から照射する方法が
あり、この方法では基板１の表面から照射することによ
り、基板１の表面から裏側まで結晶軸を反転させること
ができる。

【００１７】図１に示す第１の実施例の動作を説明す
る。基板１に温度変化が加わると、焦電効果により基板
１の表面の結晶軸方向に電荷が現れる。ここで、Ｚ軸方
向が変調用電極３および４に対して反対側に向いている
場合は、電極側に正電荷が、反対側に負電荷が現れる。
また、図１中”イ”〜”ハ”の部分でＺ軸方向が変調用
電極３および４側に向いている部分では、電極側に負電
荷が、反対側に正電荷が現れる。

【００１８】この結果、図１中”イ”〜”ハ”の部分で
は、基板１の表面に一定間隔で正電荷および負電荷が交
互に現れるので、電荷は隣接している電荷により互いに
打ち消されて、電界が光導波路２の２ｂおよび２ｃの部
分を通過しなくなる。また、光導波路２の２ｂおよび２
ｃの部分の表面に現れる正電荷によって生じる電界
は、”ニ”および”ホ”に示すようにバッファ層５を介
して変調用電極３および４に抜けてしまうので、電界が
光導波路２の２ｂおよび２ｃの部分には電界は通過しな
いことになる。即ち、温度ドリフトが低減される。ま
た、変調用電極３および４間は短絡されていないので直
流動作も可能である。

【００１９】なお、図１中”イ”〜”ハ”の部分での正
電荷と負電荷の絶対値の総和が等しい、即ち、外部から
見たときの電荷がゼロの場合、温度ドリフトが最も小さ
くなるので、交互に反転させる間隔などを調整すること
によりさらに温度ドリフトを低減することが可能とな
る。

【００２０】また、図１に示す第１の実施例では基板１
の表面で全ての電荷が打ち消し合うわけではなく、一部
分は漏れ電界として光導波路２の２ｂおよび２ｃの部分
を通過してしまう。

【００２１】図２はこのような漏れ電界を低減するため
の本発明に係る導波路型光変調器の第２の実施例を示す
断面図である。ここで、図２は図１におけるＢ−Ｂ断面
図に相当し、１〜５および”イ”〜”ハ”は図８（Ｂ）
と同一符号を付してあり、各構成要素の接続関係につい
ても図８（Ａ）と同様である。また、基板１内の矢印は
Ｚ軸方向を示している。図２において、１０はＳｉ膜で
あり、図２中”イ”〜”ハ”以外の部分を覆うように形
成されている。

【００２２】この結果、Ｓｉ膜１０により、温度変化に
より一定間隔で交互に現れる正電荷および負電荷はＳｉ
膜１０を介して効率よく打ち消し合うので、光導波路２
の２ｂおよび２ｃの部分に漏れる漏れ電界を小さくでき
る。

【００２３】さらに、図３は漏れ電界を低減するための
本発明に係る導波路型光変調器の第３の実施例を示す断
面図である。ここで、図３は図１におけるＢ−Ｂ断面図
に相当し、２〜４および”イ”〜”ハ”は図８（Ｂ）と
同一符号を付してあり、各構成要素の接続関係について
も図８（Ａ）と同様である。また、基板１ａ内の矢印は
Ｚ軸方向を示している。図３において、１ａは電気光学
効果を有する基板、５ａはバッファ層である。

【００２４】図３に示す実施例では、結晶軸の反転部分
である図３中”イ”〜”ハ”の部分を”ヘ”、”ト”お
よび”チ”に示すように、光導波路２の２ｂおよび２ｃ
の面よりも低くすることにより、変調用電極３および４
との距離を長くしている。この結果、漏れ電界が主に基
板１の表面と変調用電極３および４の間を通過し、光導
波路２の２ｂおよび２ｃの部分を通過し難くなり、ま
た、同時に導波路型光変調器の帯域を上げることができ
る。

【００２５】さらに、図４は本発明に係る導波路型光変
調器の第４の実施例を示す構成図であり、図４（Ａ）は
全体構成図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＣ−Ｃ断面図を
それぞれ示している。ここで、１〜４，６，７は図８
（Ａ）と同一符号を付してある。図４（Ａ）および
（Ｂ）において、５ｂはバッファ層、１１は高抵抗膜で
あるＳｉ膜である。

【００２６】Ｓｉ膜１１は光導波路２の２ｂおよび２ｃ
の部分を除き基板１の表面の全体若しくは一部に形成さ
れ、電極４はＳｉ膜１１と接続するが、電極３はバッフ
ァ層５ｂによってＳｉ膜１１から絶縁されている。ま
た、各構成要素の接続関係については図８（Ａ）と同様
である。

【００２７】図４に示す第４の実施例の動作を説明す
る。基板１に温度変化が加わると焦電効果により基板１
の表面の結晶軸方向に電荷が現れる。ここで、Ｓｉ膜１
１は高抵抗膜であるので基板１に現れた正電荷に対応す
る負電荷がＳｉ膜１１の反対側に生じる。これらの正お
よび負電荷は互いに打ち消し合うことになるので、電界
は光導波路２の２ｂおよび２ｃの部分を通過しない。ま
た、光導波路２の２ｂおよび２ｃの部分の表面に現れる
電荷によって生じる電界は、第１の実施例と同様にバッ
ファ層５を介して変調用電極３および４に抜けてしまう
ので、電界が光導波路２の２ｂおよび２ｃの部分には通
過しないことになる。即ち、温度ドリフトが低減され
る。

【００２８】また、図４においては前述のように変調用
電極３はＳｉ膜１１とバッファ層５ａにより絶縁されて
おり、接続されていないので、変調用電極３および４間
は短絡されず、直流動作も可能である。さらに、抵抗膜
としてはＳｉ膜１１に限るものではない。

【００２９】図５は本発明に係る導波路型光変調器の第
５の実施例を示す構成図であり、図５（Ａ）は全体構成
図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＤ−Ｄ断面図をそれぞれ
示している。ここで、１〜７は図８（Ａ）と同一符号を
付してあり、各構成要素の接続関係についても図８
（Ａ）と同様である。図５（Ａ）および（Ｂ）におい
て、１２は光導波路２が形成された基板１の上部に設け
たコロナ放電器であり、数十〜数百μｍの細いコロナワ
イア１２１とアース電極１２２からなる。１３はコロナ
放電器１２に電圧を印加するコロナ発生用電源である。

【００３０】図５に示す第５の実施例の動作を説明す
る。コロナワイア１２１に数ｋＶのＡＣまたはＤＣの電
圧を印加すると、その表面の電位の傾きが空気の絶縁耐
力を越え、コロナ放電が生じる。空気の絶縁耐力が破れ
る電位の傾きは、約３０ｋＶ／ｃｍと言われている。一
般的には、コロナ臨界電位の傾き（Ｅ）は、Ｅ＝（３０／√２）・δ^2/3・（１＋０．３０１／√ｒδ）ただし、δ＝０．３８６ｂ／（２７３＋ｔ）ｂ：気圧ｍｍＨｇｔ：温度 ℃ ｒ：ワイア半径ｃｍである。

【００３１】また、コロナ放電器１２は、コロナワイア
１２１に＋ＤＣ電圧を印加すると＋イオンが、−ＤＣ電
圧を印加すると−イオンが、さらにＡＣ電圧を印加する
と±イオンが発生する。焦電効果により、基板１表面に
分極発生する電荷の極性が、＋または−の一方向に決ま
っているときは、−または＋のイオンでその電荷を打ち
消す。表面電荷が未知の場合は、ＡＣ電圧印加してお
く。表面電荷が＋になったときは、コロナ放電により発
生した−イオンが、表面に引きつけられて、＋電荷を打
ち消す。表面電荷が−になったときは、逆になる。

【００３２】表面電荷が打ち消されることにより、図９
において、領域２ｂ，２ｃを貫く電気力線は減少し、温
度変化によるドリフトは低減される。また、変調用電極
３および４間は短絡されていないので、直流動作も可能
である。さらに、導電膜などは不要なので、印加電圧の
アップも生じず、導波路型光変調器の設計自由度も損な
われない。

【００３３】なお、上記第５の実施例において、コロナ
ワイア１２１の代わりに、図６（Ａ）に示すような針電
極を横並びにしたコロナワイア１２１ａでもよく、この
コロナワイア１２１ａを図６（Ｂ）に示すように、基板
１上に形成してもよい。また、図６（Ｃ）に示すよう
に、コロナ放電器として、グリッドワイア１４およびグ
リッド用電源１５を設けたスコロトロン型としてもよ
く、この場合は、基板１の表面電位がより一層制御し易
くなる。

【００３４】図７は本発明に係る導波路型光変調器の第
６の実施例を示す構成図であり、図７（Ａ）は全体構成
図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＥ−Ｅ断面図をそれぞれ
示している。ここで、１〜７は図８（Ａ）と同一符号を
付してあり、各構成要素の接続関係についても図８
（Ａ）と同様である。図７（Ａ）および（Ｂ）におい
て、１６は光導波路２が形成された基板１の上部に設け
た放射線源であり、例えば、アルファ線源であるラジウ
ムやアメリシウムである。なお、アルファ線は皮膚表面
で吸収されるので問題はないが、線源が体内に取り込ま
れ、一定の場所に留まると一部組織に与える影響はある
と思われる。ただし、法令では、１００μＣｉ以下は放
射線源とは見做されず、アメリシウムは煙感知器などに
も使用されている。

【００３５】図７に示す第６の実施例の動作を説明す
る。アルファ線は４〜９ＭｅＶくらいのエネルギーをも
っており、その飛程距離内（一般には空気中で数ｃｍ）
の原子を頻繁に励起または電離させる。焦電効果によ
り、基板１表面に分極発生する＋または−の電荷は、放
射線源１６によって作られたイオンで、その電荷を打ち
消すことが可能である。表面電荷が打ち消されることに
より、図９において、領域２ｂ，２ｃを貫く電気力線は
減少し、温度変化によるドリフトは低減される。また、
変調用電極３および４間は短絡されていないので、直流
動作も可能である。さらに、導電膜などは不要なので、
印加電圧のアップも生じず、導波路型光変調器の設計自
由度も損なわれない

【００３６】なお、上記第６の実施例において、放射線
源１６をアースさせることなく、電圧を印加させると除
電効果を高められる。また、放射線源は基板に直接塗布
してもよく、小型化が可能である。さらに、放射線源を
導波路近傍に配置できない構造の場合には、発生したイ
オンをファンなどを用いて投射させるようにしてもよ
い。

【００３７】

【発明の効果】以上、実施例と共に具体的に説明したよ
うに、本発明によれば、次のような効果がある。光導波
路の近傍に結晶軸を交互に反転させた領域を設け、また
は光導波路の近傍に高抵抗膜を設け、または光導波路の
近傍にコロナ放電器を配置して放電させ、または光導波
路の近傍に放射線源を配置してイオンを発生させ、焦電
効果により生じる電荷を打ち消すことにより、温度ドリ
フトが低減し、直流駆動が可能な導波路型光変調器を実
現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る導波路型光変調器の第１の実施例
を示す全体構成図および断面図である。

【図２】本発明に係る導波路型光変調器の第２の実施例
を示す断面図である。

【図３】本発明に係る導波路型光変調器の第３の実施例
を示す断面図である。

【図４】本発明に係る導波路型光変調器の第４の実施例
を示す全体構成図および断面図である。

【図５】本発明に係る導波路型光変調器の第５の実施例
を示す全体構成図および断面図である。

【図６】本発明に係る導波路型光変調器の第５の実施例
の応用例を示す全体構成図および断面図である。

【図７】本発明に係る導波路型光変調器の第６の実施例
を示す全体構成図および断面図である。

【図８】従来の導波路型光変調器の一例を示す全体構成
図および断面図である。

【図９】焦電効果により生じる電荷および電界の状態を
示す従来の導波路型光変調器の断面図である。

【符号の説明】

１基板２、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ光導波路３、４変調用電極５バッファ層６変調用駆動電圧源７終端抵抗１０Ｓｉ膜１２コロナ放電器１３コロナ発生用電源１６放射線源１２１コロナワイア１２２アース電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】焦電効果のある基板に形成され電気光学
効果を用いた導波路型光変調器において、前記基板上に形成された光導波路と、前記基板上に形成され、前記光導波路に駆動電圧を印加
する変調用電極と、前記光導波路に入力される光の減衰を防ぐため前記光導
波路と前記変調用電極との間に形成されたバッファ層
と、前記光導波路の近傍に形成され前記基板の結晶軸を一定
間隔で交互に反転させ、焦電効果により生じる電荷を互
いに打ち消させる領域とを備えたことを特徴とする導波
路型光変調器。
【請求項２】焦電効果のある基板に形成され電気光学
効果を用いた導波路型光変調器において、前記基板上に形成された光導波路と、前記基板上に形成され、前記光導波路に駆動電圧を印加
する変調用電極と、前記光導波路に入力される光の減衰を防ぐため前記光導
波路と前記変調用電極との間に形成されたバッファ層
と、前記基板上の前記光導波路が形成されている部分以外に
形成され、焦電効果により生じる電荷を打ち消す電荷を
生じさせる抵抗膜とを備えたことを特徴とする導波路型
光変調器。
【請求項３】焦電効果のある基板に形成され電気光学
効果を用いた導波路型光変調器において、前記基板上に形成された光導波路と、前記基板上に形成され、前記光導波路に駆動電圧を印加
する変調用電極と、前記光導波路に入力される光の減衰を防ぐため前記光導
波路と前記変調用電極との間に形成されたバッファ層
と、前記光導波路の近傍に形成され、焦電効果により基板表
面に生じる電荷を中和させるコロナ放電器と、このコロナ放電器に電圧を印加する電源とを備えたこと
を特徴とする導波路型光変調器。
【請求項４】焦電効果のある基板に形成され電気光学
効果を用いた導波路型光変調器において、前記基板上に形成された光導波路と、前記基板上に形成され、前記光導波路に駆動電圧を印加
する変調用電極と、前記光導波路に入力される光の減衰を防ぐため前記光導
波路と前記変調用電極との間に形成されたバッファ層
と、前記光導波路の近傍に形成され、焦電効果により基板表
面に生じる電荷を中和させる放射線源とを備えたことを
特徴とする導波路型光変調器。