JPH0671038B2 - 結晶欠陥認識処理方法 - Google Patents
結晶欠陥認識処理方法Info
- Publication number
- JPH0671038B2 JPH0671038B2 JP62078659A JP7865987A JPH0671038B2 JP H0671038 B2 JPH0671038 B2 JP H0671038B2 JP 62078659 A JP62078659 A JP 62078659A JP 7865987 A JP7865987 A JP 7865987A JP H0671038 B2 JPH0671038 B2 JP H0671038B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- image
- recognition processing
- crystal defect
- processing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
- G01N2021/8874—Taking dimensions of defect into account
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/102—Video camera
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハにおける積層欠陥等の結晶欠陥
を認識する結晶欠陥認識処理方法に関する。
を認識する結晶欠陥認識処理方法に関する。
（従来の技術） シリコンウエハを用いた半導体素子製造工程において、
素子の電気的特性を劣化させる要因となる転位、積層欠
陥等の結晶欠陥の発生を抑制する必要がある。結晶欠陥
とは、ウエハ中のシリコン原子の配列が乱れた状態であ
り、使用ウエハに含まれている極微小欠陥の核あるいは
製造工程時の重金属汚染などの核を中心に酸化・拡散な
どの熱処理時に点欠陥が集まってできるものである。
素子の電気的特性を劣化させる要因となる転位、積層欠
陥等の結晶欠陥の発生を抑制する必要がある。結晶欠陥
とは、ウエハ中のシリコン原子の配列が乱れた状態であ
り、使用ウエハに含まれている極微小欠陥の核あるいは
製造工程時の重金属汚染などの核を中心に酸化・拡散な
どの熱処理時に点欠陥が集まってできるものである。
半導体ウエハの品質評価項目の１つに、ウエハを酸化し
た後の積層欠陥の密度がある。この評価のため、従来は
ウエハ表面の酸化膜を剥離し、選択性の高いエッチング
液（例えばライト液、セコ液）でウエハ表面をエッチン
グした後、光学顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡などを
用いて肉眼観察を行ない、ゴミとか傷との形状分類によ
って欠陥を検出し、検出数を計数している。この場合、
欠陥の大きさは熱処理工程に強く依存するが、0.5〜20
μｍ程度であることが通常であり、肉眼観察のためには
欠陥の大きさに応じて50倍〜1000倍程度の拡大が必要で
ある。また、欠陥密度の管理基準値の低下（例えば０〜
10個/cm2）にしがたい、高精度で検出するには確立的に
も観察面積の拡大が必要であり、人間による欠陥検出は
事実上限界にきている。たとえば欠陥密度が100個/cm2
のときには1/100cm2以上、１個/cm2のときには1cm2以
上、0.1個/cm2ときには10cm2以上の観察により精度良く
欠陥密度の管理が可能となる。そして、人間による欠陥
認識は１視野当り１秒程度かかるので、直径125mmのシ
リコンウエハ１枚当り２〜５時間を要し、多量のシリコ
ンウエハを処理する場合には、肉体的限界（眼性疲労と
か集中力の低下）のため観察結果に大きなばらつき（２
〜４倍）が生じ、実際には不可能となる。
た後の積層欠陥の密度がある。この評価のため、従来は
ウエハ表面の酸化膜を剥離し、選択性の高いエッチング
液（例えばライト液、セコ液）でウエハ表面をエッチン
グした後、光学顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡などを
用いて肉眼観察を行ない、ゴミとか傷との形状分類によ
って欠陥を検出し、検出数を計数している。この場合、
欠陥の大きさは熱処理工程に強く依存するが、0.5〜20
μｍ程度であることが通常であり、肉眼観察のためには
欠陥の大きさに応じて50倍〜1000倍程度の拡大が必要で
ある。また、欠陥密度の管理基準値の低下（例えば０〜
10個/cm2）にしがたい、高精度で検出するには確立的に
も観察面積の拡大が必要であり、人間による欠陥検出は
事実上限界にきている。たとえば欠陥密度が100個/cm2
のときには1/100cm2以上、１個/cm2のときには1cm2以
上、0.1個/cm2ときには10cm2以上の観察により精度良く
欠陥密度の管理が可能となる。そして、人間による欠陥
認識は１視野当り１秒程度かかるので、直径125mmのシ
リコンウエハ１枚当り２〜５時間を要し、多量のシリコ
ンウエハを処理する場合には、肉体的限界（眼性疲労と
か集中力の低下）のため観察結果に大きなばらつき（２
〜４倍）が生じ、実際には不可能となる。
一方、顕微鏡により拡大した領域の画像をテレビジョン
カメラにより撮像し、画面中の欠陥像をパターン認識し
て検出する欠陥認識処理装置が考えられているが、まだ
認識率や処理速度が低く、装置コストも高く、実用性の
点で問題がある。
カメラにより撮像し、画面中の欠陥像をパターン認識し
て検出する欠陥認識処理装置が考えられているが、まだ
認識率や処理速度が低く、装置コストも高く、実用性の
点で問題がある。
このような問題点は、半導体ウエハに限らず、その他の
物体（例えば金属）表面の欠陥を検出する場合でも同様
である。
物体（例えば金属）表面の欠陥を検出する場合でも同様
である。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
は、処理装置の認識率、並びに処理速度をともに向上で
き、かつ処理装置を安価とできる結晶欠陥認識処理方法
を提供することにある。
は、処理装置の認識率、並びに処理速度をともに向上で
き、かつ処理装置を安価とできる結晶欠陥認識処理方法
を提供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明に係る結晶欠陥認識
処理方法では、単結晶でなる半導体ウエハの表面を、選
択性の高いエッチャントを用いてエッチングし、ウエハ
が含んでいる結晶欠陥を強調し、この結晶欠陥が強調さ
れたウエハのうち、評価対象となる表面の所定領域をテ
レビジョン撮像してテレビジョン画像に変換し、このテ
レビジョン画像中に現れる特定方向に延びた矩形状の像
のうち、その長さが２μｍ以上で縦横比が1.6以上また
は0.6以下であるものを結晶欠陥として検出することを
特徴としている。
処理方法では、単結晶でなる半導体ウエハの表面を、選
択性の高いエッチャントを用いてエッチングし、ウエハ
が含んでいる結晶欠陥を強調し、この結晶欠陥が強調さ
れたウエハのうち、評価対象となる表面の所定領域をテ
レビジョン撮像してテレビジョン画像に変換し、このテ
レビジョン画像中に現れる特定方向に延びた矩形状の像
のうち、その長さが２μｍ以上で縦横比が1.6以上また
は0.6以下であるものを結晶欠陥として検出することを
特徴としている。
（作用） 上記構成の結晶欠陥認識処理方法によれば、単結晶でな
る半導体ウエハの表面を、選択性の高いエッチャントを
用いてエッチングすることで、ウエハが含んでいる結晶
欠陥が強調される。
る半導体ウエハの表面を、選択性の高いエッチャントを
用いてエッチングすることで、ウエハが含んでいる結晶
欠陥が強調される。
特に選択性の高いエッチャントを用いたエッチングで
は、結晶方位に依存してエッチング速度が変化する。こ
の現象を利用して、結晶方位が特異な結晶欠陥部分のみ
に高速なエッチングを起こす。このようにして結晶欠陥
部分を大きくすることで、ウエハが含んでいる結晶欠陥
を強調する。結晶欠陥は方向性を有しており、特定方向
に延びて発生している。このために、上記強調された結
晶欠陥は、特定方向に延びた矩形状となる。
は、結晶方位に依存してエッチング速度が変化する。こ
の現象を利用して、結晶方位が特異な結晶欠陥部分のみ
に高速なエッチングを起こす。このようにして結晶欠陥
部分を大きくすることで、ウエハが含んでいる結晶欠陥
を強調する。結晶欠陥は方向性を有しており、特定方向
に延びて発生している。このために、上記強調された結
晶欠陥は、特定方向に延びた矩形状となる。
このように結晶欠陥が強調されたウエハの評価対象とな
る表面の所定領域をテレビジョン撮像し、テレビジョン
画像に変換すると、この画像中には、上記矩形状の像が
現れる。この画像中には、被測定体の表面に付着したゴ
ミによる像、あるいは被測定体の表面に付いた傷による
像なども含まれて現れるが、上記矩形状の像が、特定方
向に延びるという方向性を示すために、これらの像と明
確に区別することができる。
る表面の所定領域をテレビジョン撮像し、テレビジョン
画像に変換すると、この画像中には、上記矩形状の像が
現れる。この画像中には、被測定体の表面に付着したゴ
ミによる像、あるいは被測定体の表面に付いた傷による
像なども含まれて現れるが、上記矩形状の像が、特定方
向に延びるという方向性を示すために、これらの像と明
確に区別することができる。
そして、矩形状の像の長さが２μｍ以上で縦横比1.6以
上または0.6以下という条件を与えることで、処理装置
は、上記結晶欠陥による像を、上記ゴミによる像や傷に
よる像などと明確に区別できるようになり、結晶欠陥を
認識する認識率が向上する。
上または0.6以下という条件を与えることで、処理装置
は、上記結晶欠陥による像を、上記ゴミによる像や傷に
よる像などと明確に区別できるようになり、結晶欠陥を
認識する認識率が向上する。
また、この認識処理方法では、画像中に現れる特異的な
像を抽出するだけで済むので、処理速度も同時に向上す
る。
像を抽出するだけで済むので、処理速度も同時に向上す
る。
さらに、処理プログラムも簡単となるから、高機能な演
算装置や記憶装置などが必要なく、処理装置にかかるコ
ストをも低減でき、処理装置が安価となる。
算装置や記憶装置などが必要なく、処理装置にかかるコ
ストをも低減でき、処理装置が安価となる。
（実施例） 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図はたとえば半導体ウエハの結晶欠陥を認識処理す
る装置を示しており、１はウエハ搬送系、２はウエハ搬
送系１から可動ステージ上に搬送されたウエハの表面像
の所定領域（例えば中心部の0.5mm×0.56mmの領域）を
拡大して結像する顕微鏡であり、たとえば対物レンズ10
倍、接眼レンズ10倍を有し、倍率100である。３は上記
搬送系１の搬送制御および顕微鏡２のオートフォーカス
制御などを行なうための制御用マイクロコンピュータで
ある。４は上記顕微鏡２の結像をテレビジョン画像に変
換するテレビジョンカメラ、５は上記テレビジョン画像
信号に対して二値化、像のＸ方向およびＹ方向の長さの
計測、像の長さの計測などを行い、欠陥像を検出して欠
陥個数を計数するための画像処理装置であり、テレビジ
ョン画像を画像表示装置６に与えると共に処理結果をプ
リンタ７に印字させるものである。８は欠陥認識処理装
置のシステムを総合的に制御するためのシステム制御用
コンピュータであり、上記画像処理装置５、画像表示装
置６、前記制御用マイクロコンピュータ３等との間で制
御情報を授受するものである。
る装置を示しており、１はウエハ搬送系、２はウエハ搬
送系１から可動ステージ上に搬送されたウエハの表面像
の所定領域（例えば中心部の0.5mm×0.56mmの領域）を
拡大して結像する顕微鏡であり、たとえば対物レンズ10
倍、接眼レンズ10倍を有し、倍率100である。３は上記
搬送系１の搬送制御および顕微鏡２のオートフォーカス
制御などを行なうための制御用マイクロコンピュータで
ある。４は上記顕微鏡２の結像をテレビジョン画像に変
換するテレビジョンカメラ、５は上記テレビジョン画像
信号に対して二値化、像のＸ方向およびＹ方向の長さの
計測、像の長さの計測などを行い、欠陥像を検出して欠
陥個数を計数するための画像処理装置であり、テレビジ
ョン画像を画像表示装置６に与えると共に処理結果をプ
リンタ７に印字させるものである。８は欠陥認識処理装
置のシステムを総合的に制御するためのシステム制御用
コンピュータであり、上記画像処理装置５、画像表示装
置６、前記制御用マイクロコンピュータ３等との間で制
御情報を授受するものである。
評価に用いたウエハは、たとえばCMOS型LSI（メモリ、C
PU等）の製造工程においてウエル領域の拡散工程後にロ
ット内から抜取ったウエハに対してNH4F液により酸化膜
を全て剥離し、さらにライトエッチング液により結晶欠
陥部を選択的にエッチングしたものである。この場合、
上記ウエハは（100）主面を有し、第２図に示すように
オリエンテーションフラットOFが＜110＞方向に形成さ
れたものとすれば、積層欠陥Ａはオリエンテーションフ
ラットOFに平行または垂直な方向に発生する。すなわ
ち、第３図（ａ）乃至（ｄ）に示すように、シリコン基
板上の積層欠陥は結晶学的にシリコン結晶の（111）面
内（またはこれと等価な面内）に層状に発生し、エッチ
ング後の断面は第４図に示すように（111）面で囲まれ
たＶ字形になることがわかっており、（100）面を主面
とするシリコン基板上には＜110＞方向またはそれと同
等な方向に平行に線状に観察される。また、通常、（10
0）ウエハには＜110＞方向に平行にオリエンテーション
フラットが形成されているので、積層欠陥の伸びている
方向はオリエンテーションフラットOFに平行もしくは垂
直な方向になる。
PU等）の製造工程においてウエル領域の拡散工程後にロ
ット内から抜取ったウエハに対してNH4F液により酸化膜
を全て剥離し、さらにライトエッチング液により結晶欠
陥部を選択的にエッチングしたものである。この場合、
上記ウエハは（100）主面を有し、第２図に示すように
オリエンテーションフラットOFが＜110＞方向に形成さ
れたものとすれば、積層欠陥Ａはオリエンテーションフ
ラットOFに平行または垂直な方向に発生する。すなわ
ち、第３図（ａ）乃至（ｄ）に示すように、シリコン基
板上の積層欠陥は結晶学的にシリコン結晶の（111）面
内（またはこれと等価な面内）に層状に発生し、エッチ
ング後の断面は第４図に示すように（111）面で囲まれ
たＶ字形になることがわかっており、（100）面を主面
とするシリコン基板上には＜110＞方向またはそれと同
等な方向に平行に線状に観察される。また、通常、（10
0）ウエハには＜110＞方向に平行にオリエンテーション
フラットが形成されているので、積層欠陥の伸びている
方向はオリエンテーションフラットOFに平行もしくは垂
直な方向になる。
上記処理装置により、評価対象となる抜取りウエハにお
ける欠陥について、様々なパラメータ（長さ、縦横比な
ど）で計測して欠陥密度を求め、このパラメータにより
計測された欠陥密度と抜取りウエハの元のロットの最終
歩留りとの相対計数を求めたところ、たとえば第５図
（ａ）、（ｂ）に示すようなデータが得られた。そし
て、各パラメータに対して相対計数の値を得て、長さパ
ラメータ、縦横比限度の最適化を行なうと、第６図
（ａ）、（ｂ）中に実線で示すような結果が得られた。
この場合、ウエハの欠陥の原因としては、投入ウエハの
欠陥の核、あるいは工程中の重金属汚染が考えられ、欠
陥の原因を分離するために投入前ウエハを抜取り、先行
テストを行う目的で熱酸化（例えば1000℃、10時間）を
行なって上記したと同様な評価を行なったところ、第６
図（ａ）、（ｂ）中に点線で示すような関係が得られ
た。
ける欠陥について、様々なパラメータ（長さ、縦横比な
ど）で計測して欠陥密度を求め、このパラメータにより
計測された欠陥密度と抜取りウエハの元のロットの最終
歩留りとの相対計数を求めたところ、たとえば第５図
（ａ）、（ｂ）に示すようなデータが得られた。そし
て、各パラメータに対して相対計数の値を得て、長さパ
ラメータ、縦横比限度の最適化を行なうと、第６図
（ａ）、（ｂ）中に実線で示すような結果が得られた。
この場合、ウエハの欠陥の原因としては、投入ウエハの
欠陥の核、あるいは工程中の重金属汚染が考えられ、欠
陥の原因を分離するために投入前ウエハを抜取り、先行
テストを行う目的で熱酸化（例えば1000℃、10時間）を
行なって上記したと同様な評価を行なったところ、第６
図（ａ）、（ｂ）中に点線で示すような関係が得られ
た。
以上の結果から、計測基準となる長さが２μｍ程度以上
から最終歩留りとの相対相関係数が向上することが認め
られた。また、計測基準となる縦横比限度が1.6以上ま
たは0.6以下で最終歩留りとの相対相関係数が向上する
ことが認められた。このような結果は、工程汚染管理上
問題となる工程に対して、前記したと同様なテストを行
なったところ、いずれも同様であった。このような関係
が何故一般的に得られるのか詳細に明らかでないが、欠
陥が小さいときには欠陥の有する電荷が小さくて素子特
性上悪影響を与えず、またデザインルール的にある領域
内に入って悪影響を与えないのではないかと考えられ
る。
から最終歩留りとの相対相関係数が向上することが認め
られた。また、計測基準となる縦横比限度が1.6以上ま
たは0.6以下で最終歩留りとの相対相関係数が向上する
ことが認められた。このような結果は、工程汚染管理上
問題となる工程に対して、前記したと同様なテストを行
なったところ、いずれも同様であった。このような関係
が何故一般的に得られるのか詳細に明らかでないが、欠
陥が小さいときには欠陥の有する電荷が小さくて素子特
性上悪影響を与えず、またデザインルール的にある領域
内に入って悪影響を与えないのではないかと考えられ
る。
さらに、上記欠陥の検出に際して、＜110＞に等価な方
向に限定したところ、相関係数が一層向上した。
向に限定したところ、相関係数が一層向上した。
そこで、上記欠陥の一辺に平行または垂直な方向にテレ
ビジョン撮像の水平走査方向を合せることで画像処理が
容易になることから、ウエハ支持台によりウエハのオリ
エンテーションフラットOFがテレビジョンカメラ４の水
平走査線方向に、たとえば平行になるように支持させ
て、この水平走査線方向の欠陥密度を計測し、次にウエ
ハを直角方向に回転させた状態で水平走査線方向の欠陥
密度を計測することが望ましい。
ビジョン撮像の水平走査方向を合せることで画像処理が
容易になることから、ウエハ支持台によりウエハのオリ
エンテーションフラットOFがテレビジョンカメラ４の水
平走査線方向に、たとえば平行になるように支持させ
て、この水平走査線方向の欠陥密度を計測し、次にウエ
ハを直角方向に回転させた状態で水平走査線方向の欠陥
密度を計測することが望ましい。
上記結晶欠陥認識処理装置において、画像処理の結果、
画像表示装置６に表示された画像の一例を第７図に摸式
的に示す。ここで、画面上、水平走査方向に細長く伸び
た像Ａ′および垂直走査方向に細長く伸びた像Ａ″の中
に積層欠陥像が含まれている。したがって、上記水平方
向または直角方向に伸びた像のうち、長さが例えば2.0
μｍ以上で、縦横比が1.6以上または0.6以下のものを検
出するように認識処理プログラムを与えておけば、ゴミ
Ｂとか傷Ｃとの区別が可能である。この場合、１画面当
り10個の積層欠陥があるときの認識処理時間は約0.8秒
であった。
画像表示装置６に表示された画像の一例を第７図に摸式
的に示す。ここで、画面上、水平走査方向に細長く伸び
た像Ａ′および垂直走査方向に細長く伸びた像Ａ″の中
に積層欠陥像が含まれている。したがって、上記水平方
向または直角方向に伸びた像のうち、長さが例えば2.0
μｍ以上で、縦横比が1.6以上または0.6以下のものを検
出するように認識処理プログラムを与えておけば、ゴミ
Ｂとか傷Ｃとの区別が可能である。この場合、１画面当
り10個の積層欠陥があるときの認識処理時間は約0.8秒
であった。
なお、ウエハのオリエンテーションフラットOFが水平走
査線方向に平行になるようにウエハを支持しておき、＜
110＞方向に長い欠陥のみを画像処理を行なって欠陥密
度を求め、上記＜110＞方向に直角な方向に長い欠陥の
密度を上記＜110＞方向とほぼ同じと見なし、上記欠陥
密度の２倍を測定結果として出力するようにしてもよい
ことが確認されており、これによって計測時間の短縮が
可能になる。
査線方向に平行になるようにウエハを支持しておき、＜
110＞方向に長い欠陥のみを画像処理を行なって欠陥密
度を求め、上記＜110＞方向に直角な方向に長い欠陥の
密度を上記＜110＞方向とほぼ同じと見なし、上記欠陥
密度の２倍を測定結果として出力するようにしてもよい
ことが確認されており、これによって計測時間の短縮が
可能になる。
また、上記実施例では、テレビジョンカメラの水平走査
方向に対してウエハのオリエンテーションフラットの方
向が平行となるようにウエハを配置したが、このウエハ
を直角方向に配置した場合でも上記実施例と同様な効果
が得られる。さらに、テレビジョンカメラ４の水平走査
方向に対してウエハのオリエンテーションフラットの方
向が不規則になるようにウエハを配置した場合、前記積
層欠陥像の方向は水平走査線方向に対して不規則になる
けれども、前記したように長さが2.0μｍ以上で縦横比
が1.6以上または0.6以下の像を検出するように認識処理
プログラムを与えておくことによって欠陥検出が可能で
ある。
方向に対してウエハのオリエンテーションフラットの方
向が平行となるようにウエハを配置したが、このウエハ
を直角方向に配置した場合でも上記実施例と同様な効果
が得られる。さらに、テレビジョンカメラ４の水平走査
方向に対してウエハのオリエンテーションフラットの方
向が不規則になるようにウエハを配置した場合、前記積
層欠陥像の方向は水平走査線方向に対して不規則になる
けれども、前記したように長さが2.0μｍ以上で縦横比
が1.6以上または0.6以下の像を検出するように認識処理
プログラムを与えておくことによって欠陥検出が可能で
ある。
上記結晶欠陥認識処理装置によれば、半導体ウエハの積
層欠陥を容易に検出できるので、多量のウエハの品質検
査を連続的に行うことが可能となる。これにより、半導
体ウエハ製造工程、半導体素子製造工程における工程検
査の高精度化、簡略化が可能となり、投入ウエハの欠陥
該管理、熱処理炉の汚染管理等が可能となり、製品歩留
り、品質の向上を実現できる。ちなみに、上記処理装置
を用いて直径125mmのシリコン基板を検査する場合、積
層欠陥密度が10個/cm2程度のとき、ウエハ１枚当りの認
識処理時間は約４分であり、肉眼観察による場合の認識
処理時間〜15分に比べて約1/4に短縮された。しかも、
この場合、第８図に示すように欠陥の検出再現性も向上
しており、肉眼観察による場合に比べて再現性ばらつき
は〜1/5になった。
層欠陥を容易に検出できるので、多量のウエハの品質検
査を連続的に行うことが可能となる。これにより、半導
体ウエハ製造工程、半導体素子製造工程における工程検
査の高精度化、簡略化が可能となり、投入ウエハの欠陥
該管理、熱処理炉の汚染管理等が可能となり、製品歩留
り、品質の向上を実現できる。ちなみに、上記処理装置
を用いて直径125mmのシリコン基板を検査する場合、積
層欠陥密度が10個/cm2程度のとき、ウエハ１枚当りの認
識処理時間は約４分であり、肉眼観察による場合の認識
処理時間〜15分に比べて約1/4に短縮された。しかも、
この場合、第８図に示すように欠陥の検出再現性も向上
しており、肉眼観察による場合に比べて再現性ばらつき
は〜1/5になった。
なお、前記実施例では、（100）面を主面とする（100）
面ウエハを用いたが、（111）面ウエハを用いた場合に
は、＜110＞方向またはそれに等価な方向に長い結晶欠
陥のみを自動計測して検出し、その密度を求めるように
すればよいことが確認された。この場合、上記＜110＞
方向またはそれに等価な方向のうちの一方向でのみ欠陥
密度を求め、この密度の３倍を欠陥密度測定結果として
出力するようにしてもよいことが確認された。
面ウエハを用いたが、（111）面ウエハを用いた場合に
は、＜110＞方向またはそれに等価な方向に長い結晶欠
陥のみを自動計測して検出し、その密度を求めるように
すればよいことが確認された。この場合、上記＜110＞
方向またはそれに等価な方向のうちの一方向でのみ欠陥
密度を求め、この密度の３倍を欠陥密度測定結果として
出力するようにしてもよいことが確認された。
また、評価対象となるウエハが半導体素子製造工程途中
のフォトエッチング工程、加工工程を通過して結晶欠陥
以外にシリコン地肌に段差形状が生じている場合には、
画像信号を二値化する際に上記段差部から発生する画像
パターンを消去してから欠陥検出を行なうように段差パ
ターン消去機能を付加しておくことが望ましく、これに
よって画像処理時間が短縮される。
のフォトエッチング工程、加工工程を通過して結晶欠陥
以外にシリコン地肌に段差形状が生じている場合には、
画像信号を二値化する際に上記段差部から発生する画像
パターンを消去してから欠陥検出を行なうように段差パ
ターン消去機能を付加しておくことが望ましく、これに
よって画像処理時間が短縮される。
なお、上記実施例では、ウエハ表面に光を照射して、そ
の反射光を受光して画像信号に変換した後の画像処理に
ついて説明したが、ウエハ表面の欠陥に光を照射して、
その反射光を受光するようにして欠陥の検出率を高める
ことができる。すなわち、たとえば第９図に示すように
（100）面ウエハの積層欠陥は（111）面に層状に入るの
で、このウエハ表面に斜め上方から光を照射すれば、
（111）面からの反射光（積層欠陥からの反射光）は強
いが、ゴミ、傷等からの反射光は弱いので、画像処理の
対象から外すことができ、積層欠陥を効率良く画像処理
して検出、計数することが可能になる。なお、（111）
面は（100）面に対して54度の角度をもつので、（111）
面からの反射光を検出するためには、（100）面に対し
てたとえば80度の角度で光を入射させる場合には28度の
位置に受光部（顕微鏡の対物レンズ）を設置しておけば
よい。上記（100）面に対する入射角度は54度以上90度
以下であればよく、（111）面からの反射光を受ける対
物レンズの角度位置は（108-θ）度となる。また、入射
光の入射角度はできるだけ大きい方が、顕微鏡の焦点が
視野内でずれないので望ましい。また、受光画像の中か
ら信号レベルの高い積層欠陥像と信号レベルの低いゴ
ミ、傷などの像とを分離するためには、受光画像を二値
化して濃淡画像とし、周囲と異なった濃い画像を積層欠
陥像として検出することが可能である。
の反射光を受光して画像信号に変換した後の画像処理に
ついて説明したが、ウエハ表面の欠陥に光を照射して、
その反射光を受光するようにして欠陥の検出率を高める
ことができる。すなわち、たとえば第９図に示すように
（100）面ウエハの積層欠陥は（111）面に層状に入るの
で、このウエハ表面に斜め上方から光を照射すれば、
（111）面からの反射光（積層欠陥からの反射光）は強
いが、ゴミ、傷等からの反射光は弱いので、画像処理の
対象から外すことができ、積層欠陥を効率良く画像処理
して検出、計数することが可能になる。なお、（111）
面は（100）面に対して54度の角度をもつので、（111）
面からの反射光を検出するためには、（100）面に対し
てたとえば80度の角度で光を入射させる場合には28度の
位置に受光部（顕微鏡の対物レンズ）を設置しておけば
よい。上記（100）面に対する入射角度は54度以上90度
以下であればよく、（111）面からの反射光を受ける対
物レンズの角度位置は（108-θ）度となる。また、入射
光の入射角度はできるだけ大きい方が、顕微鏡の焦点が
視野内でずれないので望ましい。また、受光画像の中か
ら信号レベルの高い積層欠陥像と信号レベルの低いゴ
ミ、傷などの像とを分離するためには、受光画像を二値
化して濃淡画像とし、周囲と異なった濃い画像を積層欠
陥像として検出することが可能である。
上記実施例により説明した結晶欠陥認識処理装置によれ
ば、評価対象となる物体表面の欠陥について画像処理
し、矩形画像の長さおよび縦横比を計測して欠陥検出を
行なうので、欠陥認識率が高く、処理速度が速く、処理
プログラムが簡単になり、安価に実現できるようにな
る。さらに、欠陥の長さ方向または幅方向とテレビジョ
ン撮像の水平走査方向とが平行となるような関係を設定
することによって、欠陥画像の長さ方向または幅方向を
計測するための処理プログラムを簡単に実現でき、装置
コストを一層低減できる。また、物体表面に斜め方向か
ら光を照射して、その反射光を受光して画像信号に変換
することによって、信号レベルの強弱により欠陥画像を
その他の画像から分離することが可能となり、検出精度
を向上させることができる。
ば、評価対象となる物体表面の欠陥について画像処理
し、矩形画像の長さおよび縦横比を計測して欠陥検出を
行なうので、欠陥認識率が高く、処理速度が速く、処理
プログラムが簡単になり、安価に実現できるようにな
る。さらに、欠陥の長さ方向または幅方向とテレビジョ
ン撮像の水平走査方向とが平行となるような関係を設定
することによって、欠陥画像の長さ方向または幅方向を
計測するための処理プログラムを簡単に実現でき、装置
コストを一層低減できる。また、物体表面に斜め方向か
ら光を照射して、その反射光を受光して画像信号に変換
することによって、信号レベルの強弱により欠陥画像を
その他の画像から分離することが可能となり、検出精度
を向上させることができる。
したがって、上記実施例に係る装置を、たとえば半導体
ウエハ、半導体素子製造工程の途中で使用し、欠陥認識
処理結果を工程にフィードバックすることで、ウエハ材
質、工程途中での重金属汚染などの管理が可能になり、
集積回路製品を歩留り良く製造することが可能になる。
ウエハ、半導体素子製造工程の途中で使用し、欠陥認識
処理結果を工程にフィードバックすることで、ウエハ材
質、工程途中での重金属汚染などの管理が可能になり、
集積回路製品を歩留り良く製造することが可能になる。
なお、本発明は、上記したような半導体ウエハの結晶欠
陥のみでなく、物体表面の一定の方向性を持つ矩形状の
欠陥を検出する場合に適用可能であり、応用範囲は広
い。
陥のみでなく、物体表面の一定の方向性を持つ矩形状の
欠陥を検出する場合に適用可能であり、応用範囲は広
い。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、処理装置の認識
率、並びに処理速度をともに向上でき、かつ処理装置を
安価とできる結晶欠陥認識処理方法を提供できる。
率、並びに処理速度をともに向上でき、かつ処理装置を
安価とできる結晶欠陥認識処理方法を提供できる。
第１図は本発明の結晶欠陥認識処理装置の一実施例を示
すブロック図、第２図は第１図の装置による評価の対象
となる半導体ウエハの一例を示す平面図、第３図（ａ）
乃至（ｄ）はシリコン結晶の（100）面上に発生する積
層欠陥を説明するために示す図、第４図は（100）面上
に発生する積層欠陥を示す断面図、第５図（ａ）（ｂ）
は計測パラメータが異なる場合のウエハ上の結晶欠陥密
度と相対相関係数との関係を示す図、第６図（ａ）
（ｂ）は計測パラメータと歩留り対欠陥密度と相対相関
係数との関係を示す図、第７図は第１図の装置により得
られた画像の一例を模式的に示す図、第８図は本発明装
置による結晶欠陥密度の検出再現性の実測データを肉眼
観察による場合と対比して示す図、第９図はウエハ表面
の積層欠陥に光を照射する照射部および反射光を受光す
る受光部の配置関係の一例を示す図である。 ２……顕微鏡、４……テレビジョンカメラ、５……画像
処理装置、６……画像表示装置、OF……オリエンテーシ
ョンフラット、Ａ′、Ａ″……積層欠陥像。
すブロック図、第２図は第１図の装置による評価の対象
となる半導体ウエハの一例を示す平面図、第３図（ａ）
乃至（ｄ）はシリコン結晶の（100）面上に発生する積
層欠陥を説明するために示す図、第４図は（100）面上
に発生する積層欠陥を示す断面図、第５図（ａ）（ｂ）
は計測パラメータが異なる場合のウエハ上の結晶欠陥密
度と相対相関係数との関係を示す図、第６図（ａ）
（ｂ）は計測パラメータと歩留り対欠陥密度と相対相関
係数との関係を示す図、第７図は第１図の装置により得
られた画像の一例を模式的に示す図、第８図は本発明装
置による結晶欠陥密度の検出再現性の実測データを肉眼
観察による場合と対比して示す図、第９図はウエハ表面
の積層欠陥に光を照射する照射部および反射光を受光す
る受光部の配置関係の一例を示す図である。 ２……顕微鏡、４……テレビジョンカメラ、５……画像
処理装置、６……画像表示装置、OF……オリエンテーシ
ョンフラット、Ａ′、Ａ″……積層欠陥像。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荻野 正信 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−101942（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−68647（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−161043（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−32116（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−132980（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−178740（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−98632（ＪＰ，Ａ)
Claims (12)
- 【請求項１】単結晶でなる半導体ウエハの表面を、選択
性の高いエッチャントを用いてエッチングし、前記ウエ
ハが含んでいる結晶欠陥を強調する工程と、 前記結晶欠陥が強調された前記ウエハのうち、評価対象
となる表面の所定領域をテレビジョン撮像してテレビジ
ョン画面に変換する工程と、 前記テレビジョン画像中に現れる特定方向に延びた矩形
状の像のうち、その長さが２μｍ以上で縦横比が1.6以
上または0.6以下であるものを結晶欠陥として検出する
工程と を具備することを特徴とする結晶欠陥認識処理方法。 - 【請求項２】前記テレビジョン撮像の水平走査方向を、
前記矩形状の像の一辺に平行または垂直な方向とするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の結晶欠陥認
識処理方法。 - 【請求項３】前記ウエハは、その主面が（100）面であ
って、＜110＞方向にオリエンテーションフラットが形
成されたシリコンウエハであり、上記＜110＞方向また
はそれに同等な方向に長い矩形状の像のみを積層欠陥と
して検出することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の結晶欠陥認識処理方法。 - 【請求項４】前記オリエンテーションフラットの方向に
平行または垂直な方向に、テレビジョン撮像の水平走査
を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
結晶欠陥認識処理方法。 - 【請求項５】前記＜110＞方向またはそれに同等な方向
に長い矩形状の像のみを積層欠陥として検出してその密
度を求め、この密度の２倍を積層欠陥密度として出力す
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項または第４項
いずれかに記載の結晶欠陥認識処理方法。 - 【請求項６】前記ウエハは、その主面が（111）面であ
って、＜110＞方向またはそれに同等な方向に長い矩形
状の像のみを積層欠陥として検出することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の結晶欠陥認識処理方法。 - 【請求項７】前記＜110＞方向またはそれに同等な方向
に長い矩形状の像のみを積層欠陥として検出してその密
度を求め、この密度の３倍を積層欠陥密度として出力す
ることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の結晶欠
陥認識処理方法。 - 【請求項８】前記ウエハは、シリコン地肌に段差形状部
を有する製造工程途中のシリコンウエハであり、テレビ
ジョン撮像信号を二値化して上記段差形状部から発生す
る画像パターンを消去したのち、結晶欠陥検出を行なう
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の結晶欠陥
認識処理方法。 - 【請求項９】前記ウエハ表面に斜め方向から光を照射
し、その反射光を受光してテレビジョン撮像することを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の結晶欠陥認識
処理方法。 - 【請求項１０】前記ウエハは、その主面を（100）面と
するシリコンウエハであって、（111）面からの反射光
を受光することを特徴とする特許請求の範囲第９項記載
の結晶欠陥認識処理方法。 - 【請求項１１】前記（100）面に対して照射する光の入
射角度θが54度から90度の範囲であり、受光部の角度位
置が（108-θ）度であることを特徴とする特許請求の範
囲第10項記載の結晶欠陥認識処理方法。 - 【請求項１２】前記テレビジョン撮像により得られる画
像信号を濃淡画像とし、周囲とは異なった明るさの画像
を積層欠陥として検出することを特徴とする特許請求の
範囲第10項または第11項いずれかに記載の結晶欠陥認識
処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078659A JPH0671038B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 結晶欠陥認識処理方法 |
| US07/174,879 US4958373A (en) | 1987-03-31 | 1988-03-29 | Defect-recognition processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078659A JPH0671038B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 結晶欠陥認識処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244753A JPS63244753A (ja) | 1988-10-12 |
| JPH0671038B2 true JPH0671038B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=13667986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62078659A Expired - Lifetime JPH0671038B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 結晶欠陥認識処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4958373A (ja) |
| JP (1) | JPH0671038B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102012809B1 (ko) * | 2019-04-05 | 2019-08-21 | 충남대학교산학협력단 | 쌍정결함밀도의 평가방법 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6185324B1 (en) | 1989-07-12 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor failure analysis system |
| JP2941308B2 (ja) | 1989-07-12 | 1999-08-25 | 株式会社日立製作所 | 検査システムおよび電子デバイスの製造方法 |
| US5103304A (en) * | 1990-09-17 | 1992-04-07 | Fmc Corporation | High-resolution vision system for part inspection |
| US5298963A (en) * | 1992-02-26 | 1994-03-29 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Apparatus for inspecting the surface of materials |
| DE4413831C2 (de) * | 1994-04-20 | 2000-05-31 | Siemens Ag | Verfahren zur Kontrolle von Halbleiterscheiben |
| US5694228A (en) * | 1994-08-09 | 1997-12-02 | Ricoh Company,Ltd. | Document image processor with defect detection |
| JPH0921756A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-21 | Toshiba Corp | 半導体ウェハの欠陥評価装置 |
| DE59608537D1 (de) * | 1995-10-25 | 2002-02-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Kontrolle von Scheiben |
| JP2850839B2 (ja) * | 1996-03-26 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 結晶の面方位測定方法および結晶の面方位測定装置 |
| US5927512A (en) * | 1997-01-17 | 1999-07-27 | Micron Technology, Inc. | Method for sorting integrated circuit devices |
| US6100486A (en) | 1998-08-13 | 2000-08-08 | Micron Technology, Inc. | Method for sorting integrated circuit devices |
| US5844803A (en) * | 1997-02-17 | 1998-12-01 | Micron Technology, Inc. | Method of sorting a group of integrated circuit devices for those devices requiring special testing |
| US5915231A (en) * | 1997-02-26 | 1999-06-22 | Micron Technology, Inc. | Method in an integrated circuit (IC) manufacturing process for identifying and redirecting IC's mis-processed during their manufacture |
| US5856923A (en) | 1997-03-24 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing |
| US7120513B1 (en) * | 1997-06-06 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (ICS) have undergone, such as repairs, to select procedures the ICS will undergo, such as additional repairs |
| US5907492A (en) | 1997-06-06 | 1999-05-25 | Micron Technology, Inc. | Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (IC's) have undergone, such as repairs, to select procedures the IC's will undergo, such as additional repairs |
| US6049624A (en) * | 1998-02-20 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Non-lot based method for assembling integrated circuit devices |
| US6779159B2 (en) * | 2001-06-08 | 2004-08-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
| US6642726B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-11-04 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for reliable and efficient detection of voltage contrast defects |
| US6861666B1 (en) | 2001-10-17 | 2005-03-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining and localization of failures in test structures using voltage contrast |
| JP4657869B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2011-03-23 | シャープ株式会社 | 欠陥検出装置、イメージセンサデバイス、イメージセンサモジュール、画像処理装置、デジタル画像品質テスタ、欠陥検出方法、欠陥検出プログラム、およびコンピュータ読取可能な記録媒体 |
| US7844103B2 (en) * | 2005-10-12 | 2010-11-30 | Applied Materials Israel, Ltd. | Microscopic inspection apparatus for reducing image smear using a pulsed light source and a linear-periodic superpositioned scanning scheme to provide extended pulse duration, and methods useful therefor |
| JP2007147637A (ja) * | 2006-12-28 | 2007-06-14 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの欠陥検出方法 |
| JP2007147636A (ja) * | 2006-12-28 | 2007-06-14 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの欠陥検出方法 |
| JP2007132949A (ja) * | 2006-12-28 | 2007-05-31 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの欠陥検出方法 |
| KR101587176B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2016-01-20 | 마이크로닉 마이데이타 에이비 | 무라 검출 및 계측을 위한 방법 및 장치 |
| JP6083129B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2017-02-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JP6453780B2 (ja) | 2013-03-12 | 2019-01-16 | マイクロニック アーベーＭｙｃｒｏｎｉｃ Ａｂ | 機械的に形成されるアライメント基準体の方法及び装置 |
| WO2014140047A2 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Micronic Mydata AB | Method and device for writing photomasks with reduced mura errors |
| CN109829904B (zh) * | 2019-01-29 | 2022-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 检测屏幕上灰尘的方法、装置、电子设备、可读存储介质 |
| CN112884769B (zh) * | 2021-04-12 | 2021-09-28 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 图像处理方法、装置、光学***和计算机可读存储介质 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5244232B2 (ja) * | 1974-04-05 | 1977-11-05 | ||
| US4029962A (en) * | 1975-06-23 | 1977-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Arrays for infrared image detection |
| JPS5568647A (en) * | 1978-11-16 | 1980-05-23 | Fujitsu Ltd | Method of judging whether silicon wafer is good or not |
| JPS5632116A (en) * | 1979-08-23 | 1981-04-01 | Toshiba Corp | Specimen observing device |
| JPS59161043A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-11 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶の欠陥検出方法 |
| JPS59178740A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | 外観欠陥検査装置 |
| JPS60101942A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-06 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 単結晶表面のエツチピツトの測定方法およびそのための装置 |
| JPS6298632A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Hitachi Ltd | パタ−ン検査方法および装置 |
| JPS62173731A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Toshiba Corp | 被検査物の表面検査装置 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62078659A patent/JPH0671038B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-29 US US07/174,879 patent/US4958373A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102012809B1 (ko) * | 2019-04-05 | 2019-08-21 | 충남대학교산학협력단 | 쌍정결함밀도의 평가방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63244753A (ja) | 1988-10-12 |
| US4958373A (en) | 1990-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0671038B2 (ja) | 結晶欠陥認識処理方法 | |
| EP0374694B1 (en) | Defect detection system and method for pattern to be inspected | |
| JP4351522B2 (ja) | パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法 | |
| JP3938227B2 (ja) | 異物検査方法および装置 | |
| US20150029324A1 (en) | Substrate inspection method, substrate manufacturing method and substrate inspection device | |
| WO2013161384A1 (ja) | 画像処理システム、画像処理方法および画像処理プログラム | |
| US5907398A (en) | Particle detecting method and system for detecting minute particles on a workpiece | |
| JP2014137229A (ja) | 検査装置及び欠陥検査方法 | |
| JPH04107946A (ja) | 自動外観検査装置 | |
| JPH06295945A (ja) | 半導体製造プロセスの評価方法および装置 | |
| US20150030230A1 (en) | Substrate inspection method, substrate manufacturing method and substrate inspection device | |
| JP2001127129A (ja) | 試料の欠陥検査システム、および検査方法 | |
| US20070246639A1 (en) | Wafer for manufacturing image sensors, test key layout for defects inspection, and methods for manufacturing image sensors and for forming test key | |
| JP2002340811A (ja) | 表面評価装置 | |
| JP2005315792A (ja) | 欠陥検査分類装置 | |
| JPH11354599A (ja) | シリコンウェーハの結晶欠陥の検査方法、および同方法に使用する結晶欠陥検査装置 | |
| JP2001015567A (ja) | 半導体基板の評価装置および評価方法 | |
| KR100638965B1 (ko) | 금속 잔류물 검사 장비 및 방법 | |
| JP4408902B2 (ja) | 異物検査方法および装置 | |
| JP2004193529A (ja) | ウエーハの評価方法及び装置 | |
| JP2002116155A (ja) | 異物・欠陥検査装置及び検査方法 | |
| JPH06308040A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH09199560A (ja) | 半導体基板表面欠陥の検査方法及びその自動検査装置 | |
| JP2002340537A (ja) | 表面評価方法 | |
| JP3201396B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070907 Year of fee payment: 13 |