JPH0669968B2 - 低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水素の製法 - Google Patents
低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水素の製法Info
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- JPH0669968B2 JPH0669968B2 JP61149658A JP14965886A JPH0669968B2 JP H0669968 B2 JPH0669968 B2 JP H0669968B2 JP 61149658 A JP61149658 A JP 61149658A JP 14965886 A JP14965886 A JP 14965886A JP H0669968 B2 JPH0669968 B2 JP H0669968B2
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水
素の製法に関するものである。
素の製法に関するものである。
更に詳細には、本発明は炭素数５以下の低級パラフイン
系炭化水素例えばエタン、プロパン、ブタン、ペンタン
およびこれらの混合物を芳香族炭化水素へ変換する方法
に関するものである。
系炭化水素例えばエタン、プロパン、ブタン、ペンタン
およびこれらの混合物を芳香族炭化水素へ変換する方法
に関するものである。
従来技術 形状選択性機能をもつZSM−５触媒（モービルオイル
社）に脱水素機能をもつ白金を担持させた触媒を用いて
低級パラフイン系炭化水素から高選択率で芳香族炭化水
素を得る方法が報告されている。
社）に脱水素機能をもつ白金を担持させた触媒を用いて
低級パラフイン系炭化水素から高選択率で芳香族炭化水
素を得る方法が報告されている。
先に本出願人と同一出願人は白金担持ガリウムシリケー
ト触媒が低級パラフインから芳香族炭化水素への選択転
化にすぐれた性能を示すことを見出し特許出願した（特
願昭60−218103）。
ト触媒が低級パラフインから芳香族炭化水素への選択転
化にすぐれた性能を示すことを見出し特許出願した（特
願昭60−218103）。
しかしながら、ガリウムは高価であるので実用化のため
にはそれにかわる触媒の開発が要望されている。そこで
本発明では、イオン交換型Ｈ−ZSM−５触媒においてす
ぐれた効果を示したZnに着目して、Zn−シリケート触媒
を合成し、亜鉛シリケート触媒（Si/Znモル比20−400）
および白金担持亜鉛シリケート触媒（Si/Znモル比20−4
00）が低級パラフイン系炭化水素から芳香族炭化水素の
製造にすぐれた選択性を示すことを見出して本発明に到
達した。
にはそれにかわる触媒の開発が要望されている。そこで
本発明では、イオン交換型Ｈ−ZSM−５触媒においてす
ぐれた効果を示したZnに着目して、Zn−シリケート触媒
を合成し、亜鉛シリケート触媒（Si/Znモル比20−400）
および白金担持亜鉛シリケート触媒（Si/Znモル比20−4
00）が低級パラフイン系炭化水素から芳香族炭化水素の
製造にすぐれた選択性を示すことを見出して本発明に到
達した。
発明が解決しようとする問題点 低級パラフイン系炭化水素（C2−C5炭化水素）から芳香
族炭化水素への変換反応は最初低級パラフイン系炭化水
素（例えばプロパン）が脱水素触媒（例えば白金）の作
用でオレフイン系炭化水素（例えばプロペン）に脱水素
し、次に亜鉛シリケート触媒の酸性点においてプロペン
分子が重合して高分子オレフインになり、次いで芳香族
炭化水素が生成する。この際、主な反応生成物はメタ
ン、エタンおよび芳香族炭化水素に限定されるが、炭素
数１および２の炭化水素の生成を抑制することが必要で
ある。
族炭化水素への変換反応は最初低級パラフイン系炭化水
素（例えばプロパン）が脱水素触媒（例えば白金）の作
用でオレフイン系炭化水素（例えばプロペン）に脱水素
し、次に亜鉛シリケート触媒の酸性点においてプロペン
分子が重合して高分子オレフインになり、次いで芳香族
炭化水素が生成する。この際、主な反応生成物はメタ
ン、エタンおよび芳香族炭化水素に限定されるが、炭素
数１および２の炭化水素の生成を抑制することが必要で
ある。
また、Zn−シリケートの場合、転化活性はかなり低いの
で転化活性の向上のため白金を担持させた白金担持Zn−
シリケート触媒によりプロパン転化反応を行ない、活性
の増加効果が認められた。
で転化活性の向上のため白金を担持させた白金担持Zn−
シリケート触媒によりプロパン転化反応を行ない、活性
の増加効果が認められた。
問題点を解決するための手段 本発明は、C2−C5低級パラフイン系炭化水素を次の組成
（モル％） Si/Zn 20−400 OH-/SiO2 0.3−1.0 H2O/SiO2 30−100 R/R＋アルカリ金属 0.05−0.15 Nacl/H2O 0.01−0.06 （式中Ｒは第４級アルキルアンモニウムカチオン、アル
カリ金属はナトリウムまたはカリウムである） で表わされる亜鉛シリケート触媒または0.25ないし1.5
重量％の白金を担持した亜鉛シリケート触媒の存在下で
反応温度300ないし700℃で処理することを特徴とする低
級パラフイン系炭化水素から芳香族炭化水素の製法に関
するものである。
（モル％） Si/Zn 20−400 OH-/SiO2 0.3−1.0 H2O/SiO2 30−100 R/R＋アルカリ金属 0.05−0.15 Nacl/H2O 0.01−0.06 （式中Ｒは第４級アルキルアンモニウムカチオン、アル
カリ金属はナトリウムまたはカリウムである） で表わされる亜鉛シリケート触媒または0.25ないし1.5
重量％の白金を担持した亜鉛シリケート触媒の存在下で
反応温度300ないし700℃で処理することを特徴とする低
級パラフイン系炭化水素から芳香族炭化水素の製法に関
するものである。
触媒の製法 本発明方法で使用する亜鉛シリケート触媒（以下Zn−シ
リケート触媒という）および白金担持亜鉛シリケート触
媒（Pt担持Znシリケート触媒という）は次のようにして
製造した。
リケート触媒という）および白金担持亜鉛シリケート触
媒（Pt担持Znシリケート触媒という）は次のようにして
製造した。
（１） Znシリケート触媒 次の組成（モル％） Si/Zn 20−400 OH-/SiO2 0.3−1.0 H2O/SiO2 30−100 R/R＋アルカリ金属 0.05−0.15 Nacl/H2O 0.01−0.06 （式中Ｒは第４級アルキルアンモニウムカチオン、好ま
しくは第４級プロピルアンモニウムカチオンであり、ア
ルカリ金属はナトリウムまたはカリウムイオンである） で表わされる組成を有する金属塩〔Zn（NO3）２・6H
2O〕、含窒素有機カチオン（テトラプロピルアンモニウ
ムブロミド）、無機酸（H2SO4）、好ましくはイオン調
整剤（Nacl）を含む水溶液をＡ液とし、ケイ酸塩水溶液
（水ガラス３号:SiO2 28.9％、Na2O 9.3％）をＢ液と
し、イオン調整剤（Nacl）、好ましくは含窒素有機カチ
オン、無機酸および水酸化アルカリを含む水溶液をＣ液
とし、Ａ液およびＢ液のＣ液への添加速度を調整し、PH
9−11になるようにする。ゲル生成後母液を遠心分離
し、ゲル混合物は細分化後、ゲルと母液とを合わせて次
の条件で水熱合成を行つた。
しくは第４級プロピルアンモニウムカチオンであり、ア
ルカリ金属はナトリウムまたはカリウムイオンである） で表わされる組成を有する金属塩〔Zn（NO3）２・6H
2O〕、含窒素有機カチオン（テトラプロピルアンモニウ
ムブロミド）、無機酸（H2SO4）、好ましくはイオン調
整剤（Nacl）を含む水溶液をＡ液とし、ケイ酸塩水溶液
（水ガラス３号:SiO2 28.9％、Na2O 9.3％）をＢ液と
し、イオン調整剤（Nacl）、好ましくは含窒素有機カチ
オン、無機酸および水酸化アルカリを含む水溶液をＣ液
とし、Ａ液およびＢ液のＣ液への添加速度を調整し、PH
9−11になるようにする。ゲル生成後母液を遠心分離
し、ゲル混合物は細分化後、ゲルと母液とを合わせて次
の条件で水熱合成を行つた。
水熱合成はオートクレーブ中で攪拌しつつ最初160℃ま
で90分間で昇温し、次いで250分間で210℃まで直線的に
昇温した。水熱合成後得られたゲル混合物を蒸留水にて
数回水洗後乾燥し、540℃で3.5時間焼成し、Na型Zn−シ
リケートとした。
で90分間で昇温し、次いで250分間で210℃まで直線的に
昇温した。水熱合成後得られたゲル混合物を蒸留水にて
数回水洗後乾燥し、540℃で3.5時間焼成し、Na型Zn−シ
リケートとした。
次に焼成後、1N・NH4NO3水溶液にて80℃、１時間浸漬操
作を数回行い、イオン交換処理を行なつた。さらに蒸留
水にて数回水洗後520−540℃、3.5時間空気気流中で焼
成し、Ｈ型Zn−シリケートとした。
作を数回行い、イオン交換処理を行なつた。さらに蒸留
水にて数回水洗後520−540℃、3.5時間空気気流中で焼
成し、Ｈ型Zn−シリケートとした。
上記の水熱合成反応でゲルの細分化工程が最も重要な工
程である。
程である。
（２） Pt担持Znシリケート触媒 上記の方法で調整した亜鉛シリケート触媒（Si/Zn＝20
−400）を担体とし、これに所定濃度のテトラアンミン
白金塩〔Pt（NH3）4cl2〕水溶液を用いてイオン交換法
により白金を担持した。
−400）を担体とし、これに所定濃度のテトラアンミン
白金塩〔Pt（NH3）4cl2〕水溶液を用いてイオン交換法
により白金を担持した。
白金担持亜鉛シリケート触媒（Si/Zn20−400）について
白金担持量が0.25重量％以下では転化率が小さく、一
方、白金担持量が1.5重量％以上では分解反応が主反応
となり、芳香族炭化水素の選択率が小さくなる。好まし
い範囲は0.5ないし1.0％（重量）である。
白金担持量が0.25重量％以下では転化率が小さく、一
方、白金担持量が1.5重量％以上では分解反応が主反応
となり、芳香族炭化水素の選択率が小さくなる。好まし
い範囲は0.5ないし1.0％（重量）である。
（３） Znシリケート触媒の物性 １） 原子吸光分析によるSi/Zn 原子吸光分析により測定したZn−シリケートのSi/Zn比
とSi/Al比との結果を第１表に示した。
とSi/Al比との結果を第１表に示した。
Znの仕込み比と合成されたＨ型Zn−シリケートのSi/Zn
比はほゞ一致した。しかし、原料に用いる水ガラスには
Al原子が潜在しており、そのAl原子も結晶格子中に取り
込まれているが、Al量すなわちSi/Al比は一定でなくし
かもSi/Zn比との相関性も認められなかつた。
比はほゞ一致した。しかし、原料に用いる水ガラスには
Al原子が潜在しており、そのAl原子も結晶格子中に取り
込まれているが、Al量すなわちSi/Al比は一定でなくし
かもSi/Zn比との相関性も認められなかつた。
２） Zn−シリケートのBET表面積 Zn−シリケートのBET表面積値はSi/Zn比20,40,100,400
の順に触媒1g当り175,313,349,375m2であつた。
の順に触媒1g当り175,313,349,375m2であつた。
３） ZnシリケートのXRD測定 合成したZn−シリケートのＸ線回析像は理学電気製Geig
er−flex−2013にてNi−フイルターを通したGuk α線
で２θが４゜から70゜（deg）の範囲で求めた。
er−flex−2013にてNi−フイルターを通したGuk α線
で２θが４゜から70゜（deg）の範囲で求めた。
合成した４個のZn−シリケートのXRD回析像を第１図に
示した。Znを含んだシリケートの回析像はZSM−５の場
合と同様に8.18,10.19,16.36,20.79,24.29および24.64
（deg.）のところで特長的なピークを示しており、しか
も酸化亜鉛に帰属する回析像は認められなかつた。
示した。Znを含んだシリケートの回析像はZSM−５の場
合と同様に8.18,10.19,16.36,20.79,24.29および24.64
（deg.）のところで特長的なピークを示しており、しか
も酸化亜鉛に帰属する回析像は認められなかつた。
このことによりZnの酸化物はきわめて微細な状態、おそ
らく、結晶格子中に取り込まれた形で結晶内に分散して
おり、Zn−シリケートはZSM−５のペンタシル型細孔構
造をもつているものと考えられる。
らく、結晶格子中に取り込まれた形で結晶内に分散して
おり、Zn−シリケートはZSM−５のペンタシル型細孔構
造をもつているものと考えられる。
４） Zn−シリケートの熱分解挙動 吸着NH3のTPD結果を第２図に示す。
第１表の原子吸光分析結果と第２の吸着NH3とのTPD結果
を比較すると、Si/Zn比がSi/Al比よりも大きかつたSi/Z
n＝100,400の触媒、すなわち、ZnよりAlが多いものでは
高温ピークをもつが、これに対してSi/Zn比がSi/Al比よ
り小さかつたSi/Zn＝20,40、すなわち、AlよりZnの多い
ものでは高温ピークは見られず、低温ピークしか存在し
なかつた。またＨ−ZSM−５のTPD測定では350℃付近に
高温ピークが存在し、この高温ピークはAlに由来する強
い固体酸性点によるものであつた。
を比較すると、Si/Zn比がSi/Al比よりも大きかつたSi/Z
n＝100,400の触媒、すなわち、ZnよりAlが多いものでは
高温ピークをもつが、これに対してSi/Zn比がSi/Al比よ
り小さかつたSi/Zn＝20,40、すなわち、AlよりZnの多い
ものでは高温ピークは見られず、低温ピークしか存在し
なかつた。またＨ−ZSM−５のTPD測定では350℃付近に
高温ピークが存在し、この高温ピークはAlに由来する強
い固体酸性点によるものであつた。
以上のことから、高Si/Zn比の触媒ではAlが酸点生成に
重要であるが、低Si/Zn比のものではZnが重要である。
すなわち、Znより生成した酸点の強度はAlによる酸点に
比べて弱いことがわかつた。
重要であるが、低Si/Zn比のものではZnが重要である。
すなわち、Znより生成した酸点の強度はAlによる酸点に
比べて弱いことがわかつた。
Zn−シリケートの酸性質はGa−シリケートおよびＨ−ZS
M−５とは性質を異にするものと考えられる。
M−５とは性質を異にするものと考えられる。
実施例 次に実施例を掲げて本発明を説明するがこれに限定され
るものではない。
るものではない。
実施例１ 上記のようにして調製された触媒（比重0.905）を打錠
成型後、10〜20メツシユに破砕した後、触媒0.5gを内径
8mmの反応管に充填した常圧流通反応装置を用いて反応
を行なつた。原料ガスとしてプロパン20Vol％、窒素80V
ol％を用い常圧でガス空間速度（GHSV）200hr-1、反応
温度300℃ないし700℃で反応させた。
成型後、10〜20メツシユに破砕した後、触媒0.5gを内径
8mmの反応管に充填した常圧流通反応装置を用いて反応
を行なつた。原料ガスとしてプロパン20Vol％、窒素80V
ol％を用い常圧でガス空間速度（GHSV）200hr-1、反応
温度300℃ないし700℃で反応させた。
反応生成物はガスクロマトグラフで分析した。使用カラ
ムはMS−5A、VZ−10、およびシリコンOV101であつた。
ムはMS−5A、VZ−10、およびシリコンOV101であつた。
Zn−シリケートのZn含量がプロパン転化率におよぼす影
響 Zn−シリケートのZn含量がプロパン転化率におよぼす影
響は第３表ないし第６表および第３図に示した。
響 Zn−シリケートのZn含量がプロパン転化率におよぼす影
響は第３表ないし第６表および第３図に示した。
第３図より、反応温度500℃、550℃、600℃、650℃と高
くなるに従つてプロパン転化率は高くなつた。
くなるに従つてプロパン転化率は高くなつた。
また、各反応温度においてZn含量が増加すると共に転化
率も一旦上昇するが、Zn含量がある程度以上に多くなる
と転化率は逆に低下している。
率も一旦上昇するが、Zn含量がある程度以上に多くなる
と転化率は逆に低下している。
Zn−シリケートのZn含量が芳香族炭化水素の選択率に及
ぼす影響 ZnシリケートのZn含量が反応生成物の選択率に及ぼす影
響（反応温度600℃）を第４図に示した。
ぼす影響 ZnシリケートのZn含量が反応生成物の選択率に及ぼす影
響（反応温度600℃）を第４図に示した。
第４図より、プロピレン選択率の減少と共に芳香族の選
択率は増大し、反対に、芳香族の選択率の減少と共にプ
ロピレン選択率は増大し、両者には明らかな相関性が認
められた。
択率は増大し、反対に、芳香族の選択率の減少と共にプ
ロピレン選択率は増大し、両者には明らかな相関性が認
められた。
また、Zn含量0.26,1.04,2.53および4.88（wt％）と増加
するに従つてプロピレン生成量も9.5,13.1,13.6および2
0.2（ｃ−wt％）と増加していることより、この反応で
はZnの脱水素能によりプロパンからプロピレンを経て、
芳香族化が起つていると考えられる。しかしながら、Zn
含量4.88wt％（Si/Zn＝20）ではZnの脱水素能によりプ
ロピレンは多く生成しているが、芳香族の生成は少なか
つた。
するに従つてプロピレン生成量も9.5,13.1,13.6および2
0.2（ｃ−wt％）と増加していることより、この反応で
はZnの脱水素能によりプロパンからプロピレンを経て、
芳香族化が起つていると考えられる。しかしながら、Zn
含量4.88wt％（Si/Zn＝20）ではZnの脱水素能によりプ
ロピレンは多く生成しているが、芳香族の生成は少なか
つた。
また、Zn含量の多いSi/Zn＝20ではBET表面積が175（m2/
g）と少なく、Zn含量が多くなるとZnの脱水素能により
プロパンからプロピレンへの過程は促進されるが、触媒
の結晶性は悪くなり、プロピレンから芳香族への過程は
進行しにくくなり、転化率は減少するものと考えられ
る。
g）と少なく、Zn含量が多くなるとZnの脱水素能により
プロパンからプロピレンへの過程は促進されるが、触媒
の結晶性は悪くなり、プロピレンから芳香族への過程は
進行しにくくなり、転化率は減少するものと考えられ
る。
第３図より、反応温度が高くなるにつれて、少ないZn含
量で高い転化率が得られることがわかる。このことはプ
ロパンからプロピレン生成過程が吸熱反応であることゝ
一致している。
量で高い転化率が得られることがわかる。このことはプ
ロパンからプロピレン生成過程が吸熱反応であることゝ
一致している。
第３図および第４図よりこの反応ではZn含量、触媒の結
晶形および反応温度が転化率、選択率にとつて重要な因
子であり、反応温度600℃、Zn含量1.7wt％（Si/Zn＝6
0）が最適条件で、転化率82.0％、芳香族選択率50.9％
と高い芳香族化能を示すことがわかつた。
晶形および反応温度が転化率、選択率にとつて重要な因
子であり、反応温度600℃、Zn含量1.7wt％（Si/Zn＝6
0）が最適条件で、転化率82.0％、芳香族選択率50.9％
と高い芳香族化能を示すことがわかつた。
実施例２ Zn−シリケート触媒のPt担持効果 触媒としてPt担持Znシリケート触媒（Si/Znモル比20−4
00）を用いる他は実施例１と同様にして実施した。
00）を用いる他は実施例１と同様にして実施した。
触媒として0.5wt％、Pt担持Znシリケート触媒（Si/Zn＝
40,100）を使用した。
40,100）を使用した。
その結果をPt担持Ｈ−ZMS−５触媒、Pt担持Ga−シリケ
ート触媒の場合と比較し第２表に示した。
ート触媒の場合と比較し第２表に示した。
また、転化率、芳香族収率および芳香族選択率を第７表
および第８表に示した。
および第８表に示した。
Znシリケート触媒（Si/Zn＝40、反応温度600℃）の場
合、転化率64.2％、芳香族収率28.0％、芳香族選択率4
3.5％;Gaシリケート触媒（Si/Ga＝40、反応温度600℃）
の場合転化率25.9％、芳香族収率9.8％、芳香族選択率3
7.9％であつた。
合、転化率64.2％、芳香族収率28.0％、芳香族選択率4
3.5％;Gaシリケート触媒（Si/Ga＝40、反応温度600℃）
の場合転化率25.9％、芳香族収率9.8％、芳香族選択率3
7.9％であつた。
上記の結果から、Znシリケート触媒は低級パラフイン系
炭化水素（プロパン）の芳香族化に有効な触媒であるこ
とがわかつた。
炭化水素（プロパン）の芳香族化に有効な触媒であるこ
とがわかつた。
しかしながら、第２表に示すように0.5wt％Pt担持Ｈ−Z
SM−５触媒では500℃で91.8％の高転化率を示すのに対
してZn−シリケート触媒では転化活性が低い。そこでSi
/Zn100のZn−シリケート触媒に0.5wt％Pt担持シリケー
ト触媒を用いて転化反応を行なつた。その結果を第５図
に示した。
SM−５触媒では500℃で91.8％の高転化率を示すのに対
してZn−シリケート触媒では転化活性が低い。そこでSi
/Zn100のZn−シリケート触媒に0.5wt％Pt担持シリケー
ト触媒を用いて転化反応を行なつた。その結果を第５図
に示した。
反応条件はC3H8 20％（容量）、N2 80％（容量）、SV
＝2000h-1であつた。
＝2000h-1であつた。
第５図より、Pt担持Znシリケート触媒の場合はZn−シリ
ケート触媒の場合より反応温度400〜650℃において転化
率（プロパン）は増大しており、明らかにPt担持効果が
認められた。
ケート触媒の場合より反応温度400〜650℃において転化
率（プロパン）は増大しており、明らかにPt担持効果が
認められた。
反応温度550℃の場合、Pt−担持効果が大きく転化率は2
6.8％から51.6％まで増加した。
6.8％から51.6％まで増加した。
Pt担持Zn−シリケート触媒によるプロパン転化の経時変
化 0.5wt％Pt担持Zn−シリケート触媒（Si/Zn100）を用い
て600℃におけるプロパン転化率および生成炭化水素の
選択率の経時変化を第６図に示した。
化 0.5wt％Pt担持Zn−シリケート触媒（Si/Zn100）を用い
て600℃におけるプロパン転化率および生成炭化水素の
選択率の経時変化を第６図に示した。
第６図より、プロパン転化率の低下は選択率の低下に比
較して少ないことがわかつた。
較して少ないことがわかつた。
第２表に示したPt担持Ga−シリケート触媒（Si/Ga＝2
1）は、Pt担持Zn−シリケート触媒より高い芳香族化能
を示しているが、経時変化に対して初期活性80.0％、25
時経過後54.0％と触媒活性は大きく劣化している。
1）は、Pt担持Zn−シリケート触媒より高い芳香族化能
を示しているが、経時変化に対して初期活性80.0％、25
時経過後54.0％と触媒活性は大きく劣化している。
一方Pt−担持Znシリケート触媒では初期活性86.8％、26
時間経過後は70.0％と転化活性は高く保たれており、Pt
担持Zn−シリケート触媒はPt担持Ga−シリケート触媒よ
り触媒寿命が長いことがわかつた。
時間経過後は70.0％と転化活性は高く保たれており、Pt
担持Zn−シリケート触媒はPt担持Ga−シリケート触媒よ
り触媒寿命が長いことがわかつた。
また、触媒の再生は、酸素ガス（5.07％O2/He、流速35.
6ml/分）を用い、550℃、約２時間の焼成により容易に
おこなわれた。コークス析出量も少なかつた。これはコ
ークスの焼成時に担持Ptが燃焼触媒として作用するこ
と、およびPt担持効果により反応温度を下げることがで
き、析出コークス量が減少したことによるものと考えら
れる。
6ml/分）を用い、550℃、約２時間の焼成により容易に
おこなわれた。コークス析出量も少なかつた。これはコ
ークスの焼成時に担持Ptが燃焼触媒として作用するこ
と、およびPt担持効果により反応温度を下げることがで
き、析出コークス量が減少したことによるものと考えら
れる。
発明の効果 （１） Zn−シリケート触媒はGa−シリケート触媒およ
びＨ−ZSM−５触媒より低級パラフイン系炭化水素の芳
香族化能がすぐれている。
びＨ−ZSM−５触媒より低級パラフイン系炭化水素の芳
香族化能がすぐれている。
（２） Pt担持Znシリケート触媒はZnシリケート触媒よ
り転化率、芳香族収率および芳香族選択率がすぐれ、Pt
担持効果が認められた。
り転化率、芳香族収率および芳香族選択率がすぐれ、Pt
担持効果が認められた。
第１図は各種触媒のＸ線回析グラフ： 第２図はZn−シリケート触媒の熱分解挙動を示すグラ
フ： 第３図はZn−シリケート触媒におけるZn含有量（wt％）
とプロパン転化率（％）との関係を示すグラフ： 第４図はZn−シリケート触媒におけるZn含有量（wt％）
と反応生成物選択率（wt％）との関係を示すグラフ： 第５図はPt担持Zn−シリケート触媒における反応温度
（℃）とプロパン転化率（％）との関係を示すグラフ： 第６図はPt担持Zn−シリケート触媒における経時時間
（hr）とプロパン転化率（％）との関係を示すグラフ である。
フ： 第３図はZn−シリケート触媒におけるZn含有量（wt％）
とプロパン転化率（％）との関係を示すグラフ： 第４図はZn−シリケート触媒におけるZn含有量（wt％）
と反応生成物選択率（wt％）との関係を示すグラフ： 第５図はPt担持Zn−シリケート触媒における反応温度
（℃）とプロパン転化率（％）との関係を示すグラフ： 第６図はPt担持Zn−シリケート触媒における経時時間
（hr）とプロパン転化率（％）との関係を示すグラフ である。
Claims (1)
- 【請求項１】低級パラフイン系炭化水素を亜鉛シリケー
ト触媒（Si/Znモル比20−400）または0.25ないし1.5重
量％の白金担持亜鉛シリケート触媒（Si/Znモル比20−4
00）の存在下で反応温度300℃ないし700℃で処理するこ
とを特徴とする低級パラフイン系炭化水素から芳香族炭
化水素の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149658A JPH0669968B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水素の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149658A JPH0669968B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水素の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS638342A JPS638342A (ja) | 1988-01-14 |
| JPH0669968B2 true JPH0669968B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=15480023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149658A Expired - Fee Related JPH0669968B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水素の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669968B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0721149B2 (ja) * | 1989-12-04 | 1995-03-08 | ユーオーピー | 芳香族炭化水素の連続接触的選択的製造方法 |
| JP7349857B2 (ja) * | 2019-09-10 | 2023-09-25 | 学校法人 関西大学 | エチレン製造用触媒及びエチレンの製造方法 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61149658A patent/JPH0669968B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS638342A (ja) | 1988-01-14 |
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