JPH0669968B2 - 低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水素の製法 - Google Patents
低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水素の製法Info
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- JPH0669968B2 JPH0669968B2 JP61149658A JP14965886A JPH0669968B2 JP H0669968 B2 JPH0669968 B2 JP H0669968B2 JP 61149658 A JP61149658 A JP 61149658A JP 14965886 A JP14965886 A JP 14965886A JP H0669968 B2 JPH0669968 B2 JP H0669968B2
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- Production Of Liquid Hydrocarbon Mixture For Refining Petroleum (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水
素の製法に関するものである。
素の製法に関するものである。
更に詳細には、本発明は炭素数5以下の低級パラフイン
系炭化水素例えばエタン、プロパン、ブタン、ペンタン
およびこれらの混合物を芳香族炭化水素へ変換する方法
に関するものである。
系炭化水素例えばエタン、プロパン、ブタン、ペンタン
およびこれらの混合物を芳香族炭化水素へ変換する方法
に関するものである。
従来技術 形状選択性機能をもつZSM−5触媒(モービルオイル
社)に脱水素機能をもつ白金を担持させた触媒を用いて
低級パラフイン系炭化水素から高選択率で芳香族炭化水
素を得る方法が報告されている。
社)に脱水素機能をもつ白金を担持させた触媒を用いて
低級パラフイン系炭化水素から高選択率で芳香族炭化水
素を得る方法が報告されている。
先に本出願人と同一出願人は白金担持ガリウムシリケー
ト触媒が低級パラフインから芳香族炭化水素への選択転
化にすぐれた性能を示すことを見出し特許出願した(特
願昭60−218103)。
ト触媒が低級パラフインから芳香族炭化水素への選択転
化にすぐれた性能を示すことを見出し特許出願した(特
願昭60−218103)。
しかしながら、ガリウムは高価であるので実用化のため
にはそれにかわる触媒の開発が要望されている。そこで
本発明では、イオン交換型H−ZSM−5触媒においてす
ぐれた効果を示したZnに着目して、Zn−シリケート触媒
を合成し、亜鉛シリケート触媒(Si/Znモル比20−400)
および白金担持亜鉛シリケート触媒(Si/Znモル比20−4
00)が低級パラフイン系炭化水素から芳香族炭化水素の
製造にすぐれた選択性を示すことを見出して本発明に到
達した。
にはそれにかわる触媒の開発が要望されている。そこで
本発明では、イオン交換型H−ZSM−5触媒においてす
ぐれた効果を示したZnに着目して、Zn−シリケート触媒
を合成し、亜鉛シリケート触媒(Si/Znモル比20−400)
および白金担持亜鉛シリケート触媒(Si/Znモル比20−4
00)が低級パラフイン系炭化水素から芳香族炭化水素の
製造にすぐれた選択性を示すことを見出して本発明に到
達した。
発明が解決しようとする問題点 低級パラフイン系炭化水素(C2−C5炭化水素)から芳香
族炭化水素への変換反応は最初低級パラフイン系炭化水
素(例えばプロパン)が脱水素触媒(例えば白金)の作
用でオレフイン系炭化水素(例えばプロペン)に脱水素
し、次に亜鉛シリケート触媒の酸性点においてプロペン
分子が重合して高分子オレフインになり、次いで芳香族
炭化水素が生成する。この際、主な反応生成物はメタ
ン、エタンおよび芳香族炭化水素に限定されるが、炭素
数1および2の炭化水素の生成を抑制することが必要で
ある。
族炭化水素への変換反応は最初低級パラフイン系炭化水
素(例えばプロパン)が脱水素触媒(例えば白金)の作
用でオレフイン系炭化水素(例えばプロペン)に脱水素
し、次に亜鉛シリケート触媒の酸性点においてプロペン
分子が重合して高分子オレフインになり、次いで芳香族
炭化水素が生成する。この際、主な反応生成物はメタ
ン、エタンおよび芳香族炭化水素に限定されるが、炭素
数1および2の炭化水素の生成を抑制することが必要で
ある。
また、Zn−シリケートの場合、転化活性はかなり低いの
で転化活性の向上のため白金を担持させた白金担持Zn−
シリケート触媒によりプロパン転化反応を行ない、活性
の増加効果が認められた。
で転化活性の向上のため白金を担持させた白金担持Zn−
シリケート触媒によりプロパン転化反応を行ない、活性
の増加効果が認められた。
問題点を解決するための手段 本発明は、C2−C5低級パラフイン系炭化水素を次の組成
(モル%) Si/Zn 20−400 OH-/SiO2 0.3−1.0 H2O/SiO2 30−100 R/R+アルカリ金属 0.05−0.15 Nacl/H2O 0.01−0.06 (式中Rは第4級アルキルアンモニウムカチオン、アル
カリ金属はナトリウムまたはカリウムである) で表わされる亜鉛シリケート触媒または0.25ないし1.5
重量%の白金を担持した亜鉛シリケート触媒の存在下で
反応温度300ないし700℃で処理することを特徴とする低
級パラフイン系炭化水素から芳香族炭化水素の製法に関
するものである。
(モル%) Si/Zn 20−400 OH-/SiO2 0.3−1.0 H2O/SiO2 30−100 R/R+アルカリ金属 0.05−0.15 Nacl/H2O 0.01−0.06 (式中Rは第4級アルキルアンモニウムカチオン、アル
カリ金属はナトリウムまたはカリウムである) で表わされる亜鉛シリケート触媒または0.25ないし1.5
重量%の白金を担持した亜鉛シリケート触媒の存在下で
反応温度300ないし700℃で処理することを特徴とする低
級パラフイン系炭化水素から芳香族炭化水素の製法に関
するものである。
触媒の製法 本発明方法で使用する亜鉛シリケート触媒(以下Zn−シ
リケート触媒という)および白金担持亜鉛シリケート触
媒(Pt担持Znシリケート触媒という)は次のようにして
製造した。
リケート触媒という)および白金担持亜鉛シリケート触
媒(Pt担持Znシリケート触媒という)は次のようにして
製造した。
(1) Znシリケート触媒 次の組成(モル%) Si/Zn 20−400 OH-/SiO2 0.3−1.0 H2O/SiO2 30−100 R/R+アルカリ金属 0.05−0.15 Nacl/H2O 0.01−0.06 (式中Rは第4級アルキルアンモニウムカチオン、好ま
しくは第4級プロピルアンモニウムカチオンであり、ア
ルカリ金属はナトリウムまたはカリウムイオンである) で表わされる組成を有する金属塩〔Zn(NO3)2・6H
2O〕、含窒素有機カチオン(テトラプロピルアンモニウ
ムブロミド)、無機酸(H2SO4)、好ましくはイオン調
整剤(Nacl)を含む水溶液をA液とし、ケイ酸塩水溶液
(水ガラス3号:SiO2 28.9%、Na2O 9.3%)をB液と
し、イオン調整剤(Nacl)、好ましくは含窒素有機カチ
オン、無機酸および水酸化アルカリを含む水溶液をC液
とし、A液およびB液のC液への添加速度を調整し、PH
9−11になるようにする。ゲル生成後母液を遠心分離
し、ゲル混合物は細分化後、ゲルと母液とを合わせて次
の条件で水熱合成を行つた。
しくは第4級プロピルアンモニウムカチオンであり、ア
ルカリ金属はナトリウムまたはカリウムイオンである) で表わされる組成を有する金属塩〔Zn(NO3)2・6H
2O〕、含窒素有機カチオン(テトラプロピルアンモニウ
ムブロミド)、無機酸(H2SO4)、好ましくはイオン調
整剤(Nacl)を含む水溶液をA液とし、ケイ酸塩水溶液
(水ガラス3号:SiO2 28.9%、Na2O 9.3%)をB液と
し、イオン調整剤(Nacl)、好ましくは含窒素有機カチ
オン、無機酸および水酸化アルカリを含む水溶液をC液
とし、A液およびB液のC液への添加速度を調整し、PH
9−11になるようにする。ゲル生成後母液を遠心分離
し、ゲル混合物は細分化後、ゲルと母液とを合わせて次
の条件で水熱合成を行つた。
水熱合成はオートクレーブ中で攪拌しつつ最初160℃ま
で90分間で昇温し、次いで250分間で210℃まで直線的に
昇温した。水熱合成後得られたゲル混合物を蒸留水にて
数回水洗後乾燥し、540℃で3.5時間焼成し、Na型Zn−シ
リケートとした。
で90分間で昇温し、次いで250分間で210℃まで直線的に
昇温した。水熱合成後得られたゲル混合物を蒸留水にて
数回水洗後乾燥し、540℃で3.5時間焼成し、Na型Zn−シ
リケートとした。
次に焼成後、1N・NH4NO3水溶液にて80℃、1時間浸漬操
作を数回行い、イオン交換処理を行なつた。さらに蒸留
水にて数回水洗後520−540℃、3.5時間空気気流中で焼
成し、H型Zn−シリケートとした。
作を数回行い、イオン交換処理を行なつた。さらに蒸留
水にて数回水洗後520−540℃、3.5時間空気気流中で焼
成し、H型Zn−シリケートとした。
上記の水熱合成反応でゲルの細分化工程が最も重要な工
程である。
程である。
(2) Pt担持Znシリケート触媒 上記の方法で調整した亜鉛シリケート触媒(Si/Zn=20
−400)を担体とし、これに所定濃度のテトラアンミン
白金塩〔Pt(NH3)4cl2〕水溶液を用いてイオン交換法
により白金を担持した。
−400)を担体とし、これに所定濃度のテトラアンミン
白金塩〔Pt(NH3)4cl2〕水溶液を用いてイオン交換法
により白金を担持した。
白金担持亜鉛シリケート触媒(Si/Zn20−400)について
白金担持量が0.25重量%以下では転化率が小さく、一
方、白金担持量が1.5重量%以上では分解反応が主反応
となり、芳香族炭化水素の選択率が小さくなる。好まし
い範囲は0.5ないし1.0%(重量)である。
白金担持量が0.25重量%以下では転化率が小さく、一
方、白金担持量が1.5重量%以上では分解反応が主反応
となり、芳香族炭化水素の選択率が小さくなる。好まし
い範囲は0.5ないし1.0%(重量)である。
(3) Znシリケート触媒の物性 1) 原子吸光分析によるSi/Zn 原子吸光分析により測定したZn−シリケートのSi/Zn比
とSi/Al比との結果を第1表に示した。
とSi/Al比との結果を第1表に示した。
Znの仕込み比と合成されたH型Zn−シリケートのSi/Zn
比はほゞ一致した。しかし、原料に用いる水ガラスには
Al原子が潜在しており、そのAl原子も結晶格子中に取り
込まれているが、Al量すなわちSi/Al比は一定でなくし
かもSi/Zn比との相関性も認められなかつた。
比はほゞ一致した。しかし、原料に用いる水ガラスには
Al原子が潜在しており、そのAl原子も結晶格子中に取り
込まれているが、Al量すなわちSi/Al比は一定でなくし
かもSi/Zn比との相関性も認められなかつた。
2) Zn−シリケートのBET表面積 Zn−シリケートのBET表面積値はSi/Zn比20,40,100,400
の順に触媒1g当り175,313,349,375m2であつた。
の順に触媒1g当り175,313,349,375m2であつた。
3) ZnシリケートのXRD測定 合成したZn−シリケートのX線回析像は理学電気製Geig
er−flex−2013にてNi−フイルターを通したGuk α線
で2θが4゜から70゜(deg)の範囲で求めた。
er−flex−2013にてNi−フイルターを通したGuk α線
で2θが4゜から70゜(deg)の範囲で求めた。
合成した4個のZn−シリケートのXRD回析像を第1図に
示した。Znを含んだシリケートの回析像はZSM−5の場
合と同様に8.18,10.19,16.36,20.79,24.29および24.64
(deg.)のところで特長的なピークを示しており、しか
も酸化亜鉛に帰属する回析像は認められなかつた。
示した。Znを含んだシリケートの回析像はZSM−5の場
合と同様に8.18,10.19,16.36,20.79,24.29および24.64
(deg.)のところで特長的なピークを示しており、しか
も酸化亜鉛に帰属する回析像は認められなかつた。
このことによりZnの酸化物はきわめて微細な状態、おそ
らく、結晶格子中に取り込まれた形で結晶内に分散して
おり、Zn−シリケートはZSM−5のペンタシル型細孔構
造をもつているものと考えられる。
らく、結晶格子中に取り込まれた形で結晶内に分散して
おり、Zn−シリケートはZSM−5のペンタシル型細孔構
造をもつているものと考えられる。
4) Zn−シリケートの熱分解挙動 吸着NH3のTPD結果を第2図に示す。
第1表の原子吸光分析結果と第2の吸着NH3とのTPD結果
を比較すると、Si/Zn比がSi/Al比よりも大きかつたSi/Z
n=100,400の触媒、すなわち、ZnよりAlが多いものでは
高温ピークをもつが、これに対してSi/Zn比がSi/Al比よ
り小さかつたSi/Zn=20,40、すなわち、AlよりZnの多い
ものでは高温ピークは見られず、低温ピークしか存在し
なかつた。またH−ZSM−5のTPD測定では350℃付近に
高温ピークが存在し、この高温ピークはAlに由来する強
い固体酸性点によるものであつた。
を比較すると、Si/Zn比がSi/Al比よりも大きかつたSi/Z
n=100,400の触媒、すなわち、ZnよりAlが多いものでは
高温ピークをもつが、これに対してSi/Zn比がSi/Al比よ
り小さかつたSi/Zn=20,40、すなわち、AlよりZnの多い
ものでは高温ピークは見られず、低温ピークしか存在し
なかつた。またH−ZSM−5のTPD測定では350℃付近に
高温ピークが存在し、この高温ピークはAlに由来する強
い固体酸性点によるものであつた。
以上のことから、高Si/Zn比の触媒ではAlが酸点生成に
重要であるが、低Si/Zn比のものではZnが重要である。
すなわち、Znより生成した酸点の強度はAlによる酸点に
比べて弱いことがわかつた。
重要であるが、低Si/Zn比のものではZnが重要である。
すなわち、Znより生成した酸点の強度はAlによる酸点に
比べて弱いことがわかつた。
Zn−シリケートの酸性質はGa−シリケートおよびH−ZS
M−5とは性質を異にするものと考えられる。
M−5とは性質を異にするものと考えられる。
実施例 次に実施例を掲げて本発明を説明するがこれに限定され
るものではない。
るものではない。
実施例1 上記のようにして調製された触媒(比重0.905)を打錠
成型後、10〜20メツシユに破砕した後、触媒0.5gを内径
8mmの反応管に充填した常圧流通反応装置を用いて反応
を行なつた。原料ガスとしてプロパン20Vol%、窒素80V
ol%を用い常圧でガス空間速度(GHSV)200hr-1、反応
温度300℃ないし700℃で反応させた。
成型後、10〜20メツシユに破砕した後、触媒0.5gを内径
8mmの反応管に充填した常圧流通反応装置を用いて反応
を行なつた。原料ガスとしてプロパン20Vol%、窒素80V
ol%を用い常圧でガス空間速度(GHSV)200hr-1、反応
温度300℃ないし700℃で反応させた。
反応生成物はガスクロマトグラフで分析した。使用カラ
ムはMS−5A、VZ−10、およびシリコンOV101であつた。
ムはMS−5A、VZ−10、およびシリコンOV101であつた。
Zn−シリケートのZn含量がプロパン転化率におよぼす影
響 Zn−シリケートのZn含量がプロパン転化率におよぼす影
響は第3表ないし第6表および第3図に示した。
響 Zn−シリケートのZn含量がプロパン転化率におよぼす影
響は第3表ないし第6表および第3図に示した。
第3図より、反応温度500℃、550℃、600℃、650℃と高
くなるに従つてプロパン転化率は高くなつた。
くなるに従つてプロパン転化率は高くなつた。
また、各反応温度においてZn含量が増加すると共に転化
率も一旦上昇するが、Zn含量がある程度以上に多くなる
と転化率は逆に低下している。
率も一旦上昇するが、Zn含量がある程度以上に多くなる
と転化率は逆に低下している。
Zn−シリケートのZn含量が芳香族炭化水素の選択率に及
ぼす影響 ZnシリケートのZn含量が反応生成物の選択率に及ぼす影
響(反応温度600℃)を第4図に示した。
ぼす影響 ZnシリケートのZn含量が反応生成物の選択率に及ぼす影
響(反応温度600℃)を第4図に示した。
第4図より、プロピレン選択率の減少と共に芳香族の選
択率は増大し、反対に、芳香族の選択率の減少と共にプ
ロピレン選択率は増大し、両者には明らかな相関性が認
められた。
択率は増大し、反対に、芳香族の選択率の減少と共にプ
ロピレン選択率は増大し、両者には明らかな相関性が認
められた。
また、Zn含量0.26,1.04,2.53および4.88(wt%)と増加
するに従つてプロピレン生成量も9.5,13.1,13.6および2
0.2(c−wt%)と増加していることより、この反応で
はZnの脱水素能によりプロパンからプロピレンを経て、
芳香族化が起つていると考えられる。しかしながら、Zn
含量4.88wt%(Si/Zn=20)ではZnの脱水素能によりプ
ロピレンは多く生成しているが、芳香族の生成は少なか
つた。
するに従つてプロピレン生成量も9.5,13.1,13.6および2
0.2(c−wt%)と増加していることより、この反応で
はZnの脱水素能によりプロパンからプロピレンを経て、
芳香族化が起つていると考えられる。しかしながら、Zn
含量4.88wt%(Si/Zn=20)ではZnの脱水素能によりプ
ロピレンは多く生成しているが、芳香族の生成は少なか
つた。
また、Zn含量の多いSi/Zn=20ではBET表面積が175(m2/
g)と少なく、Zn含量が多くなるとZnの脱水素能により
プロパンからプロピレンへの過程は促進されるが、触媒
の結晶性は悪くなり、プロピレンから芳香族への過程は
進行しにくくなり、転化率は減少するものと考えられ
る。
g)と少なく、Zn含量が多くなるとZnの脱水素能により
プロパンからプロピレンへの過程は促進されるが、触媒
の結晶性は悪くなり、プロピレンから芳香族への過程は
進行しにくくなり、転化率は減少するものと考えられ
る。
第3図より、反応温度が高くなるにつれて、少ないZn含
量で高い転化率が得られることがわかる。このことはプ
ロパンからプロピレン生成過程が吸熱反応であることゝ
一致している。
量で高い転化率が得られることがわかる。このことはプ
ロパンからプロピレン生成過程が吸熱反応であることゝ
一致している。
第3図および第4図よりこの反応ではZn含量、触媒の結
晶形および反応温度が転化率、選択率にとつて重要な因
子であり、反応温度600℃、Zn含量1.7wt%(Si/Zn=6
0)が最適条件で、転化率82.0%、芳香族選択率50.9%
と高い芳香族化能を示すことがわかつた。
晶形および反応温度が転化率、選択率にとつて重要な因
子であり、反応温度600℃、Zn含量1.7wt%(Si/Zn=6
0)が最適条件で、転化率82.0%、芳香族選択率50.9%
と高い芳香族化能を示すことがわかつた。
実施例2 Zn−シリケート触媒のPt担持効果 触媒としてPt担持Znシリケート触媒(Si/Znモル比20−4
00)を用いる他は実施例1と同様にして実施した。
00)を用いる他は実施例1と同様にして実施した。
触媒として0.5wt%、Pt担持Znシリケート触媒(Si/Zn=
40,100)を使用した。
40,100)を使用した。
その結果をPt担持H−ZMS−5触媒、Pt担持Ga−シリケ
ート触媒の場合と比較し第2表に示した。
ート触媒の場合と比較し第2表に示した。
また、転化率、芳香族収率および芳香族選択率を第7表
および第8表に示した。
および第8表に示した。
Znシリケート触媒(Si/Zn=40、反応温度600℃)の場
合、転化率64.2%、芳香族収率28.0%、芳香族選択率4
3.5%;Gaシリケート触媒(Si/Ga=40、反応温度600℃)
の場合転化率25.9%、芳香族収率9.8%、芳香族選択率3
7.9%であつた。
合、転化率64.2%、芳香族収率28.0%、芳香族選択率4
3.5%;Gaシリケート触媒(Si/Ga=40、反応温度600℃)
の場合転化率25.9%、芳香族収率9.8%、芳香族選択率3
7.9%であつた。
上記の結果から、Znシリケート触媒は低級パラフイン系
炭化水素(プロパン)の芳香族化に有効な触媒であるこ
とがわかつた。
炭化水素(プロパン)の芳香族化に有効な触媒であるこ
とがわかつた。
しかしながら、第2表に示すように0.5wt%Pt担持H−Z
SM−5触媒では500℃で91.8%の高転化率を示すのに対
してZn−シリケート触媒では転化活性が低い。そこでSi
/Zn100のZn−シリケート触媒に0.5wt%Pt担持シリケー
ト触媒を用いて転化反応を行なつた。その結果を第5図
に示した。
SM−5触媒では500℃で91.8%の高転化率を示すのに対
してZn−シリケート触媒では転化活性が低い。そこでSi
/Zn100のZn−シリケート触媒に0.5wt%Pt担持シリケー
ト触媒を用いて転化反応を行なつた。その結果を第5図
に示した。
反応条件はC3H8 20%(容量)、N2 80%(容量)、SV
=2000h-1であつた。
=2000h-1であつた。
第5図より、Pt担持Znシリケート触媒の場合はZn−シリ
ケート触媒の場合より反応温度400〜650℃において転化
率(プロパン)は増大しており、明らかにPt担持効果が
認められた。
ケート触媒の場合より反応温度400〜650℃において転化
率(プロパン)は増大しており、明らかにPt担持効果が
認められた。
反応温度550℃の場合、Pt−担持効果が大きく転化率は2
6.8%から51.6%まで増加した。
6.8%から51.6%まで増加した。
Pt担持Zn−シリケート触媒によるプロパン転化の経時変
化 0.5wt%Pt担持Zn−シリケート触媒(Si/Zn100)を用い
て600℃におけるプロパン転化率および生成炭化水素の
選択率の経時変化を第6図に示した。
化 0.5wt%Pt担持Zn−シリケート触媒(Si/Zn100)を用い
て600℃におけるプロパン転化率および生成炭化水素の
選択率の経時変化を第6図に示した。
第6図より、プロパン転化率の低下は選択率の低下に比
較して少ないことがわかつた。
較して少ないことがわかつた。
第2表に示したPt担持Ga−シリケート触媒(Si/Ga=2
1)は、Pt担持Zn−シリケート触媒より高い芳香族化能
を示しているが、経時変化に対して初期活性80.0%、25
時経過後54.0%と触媒活性は大きく劣化している。
1)は、Pt担持Zn−シリケート触媒より高い芳香族化能
を示しているが、経時変化に対して初期活性80.0%、25
時経過後54.0%と触媒活性は大きく劣化している。
一方Pt−担持Znシリケート触媒では初期活性86.8%、26
時間経過後は70.0%と転化活性は高く保たれており、Pt
担持Zn−シリケート触媒はPt担持Ga−シリケート触媒よ
り触媒寿命が長いことがわかつた。
時間経過後は70.0%と転化活性は高く保たれており、Pt
担持Zn−シリケート触媒はPt担持Ga−シリケート触媒よ
り触媒寿命が長いことがわかつた。
また、触媒の再生は、酸素ガス(5.07%O2/He、流速35.
6ml/分)を用い、550℃、約2時間の焼成により容易に
おこなわれた。コークス析出量も少なかつた。これはコ
ークスの焼成時に担持Ptが燃焼触媒として作用するこ
と、およびPt担持効果により反応温度を下げることがで
き、析出コークス量が減少したことによるものと考えら
れる。
6ml/分)を用い、550℃、約2時間の焼成により容易に
おこなわれた。コークス析出量も少なかつた。これはコ
ークスの焼成時に担持Ptが燃焼触媒として作用するこ
と、およびPt担持効果により反応温度を下げることがで
き、析出コークス量が減少したことによるものと考えら
れる。
発明の効果 (1) Zn−シリケート触媒はGa−シリケート触媒およ
びH−ZSM−5触媒より低級パラフイン系炭化水素の芳
香族化能がすぐれている。
びH−ZSM−5触媒より低級パラフイン系炭化水素の芳
香族化能がすぐれている。
(2) Pt担持Znシリケート触媒はZnシリケート触媒よ
り転化率、芳香族収率および芳香族選択率がすぐれ、Pt
担持効果が認められた。
り転化率、芳香族収率および芳香族選択率がすぐれ、Pt
担持効果が認められた。
第1図は各種触媒のX線回析グラフ: 第2図はZn−シリケート触媒の熱分解挙動を示すグラ
フ: 第3図はZn−シリケート触媒におけるZn含有量(wt%)
とプロパン転化率(%)との関係を示すグラフ: 第4図はZn−シリケート触媒におけるZn含有量(wt%)
と反応生成物選択率(wt%)との関係を示すグラフ: 第5図はPt担持Zn−シリケート触媒における反応温度
(℃)とプロパン転化率(%)との関係を示すグラフ: 第6図はPt担持Zn−シリケート触媒における経時時間
(hr)とプロパン転化率(%)との関係を示すグラフ である。
フ: 第3図はZn−シリケート触媒におけるZn含有量(wt%)
とプロパン転化率(%)との関係を示すグラフ: 第4図はZn−シリケート触媒におけるZn含有量(wt%)
と反応生成物選択率(wt%)との関係を示すグラフ: 第5図はPt担持Zn−シリケート触媒における反応温度
(℃)とプロパン転化率(%)との関係を示すグラフ: 第6図はPt担持Zn−シリケート触媒における経時時間
(hr)とプロパン転化率(%)との関係を示すグラフ である。
Claims (1)
- 【請求項1】低級パラフイン系炭化水素を亜鉛シリケー
ト触媒(Si/Znモル比20−400)または0.25ないし1.5重
量%の白金担持亜鉛シリケート触媒(Si/Znモル比20−4
00)の存在下で反応温度300℃ないし700℃で処理するこ
とを特徴とする低級パラフイン系炭化水素から芳香族炭
化水素の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61149658A JPH0669968B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水素の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61149658A JPH0669968B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水素の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS638342A JPS638342A (ja) | 1988-01-14 |
JPH0669968B2 true JPH0669968B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=15480023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61149658A Expired - Fee Related JPH0669968B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 低級パラフイン系炭化水素からの芳香族炭化水素の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0669968B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0721149B2 (ja) * | 1989-12-04 | 1995-03-08 | ユーオーピー | 芳香族炭化水素の連続接触的選択的製造方法 |
JP7349857B2 (ja) * | 2019-09-10 | 2023-09-25 | 学校法人 関西大学 | エチレン製造用触媒及びエチレンの製造方法 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61149658A patent/JPH0669968B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS638342A (ja) | 1988-01-14 |
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