JPH0669109B2 - 光半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は700nm未満に発光波長を有し、発光領域に量子
効果を利用した高効率の半導体レーザや発光ダイオード
等の光半導体装置に関するものだある。
効果を利用した高効率の半導体レーザや発光ダイオード
等の光半導体装置に関するものだある。
＜従来技術＞ 近年の情報化社会の進展には著しいものがあり、その中
にあって半導体レーザや発光ダイオード等の発光デバイ
スを基礎とした光通信、光ディスク等の光情報処理技術
の発展には目ざましいものがある。このような状況下に
おいて可視域に発光波長を有する発光デバイスへのニー
ズが急速に高まっており、特に可視半導体レーザへの期
待は大きい。現在、780nmに発振波長を有するGaAlAs系
半導体レーザがコンパクトディスクおよびビデオディス
ク用光源として実用化されているが、より多くの情報量
を扱うためには集光後のスポット径をより小さくする必
要があり、そのためにより短波長に発振波長を有する半
導体レーザが必要となっている。
にあって半導体レーザや発光ダイオード等の発光デバイ
スを基礎とした光通信、光ディスク等の光情報処理技術
の発展には目ざましいものがある。このような状況下に
おいて可視域に発光波長を有する発光デバイスへのニー
ズが急速に高まっており、特に可視半導体レーザへの期
待は大きい。現在、780nmに発振波長を有するGaAlAs系
半導体レーザがコンパクトディスクおよびビデオディス
ク用光源として実用化されているが、より多くの情報量
を扱うためには集光後のスポット径をより小さくする必
要があり、そのためにより短波長に発振波長を有する半
導体レーザが必要となっている。
このような短波長域に相当するエネルギーギャップを有
する半導体材料としてGaAs基板に格子整合する（A1xGa
1-x）yIn1-yが注目されている。この材料は従来の液相
成長法（LPE法）によっては成長が困難であるため、最
近、分子線エピタキシー法（MBE法）および有機金属を
用いた気相成長法（MO−CVD法）を成長法として研究開
発が活発になっている。MBE法およびMO−CVD法は、ほぼ
輪送律則により成長が行われているが、（AlxGa1-x）yl
n1-yP系ではIII族元素を３つ含み、Inと他のAlおよびGa
の比率、すなわち、ｙの値が所定値よりずれるとGaAs基
板との格子不整整合が著しくなり、良質の結晶を得るこ
とができない。従って、成長時にAl,GaとInの比率を0.1
％以内の高精度で制御する必要があるが、面内分布およ
び再現性も考慮すると必ずしも容易なことではない。
する半導体材料としてGaAs基板に格子整合する（A1xGa
1-x）yIn1-yが注目されている。この材料は従来の液相
成長法（LPE法）によっては成長が困難であるため、最
近、分子線エピタキシー法（MBE法）および有機金属を
用いた気相成長法（MO−CVD法）を成長法として研究開
発が活発になっている。MBE法およびMO−CVD法は、ほぼ
輪送律則により成長が行われているが、（AlxGa1-x）yl
n1-yP系ではIII族元素を３つ含み、Inと他のAlおよびGa
の比率、すなわち、ｙの値が所定値よりずれるとGaAs基
板との格子不整整合が著しくなり、良質の結晶を得るこ
とができない。従って、成長時にAl,GaとInの比率を0.1
％以内の高精度で制御する必要があるが、面内分布およ
び再現性も考慮すると必ずしも容易なことではない。
また、MBEおよびMO−CVD法は成長速度が〜１μｍ／ｈ以
下と遅くできるため、薄膜単結晶の膜厚制御性は極めて
良く、特にMBE法では単分子層オーダーまでの制御が可
能である。このため、半導体レーザの活性領域を100Å
以下の極めて薄い層とすることでキャリアの状態密度を
階段状とすることで閾値を低減した量子井戸レーザ（Qu
antum We11レーザ：略してQWレーザ）を作製するための
重要な成長法となっている。（AlxGa1-x）yIn1-yPを用
いてもこのQWレーザを形成することが可能である。例え
ば、第３図に示すように、ｎ型GaAs基板１上にｎ型（Al
0.6Ga0.4）0.5In0.5Ｐクラッド層（１μｍ厚）２、ノン
ドープ多重量子井戸（Mu1ti Quantum We11:略してMQW）
活性層３、Ｐ型（Al0.6Ga0.4）0.5In0.5Ｐクラッド層
（１μｍ厚）４、ｐ型GaAsキャップ層５をMBE法により
連続的に成長し、SiO2膜６にストライプ９を形成し、さ
らに抵抗性電極7,8を形成して酸化膜ストライプレーザ
を作製する。ここでMQW活性層３は、第４図に示すよう
に50Å厚ノンドープ（Al0.15Ga0.85）0.5In0.5Ｐウエル
層11が４層、100Å厚ノンドープ（Al0.4Ga0.6）0.5In
0.5Ｐバリヤ層12が３層から成る。この材料系のQWレー
ザではGaAsにほぼ格子整合する場合、クラッド層2,4、
ウエル層11、バリヤ層12のすべての層が混晶半導体であ
るという本質的な欠点を有する。すなわち、QWレーザで
はウエル層11に形成された井戸型ポテンシャルに２次元
的にキャリアを閉じ込める必要があるが、混晶を用いた
場合、混晶は本質的な構成化合物（ここではAlP,GaP,In
P）がランダムに混ざっているため、少なくとも量子井
戸を形成する界面の面内方向においてはポテンシャルに
ゆらぎを生じて理想的な量子井戸とならず効率の低下を
まねく。またウエル層11およびバリヤ層12が薄くなる
と、この効果はさらに顕著となり、ウエル層11内および
バリヤ層12内における混晶に起因するポテンシャルのゆ
らぎが問題となっている。
下と遅くできるため、薄膜単結晶の膜厚制御性は極めて
良く、特にMBE法では単分子層オーダーまでの制御が可
能である。このため、半導体レーザの活性領域を100Å
以下の極めて薄い層とすることでキャリアの状態密度を
階段状とすることで閾値を低減した量子井戸レーザ（Qu
antum We11レーザ：略してQWレーザ）を作製するための
重要な成長法となっている。（AlxGa1-x）yIn1-yPを用
いてもこのQWレーザを形成することが可能である。例え
ば、第３図に示すように、ｎ型GaAs基板１上にｎ型（Al
0.6Ga0.4）0.5In0.5Ｐクラッド層（１μｍ厚）２、ノン
ドープ多重量子井戸（Mu1ti Quantum We11:略してMQW）
活性層３、Ｐ型（Al0.6Ga0.4）0.5In0.5Ｐクラッド層
（１μｍ厚）４、ｐ型GaAsキャップ層５をMBE法により
連続的に成長し、SiO2膜６にストライプ９を形成し、さ
らに抵抗性電極7,8を形成して酸化膜ストライプレーザ
を作製する。ここでMQW活性層３は、第４図に示すよう
に50Å厚ノンドープ（Al0.15Ga0.85）0.5In0.5Ｐウエル
層11が４層、100Å厚ノンドープ（Al0.4Ga0.6）0.5In
0.5Ｐバリヤ層12が３層から成る。この材料系のQWレー
ザではGaAsにほぼ格子整合する場合、クラッド層2,4、
ウエル層11、バリヤ層12のすべての層が混晶半導体であ
るという本質的な欠点を有する。すなわち、QWレーザで
はウエル層11に形成された井戸型ポテンシャルに２次元
的にキャリアを閉じ込める必要があるが、混晶を用いた
場合、混晶は本質的な構成化合物（ここではAlP,GaP,In
P）がランダムに混ざっているため、少なくとも量子井
戸を形成する界面の面内方向においてはポテンシャルに
ゆらぎを生じて理想的な量子井戸とならず効率の低下を
まねく。またウエル層11およびバリヤ層12が薄くなる
と、この効果はさらに顕著となり、ウエル層11内および
バリヤ層12内における混晶に起因するポテンシャルのゆ
らぎが問題となっている。
＜発明の目的＞ 本発明は以上のような問題に鑑み、特に多成分の混晶半
導体において顕著なポテンシャルのゆらぎに起因する量
子効果の抑制作用を除去して、高効率でかつ信頼性にも
優れた半導体装置を提供することを目的としている。
導体において顕著なポテンシャルのゆらぎに起因する量
子効果の抑制作用を除去して、高効率でかつ信頼性にも
優れた半導体装置を提供することを目的としている。
＜発明の構成＞ 上記目的を達成するため、本発明の光半導体装置は、 GaAs基板と、 InP、AlP、及びGaPを規則的に積層した超格子ウエル層
と、 InP、AlP、及びGaPを規則的に積層し、前記ウエル層よ
りバンドギャップの大きい超格子バリヤ層と、を規則的
に積層した活性領域と、 該活性領域の両最外にあるInP、AlP、又はGaPのいずれ
かに隣接してヘテロ接合をなし、少なくともこの接合面
乃至その近傍がInP、AlP及びGaPを規則的に積層した超
格子であり、前記活性領域よりバンドギャップの大きい
二元系化合物半導体クラッド層と、を備えてなり、 前記ウエル層、バリヤ層、及びクラッド層における超格
子のバンドギャップは等価的に混晶とした場合のバンド
ギャップであることを特徴とし、これを主要な構成要件
とするものである。
と、 InP、AlP、及びGaPを規則的に積層し、前記ウエル層よ
りバンドギャップの大きい超格子バリヤ層と、を規則的
に積層した活性領域と、 該活性領域の両最外にあるInP、AlP、又はGaPのいずれ
かに隣接してヘテロ接合をなし、少なくともこの接合面
乃至その近傍がInP、AlP及びGaPを規則的に積層した超
格子であり、前記活性領域よりバンドギャップの大きい
二元系化合物半導体クラッド層と、を備えてなり、 前記ウエル層、バリヤ層、及びクラッド層における超格
子のバンドギャップは等価的に混晶とした場合のバンド
ギャップであることを特徴とし、これを主要な構成要件
とするものである。
また、前記超格子はいずれもInPの総分子層数とGaPとAl
Pの合計分子層数の比が1:1〜12:13の範囲であることを
構成要件としている。
Pの合計分子層数の比が1:1〜12:13の範囲であることを
構成要件としている。
＜実施例＞ 本発明の一実施例のMQW半導体レーザの構造を第１図に
示す。ｎ型GaAs基板21上にｎ型（AlP）３（GaP）２（In
P）５超格子クラッド層22（１μｍ厚），ノンドープ超
格子MQW活性領域23（約590Å厚）,p型（AlP）３（GaP）
２（InP）５超格子クラッド層24（１μｍ厚）、および
ｐ型GaAsキャップ層25（0.5μｍ厚）をRHEED強度の変化
をモニタして単分子層ずつ積層するMBE法により連続的
に成長し、第３図と同様にSiO2膜６にストライプ９を形
成し、さらに抵抗性電極7,8を形成して、酸化膜ストラ
イプ型レーザを作製する。上記（AlP）３（GaP）２（In
P）５クラッド層22および24は、InPとGaPおよびAlPの格
子定数の違いによる歪みの影響をできるだけ小さくする
ため、（InP）（AlP）（InP）（GaP）（InP）（AlP）
（InP）（GaP）（InP）（AlP）を一周期として、（In
P），（AlP）および（GaP）それぞれ単分子層ずつ積層
した構造をとっている。MQW活性領域23の構造を第２図
に示す。このMQW活性領域23は（AlP）１（GaP）５（In
P）６超格子ウエル層31が４層と、（AlP）２（GaP）３
（InP）５超格子バリヤ層32が３層から成る。（AlP）１
（GaP）５（InP）６超格子ウエル層31は（InP）（GaP）
（InP）（GaP）（InP）（AlP）（InP）（GaP）（InP）
（GaP）（InP）（GaP）を一周期として（InP），（Al
P）および（GaP）をそれぞれ単分子層ずつ二周期（約68
Å厚）積層している。（AlP）２（GaP）３（InP）５超
格子バリヤ層32は（InP）（GaP）（InP）（AlP）（In
P）（GaP）（InP）（AlP）（InP）（GaP）を一周期とし
て（InP），（AlP）および（GaP）をそれぞれ単分子層
ずつ四周期（約105Å厚）積層している。このようにし
て単分子層を構成単位として超格子MQWレーザを構成す
ると、等価的にクラッド層22,24が（Al0.6Ga0.4）0.5In
0.5P,超格子ウエル層31が（Al0.17Ga0.83）0.5In0.5P,
超格子バリヤ層32が（Al0.4Ga0.6）0.5In0.5Ｐの混晶と
したMQWレーザと考えることができる。
示す。ｎ型GaAs基板21上にｎ型（AlP）３（GaP）２（In
P）５超格子クラッド層22（１μｍ厚），ノンドープ超
格子MQW活性領域23（約590Å厚）,p型（AlP）３（GaP）
２（InP）５超格子クラッド層24（１μｍ厚）、および
ｐ型GaAsキャップ層25（0.5μｍ厚）をRHEED強度の変化
をモニタして単分子層ずつ積層するMBE法により連続的
に成長し、第３図と同様にSiO2膜６にストライプ９を形
成し、さらに抵抗性電極7,8を形成して、酸化膜ストラ
イプ型レーザを作製する。上記（AlP）３（GaP）２（In
P）５クラッド層22および24は、InPとGaPおよびAlPの格
子定数の違いによる歪みの影響をできるだけ小さくする
ため、（InP）（AlP）（InP）（GaP）（InP）（AlP）
（InP）（GaP）（InP）（AlP）を一周期として、（In
P），（AlP）および（GaP）それぞれ単分子層ずつ積層
した構造をとっている。MQW活性領域23の構造を第２図
に示す。このMQW活性領域23は（AlP）１（GaP）５（In
P）６超格子ウエル層31が４層と、（AlP）２（GaP）３
（InP）５超格子バリヤ層32が３層から成る。（AlP）１
（GaP）５（InP）６超格子ウエル層31は（InP）（GaP）
（InP）（GaP）（InP）（AlP）（InP）（GaP）（InP）
（GaP）（InP）（GaP）を一周期として（InP），（Al
P）および（GaP）をそれぞれ単分子層ずつ二周期（約68
Å厚）積層している。（AlP）２（GaP）３（InP）５超
格子バリヤ層32は（InP）（GaP）（InP）（AlP）（In
P）（GaP）（InP）（AlP）（InP）（GaP）を一周期とし
て（InP），（AlP）および（GaP）をそれぞれ単分子層
ずつ四周期（約105Å厚）積層している。このようにし
て単分子層を構成単位として超格子MQWレーザを構成す
ると、等価的にクラッド層22,24が（Al0.6Ga0.4）0.5In
0.5P,超格子ウエル層31が（Al0.17Ga0.83）0.5In0.5P,
超格子バリヤ層32が（Al0.4Ga0.6）0.5In0.5Ｐの混晶と
したMQWレーザと考えることができる。
即ち、前記超格子ウエル層31、超格子バイヤ層32、及び
クラッド層22,24における超格子のバンドギャップは等
価的に混晶とした場合のバンドギャップであり、超格子
ウエル層31より超格子バリヤ層32の方がバンドギャップ
が大きく、活性領域23よりクラッド層22,24の方がバン
ドギャップが大きい。ここで、本発明の一実施例の超格
子MQWレーザの場合、Al,GaおよびIn原子は完全に秩序づ
けられて配列されているため、無秩序さに基づく散乱や
量子井戸ポテンシャルのゆらぎ等が無く理想的なMQWが
形成されている。特に超格子ウエル層31と超格子バリヤ
層32の界面はInPとGaP単分子層の界面としてはっきり区
切られており、超格子ウエル層31とクラッド層22,24の
界面も同様にAlPとInPおよびGaPとInPのそれぞれの界面
が形成しているため界面におけるポテンシャルの乱れが
全く無い。
クラッド層22,24における超格子のバンドギャップは等
価的に混晶とした場合のバンドギャップであり、超格子
ウエル層31より超格子バリヤ層32の方がバンドギャップ
が大きく、活性領域23よりクラッド層22,24の方がバン
ドギャップが大きい。ここで、本発明の一実施例の超格
子MQWレーザの場合、Al,GaおよびIn原子は完全に秩序づ
けられて配列されているため、無秩序さに基づく散乱や
量子井戸ポテンシャルのゆらぎ等が無く理想的なMQWが
形成されている。特に超格子ウエル層31と超格子バリヤ
層32の界面はInPとGaP単分子層の界面としてはっきり区
切られており、超格子ウエル層31とクラッド層22,24の
界面も同様にAlPとInPおよびGaPとInPのそれぞれの界面
が形成しているため界面におけるポテンシャルの乱れが
全く無い。
上記実施例において、クラッド層22,24として（InP）
（AlP）（InP）（GaP）（InP）（AlP）（InP）（GaP）
（InP）（AlP）を１周期として、（InP），（GaP）及び
（AlP）をそれぞれ単分子層ずつ積層した二元系の超格
子構造を適用した。しかしながら、本発明はこれに限ら
れるものではなく、活性領域との接合面がInP,GaP,AlP
のいずれかの二元系化合物半導体であれば、InP,GaP及
びAlPで構成された100Å程度の超格子層（例えば前記バ
リヤ層32と同様な配列でも可能）とAlGaInPの混晶との
積層構造であっても良い。
（AlP）（InP）（GaP）（InP）（AlP）（InP）（GaP）
（InP）（AlP）を１周期として、（InP），（GaP）及び
（AlP）をそれぞれ単分子層ずつ積層した二元系の超格
子構造を適用した。しかしながら、本発明はこれに限ら
れるものではなく、活性領域との接合面がInP,GaP,AlP
のいずれかの二元系化合物半導体であれば、InP,GaP及
びAlPで構成された100Å程度の超格子層（例えば前記バ
リヤ層32と同様な配列でも可能）とAlGaInPの混晶との
積層構造であっても良い。
また、本発明のもう一つの特徴として、特に本実施例で
は格子定数が大きく異なるInPと領域定数が近いAlPおよ
びGaPを積層する際に、連続してInP層を２層以上積層せ
ず最小単位である単分子層とすることにより格子定数の
違いによって生ずる歪をほとんど無くして、従来、GaAs
P系やInGaAs系の歪超格子でみられたようなレーザ動作
時の急速劣化を防止している。実際には、連続するInP
層が20分子層以下であれば歪みの大きさが小さく劣化に
は至らない。本実施例ではInPの総分子層数とGaPとAlP
の合計総分子層数の比を1:1とすることによって、GaAs
基板21との格子定数の一致を図っているが、その比を1:
1〜12:13まで変化させてより高精度で格子定数の一致を
図ることができる。
は格子定数が大きく異なるInPと領域定数が近いAlPおよ
びGaPを積層する際に、連続してInP層を２層以上積層せ
ず最小単位である単分子層とすることにより格子定数の
違いによって生ずる歪をほとんど無くして、従来、GaAs
P系やInGaAs系の歪超格子でみられたようなレーザ動作
時の急速劣化を防止している。実際には、連続するInP
層が20分子層以下であれば歪みの大きさが小さく劣化に
は至らない。本実施例ではInPの総分子層数とGaPとAlP
の合計総分子層数の比を1:1とすることによって、GaAs
基板21との格子定数の一致を図っているが、その比を1:
1〜12:13まで変化させてより高精度で格子定数の一致を
図ることができる。
以上本発明の実施例をMQW半導体レーザについて示した
が、本発明は従来AlGaInP混晶半導体を用いて構成され
た他の半導体レーザ構造や発光ダイオード等に適用でき
る。
が、本発明は従来AlGaInP混晶半導体を用いて構成され
た他の半導体レーザ構造や発光ダイオード等に適用でき
る。
＜発明の効果＞ 以上より明らかな如く、本発明の光半導体装置は、 GaAs基板と、 InP,AlP及びGaPを規則的に積層した超格子ウエル層と、 InP,AlP及びGaPを規則的に積層し、前記ウエル層よりバ
ンドギャップの大きい超格子バリヤ層と、を規則的に積
層した活性領域と、 該活性領域の両最外にあるInP,AlP又はGaPのいずれかに
隣接してヘテロ接合をなし、少なくともこの接合面乃至
その近傍がInP,AlP及びGaPを規則的に積層した超格子で
あり、前記活性領域よりバンドギャップの大きい二元系
化合物半導体クラッド層と、を備えてなり、 前記ウエル層、バリヤ層、及びクラッド層における超格
子のバンドギャップは等価的に混晶とした場合のバンド
ギャップあるため、Al,Ga及びIn原子が完全に秩序づけ
られて配列され、無秩序さに基づく散乱や量子井戸ポテ
ンシャルのゆらぎがなく、またヘテロ接合界面の組成ゆ
らぎも抑制できて界面急峻性を高めることができる。
ンドギャップの大きい超格子バリヤ層と、を規則的に積
層した活性領域と、 該活性領域の両最外にあるInP,AlP又はGaPのいずれかに
隣接してヘテロ接合をなし、少なくともこの接合面乃至
その近傍がInP,AlP及びGaPを規則的に積層した超格子で
あり、前記活性領域よりバンドギャップの大きい二元系
化合物半導体クラッド層と、を備えてなり、 前記ウエル層、バリヤ層、及びクラッド層における超格
子のバンドギャップは等価的に混晶とした場合のバンド
ギャップあるため、Al,Ga及びIn原子が完全に秩序づけ
られて配列され、無秩序さに基づく散乱や量子井戸ポテ
ンシャルのゆらぎがなく、またヘテロ接合界面の組成ゆ
らぎも抑制できて界面急峻性を高めることができる。
更に、基板であるGaAsとの領域整合のとれないInP,GaP,
AlPを用いても結晶成長、素子特性に影響を及ぼすこと
はない。
AlPを用いても結晶成長、素子特性に影響を及ぼすこと
はない。
したがって、本発明による光半導体装置は、高効率で信
頼性に優れるという利点を有する。
頼性に優れるという利点を有する。
第１図は本発明の実施例のMQW半導体レーザの構造を示
す断面模式図、第２図は第１図の半導体レーザの活性領
域の構造を示す断面模式図、第３図は従来のMQW半導体
レーザの構造を示す断面模式図、第４図は第３図の半導
体レーザの活性層の構造を示す断面模式図である。 21……ｎ型GaAs基板 22……ｎ型超格子クラッド層 23……超格子MQW活性領域 24……ｐ型超格子クラッド層 25……ｐ型GaAsキャップ層 31……超格子ウエル層 32……超格子バリヤ層
す断面模式図、第２図は第１図の半導体レーザの活性領
域の構造を示す断面模式図、第３図は従来のMQW半導体
レーザの構造を示す断面模式図、第４図は第３図の半導
体レーザの活性層の構造を示す断面模式図である。 21……ｎ型GaAs基板 22……ｎ型超格子クラッド層 23……超格子MQW活性領域 24……ｐ型超格子クラッド層 25……ｐ型GaAsキャップ層 31……超格子ウエル層 32……超格子バリヤ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 向星 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 山本 三郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−78189（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−152178（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−207684（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】GaAs基板と、 InP,AlP、及びGaPを規則的に積層した超格子ウエル層
と、 InP,AlP、及びGaPを規則的に積層し、前記ウエル層より
バンドギャップの大きい超格子バリヤ層と、を規則的に
積層した活性領域と、 該活性領域の両最外にあるInP、AlP、又はGaPのいずれ
かに隣接してヘテロ接合をなし、少なくともこの接合面
乃至その近傍がInP、AlP、及びGaPを規則的に積層した
超格子であり、前記活性領域よりバンドギャップの大き
い二元系化合物半導体クラッド層と、を備えてなり、 前記ウエル層、バリヤ層、及びクラッド層における超格
子のバンドギャップは等価的に混晶とした場合のバンド
ギャップであることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】前記超格子はいずれもInPの総分子層数とG
aPとAlPの合計分子層数の比が1:1〜12:13の範囲である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光半導
体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25957184A JPH0669109B2 (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 光半導体装置 |
| EP85308679A EP0188080B1 (en) | 1984-12-07 | 1985-11-28 | Light-emitting semiconductor device having a super lattice |
| DE8585308679T DE3579227D1 (de) | 1984-12-07 | 1985-11-28 | Lichtemittierende halbleiteranordnung mit einem uebergitter. |
| US06/803,692 US4761790A (en) | 1984-12-07 | 1985-12-02 | Optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25957184A JPH0669109B2 (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137384A JPS61137384A (ja) | 1986-06-25 |
| JPH0669109B2 true JPH0669109B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=17335969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25957184A Expired - Fee Related JPH0669109B2 (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 光半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4761790A (ja) |
| EP (1) | EP0188080B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0669109B2 (ja) |
| DE (1) | DE3579227D1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0728080B2 (ja) * | 1984-09-25 | 1995-03-29 | 日本電気株式会社 | 半導体超格子構造体 |
| CA1279394C (en) * | 1985-07-26 | 1991-01-22 | Naoki Chinone | Multiple quantum well type semiconductor laser |
| JP2544378B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1996-10-16 | 株式会社日立製作所 | 光半導体装置 |
| US4864370A (en) * | 1987-11-16 | 1989-09-05 | Motorola, Inc. | Electrical contact for an LED |
| JPH01312871A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Omron Tateisi Electron Co | スリット光用半導体発光ダイオード |
| DE3910288A1 (de) * | 1989-03-30 | 1990-10-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur herstellung monolithisch integrierter optoelektronischer module |
| US5153889A (en) * | 1989-05-31 | 1992-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| US5048035A (en) * | 1989-05-31 | 1991-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| US5038356A (en) * | 1989-12-04 | 1991-08-06 | Trw Inc. | Vertical-cavity surface-emitting diode laser |
| JPH05291686A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| US6707063B2 (en) * | 2001-03-22 | 2004-03-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Passivation layer for molecular electronic device fabrication |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4205329A (en) * | 1976-03-29 | 1980-05-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Periodic monolayer semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy |
| NL8301215A (nl) * | 1983-04-07 | 1984-11-01 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van electromagnetische straling. |
| JPH0728080B2 (ja) * | 1984-09-25 | 1995-03-29 | 日本電気株式会社 | 半導体超格子構造体 |
-
1984
- 1984-12-07 JP JP25957184A patent/JPH0669109B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-11-28 DE DE8585308679T patent/DE3579227D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-11-28 EP EP85308679A patent/EP0188080B1/en not_active Expired
- 1985-12-02 US US06/803,692 patent/US4761790A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0188080B1 (en) | 1990-08-16 |
| EP0188080A1 (en) | 1986-07-23 |
| US4761790A (en) | 1988-08-02 |
| JPS61137384A (ja) | 1986-06-25 |
| DE3579227D1 (de) | 1990-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |