JPH0666786B2 - Reply signal generation circuit - Google Patents
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- JPH0666786B2 JPH0666786B2 JP9531086A JP9531086A JPH0666786B2 JP H0666786 B2 JPH0666786 B2 JP H0666786B2 JP 9531086 A JP9531086 A JP 9531086A JP 9531086 A JP9531086 A JP 9531086A JP H0666786 B2 JPH0666786 B2 JP H0666786B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、トロリーバスダクト等の移動電路や配線ダ
クト等の導体を利用して親器と複数の端末器によってデ
ジタルサイクリック方式の信号伝送を行う遠隔多重伝送
装置の端末器内に設置される返信信号発生回路に関する
ものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention uses a conductor such as a moving electric line such as a trolleybus duct or a conductor such as a wiring duct to perform remote signal multiplexing by a master device and a plurality of terminal devices in a digital cyclic system. The present invention relates to a reply signal generation circuit installed in a terminal device of a transmission device.
この遠隔多重伝送装置における伝送方式は、サイクリッ
ク時分割方式である。これは、各端末器に固有アドレス
を与え、親器と各端末器とが順次サイクリックにパルス
信号を送受信する方式である。The transmission method in this remote multiplex transmission apparatus is a cyclic time division method. This is a system in which a unique address is given to each terminal device and a master device and each terminal device sequentially and cyclically transmit and receive pulse signals.
第２図によって説明すると、まず最初に親器Ｐは、端末
器１との間で送受信を行い、つぎに端末器２との間で送
受信を行い、以下端末器３，４，………，Ｎ−１，Ｎと
の間で順次送受信を行い、この後端末器１，２，……
…，Ｎとの間で送受信を順次行う。すなわち、この遠隔
多重伝送装置は親器Ｐと複数の端末器１，２，………，
Ｎとの間でサイクリックに時分割で信号伝送を行うこと
になる。Referring to FIG. 2, first, the master device P transmits / receives to / from the terminal device 1, and then transmits / receives to / from the terminal device 2, and hereinafter, the terminal devices 3, 4, ... N-1 and N are sequentially transmitted and received, and then the terminals 1, 2, ...
, And N are sequentially transmitted and received. That is, this remote multiplex transmission apparatus includes a master device P and a plurality of terminal devices 1, 2, ...
Signal transmission is cyclically performed with N.
第３図に親器Ｐと端末器、例えば１のブロック図を示
す。この図において、Ｐ１は多重伝送処理回路、Ｐ２は
多重伝送出力回路、Ｐ３は多重伝送入力回路、Ｐ４は異
常検出回路、１Ａは多重伝送処理回路、１Ｂは多重伝送
検出回路、１Ｃは返信信号発生回路、１Ｄはオン／オフ
信号入力回路、１Ｅはオン／オフ信号出力回路、１Ｆは
異常検出回路である。ＬＮは信号線である。FIG. 3 shows a block diagram of the parent device P and the terminal device, eg, 1. In this figure, P 1 is a multiplex transmission processing circuit, P 2 is a multiplex transmission output circuit, P 3 is a multiplex transmission input circuit, P 4 is an abnormality detection circuit, 1A is a multiplex transmission processing circuit, 1B is a multiplex transmission detection circuit, 1C. Is a reply signal generation circuit, 1D is an ON / OFF signal input circuit, 1E is an ON / OFF signal output circuit, and 1F is an abnormality detection circuit. LN is a signal line.
以下、この図に基づいて、親器Ｐがある一つの端末器１
と送受信をする場合の動作説明をする。Hereinafter, based on this figure, one terminal device 1 having a master device P
The operation when transmitting and receiving is described below.
多重伝送処理回路（マイクロコンピュータを含む）Ｐ１
により、生成された端末器１への制御信号（監視信号）
は、多重伝送出力回路Ｐ２により、ある電圧のパルス信
号に変換され、またノイズ対策のための処理（例えばパ
ルスの立上り、立下りに傾斜をもたせる）が施されたの
ち信号線ＬＮに出力される。このパルス信号は、端末器
１の多重伝送検出回路１Ｂに入力され、変換後、多重伝
送処理回路１Ａに入力される。多重伝送処理回路1Aは、
その信号が自端末器１の固有アドレスへの信号であるか
どうかを判断する。一致した場合、制御信号であれば、
オン／オフ信号出力回路１Ｅにその制御内容を出力し、
オン／オフ信号出力回路１Ｅは、リレー，トランジスタ
等を駆動し、外部に出力する。Multiplex transmission processing circuit (including microcomputer) P 1
Generated by the control signal (monitoring signal) to the terminal device 1
Is converted into a pulse signal of a certain voltage by the multiplex transmission output circuit P 2 and subjected to processing for noise countermeasures (for example, giving rise and fall of the pulse an inclination) and then output to the signal line LN. It This pulse signal is input to the multiplex transmission detection circuit 1B of the terminal device 1, converted, and then input to the multiplex transmission processing circuit 1A. The multiplex transmission processing circuit 1A is
It is determined whether or not the signal is a signal to the unique address of the terminal device 1. If they match, if it is a control signal,
The control contents are output to the ON / OFF signal output circuit 1E,
The on / off signal output circuit 1E drives a relay, a transistor, etc., and outputs it to the outside.
監視入力の場合は、外部からのオン／オフ情報をオン／
オフ信号入力回路１Ｄにより入力し、多重伝送処理回路
１Ａに出力する。多重伝送処理回路１Ａは、自らが行っ
た制御内容（オン／オフ信号出力回路１Ｅに出力した内
容）または監視内容（オン／オフ信号入力回路１Ｄより
入力した内容）を返信信発生回路１Ｃにより電流パルス
信号として親器Ｐに返信する。親器Ｐは、この端末器１
からの電流パルス信号を多重伝送入力回路Ｐ３で入力
し、変換後、多重伝送処理回路Ｐ１に出力する。なお、
返信期間は親器Ｐによって一対の信号線ｌ１，ｌ２間に
電圧が印加されている。For monitoring input, turn on / off external information
It is input by the off signal input circuit 1D and output to the multiplex transmission processing circuit 1A. The multiplex transmission processing circuit 1A uses the reply signal generation circuit 1C to output the control content (contents output to the ON / OFF signal output circuit 1E) or monitoring content (contents input from the ON / OFF signal input circuit 1D) It is returned to the parent device P as a pulse signal. The parent device P is the terminal device 1
The current pulse signal from is input to the multiplex transmission input circuit P 3 , converted, and then output to the multiplex transmission processing circuit P 1 . In addition,
During the reply period, the parent device P applies a voltage between the pair of signal lines l 1 and l 2 .
以上のようにして、親器Ｐは個々の端末器１〜Ｎと送受
信を行う。As described above, the master device P transmits / receives to / from the individual terminal devices 1 to N.
なお、親器Ｐの異常検出回路Ｐ４は、多重伝送処理回路
Ｐ３に入力された例えば端末器１からの異常（過電流返
信、信号線短絡等）を検出する。また、端末器１の異常
検出回路１Ｆは、信号線LNの短絡、解放を検出する。ま
た、信号線ＬＮを通して送る信号電圧は６０〜２００Ｖ
程度である。The abnormality detection circuit P 4 of the parent device P detects an abnormality (overcurrent response, signal line short circuit, etc.) from the terminal device 1 input to the multiplex transmission processing circuit P 3 . Further, the abnormality detection circuit 1F of the terminal device 1 detects short circuit and release of the signal line LN. The signal voltage sent through the signal line LN is 60 to 200V.
It is a degree.
上記のような遠隔多重伝送装置における端末器の返信信
号発生回路は、第４図に示すように、第３図における信
号線ＬＮを構成する２本の信号線ｌ１，ｌ２に端子
Ｓ１，Ｓ２をそれぞれ接続した定電流スイッチ回路Ｉ
と、返信信号ＲＥＴのレベルに応じて定電流スイッチ回
路Ｉをオン／オフさせる制御回路IIとで構成される。As shown in FIG. 4, the return signal generating circuit of the terminal unit in the remote multiplex transmission device as described above has terminals S 1 connected to the two signal lines l 1 and l 2 constituting the signal line LN in FIG. , S 2 respectively connected constant current switch circuit I
And a control circuit II for turning on / off the constant current switch circuit I according to the level of the reply signal RET.
上記返信信号発生回路において、定電流スイッチ回路Ｉ
は、ダイオードブリッジＤＢ１の直流端にＮＰＮトラン
ジスタからなるスイッチ素子ＴＲ１および抵抗Ｒ１を直
列に接続し、同じくダイオードブリッジＤＢ１の直流端
に抵抗Ｒ２およびツェナーダイオードＺＤ１の直列回路
を接続し、抵抗Ｒ２およびツェナーダイオードＺＤ１の
接続点をスイッチ素子ＴＲ１のベースに接続し、ダイオ
ードブリッジＤＢ１の交流端に端子Ｓ１，Ｓ２を設けた
ものである。In the reply signal generating circuit, the constant current switch circuit I
Connects the switch element TR 1 and resistor R 1 consists of an NPN transistor to the DC terminal of the diode bridge DB 1 in series, also connected a series circuit of resistors R 2 and Zener diode ZD 1 to the DC terminal of the diode bridge DB 1 Then, the connection point of the resistor R 2 and the Zener diode ZD 1 is connected to the base of the switch element TR 1 , and the terminals S 1 and S 2 are provided at the AC end of the diode bridge DB 1 .
制御回路IIは、ダイオードブリッジＤＢ１の直流端に抵
抗Ｒ３およびフォトカプラＰＣ１のホトトランジスタＱ
１の直列回路を接続し、ツェナーダイオードＺＤ１にＮ
ＰＮトランジスタＴＲ２を並列に接続し、抵抗Ｒ３とホ
トトランジスタＱ１の接続点をＮＰＮトランジスタＴＲ
２のベースに接続した回路に加えて、電源電圧ＶＥが印
加された端子Ｆに接続した抵抗Ｒ４とフォトカプラＰＣ
１の発光ダイオードＤ１とＮＰＮトランジスタからなる
スイッチ素子ＴＲ３とを直列に接続し、返信信号ＲＥＴ
の入力端子Ｅに抵抗Ｒ５の一端を接続し、抵抗Ｒ５の他
端をスイッチ素子ＴＲ３のベースに接続した回路を有し
ている。なお、スイッチ素子ＴＲ３のエミッタ側は接地
されている。The control circuit II includes a resistor R 3 at the DC end of the diode bridge DB 1 and a phototransistor Q of the photocoupler PC 1.
1 is connected in series, and the Zener diode ZD 1 is connected to N
The PN transistor TR 2 is connected in parallel, and the connection point of the resistor R 3 and the phototransistor Q 1 is connected to the NPN transistor TR.
In addition to the circuit connected to the base of 2 , the resistor R 4 and the photocoupler PC connected to the terminal F to which the power supply voltage V E is applied
And a switch element TR 3 consisting of one light emitting diode D 1 and the NPN transistor connected in series, the return signal RET
It has a circuit in which one end of the resistor R 5 is connected to the input terminal E of and the other end of the resistor R 5 is connected to the base of the switch element TR 3 . Incidentally, the emitter of the switching element TR 3 is grounded.
入力端子Ｅより入力された返信信号ＲＥＴがレベルの
ときは、制御回路IIのスイッチ素子ＴＲ３がオンとな
り、ホトカプラＰＣ１の発光ダイオードＤ１が点灯して
ホトトランジスタＱ１がオンとなり、したがってＮＰＮ
トランジスタＴＲ２がオフとなり、スイッチ素子ＴＲ１
が能動状態となり、スイッチ素子ＴＲ１とツェナーダイ
オードＺＤ１と抵抗Ｒ１とで定電流回路が形成され、定
電流スイッチ回路ＩにおけるダイオードブリッジＤＢ１
を経由して端子Ｓ１，Ｓ２から信号線ｌ１，ｌ２を通じ
て返信信号ＲＥＴの高レベルに対応した返信信号電流が
親器Ｐへ流れる。When return signal RET input from the input terminal E is level, the switch element TR 3 of the control circuit II is turned on, phototransistor Q 1 is turned on to light up the light-emitting diodes D 1 of the photocoupler PC 1, thus NPN
The transistor TR 2 is turned off, and the switch element TR 1
Becomes an active state, a constant current circuit is formed by the switch element TR 1 , the Zener diode ZD 1 and the resistor R 1, and the diode bridge DB 1 in the constant current switch circuit I is formed.
A return signal current corresponding to the high level of the return signal RET flows from the terminals S 1 and S 2 to the parent device P through the signal lines l 1 and l 2 via.
また、前記の返信信号ＲＥＴが低レベルのときは、スイ
ッチ素子ＴＲ１がオフとなるが、制御回路IIのＮＰＮト
ランジスタＴＲ２がオンとなるため、抵抗Ｒ２に電流が
流れるから、定電流スイッチ回路Ｉにおけるダイオード
ブリッジＤＢ１を経由して、端子Ｓ１，Ｓ２から一対の
信号線ｌ１，ｌ２を通じて、低レベルの返信信号電流が
親器Ｐへ流れる。この返信信号ＲＥＴが低レベルのとき
に流れる返信信号電流は抵抗Ｒ２およびＮＰＮトランジ
スタＴＲ２で制約された値となる。When the reply signal RET is at a low level, the switch element TR 1 is turned off, but the NPN transistor TR 2 of the control circuit II is turned on, so that a current flows through the resistor R 2 , so that the constant current switch is used. A low-level return signal current flows from the terminals S 1 and S 2 to the parent device P through the pair of signal lines l 1 and l 2 via the diode bridge DB 1 in the circuit I. The return signal current flowing when this return signal RET is at a low level has a value restricted by the resistor R 2 and the NPN transistor TR 2 .
このような従来の返信信号発生回路は、端末器における
多重伝送処理回路と信号線ｌ１，ｌ２とを絶縁するため
にホトカプラＰＣ１を使用しているが、このホトカプラ
ＰＣ１は受光素子がホトトランジスタＱ１で構成されて
いたため、応答速度が遅いという問題があった。Such a conventional reply signal generating circuit uses the photocoupler PC 1 to insulate the multiplex transmission processing circuit in the terminal from the signal lines l 1 and l 2 , but the photocoupler PC 1 has a light receiving element. Since it is composed of the phototransistor Q 1 , there is a problem that the response speed is slow.
この発明の目的は、応答速度の速い返信信号発生回路を
提供することである。An object of the present invention is to provide a reply signal generation circuit having a fast response speed.
この発明の返信信号発生回路は、親器と各々異なる固有
アドレスが設定された複数の端末器とを一対の信号線で
接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固有アドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多重伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 前記一対の信号線に一対の交流端をそれぞれ接続したダ
イオードブリッジと、このダイオードブリッジの正側直
流端に一端を接続した第１および第２の抵抗の直列回路
と、この第１および第２の抵抗の直列回路の他端にコレ
クタを接続し前記ダイオードブリッジの負側直流端にエ
ミッタを接続したＮＰＮトランジスタと、前記第１およ
び第２の抵抗の接続点と前記ＮＰＮトランジスタのエミ
ッタとの間に接続した平滑コンデンサと、前記第１およ
び第２の抵抗の接続点と前記ＮＰＮトランジスタのベー
スとの間にホトダイオードを接続したホトカプラと、こ
のホトカプラの発光ダイオードと直列接続して返信信号
のレベルに応じてオンオフする第１のスイッチ素子と、
前記ダイオードブリッジの正側直流端および負側直流端
間に接続して前記ＮＰＮトランジスタのオンオフに応答
してスイッチングする第２のスイッチ素子とを備えてい
る。The reply signal generating circuit of the present invention connects a master unit and a plurality of terminal units each having a different unique address by a pair of signal lines, and the master unit transmits a transmission signal including an address signal as a voltage signal to the pair. In addition to sending the signal to the signal line, the terminal receives the transmission signal and sends a reply signal as a current signal to the pair of signal lines in response to a match between the address signal in the transmission signal and its own unique address. In the remote multiplex transmission device configured, in the reply signal generating circuit installed in the terminal, a diode bridge in which a pair of AC ends are connected to the pair of signal lines, respectively, and a positive side DC end of the diode bridge. A series circuit of the first and second resistors having one end connected to the diode circuit, and a collector connected to the other end of the series circuit of the first and second resistors. An NPN transistor having an emitter connected to the negative side DC terminal of the bridge, a smoothing capacitor connected between the connection point of the first and second resistors and the emitter of the NPN transistor, and the first and second A photocoupler in which a photodiode is connected between a connection point of the resistor and the base of the NPN transistor, and a first switch element which is connected in series with a light emitting diode of the photocoupler and is turned on / off according to the level of a reply signal,
A second switch element connected between the positive side DC terminal and the negative side DC terminal of the diode bridge for switching in response to ON / OFF of the NPN transistor.
この発明の返信信号発生回路によれば、絶縁用のホトカ
プラの受光素子としてホトダイオードを用いているた
め、応答速度を早くすることができる。According to the reply signal generating circuit of the present invention, since the photodiode is used as the light receiving element of the insulating photocoupler, the response speed can be increased.
実施例 この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。この
返信信号発生回路は、親器と各々異なる固有アドレスが
設定された複数の端末器とを一対の信号線で接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固有アドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多重伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 第１図に示すように、一対の信号線ｌ１，ｌ２に一対の
交流端をそれぞれ接続したダイオードブリッジＤＢ
１と、このダイオードブリッジＤＢ１の正側直流端に一
端を接続した第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ８の直列回
路と、この第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ８の直列回路
の他端にコレクタを接続し前記ダイオードブリッジＤＢ
１の負側直流端にエミッタを接続したＮＰＮトランジス
タＴＲ４と、前記第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ８の接
続点と前記ＮＰＮトランジスタＴＲ４のエミッタとの間
に接続した平滑コンデンサＣ１と、前記第１および第２
の抵抗Ｒ７，Ｒ８の接続点と前記ＮＰＮトランジスタＴ
Ｒ４のベースとの間にホトダイオードＤ３を接続したホ
トカプラＰＣ２と、このホトカプラＰＣ２の発光ダイオ
ードＤ２と直列接続して返信信号ＲＥＴのレベルに応じ
てオンオフするＮＰＮトランジスタからなる第１のスイ
ッチ素子ＴＲ３と、前記ダイオードブリッジＤＢ１の正
側直流端および負側直流端間に接続して前記ＮＰＮトラ
ンジスタＴＲ４のオンオフに応答してスイッチングする
ＮＰＮトランジスタからなる第２のスイッチ素子ＴＲ１
とを備えている。Embodiment An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The reply signal generation circuit connects the master unit and a plurality of terminal units each having a different unique address by a pair of signal lines, and the master unit transmits a transmission signal including an address signal as a voltage signal to the pair of signals. In addition to sending out to a line, the terminal device is configured to receive the transmission signal and send a reply signal as a current signal to the pair of signal lines in response to the match between the address signal in the transmission signal and its own unique address. In a remote multiplex transmission device, a return signal generating circuit installed in the terminal, as shown in FIG. 1 , a diode bridge in which a pair of AC lines are connected to a pair of signal lines l 1 and l 2 , respectively. DB
1, a series circuit of first and second resistors R 7, R 8 having one end connected to the positive-side DC terminal of the diode bridge DB 1, the series of the first and second resistors R 7, R 8 The collector is connected to the other end of the circuit and the diode bridge DB is connected.
An NPN transistor TR 4 connected to the emitter to the negative-side DC terminal of the 1, smoothing capacitor C connected between the emitter of said first and second resistors R 7, wherein a connection point of the R 8 NPN transistor TR 4 1 and the first and second
Of the resistors R 7 and R 8 of the NPN transistor T
A photocoupler PC 2 connected to the photodiode D 3 between the base of R 4, the first consisting of NPN transistor for turning on and off according to the level of the light emitting diode D 2 connected in series to the return signal RET of the photocoupler PC 2 a switching element TR 3, the diode bridge DB 1 positive side DC terminal and negative side connected between the DC terminals the NPN transistor TR 4 of the second consisting of NPN transistor for switching in response to on-off switching element TR 1
It has and.
この実施例における第４図の回路との相違点は、制御回
路IIに代えて、制御回路II′を用いたことであり、具体
的には、ホトトランジスタ型のホトカプラＰＣ１に代え
てＰＮホトダイオード型のホトカプラＰＣ２を用いたこ
と、およびホトカプラＰＣ２の発光素子であるホトダイ
オードＤ３を適正に動作させるための適正なバイアス電
圧を安定して与える抵抗Ｒ７，Ｒ８と平滑コンデンサＣ
１を設けたこと、およびホトダイオードＤ３に応答して
オンオフするＮＰＮトランジスタＴＲ４を設けたこと、
およびスイッチ素子ＴＲ１のコレクタ側に抵抗Ｒ６を介
挿したことで、その他の構成は第４図と同じである。The difference from the circuit of FIG. 4 in this embodiment is that a control circuit II 'is used instead of the control circuit II. Specifically, instead of the phototransistor type photocoupler PC 1 , a PN photodiode is used. Type photocoupler PC 2 is used, and resistors R 7 and R 8 and a smoothing capacitor C that stably give an appropriate bias voltage for properly operating a photodiode D 3 that is a light emitting element of the photocoupler PC 2.
1 is provided, and an NPN transistor TR 4 that is turned on / off in response to the photodiode D 3 is provided.
Since the resistor R 6 is inserted on the collector side of the switch element TR 1 and the switch element TR 1 , other configurations are the same as those in FIG.
この回路においては、返信信号ＲＥＴが低レベルのとき
は、スイッチ素子ＴＲ３がオンとなってホトカプラＰＣ
２の発光ダイオードＤ２が点灯し、したがってホトダイ
オードＤ３が導通し、ＮＰＮトランジスタＴＲ４がオン
となり、ＮＰＮトランジスタＴＲ２がオフとなる。一
方、返信信号RETが低レベルのときは、スイッチ素子Ｔ
Ｒ３がオフで、発光ダイオードＤ２が消灯し、したがっ
てホトダイオードＤ３が遮断し、ＮＰＮトランジスタＴ
Ｒ４がオフで、ＮＰＮトランジスタＴＲ２がオンとな
る。その他の動作は第４図と同様である。In this circuit, when the reply signal RET is at a low level, the switch element TR 3 is turned on and the photocoupler PC
The second light emitting diode D 2 is turned on, and thus the photodiode D 3 is turned on, the NPN transistor TR 4 is turned on, and the NPN transistor TR 2 is turned off. On the other hand, when the reply signal RET is low level, the switch element T
With R 3 off, the light emitting diode D 2 goes out and thus the photodiode D 3 shuts off and the NPN transistor T
R 4 is off and NPN transistor TR 2 is on. Other operations are the same as those in FIG.
このように、受光素子としてホトダイオーオＤ３を有す
るホトカプラＰＣ２を用いると、従来例のようにホトト
ランジスタＱ１を受光素子として有するホトカプラＰＣ
１を用いるのに比べて応答速度を速くすることができ
る。As described above, when the photocoupler PC 2 having the photodiode D 3 as the light receiving element is used, the photocoupler PC having the phototransistor Q 1 as the light receiving element as in the conventional example.
The response speed can be made faster than when 1 is used.
また、ホトカプラＰＣ２のホトダイオードＤ３に抵抗Ｒ
７，Ｒ８で分圧し、かつ平滑コンデンサＣ１で平滑した
電圧をバイアス電圧として加えているので、バイアス電
圧を適正な値に設定できるとともに安定し、ホトカプラ
ＰＣ２の動作点の安定化が可能となり、良好なスイッチ
ング特性をＮＰＮトランジスタＴＲ４にもたせることが
できる。In addition, the resistor R is connected to the photodiode D 3 of the photocoupler PC 2.
Since the voltage divided by 7 and R 8 and smoothed by the smoothing capacitor C 1 is applied as the bias voltage, the bias voltage can be set to an appropriate value and is stable, and the operating point of the photocoupler PC 2 can be stabilized. Therefore, good switching characteristics can be imparted to the NPN transistor TR 4 .
また、一対の信号線ｌ１，ｌ２間に接続して返信信号Ｒ
ＥＴのレベルに応じて定電流動作状態とオフ状態とに切
替わるスイッチ素子ＴＲ１のコレクタ側に抵抗Ｒ６を直
列介挿したため、スイッチ素子ＴＲ１が定電流動作状態
にある場合において、電力損失がスイッチ素子ＴＲ１と
抵抗Ｒ６とで分担され、スイッチ素子ＴＲ１の発熱を抑
えることができ、しかも抵抗Ｒ６の発熱も少なく信頼性
をめることができる。また、発熱箇所がスイッチ素子
ＴＲ１と抵抗Ｒ６とに分散され、各々の発熱量は少なく
なり、放熱対策を容易に行うことができる。In addition, the reply signal R is connected between the pair of signal lines l 1 and l 2.
Since the resistor R 6 is inserted in series on the collector side of the switch element TR 1 that switches between the constant current operating state and the off state according to the level of ET, power loss occurs when the switch element TR 1 is in the constant current operating state. There are shared between the switching element TR 1 and the resistor R 6, heating of the switching elements TR 1 can be suppressed, yet the heat generation reduced reliability of the resistor R 6 may Mel possible. In addition, the heat generation points are dispersed in the switch element TR 1 and the resistor R 6, and the heat generation amount of each is reduced, so that it is possible to easily take heat dissipation measures.
この結果、放熱フィン等の小形化を達成でき、また返信
信号発生回路を収容する筐体内の温度分布を意図的に調
整することができる。As a result, it is possible to reduce the size of the radiation fin and the like, and it is possible to intentionally adjust the temperature distribution in the housing that houses the return signal generation circuit.
ここで、スイッチ素子ＴＲ１であるトランジスタの発熱
が第４図の回路に比べて低減される点について説明す
る。今、定電流スイッチ回路Ｉ，Ｉ′のダイオードブリ
ッジＤＢ１の直流端の電圧をＥ（Ｖ）とし、定電流スイ
ッチ回路Ｉ，Ｉ′がＩｓ（Ａ）の定電流動作をするもの
とすると、それぞれのスイッチ素子ＴＲ１の消費電力
は、第４図の場合、 Ｐ１＝Ｅ×Ｉｓ−Ｉｓ２×Ｒ１ となり、第１図の場合、 Ｐ２＝Ｅ×Ｉｓ−Ｉｓ２×Ｒ１−Ｉｓ２×Ｒ６ となり、両回路の抵抗Ｒ１の抵抗値が同じ値であるな
ら、第１図におけるスイッチ素子ＴＲ１の消費電力Ｐ２
は、第４図におけるスイッチ素子ＴＲ１の消費電力Ｐ１
に比べ、 Ｉｓ２×Ｒ６ だけ少なくなり、したがって、第１図の回路の場合、第
４図の場合よりスイッチ素子ＴＲ１の発熱を低減するこ
とができる。なお、スイッチ素子ＴＲ１における消費電
力の減少分は抵抗Ｒ６によって分担することになる。Here, the point that the heat generation of the transistor which is the switch element TR 1 is reduced as compared with the circuit of FIG. 4 will be described. Now, assuming that the voltage at the DC end of the diode bridge DB 1 of the constant current switch circuits I and I ′ is E (V) and the constant current switch circuits I and I ′ perform the constant current operation of Is (A), The power consumption of each switching element TR 1 is P 1 = E × Is−Is 2 × R 1 in the case of FIG. 4, and P 2 = E × Is−Is 2 × R 1 − in the case of FIG. 1. Is 2 × R 6 , and if the resistance value of the resistor R 1 in both circuits is the same value, the power consumption P 2 of the switch element TR 1 in FIG.
Is the power consumption P 1 of the switch element TR 1 in FIG.
Compared with the above, the heat generation amount of the switch element TR 1 can be reduced in the case of the circuit of FIG. 1 as compared with the case of FIG. 4 by reducing Is 2 × R 6 . The decrease in power consumption of the switch element TR 1 is shared by the resistor R 6 .
なお、第１図では、抵抗Ｒ６は単一のものとして記載し
ているが、複数個の抵抗の直列または並列の合成回路体
であってもよい。この場合は抵抗の個数が増加するの
で、発熱の箇所をさらに分散させることができ、放熱の
面で柔軟な回路設計を行うことができる。Although the resistor R 6 is shown as a single resistor in FIG. 1, it may be a series or parallel combined circuit body of a plurality of resistors. In this case, since the number of resistors increases, it is possible to further disperse the heat generation points and to flexibly design the circuit in terms of heat dissipation.
この発明の返信信号発生回路によれば、絶縁用のホトカ
プラの受光素子としてホトダイオードを用いているた
め、応答速度を速くすることができる。According to the reply signal generating circuit of the present invention, since the photodiode is used as the light receiving element of the insulating photocoupler, the response speed can be increased.
第１図はこの発明の一実施例の回路図、第２図は遠隔多
重伝送装置の構成を示すブロック図、第３図は遠隔多重
伝送装置の親器と端末器の具体的なブロック図、第４図
は従来の返信信号発生回路の回路図である。 Ｐ……親器、１〜Ｎ……端末器、ＬＮ，ｌ１，ｌ２……
信号線、ＴＲ１……スイッチ素子、Ｃ１……平滑コンデ
ンサ、ＴＲ３……スイッチ素子、ＴＲ４……ＮＰＮトラ
ンジスタ、ＤＢ１……ダイオードブリッジ、ＰＣ２……
ホトカプラ、Ｄ２……発光ダイオード、Ｄ３……ホトダ
イオードFIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a remote multiplex transmission device, and FIG. 3 is a concrete block diagram of a master unit and a terminal device of the remote multiplex transmission device, FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional reply signal generating circuit. P ... Parent device, 1-N ... Terminal device, LN, l 1 , l 2 ...
Signal line, TR 1 ... switch element, C 1 ... smoothing capacitor, TR 3 ... switch element, TR 4 ... NPN transistor, DB 1 ... diode bridge, PC 2 ...
Photo coupler, D 2 ...... Light emitting diode, D 3 ...... Photo diode
Claims (1)
た複数の端末器とを一対の信号線で接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固有アドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多重伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 前記一対の信号線に一対の交流端をそれぞれ接続したダ
イオードブリッジと、このダイオードブリッジの正側直
流端に一端を接続した第１および第２の抵抗の直列回路
と、この第１および第２の抵抗の直列回路の他端にコレ
クタを接続し前記ダイオードブリッジの負側直流端にエ
ミッタを接続したＮＰＮトランジスタと、前記第１およ
び第２の抵抗の接続点と前記ＮＰＮトランジスタのエミ
ッタとの間に接続した平滑コンデンサと、前記第１およ
び第２の抵抗の接続点と前記ＮＰＮトランジスタのベー
スとの間にホトダイオードを接続したホトカプラと、こ
のホトカプラの発光ダイオードと直列接続して返信信号
のレベルに応じてオンオフする第１のスイッチ素子と、
前記ダイオードブリッジの正側直流端および負側直流端
間に接続して前記ＮＰＮトランジスタのオンオフに応答
してスイッチングする第２のスイッチ素子とを備えた返
信信号発生回路。1. A master unit and a plurality of terminal units each having a different unique address set are connected by a pair of signal lines, and a transmission signal including an address signal from the master unit is connected to the pair of signal lines as a voltage signal. In addition to sending out, the terminal device receives the transmission signal and sends a reply signal as a current signal to the pair of signal lines in response to a match between the address signal in the transmission signal and its own unique address. In the transmission device, a reply signal generation circuit installed in the terminal device, wherein a diode bridge in which a pair of AC ends are connected to the pair of signal lines, respectively, and one end is connected to a positive side DC end of the diode bridge And a collector connected to the other end of the series circuit of the first and second resistors and the other end of the series circuit of the first and second resistors. An NPN transistor having an emitter connected, a smoothing capacitor connected between a connection point of the first and second resistors and an emitter of the NPN transistor, a connection point of the first and second resistors and the NPN transistor A photocoupler in which a photodiode is connected between the base and a first switch element that is connected in series with the light emitting diode of the photocoupler and is turned on / off according to the level of the reply signal;
A second switch element connected between the positive side DC terminal and the negative side DC terminal of the diode bridge and switching in response to ON / OFF of the NPN transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9531086A JPH0666786B2 (en) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | Reply signal generation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9531086A JPH0666786B2 (en) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | Reply signal generation circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62250742A JPS62250742A (en) | 1987-10-31 |
| JPH0666786B2 true JPH0666786B2 (en) | 1994-08-24 |
Family
ID=14134184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9531086A Expired - Lifetime JPH0666786B2 (en) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | Reply signal generation circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666786B2 (en) |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP9531086A patent/JPH0666786B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62250742A (en) | 1987-10-31 |
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