JPH0664932B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0664932B2 JPH0664932B2 JP61098972A JP9897286A JPH0664932B2 JP H0664932 B2 JPH0664932 B2 JP H0664932B2 JP 61098972 A JP61098972 A JP 61098972A JP 9897286 A JP9897286 A JP 9897286A JP H0664932 B2 JPH0664932 B2 JP H0664932B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- temperature
- weight
- parts
- capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> この発明は誘電率が6000以上と高く、焼結温度が950〜1
000℃と低く、比抵抗が1×1011Ω・cm以上と高
く、さらに温度に対する静電容量の変化率の小さい誘電
体磁器組成物に関するものである。
000℃と低く、比抵抗が1×1011Ω・cm以上と高
く、さらに温度に対する静電容量の変化率の小さい誘電
体磁器組成物に関するものである。
<従来の技術とその問題点> 従来、高誘電率系磁器コンデンサ材料としてBaTiO3を主
体としたものが知られている。
体としたものが知られている。
しかし、これらは温度に対する静電容量の変化率がJI
S規格のD特性(−25℃〜+85℃において△C/C20
=+20〜−30%)に入るものは室温での誘電率が5000程
度と低い。
S規格のD特性(−25℃〜+85℃において△C/C20
=+20〜−30%)に入るものは室温での誘電率が5000程
度と低い。
さらに、これらの組成系はその焼結温度が何れも1300〜
1400℃と高い欠点を有している。
1400℃と高い欠点を有している。
このため焼成コストが高くつくほか、積層磁器コンデン
サにおいては、生の磁器シートの上に電極を予め形成し
たものを複数枚積み重ねてから焼成されるので、この電
極材料としては、1300℃以上の高温においても溶融した
り、酸化したり、誘電体と反応したりすることのない高
融点の貴金属類例えば白金やパラジウムなどを用いなけ
ればならなかった。
サにおいては、生の磁器シートの上に電極を予め形成し
たものを複数枚積み重ねてから焼成されるので、この電
極材料としては、1300℃以上の高温においても溶融した
り、酸化したり、誘電体と反応したりすることのない高
融点の貴金属類例えば白金やパラジウムなどを用いなけ
ればならなかった。
鉛複合ペロブスカイト誘電体磁器組成物において、比誘
電率10,000以上、焼結温度1050℃以下という組成系は既
に知られている。
電率10,000以上、焼結温度1050℃以下という組成系は既
に知られている。
しかし、これらは温度に対する静電容量の変化率が大き
い。そこで温度に対する静電容量の変化率が小さく、ま
た高誘電率で、さらにPbOの蒸発を少なくするために低
温での焼成が可能な組成物が望まれていた。
い。そこで温度に対する静電容量の変化率が小さく、ま
た高誘電率で、さらにPbOの蒸発を少なくするために低
温での焼成が可能な組成物が望まれていた。
<問題点を解決するための手段> 本発明者らは上記の問題点を解決するために、誘電率が
6000以上と高く、焼結温度が950〜1000℃と低く、比抵
抗が1×1011Ω・cm以上と高く、さらに温度に対する静
電容量の変化率がJIS規格のD特性(△C/C20=
+20〜−30%)を満足する誘電体磁器組成物を見出した
ものである。
6000以上と高く、焼結温度が950〜1000℃と低く、比抵
抗が1×1011Ω・cm以上と高く、さらに温度に対する静
電容量の変化率がJIS規格のD特性(△C/C20=
+20〜−30%)を満足する誘電体磁器組成物を見出した
ものである。
即ち、この発明はPb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-
PbTiO3の3成分系の固溶体よりなる磁器組成物におい
て、該組成物を構成する個々の酸化物組成比率(重量
%)が Pb3O4 66.69〜69.18、 NiO 4.00〜7.14 Nb2O5 17.43〜25.67、 ZnO 0.08〜3.48 TiO2 0.23〜8.47 であり、かつPb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTi
O3と表わしたときのモル比率(%)が Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 55.0〜98.0 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 1.0〜44.0 PbTiO3 1.0〜35.0 と表わされ、主成分を 〔Pb(Ni1/3Nb2/3)O3〕x〔Pb(Zn1/3Nb2/3)O3〕y〔PbTiO
3〕z(但し、x+y+z= 1.00)と表わしたときに図
面に示す3成分組成図において、下記 A (0.64、0.01、0.35) B (0.55、0.10、0.35) C (0.55、0.44、0.01) D (0.98、0.01、0.01) の組成点を結ぶ線上、およびこの4点にて囲まれる組成
範囲で表わされ、かつ主成分を100重量部としたとき、
副成分としてA(Mn1/2Nb1/2)O3(但し、AはPb、Ba、
Sr、Caより選ばれた1種以上の元素)で表わされる組成
物を0.5〜5.0重量部、さらにB(Mg1/2W1/2)O3(但
し、BはPb、Ba、Sr、Caより選ばれた1種以上の元素)
で表わされる組成物を0.5〜5.0重量部含有したことを特
徴とする誘電体磁器組成物を提供するものである。
PbTiO3の3成分系の固溶体よりなる磁器組成物におい
て、該組成物を構成する個々の酸化物組成比率(重量
%)が Pb3O4 66.69〜69.18、 NiO 4.00〜7.14 Nb2O5 17.43〜25.67、 ZnO 0.08〜3.48 TiO2 0.23〜8.47 であり、かつPb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTi
O3と表わしたときのモル比率(%)が Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 55.0〜98.0 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 1.0〜44.0 PbTiO3 1.0〜35.0 と表わされ、主成分を 〔Pb(Ni1/3Nb2/3)O3〕x〔Pb(Zn1/3Nb2/3)O3〕y〔PbTiO
3〕z(但し、x+y+z= 1.00)と表わしたときに図
面に示す3成分組成図において、下記 A (0.64、0.01、0.35) B (0.55、0.10、0.35) C (0.55、0.44、0.01) D (0.98、0.01、0.01) の組成点を結ぶ線上、およびこの4点にて囲まれる組成
範囲で表わされ、かつ主成分を100重量部としたとき、
副成分としてA(Mn1/2Nb1/2)O3(但し、AはPb、Ba、
Sr、Caより選ばれた1種以上の元素)で表わされる組成
物を0.5〜5.0重量部、さらにB(Mg1/2W1/2)O3(但
し、BはPb、Ba、Sr、Caより選ばれた1種以上の元素)
で表わされる組成物を0.5〜5.0重量部含有したことを特
徴とする誘電体磁器組成物を提供するものである。
<作用> この発明において主成分および副成分の範囲を上記のよ
うに限定する理由は次の通りである。
うに限定する理由は次の通りである。
まず、主成分の組成限定理由について述べると、図にお
ける組成点A、Bを結ぶ線の外側、および組成点B,C
を結ぶ線の外側では温度に対する静電容量の変化率がJ
IS規格のD特性(即ち−25℃〜+85℃において△C/
C20=+20〜−30%)よりも大きくなって好ましくな
い。
ける組成点A、Bを結ぶ線の外側、および組成点B,C
を結ぶ線の外側では温度に対する静電容量の変化率がJ
IS規格のD特性(即ち−25℃〜+85℃において△C/
C20=+20〜−30%)よりも大きくなって好ましくな
い。
組成点C、Dを結ぶ線の外側では誘電率が6000より低く
なり、温度に対する静電容量の変化率が前述したJIS
規格のD特性よりも大きくなり好ましくない。
なり、温度に対する静電容量の変化率が前述したJIS
規格のD特性よりも大きくなり好ましくない。
さらに組成点D、Aを結ぶ線の外側では焼成温度が1000
℃を越え、誘電体損失も2%より大きくなり、また温度
に対する静電容量の変化率がIJS規格のD特性よりも
大きくなり好ましくない。
℃を越え、誘電体損失も2%より大きくなり、また温度
に対する静電容量の変化率がIJS規格のD特性よりも
大きくなり好ましくない。
次に副成分の含有効果および範囲限定理由について述べ
ると、A(Mn1/2Nb1/2)O3を添加することにより、比抵
抗を向上させることができるが、A(Mn1/2Nb1/2)O3が
主成分に対して0.5重量部未満では、誘電体損失が2%
を越えるとともに、比抵抗が1×1011Ω・cmより小さく
なり、一方5重量部を越えると、誘電率が5000より低く
なり、誘電体損失も2%を越え、また温度に対する静電
容量の変化率がJIS規格のD特性よりも大きくなり好
ましくない。
ると、A(Mn1/2Nb1/2)O3を添加することにより、比抵
抗を向上させることができるが、A(Mn1/2Nb1/2)O3が
主成分に対して0.5重量部未満では、誘電体損失が2%
を越えるとともに、比抵抗が1×1011Ω・cmより小さく
なり、一方5重量部を越えると、誘電率が5000より低く
なり、誘電体損失も2%を越え、また温度に対する静電
容量の変化率がJIS規格のD特性よりも大きくなり好
ましくない。
さらにまた、B(Mg1/2W1/2)O3を含有させると焼成温
度を下げることができ、PbOの蒸発を抑えることができ
るが、B(Mg1/2W1/2)O3が主成分に対して0.5重量部未
満では焼成温度が1000℃を越え、5重量部を越えると温
度に対する静電容量の変化率がJIS規格のD特性より
大きくなって好ましくない。
度を下げることができ、PbOの蒸発を抑えることができ
るが、B(Mg1/2W1/2)O3が主成分に対して0.5重量部未
満では焼成温度が1000℃を越え、5重量部を越えると温
度に対する静電容量の変化率がJIS規格のD特性より
大きくなって好ましくない。
<実施例> 以下、実施例によりこの発明を詳細に説明する。
出発原料として工業用のPb3O4、NiO、Nb2O5、ZnO、Ti
O2、MnO2、MgO、WO3、 BaCO3、SrCO3、CaCO3などを用い、これらを秤量して予
めPb(Ni1/3Nb2/3)O3、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3、PbTiO3、Pb(Mn
1/2Nb1/2)O3、Ba(Mn1/2Nb1/2)O3、S r(Mn1/2Nb1/2)O3、Ca
(Mn1/2Nb1/2)O3、Pb(Mg1/2W1/2)O3、Ba(Mg1/2W1/2)O3、S
r(Mg1/2W1/2)O 3、Ca(Mg1/2W1/2)O3、となるように各々
配合し た。
O2、MnO2、MgO、WO3、 BaCO3、SrCO3、CaCO3などを用い、これらを秤量して予
めPb(Ni1/3Nb2/3)O3、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3、PbTiO3、Pb(Mn
1/2Nb1/2)O3、Ba(Mn1/2Nb1/2)O3、S r(Mn1/2Nb1/2)O3、Ca
(Mn1/2Nb1/2)O3、Pb(Mg1/2W1/2)O3、Ba(Mg1/2W1/2)O3、S
r(Mg1/2W1/2)O 3、Ca(Mg1/2W1/2)O3、となるように各々
配合し た。
次にPbTiO3は950℃、その他の組成物は850℃で夫々2時
間仮焼し、所定の化合物粉体を得た。
間仮焼し、所定の化合物粉体を得た。
次いで、このようにして得られた化合物を第1表に示す
各所望の配合比となるように配合し、結合剤としての酢
酸ビニル系バインダを5重量部加え、ボールミルによっ
て湿式混合した。その後蒸発乾燥し、整粒により粉末状
にしてこれを1ton/cm2の圧力で直径12mm、厚さ1.5mmの
円板に成形した。次いで、この円板をPb雰囲気の電気炉
を用い、第2表に示す各焼成温度で1時間焼成した。そ
の後電極としてAgペーストを800℃で焼きつけ測定試料
とした。
各所望の配合比となるように配合し、結合剤としての酢
酸ビニル系バインダを5重量部加え、ボールミルによっ
て湿式混合した。その後蒸発乾燥し、整粒により粉末状
にしてこれを1ton/cm2の圧力で直径12mm、厚さ1.5mmの
円板に成形した。次いで、この円板をPb雰囲気の電気炉
を用い、第2表に示す各焼成温度で1時間焼成した。そ
の後電極としてAgペーストを800℃で焼きつけ測定試料
とした。
各試料については誘電率(ε)および誘電率正接(tan
δ)を1KHz、1Vrms、20℃の条件で測定した。
また比抵抗を500VD、Cの条件で測定した。
δ)を1KHz、1Vrms、20℃の条件で測定した。
また比抵抗を500VD、Cの条件で測定した。
なお、静電容量の温度特性は20℃の値を基準とし、−25
℃、+85℃の温度での変化率で表わした。これらの測定
結果は第2表に示した。なお*印の試料番号のものはこ
の発明の請求範囲外である。
℃、+85℃の温度での変化率で表わした。これらの測定
結果は第2表に示した。なお*印の試料番号のものはこ
の発明の請求範囲外である。
<発明の効果> 上表から、この発明の誘電体磁器組成物は、誘電率が60
00以上、誘電体損失が2%以下、比抵抗が1×1011Ω・
cm以上、焼成温度が950〜1000℃であり、かつ温度に対
する静電容量の変化率がJIS規格のD特性(−25℃〜
+85℃において△C/C20=+20〜−30%)を満足す
るものを得た。
00以上、誘電体損失が2%以下、比抵抗が1×1011Ω・
cm以上、焼成温度が950〜1000℃であり、かつ温度に対
する静電容量の変化率がJIS規格のD特性(−25℃〜
+85℃において△C/C20=+20〜−30%)を満足す
るものを得た。
また、出発原料を夫々所定の化合物の比になるように秤
量し、一度に混合して850℃で仮焼した場合、(試料番
号18)も前述した方法、即ち、各々の組成物の化合物粉
末を混合した時と同程度の特性を得ることができた。
量し、一度に混合して850℃で仮焼した場合、(試料番
号18)も前述した方法、即ち、各々の組成物の化合物粉
末を混合した時と同程度の特性を得ることができた。
図面はこの発明の磁器組成物における組成のうちx,
y,zの範囲を示す説明図である。
y,zの範囲を示す説明図である。
Claims (1)
- 【請求項1】Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTi
O3の3成分系の固溶体よりなる磁器組成物において、該
組成物を構成する個々の酸化物組成比率(重量%)が Pb3O4 66.69〜69.18、 NiO 4.00〜7.14 Nb2O5 17.43〜25.67、 ZnO 0.08〜3.48 TiO2 0.23〜8.47 であり、かつPb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTi
O3と表わしたときのモル比率(%)が Pb(Ni1/3Nb2/3)O3 55.0〜98.0 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 1.0〜44.0 PbTiO3 1.0〜35.0 と表わされ、主成分を100重量部としたとき、副成分と
してA(Mn1/2Nb1/2)O3 (但し、AはPb、Ba、Sr、Caより選ばれた1種以上の元
素)で表わされる組成物を0.5〜5.0重量部とB(Mg1/2W
1/2)O3(但し、BはPb、Ba、Sr、Caより選ばれた1種
以上の元素)で表わされる組成物を0.5〜5.0重量部含有
することを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61098972A JPH0664932B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61098972A JPH0664932B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62254308A JPS62254308A (ja) | 1987-11-06 |
JPH0664932B2 true JPH0664932B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=14233951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61098972A Expired - Lifetime JPH0664932B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0664932B2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP61098972A patent/JPH0664932B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62254308A (ja) | 1987-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62290009A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3087644B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH058524B2 (ja) | ||
JPH0734327B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPH0664931B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH0664933B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH0664932B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH04368709A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
EP0841310A1 (en) | Dielectric ceramic composition | |
JPH0734326B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPH05250916A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPS62281205A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2872513B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
JPH0815006B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2924469B2 (ja) | 磁器組成物 | |
JP3432604B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびセラミックコンデンサ、およびそれらの製造方法 | |
JPH0815008B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH061644B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2680395B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS63221506A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH0656520A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS62290010A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH0468258B2 (ja) | ||
JPH05217424A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPH05217425A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |