JPH0661526A - 半導体発光素子の出力制御方法と集積型半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子の出力制御方法と集積型半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH0661526A JPH0661526A JP2557392A JP2557392A JPH0661526A JP H0661526 A JPH0661526 A JP H0661526A JP 2557392 A JP2557392 A JP 2557392A JP 2557392 A JP2557392 A JP 2557392A JP H0661526 A JPH0661526 A JP H0661526A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 加入者系光通信に用いられる半導体レーザモ
ジュールのため、簡便な光出力制御方法を提供し、モジ
ュールの小型化、低価格化に寄与する。 【構成】 半導体レーザ１と光導電素子２を並列に接続
し、半導体レーザの出射光を光導電素子で受光すること
により半導体レーザ１の駆動電流を制御する。光導電素
子に入射する光強度が大きいほど、該光導電素子に流れ
る電流は増加するので半導体レーザへの注入電流は光強
度に応じて制御される。これにより光出力の雰囲気温度
の変化による変動を小さくできる。
ジュールのため、簡便な光出力制御方法を提供し、モジ
ュールの小型化、低価格化に寄与する。 【構成】 半導体レーザ１と光導電素子２を並列に接続
し、半導体レーザの出射光を光導電素子で受光すること
により半導体レーザ１の駆動電流を制御する。光導電素
子に入射する光強度が大きいほど、該光導電素子に流れ
る電流は増加するので半導体レーザへの注入電流は光強
度に応じて制御される。これにより光出力の雰囲気温度
の変化による変動を小さくできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は加入者系光通信に用いら
れる半導体発光素子、特に半導体レーザや発光ダイオー
ド等の光出力を制御する方法及びその方法を実現する集
積型発光素子に関する。
れる半導体発光素子、特に半導体レーザや発光ダイオー
ド等の光出力を制御する方法及びその方法を実現する集
積型発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムは、まず長距離幹線の大
容量化を中心に開発されてきたが、次の段階として加入
者系にも光通信方式を導入する検討が近年進められつつ
ある。加入者系にまで光通信を浸透させるには、まず低
価格システムを構築することが重要である。特に光源と
なる半導体レーザーはキーデバイスであり、レーザ出力
光の制御を含めた光源モジュールの低価格化は重要な課
題である。
容量化を中心に開発されてきたが、次の段階として加入
者系にも光通信方式を導入する検討が近年進められつつ
ある。加入者系にまで光通信を浸透させるには、まず低
価格システムを構築することが重要である。特に光源と
なる半導体レーザーはキーデバイスであり、レーザ出力
光の制御を含めた光源モジュールの低価格化は重要な課
題である。
【０００３】光通信に用いられるＩｎＧａＡｓＰ系半導
体レーザーの光出力特性は、図３に示すように雰囲気温
度の上昇と共に発振しきい値が高くなり、かつスロープ
効率（単位注入電流あたりの光出力増加分；Ｗ／Ａ）が
低下する。従来、温度変化に対して一定の光出力を得る
ためにフォトダイオードで光出力をモニタして自動的に
駆動電流を制御する方式が採られていたが、制御回路が
複雑であり、モジュールが大型化し、高価格になってし
まう。加入者系光通信においては、半導体レーザモジュ
ールは、簡便、小型で低価格である要請から上記の光出
力制御は欠点となり、従って一般にはバイアス固定、一
定電流駆動により光出力制御回路は含まないことが多
い。
体レーザーの光出力特性は、図３に示すように雰囲気温
度の上昇と共に発振しきい値が高くなり、かつスロープ
効率（単位注入電流あたりの光出力増加分；Ｗ／Ａ）が
低下する。従来、温度変化に対して一定の光出力を得る
ためにフォトダイオードで光出力をモニタして自動的に
駆動電流を制御する方式が採られていたが、制御回路が
複雑であり、モジュールが大型化し、高価格になってし
まう。加入者系光通信においては、半導体レーザモジュ
ールは、簡便、小型で低価格である要請から上記の光出
力制御は欠点となり、従って一般にはバイアス固定、一
定電流駆動により光出力制御回路は含まないことが多
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は加入
者系光通信に用いられる半導体レーザモジュールの要請
に答えるべく、簡便な光出力制御法及び集積型半導体発
光素子を提供し、モジュールの小型化、低価格化に寄与
するものである。
者系光通信に用いられる半導体レーザモジュールの要請
に答えるべく、簡便な光出力制御法及び集積型半導体発
光素子を提供し、モジュールの小型化、低価格化に寄与
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、半導体
発光素子と光導電素子とを並列に接続し、該半導体発光
素子の出射光を該光導電素子で受光することにより該半
導体発光素子の駆動電流を制御することを特徴とする半
導体発光素子の出力制御方法。
発光素子と光導電素子とを並列に接続し、該半導体発光
素子の出射光を該光導電素子で受光することにより該半
導体発光素子の駆動電流を制御することを特徴とする半
導体発光素子の出力制御方法。
【０００６】第２の本発明は半導体発光素子と光トラン
ジスタとを並列に接続し、該半導体発光素子の出射光を
該光トランジスタで受光することにより該半導体発光素
子の駆動電流を制御することを特徴とする半導体発光素
子の出力制御方法である。
ジスタとを並列に接続し、該半導体発光素子の出射光を
該光トランジスタで受光することにより該半導体発光素
子の駆動電流を制御することを特徴とする半導体発光素
子の出力制御方法である。
【０００７】第３の発明は、活性層と該活性層挟む込む
ｐ型導電性クラッド層及びｎ型導電性クラッド層からな
る光導波路の一部の領域の少なくともｐ型導電性クラッ
ド層を除去し、該除去領域がｎ型導電層に置換され、前
記光導波路の保存された領域を発光領域、前記除去置換
された領域を光導電性受光制御領域として構成される集
積型半導体発光素子である。
ｐ型導電性クラッド層及びｎ型導電性クラッド層からな
る光導波路の一部の領域の少なくともｐ型導電性クラッ
ド層を除去し、該除去領域がｎ型導電層に置換され、前
記光導波路の保存された領域を発光領域、前記除去置換
された領域を光導電性受光制御領域として構成される集
積型半導体発光素子である。
【０００８】第４の発明は、活性層と該活性層を挟み込
むｐ型導電性クラッド層ｎ型導電性クラッド層からなる
光導波路の一部の領域の少なくともｐ型導電性クラッド
層またはｐ型導電性クラッド層と活性層を除去し、該除
去領域がｐ型導電層及びｎ型導電層からなるヘテロ接合
層に置換され、前記光導波路の保存された領域を発光領
域、前記除去置換された領域を光トランジスタ制御領域
として構成される集積型半導体発光素子である。
むｐ型導電性クラッド層ｎ型導電性クラッド層からなる
光導波路の一部の領域の少なくともｐ型導電性クラッド
層またはｐ型導電性クラッド層と活性層を除去し、該除
去領域がｐ型導電層及びｎ型導電層からなるヘテロ接合
層に置換され、前記光導波路の保存された領域を発光領
域、前記除去置換された領域を光トランジスタ制御領域
として構成される集積型半導体発光素子である。
【０００９】または前記第３、４の発明において、光導
波路の保存された領域と除去置換された領域との間に溝
が形成されていることを特徴とする。溝を形成すること
により、発光素子と光導電素子または光トランジスタの
分離が簡単にかつ特性の劣化なく達成できる。
波路の保存された領域と除去置換された領域との間に溝
が形成されていることを特徴とする。溝を形成すること
により、発光素子と光導電素子または光トランジスタの
分離が簡単にかつ特性の劣化なく達成できる。
【００１０】
【作用】第１の本発明は光導電素子（フォトコンダク
タ）の抵抗が光入力強度によって可変となることを利用
とする。図１は第１の本発明の構成を説明するための図
である。半導体レーザ１の一方の端面から出射される光
は光電導素子２に入射される。光強度が高いほどフォト
コンダクタの抵抗が下がるため、一定駆動電流ＩOの多
くはフォトコンダクタ側への流れ（電流ＩR ）、半導体
レーザに注入する駆動電流ＩL は減少する。即ち、図３
に半導体レーザの電流−光出力特性を温度をパラメータ
にして示したように低温になるほど光出力が高いので自
動的にレーザに注入される電流は減少する。逆に、高温
になるほど光出力は低下するので、フォトコンダクタの
抵抗は上昇し、従ってレーザに注入する電流は増加す
る。即ち、温度変化に対してレーザ光出力を変動させな
いように自動的にレーザ駆動電流ＩL は制御される。
タ）の抵抗が光入力強度によって可変となることを利用
とする。図１は第１の本発明の構成を説明するための図
である。半導体レーザ１の一方の端面から出射される光
は光電導素子２に入射される。光強度が高いほどフォト
コンダクタの抵抗が下がるため、一定駆動電流ＩOの多
くはフォトコンダクタ側への流れ（電流ＩR ）、半導体
レーザに注入する駆動電流ＩL は減少する。即ち、図３
に半導体レーザの電流−光出力特性を温度をパラメータ
にして示したように低温になるほど光出力が高いので自
動的にレーザに注入される電流は減少する。逆に、高温
になるほど光出力は低下するので、フォトコンダクタの
抵抗は上昇し、従ってレーザに注入する電流は増加す
る。即ち、温度変化に対してレーザ光出力を変動させな
いように自動的にレーザ駆動電流ＩL は制御される。
【００１１】第２の本発明である光トランジスタを用い
る場合も同様である。図２はその構成と原理を説明する
ための図であり、（ａ）は構成を示し、（ｂ）は動作原
理を示している。ｎｐｎ型光トランジスタのベース領域
に光が入射すれば、正孔キャリアがベースに蓄積するた
めベース電位が下がり従ってエミッタからコレクタへ電
子が注入され易くなる。光強度が高いほど光トランジス
タに電流が流れ易くなるため、先のフォトコンダクタの
場合と同じ効果が期待できる。
る場合も同様である。図２はその構成と原理を説明する
ための図であり、（ａ）は構成を示し、（ｂ）は動作原
理を示している。ｎｐｎ型光トランジスタのベース領域
に光が入射すれば、正孔キャリアがベースに蓄積するた
めベース電位が下がり従ってエミッタからコレクタへ電
子が注入され易くなる。光強度が高いほど光トランジス
タに電流が流れ易くなるため、先のフォトコンダクタの
場合と同じ効果が期待できる。
【００１２】
【実施例】図１を用いて本発明の出力制御方法の第１の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
【００１３】波長１．３μｍに相当するバンドギャップ
を有するＩｎＧａＡｓＰ半導体を活性層とし、活性層よ
りも大きいバンドギャップを有するＩｎＰをクラッド層
とする半導体レーザ１の一方の端面から出射するレーザ
ー光を、ＩｎＧａＡｓを光吸収領域とする光電導素子２
に入射させた。１．３μｍ波長のＩｎＧａＡｓＰ半導体
レーザの光出力の温度特性は図３に示した通りである。
を有するＩｎＧａＡｓＰ半導体を活性層とし、活性層よ
りも大きいバンドギャップを有するＩｎＰをクラッド層
とする半導体レーザ１の一方の端面から出射するレーザ
ー光を、ＩｎＧａＡｓを光吸収領域とする光電導素子２
に入射させた。１．３μｍ波長のＩｎＧａＡｓＰ半導体
レーザの光出力の温度特性は図３に示した通りである。
【００１４】次に第２の実施例を図２（ａ）を用いて説
明する。ＩｎＧａＡｓをベース領域とし、ＩｎＰをエミ
ッタ及び、コレクタとするｎｐｎ型光トランジスタ３を
第１の実施例の光導電素子の代わりに用い、光トランジ
スタに半導体レーザ光からの光を入射させた。
明する。ＩｎＧａＡｓをベース領域とし、ＩｎＰをエミ
ッタ及び、コレクタとするｎｐｎ型光トランジスタ３を
第１の実施例の光導電素子の代わりに用い、光トランジ
スタに半導体レーザ光からの光を入射させた。
【００１５】図４は本実施例の効果を示す図で、光出力
の温度依存性を示している。点線は従来のバイアスを０
アンペアに固定し、一定電流でレーザを駆動したときの
光出力の温度依存性を示している。一方、実線及び一点
鎖線は各々本発明によるレーザに光導電素子、または光
トランジスタを並列に接続して、バイアスを０アンペア
に固定し一定の電流を印加した場合の特性である。ここ
では比較のため９０℃付近でそれぞれの場合の光出力が
等しくなるように駆動電流を設定している。
の温度依存性を示している。点線は従来のバイアスを０
アンペアに固定し、一定電流でレーザを駆動したときの
光出力の温度依存性を示している。一方、実線及び一点
鎖線は各々本発明によるレーザに光導電素子、または光
トランジスタを並列に接続して、バイアスを０アンペア
に固定し一定の電流を印加した場合の特性である。ここ
では比較のため９０℃付近でそれぞれの場合の光出力が
等しくなるように駆動電流を設定している。
【００１６】従来例では、−４０℃から８５℃まで雰囲
気温度を変化させた場合、約６ｄＢの光出力変動があっ
たのに対し、本発明によれぱ、どちらの場合も３ｄＢ以
内に変動が抑えられた。即ち、本発明は簡便な光出力制
御法を提供し、モジュールの小型化、低価格化に寄与す
るものである。
気温度を変化させた場合、約６ｄＢの光出力変動があっ
たのに対し、本発明によれぱ、どちらの場合も３ｄＢ以
内に変動が抑えられた。即ち、本発明は簡便な光出力制
御法を提供し、モジュールの小型化、低価格化に寄与す
るものである。
【００１７】本実施例では発光素子として半導体レーザ
を用いた場合を説明したが、半導体発光ダイオードや発
光型サイリスタにも適用できる。
を用いた場合を説明したが、半導体発光ダイオードや発
光型サイリスタにも適用できる。
【００１８】次に図５を用いて本発明の集積型半導体発
光素子の第１の実施例について説明する。ｎ型ＩｎＰ半
導体基板１１の上に波長１．３μｍに相当するバンドギ
ャップを有するＩｎＧａＡｓＰ活性層１３と、該活性層
を挟み込むｎ型、及びｐ型ＩｎＰクラッド層１２、１６
が積層された半導体レーザの一部の領域のｐ型クラッド
層を化学エッチングによって除去し、該除去領域にｎ型
導電性ＩｎＰ埋込み層１７を積層した。しかる後、光導
波路以外の領域を除去して電流狭窄用に半絶縁性ＩｎＰ
ブロック層１９で先の光導波路を埋め込んだ。しかる
後、半導体レーザ領域と除去領域との境界を含む領域を
ドライエッチングによって除去して分離溝を形成した。
元の活性層１３を発光層１４、除去置換した領域の活性
層１３を受光層１５とする。２０は絶縁保護膜、２１、
２１は各々、発光側電極、受光側電極で、２３は共通ｎ
側電極である。こうして半導体レーザと光導電素子の集
積素子が完成した。
光素子の第１の実施例について説明する。ｎ型ＩｎＰ半
導体基板１１の上に波長１．３μｍに相当するバンドギ
ャップを有するＩｎＧａＡｓＰ活性層１３と、該活性層
を挟み込むｎ型、及びｐ型ＩｎＰクラッド層１２、１６
が積層された半導体レーザの一部の領域のｐ型クラッド
層を化学エッチングによって除去し、該除去領域にｎ型
導電性ＩｎＰ埋込み層１７を積層した。しかる後、光導
波路以外の領域を除去して電流狭窄用に半絶縁性ＩｎＰ
ブロック層１９で先の光導波路を埋め込んだ。しかる
後、半導体レーザ領域と除去領域との境界を含む領域を
ドライエッチングによって除去して分離溝を形成した。
元の活性層１３を発光層１４、除去置換した領域の活性
層１３を受光層１５とする。２０は絶縁保護膜、２１、
２１は各々、発光側電極、受光側電極で、２３は共通ｎ
側電極である。こうして半導体レーザと光導電素子の集
積素子が完成した。
【００１９】次に集積型発光素子の第２の実施例を図６
を用いて説明する。ｎ型ＩｎＰ半導体基板１１の上に発
光波長１．３μｍに相当するバンドギャップを有するＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層１３と、該活性層を挟み込むｎ型、
及びｐ型ＩｎＰクラッド層１２、１６が積層された半導
体レーザの一部の領域のｐ型クラッド層１６（全てで
も、一部でもよい）を化学エッチングによって除去し、
該除去領域にｐ型導電性埋込みベース層１８、ｎ型導電
性ＩｎＰ埋込み層１７を積層した。しかる後、光導波路
以外の領域を除去して電流狭窄用に半絶縁性ＩｎＰブロ
ック層１９で先の光導波路を埋め込んだ。しかる後、半
導体レーザ領域と除去領域との境界を含む領域をドライ
エッチングによって除去して分離溝を形成した。こうし
て半導体レーザと光トランジスタの集積素子が完成し
た。この実施例では光トランジスタ形成領域でｐ型クラ
ッド層１６までを除去したが、活性層１３まで除去し、
そこにｐ、ｎ層を集積してもよい。
を用いて説明する。ｎ型ＩｎＰ半導体基板１１の上に発
光波長１．３μｍに相当するバンドギャップを有するＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層１３と、該活性層を挟み込むｎ型、
及びｐ型ＩｎＰクラッド層１２、１６が積層された半導
体レーザの一部の領域のｐ型クラッド層１６（全てで
も、一部でもよい）を化学エッチングによって除去し、
該除去領域にｐ型導電性埋込みベース層１８、ｎ型導電
性ＩｎＰ埋込み層１７を積層した。しかる後、光導波路
以外の領域を除去して電流狭窄用に半絶縁性ＩｎＰブロ
ック層１９で先の光導波路を埋め込んだ。しかる後、半
導体レーザ領域と除去領域との境界を含む領域をドライ
エッチングによって除去して分離溝を形成した。こうし
て半導体レーザと光トランジスタの集積素子が完成し
た。この実施例では光トランジスタ形成領域でｐ型クラ
ッド層１６までを除去したが、活性層１３まで除去し、
そこにｐ、ｎ層を集積してもよい。
【００２０】図４は本実施例の効果を示す図で、光出力
の温度依存性を示している。点線は従来例のバイアスを
０アンペアに固定し、一定電流でレーザを駆動したとき
の光出力の温度依存性を示している。一方、実線及び一
点鎖線は各々、本発明による発光素子の第１の実施例の
場合、第２の実施例の場合について、バイアスを０アン
ペアに固定し一定電流を印加した場合の特性である。こ
こでは比較のため９０℃付近でそれぞれの場合の光出力
が等しくなるように駆動電流を設定している。従来例で
は、−４０℃から８５℃まで雰囲気温度を変化させた場
合、約６ｄＢの光出力変動があったのに対し、本発明に
よれば、どちらの場合も３ｄＢ以内に変動が抑えられ
た。即ち、本発明は簡便な光出力制御法を提供し、モジ
ュールの小型化、低価格化に寄与するものである。
の温度依存性を示している。点線は従来例のバイアスを
０アンペアに固定し、一定電流でレーザを駆動したとき
の光出力の温度依存性を示している。一方、実線及び一
点鎖線は各々、本発明による発光素子の第１の実施例の
場合、第２の実施例の場合について、バイアスを０アン
ペアに固定し一定電流を印加した場合の特性である。こ
こでは比較のため９０℃付近でそれぞれの場合の光出力
が等しくなるように駆動電流を設定している。従来例で
は、−４０℃から８５℃まで雰囲気温度を変化させた場
合、約６ｄＢの光出力変動があったのに対し、本発明に
よれば、どちらの場合も３ｄＢ以内に変動が抑えられ
た。即ち、本発明は簡便な光出力制御法を提供し、モジ
ュールの小型化、低価格化に寄与するものである。
【００２１】本実施例では発光素子として半導体レーザ
を用いた場合を説明したが、半導体発光ダイオードや発
光型サイリスタにも適用できる。
を用いた場合を説明したが、半導体発光ダイオードや発
光型サイリスタにも適用できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の方法によれば簡便な方法で発光
素子の出力を制御でき、モジュールの小型化、低コスト
化が可能となる。また小型、低コストの集積型半導体発
光素子が得られる。
素子の出力を制御でき、モジュールの小型化、低コスト
化が可能となる。また小型、低コストの集積型半導体発
光素子が得られる。
【図１】本発明の構成を説明するための図である。
【図２】本発明の構成と動作原理を説明するための図で
ある。
ある。
【図３】半導体レーザの光出力特性を説明するための図
である。
である。
【図４】光出力の温度依存性を説明するための図であ
る。
る。
【図５】本発明の第１の集積型半導体発光素子を説明す
るための図である。
るための図である。
【図６】本発明の第２の集積型半導体発光素子を説明す
るための図である。
るための図である。
１ 半導体レーザ ２ 光導電素子 ３ 光トランジスタ １１ 半導体基板 １２ ｎ型クラッド層 １３ 活性層 １４ 発光層 １５ 受光層 １６ ｐ型クラッド層 １７ ｎ型埋込み層 １８ ｐ型埋込みベース層 １９ ブロック層 ２０ 絶縁保護膜 ２１ 発光側電極 ２２ 受光側電極 ２３ 共通ｎ側電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/133 3/18
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体発光素子と光導電素子とを並列に
接続し、該半導体発光素子の出射光を該光導電素子で受
光し、出射光の強度に応じて該半導体発光素子の駆動電
流を制御することを特徴とする半導体発光素子の出力制
御方法。 - 【請求項２】 半導体発光素子と光トランジスタと並列
に接続し、該半導体発光素子の出射光を該光トランジス
タで受光し、出射光の強度に応じて該半導体発光素子の
駆動電流を制御することを特徴とする半導体発光素子の
出力制御方法。 - 【請求項３】 活性層と該活性層を挟み込むｐ型導電性
クラッド層及びｎ型導電性クラッド層からなる光導波路
の一部の領域の少なくともｐ型導電性クラッド層を除去
し、該除去領域がｎ型導電層に置換され、前記光導波路
の保存された領域を発光領域、前記除去置換された領域
を光導電性受光制御領域として構成される集積型半導体
発光素子。 - 【請求項４】 活性層と該活性層を挟み込むｐ型導電性
クラッド層及びｎ型導電性クラッド層からなる光導波路
の一部の領域の少なくともｐ型導電性クラッド層または
ｐ型導電性クラッド層と活性層を除去し、該除去領域が
ｐ型導電層及びｎ型導電層からなるヘテロ接合層に置換
され、前記光導波路の保存された領域を発光領域、前記
除去置換された領域を光トランジスタ制御領域として構
成される集積型半導体発光素子。 - 【請求項５】 光導波路の保存された領域と除去置換さ
れた領域との間に溝が形成されていることを特徴とする
請求項３または４記載の集積型半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2557392A JPH0661526A (ja) | 1991-08-28 | 1992-02-13 | 半導体発光素子の出力制御方法と集積型半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21565591 | 1991-08-28 | ||
| JP3-215655 | 1991-08-28 | ||
| JP2557392A JPH0661526A (ja) | 1991-08-28 | 1992-02-13 | 半導体発光素子の出力制御方法と集積型半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661526A true JPH0661526A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=26363208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2557392A Withdrawn JPH0661526A (ja) | 1991-08-28 | 1992-02-13 | 半導体発光素子の出力制御方法と集積型半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661526A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012109216A1 (de) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Baugruppe |
| JP2019154651A (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-19 | シャープ株式会社 | 調理器 |
| CN111462684A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-07-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | Micro LED显示单元及其Micro LED显示面板 |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP2557392A patent/JPH0661526A/ja not_active Withdrawn
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