JPH0661157A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents
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- JPH0661157A JPH0661157A JP21505392A JP21505392A JPH0661157A JP H0661157 A JPH0661157 A JP H0661157A JP 21505392 A JP21505392 A JP 21505392A JP 21505392 A JP21505392 A JP 21505392A JP H0661157 A JPH0661157 A JP H0661157A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板に薄膜を形成、あ
るいは除去する際等に用いられる例えばプラズマＣＶＤ
(Chemical Vapor Deposition) 装置、プラズマエッチン
グ装置等の半導体製造装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to, for example, plasma CVD used when forming or removing a thin film on a substrate.
The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus such as a (Chemical Vapor Deposition) apparatus and a plasma etching apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)
型カラー液晶表示素子等の製造工程では、半導体製造装
置として、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置等を用い
て、グロー放電による基板への薄膜形成が行われてい
る。従来、上記のプラズマＣＶＤ装置には、反応室内に
図３に示すようなカソード電極３１が設けられている。
このカソード電極３１には、カソード板３４と後壁３５
との間に内部空間が形成されており、カソード板３４に
均等に反応性ガスを分配するため、この内部空間には、
ガス分散用中間板（以下、中間板と称する）３３が介装
されている。この中間板３３には、図４に示すように、
所定の間隔で複数の連通孔３３ａ…が穿設されている。2. Description of the Related Art Generally, TFT (Thin Film Transistor)
In a manufacturing process of a mold type color liquid crystal display element or the like, a parallel plate type plasma CVD apparatus or the like is used as a semiconductor manufacturing apparatus to form a thin film on a substrate by glow discharge. Conventionally, in the above plasma CVD apparatus, a cathode electrode 31 as shown in FIG. 3 is provided in the reaction chamber.
The cathode electrode 31 includes a cathode plate 34 and a rear wall 35.
And an internal space is formed between them and the reactive gas is evenly distributed to the cathode plate 34.
An intermediate plate for gas dispersion (hereinafter referred to as an intermediate plate) 33 is interposed. In the intermediate plate 33, as shown in FIG.
A plurality of communication holes 33a ... Are bored at predetermined intervals.
【０００３】図３に示すカソード電極３１の後壁３５に
設けられたガス導入口３２から供給される反応性ガス
は、上記中間板３３の連通孔３３ａ…を介して、カソー
ド板３４に穿設されている図示しない複数のガス噴出孔
から反応室内に噴出される。これにより、上記のカソー
ド板３４と対面するように配設された図示しないアノー
ド板上の基板に対して、薄膜形成が行われるようになっ
ている。The reactive gas supplied from the gas inlet 32 provided in the rear wall 35 of the cathode electrode 31 shown in FIG. 3 is bored in the cathode plate 34 through the communication holes 33a of the intermediate plate 33. The gas is ejected into the reaction chamber from a plurality of gas ejection holes (not shown). As a result, a thin film is formed on the substrate on the anode plate (not shown) arranged so as to face the cathode plate 34.
【０００４】ところで、上記のようなカソード電極３１
を備えるプラズマＣＶＤ装置を用いて基板上に均一な膜
厚分布で成膜するには、カソード板３４の全面からでき
るだけ均一な流量で反応性ガスを供給する必要がある。By the way, the cathode electrode 31 as described above is used.
In order to form a film with a uniform film thickness distribution on the substrate using the plasma CVD apparatus equipped with, it is necessary to supply the reactive gas from the entire surface of the cathode plate 34 at a flow rate as uniform as possible.
【０００５】ここで、カソード電極３１の後壁３５に設
けられたガス導入口３２から中間板３３の各連通孔３３
ａ…を出るまでの反応性ガスの抵抗をＲ1 、Ｒ2 、…、
Ｒｘとし、各連通孔３３ａ…からカソード板３４を出る
までの反応性ガスの抵抗をＲｃとすると、ガス導入口３
２からカソード板３４を出るまでの反応性ガスの抵抗
は、それぞれＲ1 ＋Ｒｃ、Ｒ2 ＋Ｒｃ、…、Ｒｘ＋Ｒｃ
となる。したがって、Ｒ1 ＋Ｒc ＝Ｒ2 ＋Ｒc ＝…＝Ｒ
x ＋Ｒcとなれば、上記カソード板２６全面において、
反応性ガスの供給量を均一にできることがわかる。Here, from the gas inlet 32 provided in the rear wall 35 of the cathode electrode 31 to each communication hole 33 of the intermediate plate 33.
The resistance of the reactive gas until it exits a ... R 1 , R 2 , ...,
Let Rx be the resistance of the reactive gas from each communication hole 33a ...
The resistances of the reactive gas from 2 to the cathode plate 34 are R 1 + Rc, R 2 + Rc, ..., Rx + Rc, respectively.
Becomes Therefore, R 1 + Rc = R 2 + Rc = ... = R
If x + Rc, then on the entire surface of the cathode plate 26,
It can be seen that the supply amount of the reactive gas can be made uniform.
【０００６】しかしながら、ガス導入口３２は、カソー
ド電極３１の後壁３５における略中央部に設けられてい
ると共に、中間板３３には面内均一な密度で連通孔３３
ａ…が形成されているので、中間板３３の中央部付近に
穿設された連通孔３３ａ…と、中間板３３の周縁部に設
けられた連通孔３３ａ…とでは、ガス導入口３２からの
距離に差があり、この距離の差により、上記の各抵抗Ｒ
１、Ｒ２、…、Ｒｘの間に差が生じている。However, the gas inlet port 32 is provided in the rear wall 35 of the cathode electrode 31 at a substantially central portion thereof, and the communication hole 33 is formed in the intermediate plate 33 with a uniform in-plane density.
.. are formed, the communication holes 33a formed in the vicinity of the central portion of the intermediate plate 33 and the communication holes 33a formed in the peripheral portion of the intermediate plate 33 are separated from the gas introduction port 32. There is a difference in distance, and due to this difference in distance
There is a difference between 1, R2, ..., Rx.
【０００７】そこで、従来では、上記カソード板３４に
設けられたガス噴出孔の径を中間板３３における連通孔
３３ａ…の径よりも充分に小さく設定し、Ｒ１、Ｒ２、
…、Ｒｘに比べてＲｃを増大させることにより、ガス導
入口３２からカソード板３４を出るまでの反応性ガスの
抵抗に対して、Ｒ１、Ｒ２、…、Ｒｘの値を無視できる
ようにしている。この結果、Ｒ１、Ｒ２、…、Ｒｘの間
に多少の差が生じていても、ガス導入口３２からカソー
ド板３４を出るまでの反応性ガスの抵抗は、Ｒｃのみに
依存することになるため、カソード板３４全面において
ほぼ均等な流量で反応性ガスを供給することができ、基
板に均一な膜厚分布で薄膜を形成することができるよう
になっている。Therefore, conventionally, the diameters of the gas ejection holes provided in the cathode plate 34 are set sufficiently smaller than the diameters of the communication holes 33a in the intermediate plate 33, and R1, R2,
, Rx is increased as compared with Rx so that the values of R1, R2, ..., Rx can be ignored with respect to the resistance of the reactive gas from the gas inlet 32 to the cathode plate 34. . As a result, even if there is a slight difference between R1, R2, ..., Rx, the resistance of the reactive gas from the gas inlet 32 to the cathode plate 34 depends only on Rc. The reactive gas can be supplied to the entire surface of the cathode plate 34 at a substantially uniform flow rate, and a thin film can be formed on the substrate with a uniform film thickness distribution.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年では、
液晶表示素子等に用いられる基板の大型化が進んでお
り、これに伴ってプラズマＣＶＤ装置も大型化への対応
が望まれているが、プラズマＣＶＤ装置が大型化され、
反応室内のカソード電極３１が大型化されると、上記の
ガス導入口３２から中間板３３における周縁部および中
央部の各連通孔３３ａ…までの距離の差がさらに大きな
ものとなり、この距離の差により生じるガス導入口３２
から中間板３３を出るまでの反応性ガスの抵抗Ｒ１、Ｒ
２、…、Ｒｘの差も増大するため、ガス導入口３２から
カソード板３４までの反応性ガスの抵抗に対して、Ｒ
１、Ｒ２、…、Ｒｘが無視できない値となる。これによ
り、カソード板３４面内において各ガス噴出孔から噴出
される反応ガスの流量にバラツキが生じることになるた
め、大型の基板に対して、均一な膜厚分布で薄膜を形成
することができないという問題を招来する。However, in recent years,
The size of substrates used for liquid crystal display devices and the like is increasing, and along with this, it is desired to cope with the increase in size of plasma CVD devices.
As the cathode electrode 31 in the reaction chamber becomes larger, the difference in the distance from the gas inlet 32 to each of the communication holes 33a in the peripheral portion and the central portion of the intermediate plate 33 is further increased. Gas inlet 32 generated by
Resistance R1, R of the reactive gas from the exit to the intermediate plate 33
Since the difference between Rx and Rx increases, R with respect to the resistance of the reactive gas from the gas inlet 32 to the cathode plate 34
1, R2, ..., Rx are values that cannot be ignored. This causes variations in the flow rate of the reaction gas ejected from the gas ejection holes within the surface of the cathode plate 34, and thus it is not possible to form a thin film with a uniform film thickness distribution on a large substrate. The problem of.
【０００９】本発明は、上記の問題点に鑑みなされたも
のであって、その目的は、基板の大型化に伴って、反応
室内のカソード電極が大型化された場合においても、カ
ソード電極の前壁から面内均一な流量で反応性ガスを供
給することができ、大型の基板に対しても、例えば均一
な膜厚分布で薄膜を形成することができる半導体製造装
置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a cathode electrode in front of a cathode electrode even when the cathode electrode in the reaction chamber is enlarged in accordance with the increase in size of the substrate. It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of supplying a reactive gas from a wall at a uniform in-plane flow rate and capable of forming a thin film with a uniform film thickness distribution even on a large substrate.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、上記課題を解決するために、反応室内に、基板が載
置される第１電極とこの第１電極に対向する第２電極と
が配設され、上記第２電極は、第１電極に対面すると共
に複数のガス噴出孔が穿設された前壁と、第２電極内に
反応性ガスを導入するガス導入口を有すると共に前壁を
背後から覆う後壁と、上記前壁と後壁とにより形成され
る内部空間を前後に区画する中間板とからなり、この中
間板には、上記ガス導入口からの距離に応じて分割され
た中間板の各領域ごとに、上記の反応性ガスが通過する
連通孔が、それぞれ異なる密度で穿設されていることを
特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a first electrode on which a substrate is placed and a second electrode facing the first electrode in a reaction chamber. And the second electrode has a front wall facing the first electrode and having a plurality of gas ejection holes, and a gas introduction port for introducing a reactive gas into the second electrode. It consists of a rear wall that covers the wall from behind, and an intermediate plate that divides the interior space formed by the front wall and the rear wall into front and rear, and the intermediate plate is divided according to the distance from the gas introduction port. Communication holes through which the above-mentioned reactive gas passes are formed in the respective regions of the formed intermediate plate at different densities.
【００１１】[0011]
【作用】上記の構成によれば、第２電極内の内部空間を
前後に区画するように設けられた中間板には、第２電極
の後壁に設けられたガス導入口からの距離に応じて分割
された中間板の各領域ごとに、上記ガス導入口から導入
された反応性ガスが通過する連通孔が、密度を異ならせ
て穿設されている。例えば、上記のガス導入口が、第２
電極における後壁のほぼ中央部に設けられている場合に
は、ガス導入口からの距離が遠くなる中間板の周縁部
に、上記の周縁部と比較してガス導入口からの距離が近
い中間板の中央部よりも、高い密度で連通孔が形成され
ている。According to the above construction, the intermediate plate provided so as to partition the internal space in the second electrode into the front and the rear is dependent on the distance from the gas introduction port provided in the rear wall of the second electrode. Communication holes through which the reactive gas introduced from the gas introduction port passes are formed in each region of the divided intermediate plate with different densities. For example, the gas inlet described above is the second
When it is provided in the center of the rear wall of the electrode, it is closer to the peripheral edge of the intermediate plate, which is farther from the gas inlet, than the peripheral edge. Communication holes are formed at a higher density than the central portion of the plate.
【００１２】これにより、中間板の全面に等しい密度で
連通孔が穿設されている場合と比較して、ガス導入口か
らの距離が遠い周縁部に設けられた連通孔の数が増加さ
れることになり、周縁部の連通孔から放出される反応性
ガスの流量を増やすことができるので、基板の大型化に
伴い、上記の第２電極が大型化された場合においても、
中間板の全面にわたり、各連通孔から供給される反応性
ガスの抵抗の差を減少させことができる。この結果、第
２電極の前壁に設けられたガス噴出孔からも、ほぼ均一
な流量の反応性ガスを第１電極に向かって噴出すること
ができるので、例えば大型の基板に対して薄膜を形成す
る場合でも、均一な膜厚分布で薄膜を形成することがで
きる。As a result, the number of communication holes provided in the peripheral portion far from the gas introduction port is increased as compared with the case where the communication holes are formed at the same density on the entire surface of the intermediate plate. Therefore, since the flow rate of the reactive gas discharged from the communication hole in the peripheral portion can be increased, even when the second electrode is increased in size with the increase in size of the substrate,
It is possible to reduce the difference in resistance of the reactive gas supplied from each communication hole over the entire surface of the intermediate plate. As a result, since the reactive gas having a substantially uniform flow rate can be ejected toward the first electrode from the gas ejection hole provided in the front wall of the second electrode, for example, a thin film can be formed on a large substrate. Even when forming, a thin film can be formed with a uniform film thickness distribution.
【００１３】[0013]
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図２に
基づいて説明すれば、以下の通りである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following will describe one embodiment of the present invention with reference to FIGS.
【００１４】図２は、例えばＴＦＴ型カラー液晶表示素
子の製造工程において、基板上に薄膜を形成する際等に
用いられる平行平板型のプラズマＣＶＤ装置（半導体製
造装置）における反応室１の内部構造を示す模式図であ
る。この反応室１内には、被成膜基板（以下、基板と称
する）２が載置されるアノード板（第１電極）３と、反
応性ガスを反応室１内に供給するカソード電極（第２電
極）４とが対向して配置されている。FIG. 2 shows an internal structure of a reaction chamber 1 in a parallel plate type plasma CVD apparatus (semiconductor manufacturing apparatus) used for forming a thin film on a substrate in a manufacturing process of a TFT type color liquid crystal display device, for example. It is a schematic diagram which shows. In this reaction chamber 1, an anode plate (first electrode) 3 on which a film formation substrate (hereinafter referred to as a substrate) 2 is placed, and a cathode electrode (first electrode) that supplies a reactive gas into the reaction chamber 1 2 electrodes) 4 are arranged to face each other.
【００１５】上記カソード電極４には、上記アノード板
３に対面するカソード板５が前壁として取り付けられて
いる。このカソード板５には、例えば直径約0.５ｍｍの
複数のガス噴出孔（図示せず）が所定の間隔で穿設され
ている。また、上記カソード板５との間に内部空間を形
成して背後を覆うように、後壁７が取り付けられてい
る。この後壁７の略中央部付近には、図示しないガス供
給配管に接続されたガス導入口８が設けられている。ま
た、反応室１におけるアノード板３側の側壁には、図示
しない真空ポンプに接続された排気口９が設けられてい
る。A cathode plate 5 facing the anode plate 3 is attached to the cathode electrode 4 as a front wall. The cathode plate 5 is provided with a plurality of gas ejection holes (not shown) having a diameter of about 0.5 mm at predetermined intervals. Further, a rear wall 7 is attached so as to form an internal space between the cathode plate 5 and the cathode plate 5 to cover the back side. A gas introduction port 8 connected to a gas supply pipe (not shown) is provided near the center of the rear wall 7. An exhaust port 9 connected to a vacuum pump (not shown) is provided on the side wall of the reaction chamber 1 on the side of the anode plate 3.
【００１６】上記カソード板５と後壁７と間に形成され
るカソード電極４の内部空間には、ガス分散用中間板
（以下、中間板と称する）６が介装されており、この中
間板６によって、上記の内部空間は、前後に区画されて
いる。この中間板６には、図１に示すように、その中央
部付近に中央部側連通孔６ａ…が、また、この中央部側
連通孔６ａ…を囲むように周縁部側連通孔６ｂ…が、そ
れぞれ所定の間隔で穿設されている。上記中央部側連通
孔６ａ…および周縁部側連通孔６ｂ…の直径は、ともに
約１ｍｍ程度であるが、周縁部側連通孔６ｂ…は、中央
部側連通孔６ａ…よりも短い間隔、例えば２分の１、あ
るいは３分の１の間隔で形成されている。すなわち、中
間板６における周縁部と中央部とでは、上記後壁７に設
けられたガス導入口８からの距離に応じて、連通孔６ａ
…・６ｂ…の密度が異なるように穿設されている。A gas dispersion intermediate plate (hereinafter referred to as an intermediate plate) 6 is interposed in the internal space of the cathode electrode 4 formed between the cathode plate 5 and the rear wall 7. The interior space is divided into front and rear by 6. As shown in FIG. 1, the intermediate plate 6 is provided with a central portion side communicating hole 6a ... In the vicinity of its central portion, and a peripheral edge side communicating hole 6b ... Enclosing the central portion side communicating hole 6a. , Are provided at predetermined intervals. The diameters of the central side communication holes 6a ... And the peripheral side communication holes 6b ... Are both about 1 mm, but the peripheral side communication holes 6b ... Are shorter than the central side communication holes 6a. It is formed at intervals of ½ or ⅓. That is, in the peripheral portion and the central portion of the intermediate plate 6, depending on the distance from the gas introduction port 8 provided in the rear wall 7, the communication hole 6a.
.., 6b ... are drilled so that the densities are different.
【００１７】次に、上記基板２上に薄膜を形成する際の
プラズマＣＶＤ装置の動作状態を説明する。図２に示す
上記アノード板３に基板２を載置し、真空ポンプを作動
させて、排気口９から反応室１内の空気を排出し反応室
１内を真空状態とした後、所定流量に調整した反応性ガ
スをガス導入口８からカソード電極４内の後方側空間に
導入する。尚、上記の反応性ガスとしては、例えば半導
体素子の保護膜として窒化シリコン膜を形成する場合に
は、ＳｉＨ4 とＮＨ3 とを混合したガスが用いられる。
上記後方側空間に導入された反応性ガスは、中間板６の
中央部側連通孔６ａ…および周縁部側連通孔６ｂ…を通
って、前方側空間に導入され、さらに、カソード板５の
ガス噴出孔から、反応室１内に放出される。Next, the operating state of the plasma CVD apparatus for forming a thin film on the substrate 2 will be described. After placing the substrate 2 on the anode plate 3 shown in FIG. 2 and operating the vacuum pump to exhaust the air in the reaction chamber 1 from the exhaust port 9 to make the inside of the reaction chamber 1 in a vacuum state, a predetermined flow rate is obtained. The adjusted reactive gas is introduced from the gas introduction port 8 into the space on the rear side in the cathode electrode 4. As the above reactive gas, for example, when a silicon nitride film is formed as a protective film of a semiconductor element, a gas obtained by mixing SiH 4 and NH 3 is used.
The reactive gas introduced into the rear side space is introduced into the front side space through the central side communication holes 6a and the peripheral side communication holes 6b of the intermediate plate 6, and the gas of the cathode plate 5 is further introduced. It is discharged into the reaction chamber 1 through the ejection holes.
【００１８】このとき、ガス導入口８から周縁部側連通
孔６ｂ…までの距離と、ガス導入口８から中央部側連通
孔６ａ…までの距離との間には差があるが、中間板６に
おける周縁部には、中央部よりも高密度で周縁部側連通
孔６ｂ…が穿設されているので、周縁部側連通孔６ｂ…
を出るまでの反応性ガスの抵抗と、中央部側連通孔６ｂ
…を出るまでの反応性ガスの抵抗との間には、ほとんど
差が生じることなく、中間板６の全面において、反応性
ガスの流量を略均一にすることができるので、カソード
板５の全面から略均等な流量の反応性ガスが供給され
る。At this time, there is a difference between the distance from the gas introduction port 8 to the peripheral side communication holes 6b, and the distance from the gas introduction port 8 to the central communication hole 6a. Since the peripheral edge side communication holes 6b are formed in the peripheral edge part of 6 at a higher density than the central part, the peripheral edge side communication holes 6b ...
Of reactive gas until it exits and the communication hole 6b on the center side
There is almost no difference with the resistance of the reactive gas until it exits, and the flow rate of the reactive gas can be made substantially uniform on the entire surface of the intermediate plate 6, so that the entire surface of the cathode plate 5 can be obtained. Is supplied with a substantially uniform flow rate of the reactive gas.
【００１９】そして、アノード板３とカソード電極４と
の間に、直流、あるいは高周波を印加すると、グロー放
電によりプラズマが発生し、反応性ガスが化学的に活性
なイオン等に分解され、基板２の表面において反応し、
堆積することにより、基板２上に薄膜が形成される。ま
た、反応後のガスは、上記の排気口９より排出される。When direct current or high frequency is applied between the anode plate 3 and the cathode electrode 4, plasma is generated by glow discharge and the reactive gas is decomposed into chemically active ions and the like, and the substrate 2 React on the surface of
By depositing, a thin film is formed on the substrate 2. The gas after the reaction is discharged from the exhaust port 9 described above.
【００２０】上記のように、周縁部連通孔６ｂ…を、中
央部側連通孔６ａ…よりも短い間隔で形成することによ
り、周縁部連通孔６ｂ…および中央部側連通孔６ａ…を
等間隔で形成する場合と比較して、中間板６の周縁部か
ら放出される反応性ガスの流量を増加させることがで
き、ガス導入口８から周縁部側連通孔６ｂ…および中央
部側連通孔６ａ…を出るまでの反応性ガスの抵抗を略均
等にすることができる。As described above, the peripheral edge communication holes 6b are formed at intervals shorter than the central portion side communication holes 6a, so that the peripheral edge communication holes 6b and the central portion side communication holes 6a are equally spaced. The flow rate of the reactive gas released from the peripheral portion of the intermediate plate 6 can be increased as compared with the case where the intermediate plate 6 is formed, and the peripheral portion side communication holes 6b ... It is possible to make the resistance of the reactive gas until it exits ...
【００２１】したがって、大型サイズの基板に成膜を行
う場合においても、カソード板５全面から略均等な流量
で反応性ガスを供給することができ、略均一な膜厚分布
で基板２の表面に薄膜を形成することができる。Therefore, even when a film is formed on a large-sized substrate, the reactive gas can be supplied from the entire surface of the cathode plate 5 at a substantially uniform flow rate, and the surface of the substrate 2 can be distributed with a substantially uniform film thickness. A thin film can be formed.
【００２２】尚、中間板６に穿設される中央部側および
周縁部側連通孔６ａ…・６ｂ…や、カソード板５に穿設
されるガス噴出孔の径は、本実施例で記載した値に限定
されるものではなく、基板の大きさや、反応性ガスの流
量等に応じて変更可能である。また、上記の実施例で
は、上記の連通孔６ａ…・６ｂの内、最外周に設けられ
たもののみを周縁部側連通孔６ｂ…として、中央部側連
通孔６ａ…よりも高密度に形成したが、基板の形状等に
応じて、中間板６における外周二列分、あるいはそれ以
上を周縁部側連通孔６ｂ…として高密度に形成してもよ
い。さらに、カソード電極４に反応性ガスを導入するガ
ス導入口８を、後壁７における中央部以外の位置に配設
した場合においても、ガス導入口８からの距離に応じて
中間板を複数の領域に分割し、中間板６全面において放
出される反応性ガス流量が略均一になるように、中間板
６における領域ごとに連通孔を穿設する密度を設定する
ことにより、本発明の適用が可能である。The diameters of the central side and peripheral side communication holes 6a ... 6b ... Bored in the intermediate plate 6 and the gas ejection holes bored in the cathode plate 5 have been described in this embodiment. The value is not limited and can be changed according to the size of the substrate, the flow rate of the reactive gas, and the like. Further, in the above-described embodiment, only the outermost peripheral holes of the communication holes 6a ... 6b are formed as the peripheral side communication holes 6b ... and have a higher density than the central communication holes 6a. However, depending on the shape of the substrate and the like, two rows or more of the outer circumference of the intermediate plate 6 may be formed as the peripheral side communication holes 6b ... Further, even when the gas introduction port 8 for introducing the reactive gas to the cathode electrode 4 is arranged at a position other than the central portion of the rear wall 7, a plurality of intermediate plates are provided depending on the distance from the gas introduction port 8. The present invention can be applied by dividing the region into regions and setting the density for forming the communication holes in each region of the intermediate plate 6 so that the flow rate of the reactive gas discharged on the entire surface of the intermediate plate 6 becomes substantially uniform. It is possible.
【００２３】また、例えば平行平板型のプラズマエッチ
ング装置に、本発明を適用した場合においても、上記の
実施例と同様に、カソード電極の全面から略均一な流量
の反応性ガスを供給することができるので、基板上に形
成された膜の除去等を精度良く行うことができる。Also, when the present invention is applied to, for example, a parallel plate type plasma etching apparatus, it is possible to supply the reactive gas at a substantially uniform flow rate from the entire surface of the cathode electrode, as in the above embodiment. Therefore, the film formed on the substrate can be removed accurately.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明の半導体製造装置は、以上のよう
に、反応室内に、基板が載置される第１電極とこの第１
電極に対向する第２電極とが配設され、上記第２電極
は、第１電極に対面すると共に複数のガス噴出孔が穿設
された前壁と、第２電極内に反応性ガスを導入するガス
導入口を有すると共に前壁を背後から覆う後壁と、上記
前壁と後壁とにより形成される内部空間を前後に区画す
る中間板とからなり、この中間板には、上記ガス導入口
からの距離に応じて分割された中間板の各領域ごとに、
上記の反応性ガスが通過する連通孔が、それぞれ異なる
密度で穿設されている構成である。As described above, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes the first electrode on which the substrate is placed and the first electrode in the reaction chamber.
A second electrode facing the electrode is provided, the second electrode facing the first electrode and introducing a reactive gas into the second electrode and a front wall having a plurality of gas ejection holes formed therein. A rear wall that covers the front wall from behind and an intermediate plate that divides the interior space formed by the front wall and the rear wall into front and rear parts, and the intermediate plate has the gas introduction port. For each area of the intermediate plate divided according to the distance from the mouth,
The communication holes through which the reactive gas passes are formed with different densities.
【００２５】それゆえ、ガス導入口から中間板の連通孔
を出るまでの反応性ガスの抵抗を、ガス導入口から各連
通孔までの距離に関係なく、略均一にすることができる
ので、第２電極の全面にわたり、略均等な流量で反応性
ガスを噴出することができるようになり、ひいては、半
導体製造装置が大型化された場合においても、大型の基
板に対して、例えば略均一な膜厚分布で成膜できるとい
う効果を奏する。Therefore, the resistance of the reactive gas from the gas introduction port to the exit of the communication hole of the intermediate plate can be made substantially uniform regardless of the distance from the gas introduction port to each communication hole. The reactive gas can be jetted at a substantially uniform flow rate over the entire surface of the two electrodes, and even if the semiconductor manufacturing apparatus is enlarged, for example, a substantially uniform film can be formed on a large substrate. The film can be formed with a thickness distribution.
【図１】本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ装置
に備えられたカソード電極内に介装されている中間板の
平面図である。FIG. 1 is a plan view of an intermediate plate interposed in a cathode electrode provided in a plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】上記カソード電極が備えられた反応室を示す模
式図である。FIG. 2 is a schematic view showing a reaction chamber provided with the cathode electrode.
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置に備えられたカソー
ド電極を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a cathode electrode provided in a conventional plasma CVD apparatus.
【図４】図３に示すカソード電極内に介装されている中
間板を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing an intermediate plate interposed in the cathode electrode shown in FIG.
１ 反応室 ２ 被成膜基板（基板） ３ アノード板（第１電極） ４ カソード電極（第２電極） ５ カソード板（前壁） ６ ガス分散用中間板（中間板） ６ａ 中央部側連通孔（連通孔） ６ｂ 周縁部側連通孔（連通孔） ７ 後壁 ８ ガス導入口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reaction chamber 2 Deposition substrate (substrate) 3 Anode plate (first electrode) 4 Cathode electrode (second electrode) 5 Cathode plate (front wall) 6 Intermediate plate for gas dispersion (intermediate plate) 6a Central side communication hole (Communication hole) 6b Peripheral side communication hole (communication hole) 7 Rear wall 8 Gas inlet
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平木 純一 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 松尾 拓哉 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 井谷 晶 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Junichi Hiraki 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Prefecture Sharp Corporation (72) Takuya Matsuo 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Incorporated (72) Inventor Akira Itani 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka
Claims (1)
この第１電極に対向する第２電極とが配設され、上記第
２電極は、第１電極に対面すると共に複数のガス噴出孔
が穿設された前壁と、第２電極内に反応性ガスを導入す
るガス導入口を有すると共に前壁を背後から覆う後壁
と、上記前壁と後壁とにより形成される内部空間を前後
に区画する中間板とからなり、この中間板には、上記ガ
ス導入口からの距離に応じて分割された中間板の各領域
ごとに、上記の反応性ガスが通過する連通孔が、それぞ
れ異なる密度で穿設されていることを特徴とする半導体
製造装置。1. A first electrode on which a substrate is placed and a second electrode facing the first electrode are provided in a reaction chamber, and the second electrode faces the first electrode and is provided with a plurality of electrodes. It is formed by a front wall having gas ejection holes, a rear wall having a gas inlet for introducing a reactive gas into the second electrode and covering the front wall from behind, and the front wall and the rear wall. It is composed of an intermediate plate that divides the internal space into front and rear, and in this intermediate plate, a communication hole through which the above-mentioned reactive gas passes for each region of the intermediate plate divided according to the distance from the gas introduction port. The semiconductor manufacturing apparatus is characterized in that the holes are formed with different densities.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21505392A JPH0661157A (en) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | Semiconductor manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21505392A JPH0661157A (en) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | Semiconductor manufacturing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661157A true JPH0661157A (en) | 1994-03-04 |
Family
ID=16665986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21505392A Pending JPH0661157A (en) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | Semiconductor manufacturing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661157A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1061155A1 (en) * | 1998-03-06 | 2000-12-20 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| JP2002075692A (en) * | 2000-04-26 | 2002-03-15 | Unaxis Balzer Ag | Plasma reactor |
-
1992
- 1992-08-12 JP JP21505392A patent/JPH0661157A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2010067615A (en) * | 2000-04-26 | 2010-03-25 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Plasma reactor |
| US9045828B2 (en) | 2000-04-26 | 2015-06-02 | Tel Solar Ag | RF plasma reactor having a distribution chamber with at least one grid |
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