JPH0657044B2 - 光ビ−ム照射装置 - Google Patents
光ビ−ム照射装置Info
- Publication number
- JPH0657044B2 JPH0657044B2 JP58228932A JP22893283A JPH0657044B2 JP H0657044 B2 JPH0657044 B2 JP H0657044B2 JP 58228932 A JP58228932 A JP 58228932A JP 22893283 A JP22893283 A JP 22893283A JP H0657044 B2 JPH0657044 B2 JP H0657044B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、コンピュータやファクシミリ等、外部からの
ディジタル画像情報により変調された光ビームを記録媒
体上に走査して、画像の記録を行なう、光ビーム照射装
置に関するものである。
ディジタル画像情報により変調された光ビームを記録媒
体上に走査して、画像の記録を行なう、光ビーム照射装
置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、コンピュータやファクシミリ等からの文字，図形
等の画像信号を、レーザビーム等の光ビームを用いて記
録する装置が広く用いられている。
等の画像信号を、レーザビーム等の光ビームを用いて記
録する装置が広く用いられている。
以下、従来の光ビーム照射装置について、第１図〜第４
図を用いて説明する。第１図は半導体レーザを用いた従
来の光ビーム照射装置の概略構成図で、１は半導体レー
ザ、２はコリメータレンズ、３はポリゴン偏向器、４は
結像レンズ、５はレーザビーム、６は感光体、７は駆動
回路であり、駆動回路７から出力される駆動信号８によ
って半導体レーザ１が駆動される。
図を用いて説明する。第１図は半導体レーザを用いた従
来の光ビーム照射装置の概略構成図で、１は半導体レー
ザ、２はコリメータレンズ、３はポリゴン偏向器、４は
結像レンズ、５はレーザビーム、６は感光体、７は駆動
回路であり、駆動回路７から出力される駆動信号８によ
って半導体レーザ１が駆動される。
半導体レーザ１は駆動回路７により画像に応じて光強度
変調され、変調されたレーザ光はコリメータレンズ２で
平行化され、ポリゴン偏向器３により感光体６上を偏向
走査される。感光体６上では、レーザビーム５は結像レ
ンズ４により適当なビーム径に集束されている。ここで
感光体６上を走査されるレーザビーム５が、第２図に示
す如く、感光体６の回転方向に直交する偏向方向を主走
査方向、また感光体６の回転移動に伴なって走査される
方向を副走査方向と称す。第２図において、９Ａ，９
Ｂ，９Ｃ，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１１Ａ，１１Ｂ，
１１Ｃはデジタル画素であり、主走査方向のデジタル画
素情報及び副走査方向のデジタル画素情報に応じて、レ
ーザビーム５を変調して感光体６上を露光することによ
り、画像を記録することができる。第２図ではデジタル
画素１０Ｂがレーザビーム５の照射部となっている。こ
のときレーザビーム５の露光部を顕像化する方式をネガ
現象、また非露光部を顕像化する方式をポジ現象と呼
ぶ。
変調され、変調されたレーザ光はコリメータレンズ２で
平行化され、ポリゴン偏向器３により感光体６上を偏向
走査される。感光体６上では、レーザビーム５は結像レ
ンズ４により適当なビーム径に集束されている。ここで
感光体６上を走査されるレーザビーム５が、第２図に示
す如く、感光体６の回転方向に直交する偏向方向を主走
査方向、また感光体６の回転移動に伴なって走査される
方向を副走査方向と称す。第２図において、９Ａ，９
Ｂ，９Ｃ，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１１Ａ，１１Ｂ，
１１Ｃはデジタル画素であり、主走査方向のデジタル画
素情報及び副走査方向のデジタル画素情報に応じて、レ
ーザビーム５を変調して感光体６上を露光することによ
り、画像を記録することができる。第２図ではデジタル
画素１０Ｂがレーザビーム５の照射部となっている。こ
のときレーザビーム５の露光部を顕像化する方式をネガ
現象、また非露光部を顕像化する方式をポジ現象と呼
ぶ。
第５図は従来例における光ビーム照射装置の回路ブロッ
ク図で、１５，１６，１７は照射中の光ビームを含んだ
主走査方向１ライン分の画素情報を記憶するシフトレジ
スタである。つまり、シフトレジスタ１５は第２図に示
す主走査方向のデジタル画素９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，……９
Ｎの画素情報を記憶するものであり、同様にシフトレジ
スタ１６はデジタル画素１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，……
１０Ｎの画素情報を、シフトレジスタ１７はデジタル画
素１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，……１１Ｎの画素情報をそ
れぞれ記憶する。１８は現在照射すべき画素およびそれ
に隣接あるいは斜め隣接する全部で９点の画素の画素情
報が光照射情報か非照射情報かを判別する判別回路であ
る。
ク図で、１５，１６，１７は照射中の光ビームを含んだ
主走査方向１ライン分の画素情報を記憶するシフトレジ
スタである。つまり、シフトレジスタ１５は第２図に示
す主走査方向のデジタル画素９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，……９
Ｎの画素情報を記憶するものであり、同様にシフトレジ
スタ１６はデジタル画素１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，……
１０Ｎの画素情報を、シフトレジスタ１７はデジタル画
素１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，……１１Ｎの画素情報をそ
れぞれ記憶する。１８は現在照射すべき画素およびそれ
に隣接あるいは斜め隣接する全部で９点の画素の画素情
報が光照射情報か非照射情報かを判別する判別回路であ
る。
次に動作を説明する。画像信号は照射中の光ビームを含
んだ主走査ラインの画素情報を記憶するシフトレジスタ
１６および上下に隣接する主走査ラインの画素情報を記
憶するシフトレジスタ１５〜１７に記憶される。これら
のシフトレジスタ１５〜１７より、照射中の画素とこれ
に隣接および斜め隣接する画素との全部で９点の画素情
報を得ることができ、これらの画素情報を判別回路１８
に入れる。判別回路１８はこれらの画素情報が光照射情
報か非照射情報かを判別して、半導体レーザの光ビーム
スポット径を大きくする制御信号１９を出す。半導体レ
ーザの駆動回路７は現在照射中の画素１０Ｂの光照射情
報１０Ｂ′と制御信号１９とにより半導体レーザの光ビ
ームスポット径を大きくして、感光体を露光するもので
ある。
んだ主走査ラインの画素情報を記憶するシフトレジスタ
１６および上下に隣接する主走査ラインの画素情報を記
憶するシフトレジスタ１５〜１７に記憶される。これら
のシフトレジスタ１５〜１７より、照射中の画素とこれ
に隣接および斜め隣接する画素との全部で９点の画素情
報を得ることができ、これらの画素情報を判別回路１８
に入れる。判別回路１８はこれらの画素情報が光照射情
報か非照射情報かを判別して、半導体レーザの光ビーム
スポット径を大きくする制御信号１９を出す。半導体レ
ーザの駆動回路７は現在照射中の画素１０Ｂの光照射情
報１０Ｂ′と制御信号１９とにより半導体レーザの光ビ
ームスポット径を大きくして、感光体を露光するもので
ある。
第６図は、照射中の画素およびこれに隣接あるいは斜め
隣接する画素の合計９点の画素情報が全て光照射情報の
場合、光ビームスポット径を大きくした場合の例であ
る。また、他の例として、照射中の画素および少なくと
もそれに隣接する４個の画素の画素情報が全て光照射情
報のとき、光ビームスポット径を大きくする場合もあ
る。このようにして照射スポット２０，２１を大きなス
ポット径とすることにより、副走査方向のピッチむらを
補正し、ポジ現像の場合の非画像部の黒スジを無くすよ
うにしている。また非照射部に隣接する画素９Ｂ，９
Ｃ，９Ｄ，９Ｅ，１０Ｂ，１０Ｅ，１１Ｂ，１１Ｃ，１
１Ｄ，１１Ｅのスポット径は大きくしないので、従来の
様な画像が細るという欠点も除かれる。なお、図におけ
る一画素分の微小黒スジ２２は、現像実験の結果、画像
に出てこないことがわかった。
隣接する画素の合計９点の画素情報が全て光照射情報の
場合、光ビームスポット径を大きくした場合の例であ
る。また、他の例として、照射中の画素および少なくと
もそれに隣接する４個の画素の画素情報が全て光照射情
報のとき、光ビームスポット径を大きくする場合もあ
る。このようにして照射スポット２０，２１を大きなス
ポット径とすることにより、副走査方向のピッチむらを
補正し、ポジ現像の場合の非画像部の黒スジを無くすよ
うにしている。また非照射部に隣接する画素９Ｂ，９
Ｃ，９Ｄ，９Ｅ，１０Ｂ，１０Ｅ，１１Ｂ，１１Ｃ，１
１Ｄ，１１Ｅのスポット径は大きくしないので、従来の
様な画像が細るという欠点も除かれる。なお、図におけ
る一画素分の微小黒スジ２２は、現像実験の結果、画像
に出てこないことがわかった。
第７図および第８図により半導体レーザの光ビームスポ
ット径を大きくする一具体例について説明する。第７図
において、半導体レーザの駆動電流をａからｂへと大き
くすると、レーザ光の光強度はａ１からｂ１へと増加す
る。第８図において、光強度に対応する感光体上の光ビ
ームスポットの光強度分布はａ２，ｂ２のようにガウス
状になっているので、感光体の顕像される光量のしきい
値をＥｔとすると、それぞれの光強度に対してビームス
ポット径がａ３からｂ３へと拡大される。従って半導体
レーザの駆動電流を増加する事により、光ビームスポッ
ト径を大きくする事ができる。
ット径を大きくする一具体例について説明する。第７図
において、半導体レーザの駆動電流をａからｂへと大き
くすると、レーザ光の光強度はａ１からｂ１へと増加す
る。第８図において、光強度に対応する感光体上の光ビ
ームスポットの光強度分布はａ２，ｂ２のようにガウス
状になっているので、感光体の顕像される光量のしきい
値をＥｔとすると、それぞれの光強度に対してビームス
ポット径がａ３からｂ３へと拡大される。従って半導体
レーザの駆動電流を増加する事により、光ビームスポッ
ト径を大きくする事ができる。
第９図は半導体レーザの駆動回路の一例で、この回路
は、照射中の光ビームスポットに隣接する４点の画素の
画素情報が全て光照射情報のとき、光ビームスポット径
を大きくするものである。判別回路１８の制御信号１９
によりトランジスタ２３に電流が流れ、レーザ駆動用ト
ランジスタ２４の電流に加算されて、半導体レーザ１を
駆動するので、結果として感光体上の光ビームスポット
径を大きくする事ができる。
は、照射中の光ビームスポットに隣接する４点の画素の
画素情報が全て光照射情報のとき、光ビームスポット径
を大きくするものである。判別回路１８の制御信号１９
によりトランジスタ２３に電流が流れ、レーザ駆動用ト
ランジスタ２４の電流に加算されて、半導体レーザ１を
駆動するので、結果として感光体上の光ビームスポット
径を大きくする事ができる。
しかしながら本方式では黒線の交差部においては、現像
特性によって交差部のふとりやつぶれが生じ交差部のシ
ャープさが得られないという欠点を有していた。
特性によって交差部のふとりやつぶれが生じ交差部のシ
ャープさが得られないという欠点を有していた。
発明の目的 本発明は上記従来の欠点を解消するものであり、黒線部
交差部の線のシャープさや、あるいはなめらかさを得る
光ビーム照射装置を提供することを目的としている。
交差部の線のシャープさや、あるいはなめらかさを得る
光ビーム照射装置を提供することを目的としている。
発明の構成 上記目的を達成するため、本発明の光ビーム照射装置
は、ディジタル画素で構成された画像情報に応じて変調
された光ビームを出射する光源と、この光源からの光ビ
ームを記録媒体上に結像しかつ走査する走査手段と、現
在照射中の光ビームスポットに隣接する画素および斜め
隣接する画素の画素情報の少なくとも一部を記憶してい
る記憶手段と、この記憶手段の各記憶情報が光照射情報
か非光照射情報かを判別する判別手段と、この判別手段
の判別結果によって現在照射中の光ビームスポット径を
大きくする制御手段とを備え、前記制御手段は、現在照
射中の光ビームスポットに隣接および斜め隣接する８点
の画素情報のうち、連続して隣り合う少なくとも４点の
画素情報が未照射情報の場合に、前記光ビームスポット
径を大きくして画像の交差部のエッジをシャープにする
か、前記光ビームスポット径を小さくして画像の交差部
のエッジをなめらかにする構成としたものである。
は、ディジタル画素で構成された画像情報に応じて変調
された光ビームを出射する光源と、この光源からの光ビ
ームを記録媒体上に結像しかつ走査する走査手段と、現
在照射中の光ビームスポットに隣接する画素および斜め
隣接する画素の画素情報の少なくとも一部を記憶してい
る記憶手段と、この記憶手段の各記憶情報が光照射情報
か非光照射情報かを判別する判別手段と、この判別手段
の判別結果によって現在照射中の光ビームスポット径を
大きくする制御手段とを備え、前記制御手段は、現在照
射中の光ビームスポットに隣接および斜め隣接する８点
の画素情報のうち、連続して隣り合う少なくとも４点の
画素情報が未照射情報の場合に、前記光ビームスポット
径を大きくして画像の交差部のエッジをシャープにする
か、前記光ビームスポット径を小さくして画像の交差部
のエッジをなめらかにする構成としたものである。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
する。
第１３図は本発明の実施例を示しており、この実施例
は、照射される光ビームスポット径を大きくして画像の
交差部のエッジをシャープにしたり、あるいは光ビーム
スポット径を小さくして画像の交差部のエッジをなめら
かにするようにしたもので、照射中の画素３４に隣接及
び斜め隣接する８点の画素の画素情報のうち、連続して
隣り合う少なくとも４点〔本実施例では画素３５〜３
８〕の画素情報が非照射情報の場合、光ビームスポット
径を変化させるものである。ポジ現像の場合、光ビーム
スポット径を３４ａと大きくすると、画像の交差部がシ
ャープになる。なお、光ビームスポット径を３４ｂと小
さくすると、交差部がなめらかになる。
は、照射される光ビームスポット径を大きくして画像の
交差部のエッジをシャープにしたり、あるいは光ビーム
スポット径を小さくして画像の交差部のエッジをなめら
かにするようにしたもので、照射中の画素３４に隣接及
び斜め隣接する８点の画素の画素情報のうち、連続して
隣り合う少なくとも４点〔本実施例では画素３５〜３
８〕の画素情報が非照射情報の場合、光ビームスポット
径を変化させるものである。ポジ現像の場合、光ビーム
スポット径を３４ａと大きくすると、画像の交差部がシ
ャープになる。なお、光ビームスポット径を３４ｂと小
さくすると、交差部がなめらかになる。
又、第１０図はネガ現像の場合、主走査方向に隣接する
白線に対して黒線２５が細る場合、変調時間を長くして
黒線２５ａの細りを補正した例、第１１図は黒線２６が
ふとる場合、変調時間を短くして、黒線２６ａのふとり
を補正した例である。第１２図は変調時間を補正する回
路の回路図およびその各部信号波形図であり、遅延回路
２７により変調駆動信号２８をＴＤ時間遅らせた信号２
９と、もとの駆動信号２８とを、論理積回路３０又は論
理和回路３１に通すことにより信号３２，３３を得、変
調時間の伸長又は圧縮を行なっている。
白線に対して黒線２５が細る場合、変調時間を長くして
黒線２５ａの細りを補正した例、第１１図は黒線２６が
ふとる場合、変調時間を短くして、黒線２６ａのふとり
を補正した例である。第１２図は変調時間を補正する回
路の回路図およびその各部信号波形図であり、遅延回路
２７により変調駆動信号２８をＴＤ時間遅らせた信号２
９と、もとの駆動信号２８とを、論理積回路３０又は論
理和回路３１に通すことにより信号３２，３３を得、変
調時間の伸長又は圧縮を行なっている。
上記各実施例では、光源として半導体レーザ１を用いた
が、ＣＲＴ，ＬＥＤアレイ等を光源にした光ビームであ
れば何でもよい。
が、ＣＲＴ，ＬＥＤアレイ等を光源にした光ビームであ
れば何でもよい。
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、現在照射中の光ビ
ームスポットに隣接あるいは斜め隣接する画素情報を判
別して光ビームスポット径を大きくするようにしたの
で、ピッチむらを防ぐ回路を用いて黒線交差部における
画像のシャープさ、なめらかさを補正し、画像の向上を
図り得る。
ームスポットに隣接あるいは斜め隣接する画素情報を判
別して光ビームスポット径を大きくするようにしたの
で、ピッチむらを防ぐ回路を用いて黒線交差部における
画像のシャープさ、なめらかさを補正し、画像の向上を
図り得る。
第１図は従来の光ビーム照射装置の概略構成図、第２図
は光ビームの走査方向の説明図、第３図は副走査方向の
ピッチむらによる画質劣化の説明図、第４図は従来のピ
ッチむら補正の説明図、第５図は従来例における光ビー
ム照射装置の要部の回路ブロック図、第６図は同光ビー
ム照射装置によるピッチむら補正の説明図、第７図は同
光ビーム照射装置における半導体レーザの駆動電流とレ
ーザ光強度との関係の説明図、第８図は光ビームスポッ
トの分布説明図、第９図は別の例における半導体レーザ
の駆動回路の回路図、第１０図は画像の細りを補正した
図、第１１図は画像のふとりを補正した図、第１２図は
変調時間の補正回路の回路図、第１３図は画像の交差部
のシャープさ、なめらかさを補正した図である。 １……半導体レーザ、３……ポリゴン偏向器、５……レ
ーザビーム、７……駆動回路、１５，１６，１７……シ
フトレジスタ、１８…判別回路、２７…遅延回路、３０
…論理積回路、３１…論理和回路。
は光ビームの走査方向の説明図、第３図は副走査方向の
ピッチむらによる画質劣化の説明図、第４図は従来のピ
ッチむら補正の説明図、第５図は従来例における光ビー
ム照射装置の要部の回路ブロック図、第６図は同光ビー
ム照射装置によるピッチむら補正の説明図、第７図は同
光ビーム照射装置における半導体レーザの駆動電流とレ
ーザ光強度との関係の説明図、第８図は光ビームスポッ
トの分布説明図、第９図は別の例における半導体レーザ
の駆動回路の回路図、第１０図は画像の細りを補正した
図、第１１図は画像のふとりを補正した図、第１２図は
変調時間の補正回路の回路図、第１３図は画像の交差部
のシャープさ、なめらかさを補正した図である。 １……半導体レーザ、３……ポリゴン偏向器、５……レ
ーザビーム、７……駆動回路、１５，１６，１７……シ
フトレジスタ、１８…判別回路、２７…遅延回路、３０
…論理積回路、３１…論理和回路。
Claims (1)
- 【請求項１】デジタル画素で構成された画像情報に応じ
て変調された光ビームを出射する光源と、この光源から
の光ビームを記録媒体上に結像しかつ走査する走査手段
と、現在照射中の光ビームスポットに隣接する画素およ
び斜め隣接する画素の画素情報の少なくとも一部を記憶
している記憶手段と、この記憶手段の各記憶情報が光照
射情報か非光照射情報かを判別する判別手段と、この判
別手段の判別結果によって現在照射中の光ビームスポッ
ト径を大きくする制御手段とを備え、前記制御手段は、
現在照射中の光ビームスポットに隣接および斜め隣接す
る８点の画素情報のうち、連続して隣り合う少なくとも
４点の画素情報が未照射情報の場合に、前記光ビームス
ポット径を大きくして画像の交差部のエッジをシャープ
にするか、前記光ビームスポット径を小さくして画像の
交差部のエッジをなめらかにする構成としたことを特徴
とする光ビーム照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58228932A JPH0657044B2 (ja) | 1983-12-03 | 1983-12-03 | 光ビ−ム照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58228932A JPH0657044B2 (ja) | 1983-12-03 | 1983-12-03 | 光ビ−ム照射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60120660A JPS60120660A (ja) | 1985-06-28 |
| JPH0657044B2 true JPH0657044B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=16884113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58228932A Expired - Lifetime JPH0657044B2 (ja) | 1983-12-03 | 1983-12-03 | 光ビ−ム照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0657044B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2751326C3 (de) * | 1977-11-17 | 1985-05-09 | Dr.-Ing. Rudolf Hell Gmbh, 2300 Kiel | Verfahren zum Aufzeichnen von Schrift- oder Bildinformationen |
| JPS568112A (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-27 | Canon Inc | Scanning type image recorder |
| JPS5727962A (en) * | 1980-07-19 | 1982-02-15 | Tatsurou Okamura | Construction material |
| JPS5726962A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoradiation method for recorder |
-
1983
- 1983-12-03 JP JP58228932A patent/JPH0657044B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60120660A (ja) | 1985-06-28 |
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