JPH0656955U - Ion implanter - Google Patents
Ion implanterInfo
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- JPH0656955U JPH0656955U JP40193U JP40193U JPH0656955U JP H0656955 U JPH0656955 U JP H0656955U JP 40193 U JP40193 U JP 40193U JP 40193 U JP40193 U JP 40193U JP H0656955 U JPH0656955 U JP H0656955U
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 イオン照射対象物１１への照射を行うイオン
ビーム１の走査時に、イオン照射対象物１１と共にイオ
ンビーム１が照射されるドーズファラデー６を有してい
る。ドーズファラデー６により検出されるビーム電流お
よび単位時間当りの検出数を基にしてイオン照射対象物
１１への注入電流を求める注入電流認識手段を有してい
る。
【効果】 イオンビーム１が走査されてイオン照射対象
物１１に照射される際に、走査されたイオンビーム１が
ドーズファラデー６にも照射されるため、イオン照射対
象物１１に照射する状態と同一のイオンビーム１による
注入電流を注入電流認識手段により認識できる。従っ
て、イオン照射対象物１１への注入電流を正確に把握す
ることができるため、イオン注入の精度を向上させるこ
とができる。
(57) [Summary] [Structure] The ion irradiation target 11 has a dose Faraday 6 which is irradiated with the ion beam 1 during scanning of the ion beam 1 for irradiation. It has an injection current recognition means for obtaining an injection current into the ion irradiation target 11 based on the beam current detected by the dose Faraday 6 and the number of detections per unit time. [Effects] When the ion beam 1 is scanned and irradiated onto the ion irradiation target 11, the scanned ion beam 1 is also irradiated onto the dose Faraday 6, so that the ion irradiation target 11 is irradiated with the same state. The injection current by the ion beam 1 can be recognized by the injection current recognition means. Therefore, the implantation current to the ion irradiation target 11 can be accurately grasped, and the precision of ion implantation can be improved.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、イオンビームを走査してイオン注入処理を行うイオン注入装置に関 するものである。 The present invention relates to an ion implantation apparatus that performs an ion implantation process by scanning an ion beam.
【０００２】[0002]
ハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置は、イオンビームを平行走査する 一対の走査電極と、イオンビームを垂直方向に偏向させる偏向電極と、イオン照 射対象物をビーム走査方向に対して垂直方向に往復移動させるメカニカルスキャ ン機構とを有しており、イオン照射対象物にイオンビームの経路を横切らせるこ とによって、イオン照射対象物の全面にイオンビームを照射させるようになって いる。 The hybrid scan type ion implanter is a pair of scanning electrodes that scan the ion beam in parallel, a deflection electrode that deflects the ion beam in the vertical direction, and an ion irradiation target reciprocates in the direction perpendicular to the beam scanning direction. It has a mechanical scanning mechanism that allows the ion irradiation target to traverse the path of the ion beam so that the entire surface of the ion irradiation target is irradiated with the ion beam.
【０００３】 また、イオン注入装置は、イオンビームのビーム電流を検出することによりイ オン注入処理を行うようになっているが、イオン照射対象物へのイオンビームの 照射位置（ターゲット位置）をビーム電流の検出位置として使用することが困難 であるため、照射位置の近辺に各種のファラデーを配設することによりビーム電 流を検出してイオン注入処理を行うようになっている。Further, the ion implantation apparatus is designed to perform ion implantation processing by detecting the beam current of the ion beam. However, the ion beam irradiation position (target position) on the object to be ion-irradiated Since it is difficult to use as a current detection position, various Faraday is installed near the irradiation position to detect the beam current and perform the ion implantation process.
【０００４】 即ち、従来のイオン注入装置は、照射位置の上方に配設され、イオンビームが 走査および偏向されない状態で入射されるダンプファラデーと、照射位置の側方 に配設され、走査および偏向されたイオンビームが入射されるドーズファラデー とを有しており、イオン注入前にダンプファラデーによりイオンビームのビーム 電流を検出してセットビーム電流となるようにビーム量を調整し、この後、走査 されたイオンビームのパルス数をドーズファラデーにより検出し、このパルス数 をセットビーム電流を用いて注入電流に換算してイオン注入処理を行うようにな っている（図１参照）。That is, the conventional ion implantation apparatus is disposed above the irradiation position, and the dump Faraday which the ion beam enters without being scanned and deflected, and the ion Faraday disposed on the side of the irradiation position are scanned and deflected. It has a dose Faraday on which the generated ion beam is incident.Before ion implantation, the beam current of the ion beam is detected by the dump Faraday, and the beam amount is adjusted so that the set beam current is obtained. The pulse number of the generated ion beam is detected by the dose Faraday, and the pulse number is converted into the implantation current using the set beam current to perform the ion implantation process (see FIG. 1).
【０００５】[0005]
しかしながら、上記従来のイオン注入装置では、イオンビームが走査および偏 向されることによって、イオンビームのビーム電流が変化するにも拘わらず、走 査および偏向される前にセットビーム電流に調整されたイオンビームがイオン注 入処理に使用されるため、セットビーム電流とパルス数とを用いて換算された注 入電流と実際の注入電流とに差異を生じてイオン注入の精度が不十分になるとい う問題がある。 However, in the above-mentioned conventional ion implantation apparatus, although the beam current of the ion beam is changed by scanning and deflecting the ion beam, it is adjusted to the set beam current before being scanned and deflected. Since the ion beam is used for the ion implantation process, there is a difference between the implantation current calculated using the set beam current and the number of pulses and the actual implantation current, resulting in insufficient ion implantation accuracy. I have a problem.
【０００６】 さらに、イオン注入処理中における一時的な中断によって、イオンビームを走 査および偏向させた段階からイオン注入処理を再開する場合、イオン源等の動作 状態の変化によりビーム電流とセットビーム電流とに大きな差異を生じることが あるが、従来のイオン注入装置では、この差異を検出することができないため、 不適切なイオン注入処理を行うことになる。Further, when the ion implantation process is restarted from the stage where the ion beam is scanned and deflected due to a temporary interruption during the ion implantation process, the beam current and the set beam current change due to a change in the operating state of the ion source or the like. However, a conventional ion implanter cannot detect this difference, and thus an improper ion implantation process is performed.
【０００７】 従って、本考案においては、走査および偏向させた状態のイオンビームによる 注入電流を認識してイオン注入の精度を向上させることができるイオン注入装置 を提供することを目的としている。Therefore, it is an object of the present invention to provide an ion implantation apparatus capable of improving the precision of ion implantation by recognizing the implantation current by the ion beam in the scanned and deflected state.
【０００８】[0008]
本考案のイオン注入装置は、上記課題を解決するために、イオン照射対象物へ の照射を行うイオンビームの走査時に、該イオン照射対象物と共にイオンビーム が照射されるドーズファラデーであるファラデー手段を有し、該ファラデー手段 によりイオン注入処理を制御するものであり、下記の特徴を有している。 In order to solve the above-mentioned problems, the ion implantation apparatus of the present invention is provided with a Faraday means, which is a dose Faraday that is irradiated with an ion beam together with the ion irradiation target when the ion beam is irradiated to the irradiation target. The Faraday means controls the ion implantation process, and has the following features.
【０００９】 即ち、イオン注入装置は、上記ファラデー手段により検出されるビーム電流お よび単位時間当りの検出数を基にしてイオン照射対象物への注入電流を求める注 入電流認識手段を有している。That is, the ion implantation apparatus has an injection current recognition unit that obtains the injection current into the ion irradiation target based on the beam current detected by the Faraday unit and the number of detections per unit time. There is.
【００１０】[0010]
【作用】 上記の構成によれば、イオンビームが走査されてイオン照射対象物に照射され る際には、走査されたイオンビームがファラデー手段にも照射されるため、注入 電流認識手段は、イオン照射対象物に照射する状態と同一のイオンビームによる 注入電流を認識することが可能になっている。従って、イオン注入装置は、イオ ン照射対象物への注入電流を正確に把握することができるため、イオン注入の精 度を向上させることができるようになっている。According to the above configuration, when the ion beam is scanned to irradiate the ion irradiation target, the scanned ion beam is also irradiated to the Faraday means. It is possible to recognize the injection current by the same ion beam as the state of irradiating the irradiation target. Therefore, the ion implantation device can accurately grasp the implantation current into the ion irradiation target, and thus can improve the accuracy of the ion implantation.
【００１１】[0011]
本考案の一実施例を図１ないし図３に基づいて説明すれば、以下の通りである 。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.
【００１２】 本実施例に係るイオン注入装置は、図１に示すように、イオンビーム１を水平 方向に走査する一対の第１走査電極を有している。第１走査電極のイオンビーム １の進行方向側には、偏向電圧を印加された一対の偏向電極が配設されており、 偏向電極は、イオンビーム１の進行中に荷電粒子の進行方向を偏向電圧によって 任意のＶ方向に設定するようになっている。さらに、イオンビーム１の進行方向 には、水平電極の電極面と平行な電極面を有する第２走査電極が配設されており 、これらの第２走査電極は、第１走査電極によって水平方向へ広がるイオンビー ム１を同一方向へ進行させるようになっている。As shown in FIG. 1, the ion implantation apparatus according to the present embodiment has a pair of first scanning electrodes for scanning the ion beam 1 in the horizontal direction. A pair of deflection electrodes, to which a deflection voltage is applied, is disposed on the ion beam 1 traveling direction side of the first scanning electrode. The deflection electrodes deflect the charged particle traveling direction while the ion beam 1 is traveling. The voltage is set in an arbitrary V direction. Further, a second scanning electrode having an electrode surface parallel to the electrode surface of the horizontal electrode is arranged in the traveling direction of the ion beam 1, and these second scanning electrodes are horizontally moved by the first scanning electrode. The expanding ion beam 1 is designed to travel in the same direction.
【００１３】 上記の偏向電極によって偏向されないイオンビーム１の直進方向には、ダンプ ファラデー３が配設されており、このダンプファラデー３の下方には、不要なイ オンビーム１を遮断するマスクスリット８が配設されている。また、イオンビー ム１の直進方向よりも例えば４°の偏向角度で下方へ偏向された方向には、フロ ント用開口部８ａがマスクスリット８に形成されていると共にフロントファラデ ー４が配設されている。A dump Faraday 3 is disposed in the straight traveling direction of the ion beam 1 which is not deflected by the deflection electrode, and a mask slit 8 for blocking the unnecessary ion beam 1 is provided below the dump Faraday 3. It is arranged. A front opening 8a is formed in the mask slit 8 and a front Faraday 4 is arranged in a direction deflected downward at a deflection angle of, for example, 4 ° with respect to the straight direction of the ion beam 1. Has been done.
【００１４】 さらに、イオンビーム１の直進方向よりも例えば７°の偏向角度で下方へ偏向 された方向には、ドーズ用開口部８ｂおよびバック用開口部８ｃがマスクスリッ ト８に水平方向に形成されていると共に、ドーズファラデー６およびバックファ ラデー１０が配設されている。そして、このバックファラデー１０と上述のフロ ントファラデー４とは、イオンビーム１の平行度等を求める際に使用されるよう になっている。さらに、バックファラデー１０とマスクスリット８との間には、 イオン照射対象物１１がメカニカルスキャン機構によって垂直方向に往復移動さ れるようになっている。Further, a dose opening 8 b and a back opening 8 c are formed in the mask slit 8 in the horizontal direction in a direction deflected downward at a deflection angle of, for example, 7 ° with respect to the direction in which the ion beam 1 travels straight. In addition, a dose Faraday 6 and a back Faraday 10 are provided. The back Faraday 10 and the front Faraday 4 are used when determining the parallelism of the ion beam 1 and the like. Further, the ion irradiation target 11 is vertically reciprocated between the back Faraday 10 and the mask slit 8 by a mechanical scanning mechanism.
【００１５】 上記の各ファラデー３・４・６・１０およびメカニカルスキャン機構は、図２ に示すように、注入装置本体２に備えられている。各ファラデー３・４・６・１ ０は、カレントトランスデューサ５を介して注入コントローラ７に接続されてお り、イオンビーム１の入射によって検出したビーム電流をカレントトランスデュ ーサ５を介して注入コントローラ７に出力するようになっている。As shown in FIG. 2, each Faraday 3, 4, 6, 10 and mechanical scan mechanism described above are provided in the injection device main body 2. Each Faraday 3, 4, 6, 10 is connected to the injection controller 7 via the current transducer 5, and the beam current detected by the incidence of the ion beam 1 is injected via the current transducer 5 into the injection controller. It outputs to 7.
【００１６】 上記の注入コントローラ７は、信号処理部とデータ表示部とを有している。信 号処理部は、ダンプファラデー３やドーズファラデー６により検出されるビーム 電流をデジタル処理に適したビーム電流データに変換する処理と、ドーズファラ デー６により検出されるビーム電流の単位時間当りの検出数となるパルス数（Ｑ モニター）をパルス数データとして求める処理とを行うようになっている。The injection controller 7 has a signal processing unit and a data display unit. The signal processing unit converts the beam current detected by the dump Faraday 3 or the dose Faraday 6 into beam current data suitable for digital processing, and the number of beam currents detected by the dose Faraday 6 per unit time. The process of obtaining the pulse number (Q monitor) as the pulse number data is performed.
【００１７】 また、データ表示部は、上記のビーム電流データやパルス数データを表示する ようになっている。そして、注入コントローラ７は、例えばＲＳ２３２Ｃ等の所 定の通信規格を有した通信回線を介してマシーンホスト９に接続されており、マ シーンホスト９からのデータ要求信号を受信したときにビーム電流データを送信 するようになっていると共に、マシーンホスト９からの表示選択信号を受信した ときにビーム電流データまたはパルス数データを表示するようになっている。尚 、データ表示部は、ビーム電流データおよびパルス数データを同時に表示するよ うになっていても良い。Further, the data display section is adapted to display the above-mentioned beam current data and pulse number data. The injection controller 7 is connected to the machine host 9 via a communication line having a predetermined communication standard such as RS232C, and when receiving a data request signal from the machine host 9, the beam current data is received. The beam current data or the pulse number data is displayed when the display selection signal from the machine host 9 is received. The data display section may display the beam current data and the pulse number data at the same time.
【００１８】 上記の注入コントローラ７に接続されたマシーンホスト９は、所望のビーム電 流であるセットビーム電流データ等の注入条件データを記憶する注入条件格納部 と、ダンプファラデー３から得られるビーム電流データをセットビーム電流デー タに一致するようにイオンビーム１のビーム量を調整する第１ビーム量調整部と 、フロントファラデー４およびバックファラデー１０のビーム電流データを基に してイオンビーム１の平行度を調整する平行度調整部と、イオン注入処理を行う イオン注入処理部とを有している。The machine host 9 connected to the injection controller 7 described above has an injection condition storage unit for storing injection condition data such as set beam current data which is a desired beam current, and a beam current obtained from the dump Faraday 3. The first beam amount adjusting unit that adjusts the beam amount of the ion beam 1 so that the data matches the set beam current data, and the parallelism of the ion beam 1 based on the beam current data of the front Faraday 4 and the back Faraday 10. It has a parallelism adjusting unit for adjusting the degree and an ion implantation processing unit for performing an ion implantation process.
【００１９】 さらに、マシーンホスト９は、ドーズファラデー６から得られるビーム電流デ ータおよびパルス数データを下記の注入換算式（１）に代入して注入電流データ を求める注入電流認識部（注入電流認識手段）と、注入電流データをセットビー ム電流データによる設定注入電流データに一致するようにイオンビーム１のビー ム量を調整する第２ビーム量調整部とを有している。Further, the machine host 9 substitutes the beam current data and the pulse number data obtained from the dose Faraday 6 into the injection conversion formula (1) below to obtain the injection current data. (Recognition means) and a second beam amount adjusting unit for adjusting the beam amount of the ion beam 1 so that the injection current data matches the set injection current data based on the set beam current data.
【００２０】 注入電流データ＝レンジmax ×面積比 ×（パルス数データ／１走査時間） … （１） ここで、レンジmax とは、ドーズファラデー６から得られるビーム電流データ のことである。面積比とは、バック用開口部８ｃの面積／ドーズ用開口部８ｂの 面積のことである。Injection current data = range max × area ratio × (pulse number data / 1 scanning time) (1) Here, the range max is beam current data obtained from the dose Faraday 6. The area ratio is the area of the back opening 8c / the area of the dose opening 8b.
【００２１】 尚、上記の各処理部は、ハードウエアにより構成されていても良いし、ソフト ウエアにより構成されていても良い。即ち、ソフトウエアにより構成した場合に は、例えば図３のフローチャートに示すように、注入条件格納部がＳ１に相当し 、第１ビーム量調整部がＳ３に相当し、平行度調整部がＳ５に相当し、注入電流 認識部および第２ビーム量調整部がＳ４・Ｓ９に相当し、イオン注入処理部がＳ １０に相当することになる。Each of the above processing units may be configured by hardware or software. That is, in the case of software, the injection condition storage unit corresponds to S1, the first beam amount adjustment unit corresponds to S3, and the parallelism adjustment unit corresponds to S5, for example, as shown in the flowchart of FIG. The implantation current recognition unit and the second beam amount adjustment unit correspond to S4 and S9, and the ion implantation processing unit corresponds to S10.
【００２２】 上記のマシーンホスト９は、上述の注入コントローラ７との接続に用いられた 通信回線と同様の通信回線を介してシーケンスコントローラ１２に接続されてお り、各処理部において形成される各種の制御信号をシーケンスコントローラ１２ に出力するようになっている。そして、このシーケンスコントローラ１２は、注 入装置本体２のイオン源やメカニカルスキャン機構等の機器に接続されており、 マシーンホスト９からの制御信号に基づいて各機器を制御するようになっている 。The machine host 9 described above is connected to the sequence controller 12 via a communication line similar to the communication line used to connect the injection controller 7 described above, and various types of processing units formed in each processing unit. Is output to the sequence controller 12. The sequence controller 12 is connected to devices such as an ion source and a mechanical scan mechanism of the injection device body 2 and controls each device based on a control signal from the machine host 9.
【００２３】 上記の構成において、図３のフローチャートに基づいてイオン注入装置の動作 について説明する。The operation of the ion implanter having the above configuration will be described with reference to the flowchart of FIG.
【００２４】 図２に示すように、マシーンホスト９の立ち上げによりイオン注入処理ルーチ ンが実行されると、注入条件データの入力要求がマシーンホスト９の表示装置や 図示しないホストコンピュータに出力されることになる。そして、この入力要求 によりセットビーム電流データ等の注入条件データがマシーンホスト９に登録さ れることになる（Ｓ１）。As shown in FIG. 2, when the ion implantation processing routine is executed by starting up the machine host 9, an input request of implantation condition data is output to the display device of the machine host 9 or a host computer (not shown). It will be. Then, in response to this input request, injection condition data such as set beam current data is registered in the machine host 9 (S1).
【００２５】 注入条件データの登録が完了すると、イオン源等の各機器が立ち上げられ、注 入条件データを基にしたセットアップが行われることになる（Ｓ２）。そして、 図１に示すように、イオン源により生成されたイオンビーム１は、質量分析等の 各種の処理が施された後、走査電極間および偏向電極間を直進してダンプファラ デー３に到達することになる。When the registration of the implantation condition data is completed, each device such as the ion source is started up, and the setup based on the implantation condition data is performed (S2). Then, as shown in FIG. 1, the ion beam 1 generated by the ion source travels straight between the scanning electrodes and between the deflection electrodes and reaches the dump Faraday 3 after being subjected to various processes such as mass spectrometry. It will be.
【００２６】 ダンプファラデー３に到達したイオンビーム１は、ビーム電流が検出されるこ とになり、このビーム電流は、カレントトランスデューサ５を介して注入コント ローラ７に出力されることになる。注入コントローラ７に入力されたビーム電流 は、デジタル処理に適したビーム電流データに変換されることになり、このビー ム電流データは、マシーンホスト９からのデータ要求信号を注入コントローラ７ が受信したときにマシーンホスト９に送信されることになる。そして、マシーン ホスト９は、ビーム電流データを逐次受信しながら、ビーム電流データがセット ビーム電流データに一致するように、シーケンスコントローラ１２に制御信号を 送信し、シーケンスコントローラ１２を介してイオンビーム１のビーム量を調整 することによって、ビーム電流をセットアップすることになる（Ｓ３）。The beam current of the ion beam 1 that has reached the dump Faraday 3 is to be detected, and this beam current is output to the implantation controller 7 via the current transducer 5. The beam current input to the injection controller 7 is converted into beam current data suitable for digital processing, and this beam current data is obtained when the injection controller 7 receives a data request signal from the machine host 9. Will be transmitted to the machine host 9. Then, the machine host 9 sequentially receives the beam current data and transmits a control signal to the sequence controller 12 so that the beam current data matches the set beam current data. The beam current is set up by adjusting the beam amount (S3).
【００２７】 ダンプファラデー３によるビーム電流のセットアップが完了すると、イオンビ ーム１は、水平方向に走査されると共に垂直方向に偏向されることによって、ド ーズ用開口部８ｂを介してドーズファラデー６に１走査期間毎に入射されること になる。ドーズファラデー６は、図２に示すように、イオンビーム１のビーム電 流を検出し、カレントトランスデューサ５を介して注入コントローラ７に出力す ることになる。注入コントローラ７は、ドーズファラデー６からのビーム電流を ビーム電流データに変換すると共に、単位時間当りの検出数となるパルス数（Ｑ モニター）をパルス数データとして求めることになる。When the setup of the beam current by the dump Faraday 3 is completed, the ion beam 1 is scanned in the horizontal direction and deflected in the vertical direction, so that the dose Faraday 6 passes through the dose opening 8b. Will be incident every one scanning period. As shown in FIG. 2, the dose Faraday 6 detects the beam current of the ion beam 1 and outputs it to the implantation controller 7 via the current transducer 5. The implantation controller 7 converts the beam current from the dose Faraday 6 into beam current data and also obtains the number of pulses (Q monitor) which is the number of detections per unit time as the pulse number data.
【００２８】 そして、上記のビーム電流データおよびパルス数データは、マシーンホスト９ からのデータ要求信号を注入コントローラ７が受信したときにマシーンホスト９ に送信されることになり、マシーンホスト９は、ビーム電流データおよびパルス 数データを逐次受信しながら、ビーム電流データおよびパルス数データを基にし て換算された注入電流データがセットビーム電流データを基にして換算された設 定注入電流データに一致するように、シーケンスコントローラ１２を介してイオ ンビーム１のビーム量を調整することによって、ビーム電流をセットアップする ことになる（Ｓ４）。Then, the beam current data and the pulse number data are transmitted to the machine host 9 when the injection controller 7 receives the data request signal from the machine host 9, and the machine host 9 transmits the beam data. While sequentially receiving the current data and pulse number data, make sure that the injection current data converted based on the beam current data and pulse number data matches the set injection current data converted based on the set beam current data. Then, the beam current is set up by adjusting the beam amount of the ion beam 1 via the sequence controller 12 (S4).
【００２９】 この後、垂直方向の偏向角度が切り替えられてイオンビーム１がフロントファ ラデー４およびバックファラデー１０に入射されることになる。そして、フロン トファラデー４およびバックファラデー１０により検出されたビーム電流を基に して第１および第２走査電極への印加電圧の走査波形（三角波）が補正処理され 、イオンビーム１の平行度が調整されることになる（Ｓ５）。After that, the deflection angle in the vertical direction is switched, and the ion beam 1 is incident on the front Faraday 4 and the back Faraday 10. Then, the scanning waveform (triangular wave) of the voltage applied to the first and second scanning electrodes is corrected based on the beam currents detected by the front Faraday 4 and the back Faraday 10, and the parallelism of the ion beam 1 is reduced. It will be adjusted (S5).
【００３０】 次いで、マシーンホスト９が注入コントローラ７に対して注入開始の可否を問 い合わせることになり（Ｓ６）、注入コントローラ７から平行度を調整した後の ビーム電流データおよびパルス数データがマシーンホスト９に取り込まれること になる。そして、これらのビーム電流データおよびパルス数データを基にして注 入電流データが求められることによって、イオン照射対象物１１に照射する状態 のイオンビーム１による注入電流が確認されることになる（Ｓ６）。この後、注 入電流データと設定注入電流データとの差が求められ、この差が所定範囲内に入 っているか否かが判定されることになる（Ｓ８）。Next, the machine host 9 inquires of the injection controller 7 whether or not the injection can be started (S 6), and the beam current data and the pulse number data after adjusting the parallelism from the injection controller 7 are the machine data. It will be captured by the host 9. Then, the injection current data is obtained based on the beam current data and the pulse number data, whereby the injection current by the ion beam 1 in the state of irradiating the ion irradiation target 11 is confirmed (S6). ). After that, the difference between the injection current data and the set injection current data is obtained, and it is determined whether this difference is within a predetermined range (S8).
【００３１】 上記のＳ８において、差が所定範囲内に入っていないと判定された場合には、 ＮＯとしてＳ９が実行されることになり、上述のＳ４と同様にドーズファラデー ６によるビーム電流のセットアップが行われることになる（Ｓ９）。そして、再 度、Ｓ６が実行されることになる。一方、上記のＳ８において、差が所定範囲内 に入っていると判定された場合には、ＹＥＳとしてＳ１０が実行されることにな り、イオン照射対象物１１がメカニカルスキャン機構により垂直方向に往復移動 され、イオン注入が開始されることになる（Ｓ１０）。When it is determined in S8 that the difference is not within the predetermined range, S9 is executed as NO, and the beam current setup by the dose Faraday 6 is performed as in S4. Will be performed (S9). Then, S6 will be executed again. On the other hand, if it is determined in S8 that the difference is within the predetermined range, YES is obtained and S10 is executed, and the ion irradiation target 11 is reciprocated in the vertical direction by the mechanical scanning mechanism. It is moved and the ion implantation is started (S10).
【００３２】 このように、本実施例のイオン注入装置は、ドーズファラデー６により検出さ れるビーム電流と単位時間当りの検出数となるパルス数とを基にして注入電流デ ータを求める注入電流認識手段を有している。これにより、イオンビーム１がイ オン照射対象物１１に照射される際には、ドーズファラデー６もイオンビーム１ が照射されるため、ビーム電流認識手段は、イオン照射対象物１１に照射する状 態と同一のイオンビーム１による注入電流を認識することが可能になっている。 従って、イオン注入装置は、イオン照射対象物１１への注入電流を正確に把握す ることができるため、イオン注入の精度を向上させることができるようになって いる。As described above, the ion implantation apparatus according to the present embodiment calculates the implantation current data based on the beam current detected by the dose Faraday 6 and the number of pulses which is the number of detections per unit time. It has a recognition means. As a result, when the ion beam 1 is irradiated to the ion irradiation target 11, the dose Faraday 6 is also irradiated with the ion beam 1, so that the beam current recognition means irradiates the ion irradiation target 11. It is possible to recognize the injection current by the same ion beam 1 as the above. Therefore, the ion implantation apparatus can accurately grasp the implantation current into the ion irradiation target 11 and can improve the accuracy of ion implantation.
【００３３】 尚、本実施例のフローチャートにおいては、注入電流認識部の働きをＳ４およ びＳ９に持たせているが、これに限定されることはなく、例えばＳ１０のイオン 注入処理中に持たせても良い。そして、この場合には、イオン注入処理中や一時 的に中断したイオン注入処理を再開した場合のイオン源等の変化による注入電流 の変化を認識することが可能になり、結果として不適切なイオン注入処理を一層 防止することが可能になる。In the flow chart of the present embodiment, the function of the injection current recognition unit is given to S4 and S9, but the present invention is not limited to this. For example, during the ion implantation process of S10. You can let me. In this case, it becomes possible to recognize changes in the injection current due to changes in the ion source etc. during the ion implantation process or when the temporarily interrupted ion implantation process is restarted, resulting in inappropriate ion implantation. It is possible to further prevent the injection process.
【００３４】[0034]
本考案のイオン注入装置は、以上のように、イオン照射対象物への照射を行う イオンビームの走査時に、該イオン照射対象物と共にイオンビームが照射される ファラデー手段を有し、該ファラデー手段によりイオン注入処理を制御するもの であり、上記ファラデー手段により検出されるビーム電流および単位時間当りの 検出数を基にしてイオン照射対象物への注入電流を求める注入電流認識手段を有 している構成である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the ion implantation apparatus of the present invention has Faraday means for irradiating an ion irradiation target with the ion beam when the ion beam is scanned and the ion beam is irradiated with the ion irradiation target. This is for controlling the ion implantation process, and has an implantation current recognition means for obtaining the implantation current to the ion irradiation target based on the beam current detected by the Faraday means and the number of detections per unit time. Is.
【００３５】 これにより、イオンビームが走査されてイオン照射対象物に照射される際に、 走査されたイオンビームがファラデー手段にも照射されるため、イオン照射対象 物に照射する状態と同一のイオンビームによる注入電流を注入電流認識手段が認 識することが可能になる。従って、イオン照射対象物への注入電流を正確に把握 することができるため、イオン注入の精度を向上させることができるという効果 を奏する。As a result, when the ion beam is scanned to irradiate the ion irradiation target, the scanned ion beam is also irradiated to the Faraday means, so that the same ion as in the state of irradiating the ion irradiation target is obtained. It becomes possible for the injection current recognition means to recognize the injection current by the beam. Therefore, it is possible to accurately grasp the implantation current into the ion irradiation target, and it is possible to improve the precision of the ion implantation.
【図１】本考案を示すものであり、イオン注入処理の状
態を示す説明図である。FIG. 1 illustrates the present invention and is an explanatory view showing a state of an ion implantation process.
【図２】イオン注入装置のブロック図である。FIG. 2 is a block diagram of an ion implanter.
【図３】イオン注入処理ルーチンを示すフローチャート
である。FIG. 3 is a flowchart showing an ion implantation processing routine.
１ イオンビーム ２ 注入装置本体 ３ ダンプファラデー ４ フロントファラデー ５ カレントトランスデューサ ６ ドーズファラデー ７ 注入コントローラ ８ マスクスリット ９ マシーンホスト １０ バックファラデー １１ イオン照射対象物 １２ シーケンスコントローラ 1 ion beam 2 implanter body 3 dump Faraday 4 front Faraday 5 current transducer 6 dose Faraday 7 injection controller 8 mask slit 9 machine host 10 back Faraday 11 ion irradiation target 12 sequence controller
Claims (1)
ームの走査時に、該イオン照射対象物と共にイオンビー
ムが照射されるファラデー手段を有し、該ファラデー手
段によりイオン注入処理を制御するイオン注入装置にお
いて、 上記ファラデー手段により検出されるビーム電流および
単位時間当りの検出数を基にしてイオン照射対象物への
注入電流を求める注入電流認識手段を有していることを
特徴とするイオン注入装置。1. Ion implantation for controlling an ion implantation process by a Faraday means for irradiating an ion beam with an ion irradiation target for irradiating the ion irradiation target with the ion beam. An ion implantation apparatus, characterized in that the apparatus has an implantation current recognizing unit that obtains an implantation current into an ion irradiation target based on the beam current detected by the Faraday unit and the number of detections per unit time. ..
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40193U JPH0656955U (en) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | Ion implanter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40193U JPH0656955U (en) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | Ion implanter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0656955U true JPH0656955U (en) | 1994-08-05 |
Family
ID=11472786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40193U Pending JPH0656955U (en) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | Ion implanter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656955U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170098836A (en) * | 2014-12-26 | 2017-08-30 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | System and method to improve productivity of hybrid scan ion beam implanters |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP40193U patent/JPH0656955U/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170098836A (en) * | 2014-12-26 | 2017-08-30 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | System and method to improve productivity of hybrid scan ion beam implanters |
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