JPH065533A - Heat treatment furnace - Google Patents
Heat treatment furnaceInfo
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- JPH065533A JPH065533A JP18446992A JP18446992A JPH065533A JP H065533 A JPH065533 A JP H065533A JP 18446992 A JP18446992 A JP 18446992A JP 18446992 A JP18446992 A JP 18446992A JP H065533 A JPH065533 A JP H065533A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造工程
において半導体ウエハに対して酸化処理、拡散処理及び
ＣＶＤ法による処理等を行う際に使用される熱処理炉に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment furnace used when, for example, a semiconductor wafer is subjected to an oxidation treatment, a diffusion treatment and a treatment by a CVD method in a semiconductor manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３に従来の縦型の熱処理炉の概略断面
図を示す。同図において、半導体ウエハ５２は、石英ボ
ート６２に一定の間隔を保って多数収納されている。石
英ボート６２は、反応容器６４の内部に載置される。こ
の反応容器６４は上部が半球形とされた筒状で、その下
端には開放口が設けられている。反応容器６４の周囲に
はヒータ６６が設けられ、このヒータ６６によって半導
体ウエハ５２と原料ガスとの反応に必要な加熱を行う。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a schematic sectional view of a conventional vertical heat treatment furnace. In the figure, a large number of semiconductor wafers 52 are housed in a quartz boat 62 at regular intervals. The quartz boat 62 is placed inside the reaction container 64. The reaction container 64 has a cylindrical shape with an upper part having a hemispherical shape, and an opening is provided at the lower end thereof. A heater 66 is provided around the reaction container 64, and the heater 66 performs heating necessary for the reaction between the semiconductor wafer 52 and the raw material gas.
【０００３】マニホールド６８は、反応容器６４の下部
に取り付けられ、反応に使用された原料ガスを外部へ排
出するためのガス排出口７２が設けてある。また、マニ
ホールド６８においては、原料ガスを反応容器６４内に
供給するためのガス導入管７６をＯリング７４により気
密・支持している。ガス導入管７６は単一の石英管より
なり、反応容器６４の内面に沿って上方に延びる垂直部
分と、水平部分とからなる。ガス導入管７６の垂直部分
には、外部から送られてきた原料ガスが反応容器６４内
の半導体ウエハ５２に向かって水平に噴射されるよう、
多数の噴射孔（不図示）が一定の間隔で設けてある。ガ
ス導入管７６は、反応容器６４の内面上部に設けられた
サポートリング７８によって反応容器６４の内面と一定
の距離を保つようにして支持される。The manifold 68 is attached to the lower portion of the reaction vessel 64, and is provided with a gas discharge port 72 for discharging the raw material gas used in the reaction to the outside. Further, in the manifold 68, a gas introduction pipe 76 for supplying the raw material gas into the reaction container 64 is airtightly supported by an O-ring 74. The gas introduction pipe 76 is made of a single quartz pipe and has a vertical portion extending upward along the inner surface of the reaction vessel 64 and a horizontal portion. In the vertical portion of the gas introduction pipe 76, the source gas sent from the outside is horizontally jetted toward the semiconductor wafer 52 in the reaction container 64.
A large number of injection holes (not shown) are provided at regular intervals. The gas introduction pipe 76 is supported by a support ring 78 provided above the inner surface of the reaction container 64 so as to maintain a constant distance from the inner surface of the reaction container 64.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ガス導入管
７６が単一の石英管からなるため、垂直部分と水平部分
とのなす角度を正確に９０度となるように加工するのが
難しく、ある程度の誤差は避けられない。したがって、
ガス導入管７６の垂直部分は反応容器６４の内面と完全
な平行とはならず、この結果、半導体ウエハ５２に対し
て平行となる原料ガスの流れが得られない。また、反応
容器６４の内部では、ガス導入管７６は反応容器６４の
内面上部に設けられたサポートリング７８のみによって
支持されている。このため、ガス導入管７６を容易に挿
入できるよう、また石英管を破損させないように余裕を
もってサポートリング７８を製造しなければならない。
すなわち、ガス導入管７６は完全には固定されておら
ず、遊びを有する。したがって、Ｏリング７４により気
密・支持されたガス導入管７６の水平部分が同図の左右
方向にずれると、垂直部分も同時に動いて傾き、原料ガ
スの水平な噴射が妨げられることがある。By the way, since the gas introducing pipe 76 is made of a single quartz pipe, it is difficult to process the vertical portion and the horizontal portion so as to form an angle of 90 degrees, and to some extent. The error of is inevitable. Therefore,
The vertical portion of the gas introduction pipe 76 is not completely parallel to the inner surface of the reaction container 64, and as a result, the flow of the raw material gas parallel to the semiconductor wafer 52 cannot be obtained. Further, inside the reaction container 64, the gas introduction pipe 76 is supported only by the support ring 78 provided on the upper portion of the inner surface of the reaction container 64. Therefore, the support ring 78 must be manufactured with a margin so that the gas introduction pipe 76 can be easily inserted and the quartz pipe is not damaged.
That is, the gas introduction pipe 76 is not completely fixed and has a play. Therefore, if the horizontal portion of the gas introduction pipe 76 that is airtightly supported by the O-ring 74 shifts in the left-right direction in the figure, the vertical portion also moves and tilts at the same time, which may hinder the horizontal injection of the raw material gas.
【０００５】このように原料ガスが水平に噴射されない
と、半導体ウエハの表面に平行な原料ガスの流れが得ら
れず、噴射される原料ガスが半導体ウエハに均一に当た
らなくなる。このため、従来の装置では同じウエハでも
ガス導入管に近い部分と遠い部分とでは原料ガスの供給
のされ方が不均一となり、半導体ウエハに所定の処理結
果が得られないという問題があった。If the raw material gas is not sprayed horizontally as described above, a flow of the raw material gas parallel to the surface of the semiconductor wafer cannot be obtained, and the sprayed raw material gas does not hit the semiconductor wafer uniformly. Therefore, in the conventional apparatus, there is a problem in that even if the same wafer is used, the source gas is not uniformly supplied to the portion near the gas introduction pipe and the portion far from the gas introduction pipe, and a predetermined processing result cannot be obtained on the semiconductor wafer.
【０００６】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、反応容器内に噴射される原料ガスを半導体ウエ
ハ等の試料に均一に供給することができる熱処理炉を提
供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a heat treatment furnace capable of uniformly supplying a raw material gas injected into a reaction container to a sample such as a semiconductor wafer. It is a thing.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明に係る熱処理炉は、第一反応容器と、該第一
反応容器内に配置した、側面に多数の開口部を形成した
第二反応容器とを備え、前記第二反応容器内に試料を載
置し、原料ガスを前記開口部を通して前記第二反応容器
内に導入して前記試料と反応させ前記開口部を通して外
部に排出することを特徴とするものである。A heat treatment furnace according to the present invention for achieving the above object comprises a first reaction vessel and a large number of openings formed in the side surface of the first reaction vessel. A second reaction container is provided, a sample is placed in the second reaction container, and a source gas is introduced into the second reaction container through the opening to react with the sample and discharged to the outside through the opening. It is characterized by doing.
【０００８】また、前記第一反応容器と前記第二反応容
器とで挟まれた空間が、前記原料ガスの流入側空間と流
出側空間とに仕切ってあることが望ましい。Further, it is desirable that the space sandwiched between the first reaction vessel and the second reaction vessel be divided into an inflow side space and an outflow side space for the raw material gas.
【０００９】[0009]
【作用】本発明は前記の構成によって、第一反応容器内
に第二反応容器を配置し、第二反応容器の側面に多数の
開口部を設けたことにより、原料ガスはこの開口部を通
して試料に供給され、また外部に排出される。一般に、
反応容器の底部の加工精度は高く、また開口部の中心軸
と第二反応容器の底面とを高精度に平行に形成すること
ができる。したがって、開口部から第二反応容器内に噴
射される原料ガスを正確に略平板上の試料の表面に平行
に流すことができ、原料ガスが試料の表面に均一に供給
される。According to the present invention, the second reaction vessel is arranged in the first reaction vessel and a large number of openings are provided on the side surface of the second reaction vessel according to the above-mentioned constitution. To be discharged to the outside. In general,
The bottom of the reaction vessel has a high processing accuracy, and the central axis of the opening and the bottom surface of the second reaction vessel can be formed in parallel with each other with high accuracy. Therefore, the raw material gas injected from the opening into the second reaction container can flow exactly parallel to the surface of the sample on the flat plate, and the raw material gas is uniformly supplied to the surface of the sample.
【００１０】また、第一反応容器と第二反応容器とで挟
まれた空間を、前記原料ガスの流入側空間と流出側空間
とに仕切ることにより、原料ガスを必ず第二反応容器内
に配置された試料に供給することができるので、原料ガ
スを効率良く使用することができる。Further, by dividing the space sandwiched between the first reaction container and the second reaction container into a space for the inflow side and a space for the outflow side of the raw material gas, the raw material gas is always arranged in the second reaction container. Since the sample can be supplied to the prepared sample, the source gas can be efficiently used.
【００１１】[0011]
【実施例】以下に本発明の第一実施例について図面を参
照して説明する。図１は本発明の第一実施例である熱処
理炉の概略断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view of a heat treatment furnace which is a first embodiment of the present invention.
【００１２】図１に示す熱処理炉は、外部反応容器１２
と、内部反応容器１４と、マニホールド１８と、炉蓋２
２と、保温筒２４と、石英ボート２６と、ヒータ２８と
を備えるものである。尚、ここでは、反応容器１２，１
４及びヒータ２８を縦に配置した縦型構造の熱処理炉を
用いている。The heat treatment furnace shown in FIG.
, The internal reaction vessel 14, the manifold 18, and the furnace lid 2
2, a heat insulating cylinder 24, a quartz boat 26, and a heater 28. Incidentally, here, the reaction vessels 12, 1
4 and a heater 28 having a vertical structure in which a heater 28 is vertically arranged.
【００１３】外部反応容器１２と内部反応容器１４は、
ともに、上部が半球形とされた筒状で、その下端は開放
口とされている。内部反応容器１４は、外部反応容器１
２の内部に配置される。また、図１に示すように内部反
応容器１４の右側面と左側面には多数の孔１４ａが所定
の間隔で上下方向に形成されている。この右側面と左側
面に形成された各孔１４ａは、水平方向の相対する位置
に形成されている。The outer reaction vessel 12 and the inner reaction vessel 14 are
Both have a cylindrical shape with an upper part having a hemispherical shape, and the lower end thereof is an opening. The inner reaction vessel 14 is the outer reaction vessel 1.
It is placed inside 2. Further, as shown in FIG. 1, a large number of holes 14a are vertically formed at predetermined intervals on the right side surface and the left side surface of the inner reaction container 14. The holes 14a formed on the right side surface and the left side surface are formed at positions facing each other in the horizontal direction.
【００１４】マニホールド１８は外部反応容器１２及び
内部反応容器１４の下面に取り付けられた取付台であ
る。マニホールド１８には、原料ガスを外部反応容器１
２内に導入するガス導入口３２と、反応に使用された原
料ガスを外部に排出するためのガス排出口３４とが設け
てある。また、外部反応容器１２と内部反応容器１４と
で挟まれた空間は、ガス導入口３２から導入された原料
ガスの通路を構成している。The manifold 18 is a mount attached to the lower surfaces of the outer reaction vessel 12 and the inner reaction vessel 14. In the manifold 18, the raw material gas is fed to the external reaction vessel 1
A gas inlet 32 to be introduced into the inside of the chamber 2 and a gas outlet 34 for discharging the raw material gas used in the reaction to the outside are provided. Further, the space sandwiched between the outer reaction container 12 and the inner reaction container 14 constitutes a passage for the raw material gas introduced from the gas introduction port 32.
【００１５】マニホールド１８の底部は炉蓋２２により
密封される。炉蓋２２の上に保温筒２４が載置され、さ
らに保温筒２４の上に、半導体ウエハ２が収容された石
英ボート２６が載置される。半導体ウエハ２はその表面
が水平となるように一定の間隔を保って石英ボート２６
に収納される。尚、保温筒２４は回転可能に構成されて
いる。The bottom of the manifold 18 is sealed by a furnace lid 22. A heat insulation tube 24 is placed on the furnace lid 22, and a quartz boat 26 containing the semiconductor wafer 2 is placed on the heat insulation tube 24. The semiconductor wafer 2 is kept at a constant interval so that its surface is horizontal and the quartz boat 26
Is stored in. The heat insulation cylinder 24 is configured to be rotatable.
【００１６】ヒータ２８は、外部反応容器１２の周囲に
設けられ、これによって半導体ウエハ２と孔１４ａを通
って内部反応容器１４内に噴射される原料ガスとの反応
に必要な加熱が行われる。The heater 28 is provided around the outer reaction container 12, and by this, the heating necessary for the reaction between the semiconductor wafer 2 and the raw material gas injected into the inner reaction container 14 through the hole 14a is performed.
【００１７】次に、第一実施例の熱処理炉の動作につい
て説明する。まず、半導体ウエハ２を炉内に収納するた
めに、マニホールド１８の底部から取り外された炉蓋２
２の上に、保温筒２４及び半導体ウエハ２を収容した石
英ボート２６を載置する。この状態で炉蓋２２を昇降装
置（不図示）により持ち上げ、石英ボート２６を内部反
応容器１４の内部に挿入し、炉蓋２２をマニホールド１
８に固定する。Next, the operation of the heat treatment furnace of the first embodiment will be described. First, the furnace lid 2 removed from the bottom of the manifold 18 in order to store the semiconductor wafer 2 in the furnace.
A quartz boat 26 accommodating the heat retaining cylinder 24 and the semiconductor wafer 2 is placed on the upper part 2. In this state, the furnace lid 22 is lifted by a lifting device (not shown), the quartz boat 26 is inserted into the inner reaction vessel 14, and the furnace lid 22 is moved to the manifold 1.
Fix at 8.
【００１８】次に、半導体ウエハ２に所定の熱処理を施
すには、まず、保温筒２４を回転させ、ヒータ２８を動
作させる。原料ガスをガス導入口３２から供給すると、
原料ガスは外部反応容器１２と内部反応容器１４とで挟
まれた空間を通り、一部のガスが内部反応容器１４の側
面に形成された孔１４ａを通じて内部反応容器１４内に
入る。孔１４ａから噴射された原料ガスは半導体ウエハ
２の表面に水平に且つ均一に供給され、高温雰囲気中で
半導体ウエハ２と原料ガスとが反応して、半導体ウエハ
２は所定の処理がなされる。Next, in order to subject the semiconductor wafer 2 to a predetermined heat treatment, first, the heat retaining cylinder 24 is rotated and the heater 28 is operated. When the source gas is supplied from the gas inlet 32,
The raw material gas passes through the space sandwiched between the outer reaction container 12 and the inner reaction container 14, and part of the gas enters the inner reaction container 14 through the hole 14a formed in the side surface of the inner reaction container 14. The raw material gas sprayed from the holes 14a is horizontally and uniformly supplied to the surface of the semiconductor wafer 2, and the semiconductor wafer 2 and the raw material gas react in a high temperature atmosphere, so that the semiconductor wafer 2 is subjected to a predetermined process.
【００１９】第一実施例の熱処理炉では、外部反応容器
内に更に内部反応容器を配置し、内部反応容器の互いに
対向する側面に多数の孔を設けたことにより、原料ガス
は、一方の側面に形成された孔を通って半導体ウエハに
供給され、他方の側面に形成された孔を通って外部に排
出される。一般に、反応容器の底部の水平加工精度は高
いため、内部反応容器の底面と半導体ウエハの表面とを
高い精度で平行にすることができるので、ガス導入管を
使用した従来の熱処理炉に比べて、内部反応容器の側面
に形成した孔から内部に噴射される原料ガスを正確に水
平方向に流すことができる。したがって、原料ガスは半
導体ウエハの表面に均一に供給することができるので、
半導体ウエハの全体を一様に処理することができ、半導
体製造工程のスループットを向上させることができる。In the heat treatment furnace of the first embodiment, the inner reaction vessel is further arranged in the outer reaction vessel, and a large number of holes are provided on the side surfaces of the inner reaction vessel which face each other. It is supplied to the semiconductor wafer through the hole formed on the side surface and discharged to the outside through the hole formed on the other side surface. Generally, since the bottom of the reaction vessel has a high level of horizontal processing accuracy, the bottom surface of the internal reaction vessel and the surface of the semiconductor wafer can be parallelized with high accuracy. It is possible to accurately flow the raw material gas injected into the inside in the horizontal direction from the hole formed on the side surface of the internal reaction container. Therefore, the source gas can be uniformly supplied to the surface of the semiconductor wafer,
The entire semiconductor wafer can be uniformly processed, and the throughput of the semiconductor manufacturing process can be improved.
【００２０】次に、本発明の第二実施例について図面を
参照して説明する。図２は本発明の第二実施例である熱
処理炉の概略断面図である。尚、第二実施例の熱処理炉
において、第一実施例と同一の機能を有するものには同
一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省略す
る。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic sectional view of a heat treatment furnace which is a second embodiment of the present invention. In the heat treatment furnace of the second embodiment, those having the same functions as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００２１】第二実施例の熱処理炉が、第一実施例のも
のと異なる点は、外部反応容器１２０と内部反応容器１
４０とで挟まれる空間を二つに仕切るための仕切り１６
を設けた点である。また、外部反応容器１２０、内部反
応容器１４０及び仕切り１６をガス導入口３２及びガス
排出口３４も含めて、一体的に形成している。The heat treatment furnace of the second embodiment differs from that of the first embodiment in that the outer reaction vessel 120 and the inner reaction vessel 1 are different.
Partition 16 for partitioning the space sandwiched between 40 and 40
That is the point. Further, the outer reaction container 120, the inner reaction container 140 and the partition 16 are integrally formed including the gas introduction port 32 and the gas discharge port 34.
【００２２】第二実施例の熱処理炉では、外部反応容器
と内部反応容器とで挟まれる空間を仕切って二つに分け
たことにより、ガス導入口から導入した原料ガスは、必
ず内部反応容器の孔を通して半導体ウエハに供給され
る。このため、原料ガスが内部反応容器内に入らずにそ
のまま外部に排出されることがなくなるので、原料ガス
を効率良く使用することができる。尚、その他の作用・
効果は第一実施例の熱処理炉と同様である。In the heat treatment furnace of the second embodiment, the space sandwiched between the outer reaction vessel and the inner reaction vessel is divided into two parts, so that the raw material gas introduced from the gas introduction port is always in the inner reaction vessel. The semiconductor wafer is supplied through the holes. For this reason, the raw material gas does not enter the inner reaction vessel and is not directly discharged to the outside, so that the raw material gas can be efficiently used. In addition, other actions
The effect is similar to that of the heat treatment furnace of the first embodiment.
【００２３】尚、本発明は、上記の各実施例に限定され
るものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形
が可能である。たとえば、上記の各実施例では、内部反
応容器の互いに対向する側面に孔を上下方向に１列形成
した場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、各側面の孔を上下方向に２列以上形成
してもよい。また、開口部は孔に限られるものではな
く、たとえばスリット状のものであってもよい。The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention. For example, in each of the above-described embodiments, a case has been described in which holes are formed in a row in the up-down direction on the side surfaces of the inner reaction vessel which face each other, but the present invention is not limited to this, and the holes on each side are Two or more rows may be formed in the vertical direction. Further, the opening is not limited to the hole, and may have a slit shape, for example.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
一反応容器内に第二反応容器を配置し、第二反応容器の
側面に多数の開口部を設けたことにより、開口部から第
二反応容器内に噴射される原料ガスを正確に試料の表面
に平行に流すことができ、したがって例えば半導体製造
工程において半導体ウエハの表面全体を一様に処理する
ことができ、スループットを向上させることができる熱
処理炉を提供することができる。As described above, according to the present invention, by disposing the second reaction container in the first reaction container and providing a large number of openings on the side surface of the second reaction container, The raw material gas injected into the second reaction container can be made to flow exactly parallel to the surface of the sample, and therefore the entire surface of the semiconductor wafer can be uniformly processed in the semiconductor manufacturing process, thus improving the throughput. It is possible to provide a heat treatment furnace capable of performing the heat treatment.
【図１】本発明の第一実施例である熱処理炉の概略断面
図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a heat treatment furnace which is a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第二実施例である熱処理炉の概略断面
図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a heat treatment furnace which is a second embodiment of the present invention.
【図３】従来の熱処理炉の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of a conventional heat treatment furnace.
２ 半導体ウエハ １２，１２０ 外部反応容器 １４，１４０ 内部反応容器 １４ａ 孔 １６ 仕切り １８ マニホールド ２２ 炉蓋 ２４ 保温筒 ２６ 石英ボート ２８ ヒータ ３２ ガス導入口 ３４ ガス排気口 2 Semiconductor wafer 12,120 External reaction vessel 14,140 Inner reaction vessel 14a Hole 16 Partition 18 Manifold 22 Furnace lid 24 Insulating cylinder 26 Quartz boat 28 Heater 32 Gas inlet 34 Gas outlet
Claims (2)
置した、側面に多数の開口部を形成した第二反応容器と
を備え、前記第二反応容器内に試料を載置し、原料ガス
を前記開口部を通して前記第二反応容器内に導入して前
記試料と反応させ前記開口部を通して外部に排出するこ
とを特徴とする熱処理炉。1. A first reaction vessel, and a second reaction vessel arranged in the first reaction vessel and having a large number of openings on its side surface. A sample is placed in the second reaction vessel. A heat treatment furnace, wherein a raw material gas is introduced into the second reaction container through the opening to react with the sample and is discharged to the outside through the opening.
で挟まれた空間が、前記原料ガスの流入側空間と流出側
空間とに仕切ってある請求項１記載の熱処理炉。2. The heat treatment furnace according to claim 1, wherein a space sandwiched between the first reaction container and the second reaction container is partitioned into an inflow side space and an outflow side space of the raw material gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18446992A JPH065533A (en) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | Heat treatment furnace |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18446992A JPH065533A (en) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | Heat treatment furnace |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065533A true JPH065533A (en) | 1994-01-14 |
Family
ID=16153706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18446992A Withdrawn JPH065533A (en) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | Heat treatment furnace |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065533A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095923A (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | Semiconductor crystal growth apparatus |
| CN102732856A (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | Vertical batch-type film forming apparatus |
| JP2014518193A (en) * | 2011-07-06 | 2014-07-28 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | Method for producing porous acicular mullite body |
| JP2015084376A (en) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 光洋サーモシステム株式会社 | Heat treatment apparatus |
| JP2015084375A (en) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 光洋サーモシステム株式会社 | Heat treatment apparatus |
| JP2015526594A (en) * | 2012-06-27 | 2015-09-10 | イノシティ カンパニー リミテッド | Process chamber and substrate processing apparatus |
| JP2017055034A (en) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment apparatus |
| JP2017135398A (en) * | 2017-03-21 | 2017-08-03 | 光洋サーモシステム株式会社 | Thermal treatment apparatus |
| JP2017175142A (en) * | 2017-04-28 | 2017-09-28 | 光洋サーモシステム株式会社 | Heat treatment apparatus |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP18446992A patent/JPH065533A/en not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095923A (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | Semiconductor crystal growth apparatus |
| CN102732856A (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | Vertical batch-type film forming apparatus |
| JP2012212819A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Tokyo Electron Ltd | Vertical batch-type film deposition apparatus |
| JP2014518193A (en) * | 2011-07-06 | 2014-07-28 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | Method for producing porous acicular mullite body |
| US9517940B2 (en) | 2011-07-06 | 2016-12-13 | Dow Global Technologies Llc | Method for making porous acicular mullite bodies |
| JP2015526594A (en) * | 2012-06-27 | 2015-09-10 | イノシティ カンパニー リミテッド | Process chamber and substrate processing apparatus |
| JP2015084376A (en) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 光洋サーモシステム株式会社 | Heat treatment apparatus |
| JP2015084375A (en) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 光洋サーモシステム株式会社 | Heat treatment apparatus |
| JP2017055034A (en) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment apparatus |
| US10557199B2 (en) | 2015-09-11 | 2020-02-11 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP2017135398A (en) * | 2017-03-21 | 2017-08-03 | 光洋サーモシステム株式会社 | Thermal treatment apparatus |
| JP2017175142A (en) * | 2017-04-28 | 2017-09-28 | 光洋サーモシステム株式会社 | Heat treatment apparatus |
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