JPH0645810A - マイクロ波増幅器及びその製造方法 - Google Patents
マイクロ波増幅器及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0645810A JPH0645810A JP4194392A JP19439292A JPH0645810A JP H0645810 A JPH0645810 A JP H0645810A JP 4194392 A JP4194392 A JP 4194392A JP 19439292 A JP19439292 A JP 19439292A JP H0645810 A JPH0645810 A JP H0645810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- matching circuit
- side matching
- input side
- inductor
- reference potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 広帯域にわたって平坦な周波数特性なマイク
ロ波増幅器を提供する。 【構成】 ソースが接地された電界効果トランジスタ30
のドレインに、金ワイヤーからなるインダクタ32を介し
て出力側整合回路34を接続し、トランジスタ30のゲート
に、金ワイヤーからなるインダクタ36を介して入力側整
合回路38を接続し、この入力側接合回路38上に形成され
ており、入力側整合回路とインダクタ36との接続点39と
基準電位点との間に、キャパシタ42とインダクタ44との
直列回路40を、接続している。
ロ波増幅器を提供する。 【構成】 ソースが接地された電界効果トランジスタ30
のドレインに、金ワイヤーからなるインダクタ32を介し
て出力側整合回路34を接続し、トランジスタ30のゲート
に、金ワイヤーからなるインダクタ36を介して入力側整
合回路38を接続し、この入力側接合回路38上に形成され
ており、入力側整合回路とインダクタ36との接続点39と
基準電位点との間に、キャパシタ42とインダクタ44との
直列回路40を、接続している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波増幅器及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、マイクロ波増幅器には、マイクロ
波用の高出力電界効果トランジスタと、入力側整合回路
と、出力側整合回路とを、1つのパッケージ内に設け
た、いわゆる内部整合型のものがある。尚、入力側整合
回路は、電界効果トランジスタの入力インピーダンス
を、パッケージの外部に設けた信号源のインピーダンス
と整合させるためのものであり、出力側整合回路は、電
界効果トランジスタの出力インピーダンスを、パッケー
ジの外部に設けた負荷のインピーダンスに整合させるた
めのものである。
波用の高出力電界効果トランジスタと、入力側整合回路
と、出力側整合回路とを、1つのパッケージ内に設け
た、いわゆる内部整合型のものがある。尚、入力側整合
回路は、電界効果トランジスタの入力インピーダンス
を、パッケージの外部に設けた信号源のインピーダンス
と整合させるためのものであり、出力側整合回路は、電
界効果トランジスタの出力インピーダンスを、パッケー
ジの外部に設けた負荷のインピーダンスに整合させるた
めのものである。
【0003】このようなマイクロ波増幅器は、図7の等
価回路図に示すように、電界効果トランジスタ10を有
し、そのソースが接地され、そのドレインはインダクタ
12を介して出力側整合回路14に接続され、ゲートは
インダクタ16を介して入力側整合回路18に接続され
ている。
価回路図に示すように、電界効果トランジスタ10を有
し、そのソースが接地され、そのドレインはインダクタ
12を介して出力側整合回路14に接続され、ゲートは
インダクタ16を介して入力側整合回路18に接続され
ている。
【0004】図8は、このマイクロ波増幅器の主要部を
示す概略図である。同図において、出力側整合回路1
4、入力側整合回路18は、電界効果トランジスタ10
とは別個の基板20、22上にそれぞれ形成されてお
り、電界効果トランジスタ10のドレインが、インダク
タ12として機能する複数の金ワイヤー12a、12a
・・・によって出力側整合回路14に接続され、電界効
果トランジスタ10のゲートが、インダクタ16として
機能する複数の金ワイヤー16a、16a・・・を介し
て入力側整合回路18に接続されている。
示す概略図である。同図において、出力側整合回路1
4、入力側整合回路18は、電界効果トランジスタ10
とは別個の基板20、22上にそれぞれ形成されてお
り、電界効果トランジスタ10のドレインが、インダク
タ12として機能する複数の金ワイヤー12a、12a
・・・によって出力側整合回路14に接続され、電界効
果トランジスタ10のゲートが、インダクタ16として
機能する複数の金ワイヤー16a、16a・・・を介し
て入力側整合回路18に接続されている。
【0005】電界効果トランジスタ10は、高出力を得
るため、即ちドレイン電流を大きくするため、ゲート幅
を大きくしているので、ゲート・ソース間容量が大き
く、かつゲート・ソース間抵抗値が小さくなる。そのた
め、入力インピーダンス、即ちゲート・ソース間のイン
ピーダンスが容量性であり、しかも値が小さくなる。例
えば、0.2乃至0.3Ωとなる。従って、この入力イ
ンピーダンスを、このマイクロ波増幅器の入力側に接続
される回路のインピーダンス、例えば50Ωと整合させ
る必要がある。そのため、金ワイヤー16aの本数を調
整することによって入力側整合回路18と電界効果トラ
ンジスタ10のゲートとの間のインダクタ16のインダ
クタンスを調整することによって、上記入力インピーダ
ンスの容量分をできるだけキャンセルした上で、入力側
整合回路18によって、このマイクロ波増幅器の入力側
に接続される回路のインピーダンスと整合させている。
るため、即ちドレイン電流を大きくするため、ゲート幅
を大きくしているので、ゲート・ソース間容量が大き
く、かつゲート・ソース間抵抗値が小さくなる。そのた
め、入力インピーダンス、即ちゲート・ソース間のイン
ピーダンスが容量性であり、しかも値が小さくなる。例
えば、0.2乃至0.3Ωとなる。従って、この入力イ
ンピーダンスを、このマイクロ波増幅器の入力側に接続
される回路のインピーダンス、例えば50Ωと整合させ
る必要がある。そのため、金ワイヤー16aの本数を調
整することによって入力側整合回路18と電界効果トラ
ンジスタ10のゲートとの間のインダクタ16のインダ
クタンスを調整することによって、上記入力インピーダ
ンスの容量分をできるだけキャンセルした上で、入力側
整合回路18によって、このマイクロ波増幅器の入力側
に接続される回路のインピーダンスと整合させている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このマイクロ波増幅器
を広帯域で使用する場合、例えば3GHzから12GH
zで使用しようとする場合、金ワイヤー16aによって
構成したインダクタンス16のインピーダンスが入力信
号の周波数変化に従って変化し、入力側整合回路18と
インダクタ16との接続点から電界効果トランジスタ1
0側を見た場合のインピーダンスが入力信号の周波数に
応じて変化するので、このマイクロ波増幅器の周波数特
性を平坦にかつ高利得とすることができないという問題
点があった。
を広帯域で使用する場合、例えば3GHzから12GH
zで使用しようとする場合、金ワイヤー16aによって
構成したインダクタンス16のインピーダンスが入力信
号の周波数変化に従って変化し、入力側整合回路18と
インダクタ16との接続点から電界効果トランジスタ1
0側を見た場合のインピーダンスが入力信号の周波数に
応じて変化するので、このマイクロ波増幅器の周波数特
性を平坦にかつ高利得とすることができないという問題
点があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題点
を解決するためになされたものであり、本発明によるマ
イクロ波増幅器は、ソースが接地された電界効果トラン
ジスタと、このトランジスタのドレインに接続された出
力側整合回路と、上記トランジスタのゲートにワイヤー
を介して接続された入力側整合回路と、この入力側接合
回路上に形成されており、上記入力側整合回路と上記ワ
イヤーとの接続点と、基準電位点との間に接続されたキ
ャパシタとインダクタとの直列回路とを、具備するもの
である。
を解決するためになされたものであり、本発明によるマ
イクロ波増幅器は、ソースが接地された電界効果トラン
ジスタと、このトランジスタのドレインに接続された出
力側整合回路と、上記トランジスタのゲートにワイヤー
を介して接続された入力側整合回路と、この入力側接合
回路上に形成されており、上記入力側整合回路と上記ワ
イヤーとの接続点と、基準電位点との間に接続されたキ
ャパシタとインダクタとの直列回路とを、具備するもの
である。
【0008】また、本発明によるマイクロ波増幅器の製
造方法は、基板上に入力側整合回路と基準電位部を形成
する過程と、上記入力側整合回路にキャパシタ形成素子
を形成する段階と、ソースが接地された電界効果トラン
ジスタのゲートをワイヤーによって上記入力側整合回路
に接続すると共に上記キャパシタ形成素子を別のワイヤ
ーによって上記基準電位部に接続する過程とを、具備す
るものである。
造方法は、基板上に入力側整合回路と基準電位部を形成
する過程と、上記入力側整合回路にキャパシタ形成素子
を形成する段階と、ソースが接地された電界効果トラン
ジスタのゲートをワイヤーによって上記入力側整合回路
に接続すると共に上記キャパシタ形成素子を別のワイヤ
ーによって上記基準電位部に接続する過程とを、具備す
るものである。
【0009】
【作用】本発明によるマイクロ波増幅器では、入力側整
合回路と電界効果トランジスタとを接続しているワイヤ
ーがインダクタとして機能し、さらに、このワイヤーと
入力側整合回路との接続点と、基準電位点との間に接続
されたインダクタとが、電界効果トランジスタの入力イ
ンピーダンスの容量をほぼ打ち消しており、入力側整合
回路が、残りの容量と抵抗とを外部の信号源のインピー
ダンスと整合させている。なお、キャパシタは、直流カ
ット用のものである。
合回路と電界効果トランジスタとを接続しているワイヤ
ーがインダクタとして機能し、さらに、このワイヤーと
入力側整合回路との接続点と、基準電位点との間に接続
されたインダクタとが、電界効果トランジスタの入力イ
ンピーダンスの容量をほぼ打ち消しており、入力側整合
回路が、残りの容量と抵抗とを外部の信号源のインピー
ダンスと整合させている。なお、キャパシタは、直流カ
ット用のものである。
【0010】本発明によるマイクロ波増幅器の製造方法
では、電界効果トランジスタのゲートを入力側整合回路
に接続しているワイヤーとキャパシタ形成素子との間で
キャパシタが形成され、このキャパシタ形成素子を基準
電位部に接続しているワイヤーがインダクタとして機能
する。
では、電界効果トランジスタのゲートを入力側整合回路
に接続しているワイヤーとキャパシタ形成素子との間で
キャパシタが形成され、このキャパシタ形成素子を基準
電位部に接続しているワイヤーがインダクタとして機能
する。
【0011】
【実施例】本実施例のマイクロ波増幅器は、図1に示す
ようにマイクロ波用高出力電界効果トランジスタ(FE
T)30を有している。このFET30は、そのソース
が基準電位点に接続されており、ドレインがインダクタ
32を介して出力側整合回路34に接続されている。
ようにマイクロ波用高出力電界効果トランジスタ(FE
T)30を有している。このFET30は、そのソース
が基準電位点に接続されており、ドレインがインダクタ
32を介して出力側整合回路34に接続されている。
【0012】また、このFET30のゲートは、インダ
クタ36を介して入力側整合回路38に接続されてお
り、この入力側整合回路38とインダクタ36との接続
点39と、基準電位点との間に直列回路40が設けられ
ている。この直列回路40は、キャパシタ42を上記接
続点39側に、インダクタ44を基準電位点側に、それ
ぞれ配置し、これらを直列に接続したものである。
クタ36を介して入力側整合回路38に接続されてお
り、この入力側整合回路38とインダクタ36との接続
点39と、基準電位点との間に直列回路40が設けられ
ている。この直列回路40は、キャパシタ42を上記接
続点39側に、インダクタ44を基準電位点側に、それ
ぞれ配置し、これらを直列に接続したものである。
【0013】これらFET30、出力側整合回路34、
入力側整合回路38等は、図2及び図3に示すように、
金属製のパッケージ本体44内に配置されている。FE
T30は、その下部にソースが配置されており、この下
部を本体44と接触させることによって、ソースが基準
電位点に接続されている。
入力側整合回路38等は、図2及び図3に示すように、
金属製のパッケージ本体44内に配置されている。FE
T30は、その下部にソースが配置されており、この下
部を本体44と接触させることによって、ソースが基準
電位点に接続されている。
【0014】出力側整合回路34は、FET30とは別
個の基板46の上面に形成されている。この出力側整合
回路34は、インダクタ32として機能する複数の金ワ
イヤー32aによって、FET30のドレインに接続さ
れている。なお、この基板46の下面の全域には基準電
位面47が形成され、これが本体44と接触している。
個の基板46の上面に形成されている。この出力側整合
回路34は、インダクタ32として機能する複数の金ワ
イヤー32aによって、FET30のドレインに接続さ
れている。なお、この基板46の下面の全域には基準電
位面47が形成され、これが本体44と接触している。
【0015】また、入力側整合回路38も、FET30
とは別個の基板48の上面に形成されている。この入力
整合回路38において、FET30のゲートに最も近い
縁部に、インダクタ36として機能する複数の金ワイヤ
ー36aが接続されている。
とは別個の基板48の上面に形成されている。この入力
整合回路38において、FET30のゲートに最も近い
縁部に、インダクタ36として機能する複数の金ワイヤ
ー36aが接続されている。
【0016】これら金ワイヤー36aの入力側整合回路
38への接続点の近傍に、キャパシタ42が形成されて
いる。このキャパシタ42は、入力側整合回路38の上
面に形成された誘電体42aと、この誘電体42a上に
形成された金メッキの電極42bとからなるキャパシタ
形成素子を有し、誘電体42aが接触している入力側整
合回路38の部分をもう一方の電極としている。
38への接続点の近傍に、キャパシタ42が形成されて
いる。このキャパシタ42は、入力側整合回路38の上
面に形成された誘電体42aと、この誘電体42a上に
形成された金メッキの電極42bとからなるキャパシタ
形成素子を有し、誘電体42aが接触している入力側整
合回路38の部分をもう一方の電極としている。
【0017】このキャパシタ42の近傍の入力側整合回
路38内には、3つの島状の基準電位部50が入力側整
合回路38とは絶縁された状態で形成されており、これ
ら基準電位部50は、それぞれバイアホール52を介し
て基板48の下面全域に形成された基準電位面49に接
続されている。この基準電位面49は、本体44に接触
している。これら基準電位部50に、インダクタ44と
して機能する複数の金ワイヤー44aによってキャパシ
タ42が接続されている。
路38内には、3つの島状の基準電位部50が入力側整
合回路38とは絶縁された状態で形成されており、これ
ら基準電位部50は、それぞれバイアホール52を介し
て基板48の下面全域に形成された基準電位面49に接
続されている。この基準電位面49は、本体44に接触
している。これら基準電位部50に、インダクタ44と
して機能する複数の金ワイヤー44aによってキャパシ
タ42が接続されている。
【0018】なお、パッケージ本体44内には、FET
30、インダクタ36、直列回路40、入力側整合回路
38、インダクタ32、出力側整合回路34を1組とし
て、このような組が複数組設けられており、各組の入力
側整合回路38は、金ワイヤー54と図示していない各
組合成用パターンを介して互いに並列に接続されてい
る。同様に、各組の出力側整合回路34も、金ワイヤー
58と図示しない別の各組合成用パターンを介して互い
に並列に接続されている。また、パッケージの本体44
の上部は、蓋61によって覆われている。
30、インダクタ36、直列回路40、入力側整合回路
38、インダクタ32、出力側整合回路34を1組とし
て、このような組が複数組設けられており、各組の入力
側整合回路38は、金ワイヤー54と図示していない各
組合成用パターンを介して互いに並列に接続されてい
る。同様に、各組の出力側整合回路34も、金ワイヤー
58と図示しない別の各組合成用パターンを介して互い
に並列に接続されている。また、パッケージの本体44
の上部は、蓋61によって覆われている。
【0019】このようなマイクロ波増幅器は、例えば次
のようにして製造される。まず図4に示すように、基板
48の所定の位置にスルーホール52を形成する。その
後、基板48の上面及び下面、スルーホール52の内面
に金メッキを施すことによって、下面に基準電位面49
を形成すると共に、上面に基準電位部50及び入力側整
合回路38の元となる導電層62を形成する。そして、
この導電層62の上面に整合回路38及び基準電位部5
0に対応するパターンを形成し、エッチングを行うこと
によって入力側整合回路38及び基準電位部50を形成
する。次に、スパッタリングによって誘電体42aを形
成し、その上面を金メッキすることによって電極42b
を形成し、キャパシタ42を形成する。
のようにして製造される。まず図4に示すように、基板
48の所定の位置にスルーホール52を形成する。その
後、基板48の上面及び下面、スルーホール52の内面
に金メッキを施すことによって、下面に基準電位面49
を形成すると共に、上面に基準電位部50及び入力側整
合回路38の元となる導電層62を形成する。そして、
この導電層62の上面に整合回路38及び基準電位部5
0に対応するパターンを形成し、エッチングを行うこと
によって入力側整合回路38及び基準電位部50を形成
する。次に、スパッタリングによって誘電体42aを形
成し、その上面を金メッキすることによって電極42b
を形成し、キャパシタ42を形成する。
【0020】一方、基板46の上下両面に金メッキを施
し、下面に基準電位面47を形成すると共に、上面に出
力側整合回路34の元となる導電層64を形成する。こ
の導電層64の上面に、出力側整合回路34に対応する
パターンを形成し、上面をエッチングすることによって
出力側整合回路34を形成する。
し、下面に基準電位面47を形成すると共に、上面に出
力側整合回路34の元となる導電層64を形成する。こ
の導電層64の上面に、出力側整合回路34に対応する
パターンを形成し、上面をエッチングすることによって
出力側整合回路34を形成する。
【0021】このように入力側整合回路38等が形成さ
れた基板48と、出力側整合回路34が形成された基板
46と、別途製造したFET30とを、図3に示すよう
に本体44内に配置し、かつ本体44に結合する。そし
て、金ワイヤー32aによってFET30のドレインと
出力側整合回路34とを接続し、金ワイヤー36aによ
ってFET30のゲートを入力側整合回路38とを接続
し、金ワイヤー44aによってキャパシタ42の電極4
2bを基準電位部50に接続する。無論、入力側整合回
路38は、金ワイヤー54によって各組合成用パターン
に接続され、出力側整合回路36も金ワイヤー58によ
って別の各組合成用パターンに接続される。
れた基板48と、出力側整合回路34が形成された基板
46と、別途製造したFET30とを、図3に示すよう
に本体44内に配置し、かつ本体44に結合する。そし
て、金ワイヤー32aによってFET30のドレインと
出力側整合回路34とを接続し、金ワイヤー36aによ
ってFET30のゲートを入力側整合回路38とを接続
し、金ワイヤー44aによってキャパシタ42の電極4
2bを基準電位部50に接続する。無論、入力側整合回
路38は、金ワイヤー54によって各組合成用パターン
に接続され、出力側整合回路36も金ワイヤー58によ
って別の各組合成用パターンに接続される。
【0022】図5は、この実施例においてFET30に
トータルゲート幅12.6mmのものを使用し、インダ
クタ36、32にそれぞれ約0.05nHのものを使用
し、インダクタ44に約0.04nHのものを使用し、
キャパシタ42に約600pFのものを使用した場合に
おける、入力信号の周波数をf1(3.0GHZ)から
f2(12.0GHz)まで変化させたとき、接続点3
9からFET30側を見たときの入力インピーダンス
が、どのように変化するかを示したもので、f1におい
て約(0.02+j0.11)Ωとなり、f2において
約(0.25+j0.2)Ωとなる。しかも、この入力
インピーダンスは、入力信号の周波数の変化に従ってほ
ぼ1つの円の上を変化するので、インピーダンスの変化
が少ない。従って、入力側整合回路38の設計が容易で
あり、このマイクロ波増幅器の周波数特性も、ほぼ一定
となる。
トータルゲート幅12.6mmのものを使用し、インダ
クタ36、32にそれぞれ約0.05nHのものを使用
し、インダクタ44に約0.04nHのものを使用し、
キャパシタ42に約600pFのものを使用した場合に
おける、入力信号の周波数をf1(3.0GHZ)から
f2(12.0GHz)まで変化させたとき、接続点3
9からFET30側を見たときの入力インピーダンス
が、どのように変化するかを示したもので、f1におい
て約(0.02+j0.11)Ωとなり、f2において
約(0.25+j0.2)Ωとなる。しかも、この入力
インピーダンスは、入力信号の周波数の変化に従ってほ
ぼ1つの円の上を変化するので、インピーダンスの変化
が少ない。従って、入力側整合回路38の設計が容易で
あり、このマイクロ波増幅器の周波数特性も、ほぼ一定
となる。
【0023】図6は、この実施例においてインダクタ4
4、キャパシタ42を除去した場合における入力信号の
周波数をf1からf2まで変化させたとき、接続点39
からFET30側を見たときの入力インピーダンスが、
どのように変化するかを示したもので、f1において約
(0.25−j3)Ωとなり、f2において約(0.2
5+j0.2)Ωとなる。この場合、入力インピーダン
スの変化は大きく、入力側整合回路38の設計がしにく
くなり、このマイクロ波増幅器の周波数特性は、平坦に
ならない。
4、キャパシタ42を除去した場合における入力信号の
周波数をf1からf2まで変化させたとき、接続点39
からFET30側を見たときの入力インピーダンスが、
どのように変化するかを示したもので、f1において約
(0.25−j3)Ωとなり、f2において約(0.2
5+j0.2)Ωとなる。この場合、入力インピーダン
スの変化は大きく、入力側整合回路38の設計がしにく
くなり、このマイクロ波増幅器の周波数特性は、平坦に
ならない。
【0024】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、キャパ
シタとインダクタとの直列回路を、FETのゲートに接
続されたインダクタと基準電位点との間に接続している
ので、入力インピーダンスをほぼ一定にすることがで
き、広帯域にわたって平坦な周波数特性を有するマイク
ロ波増幅器を得ることができる。
シタとインダクタとの直列回路を、FETのゲートに接
続されたインダクタと基準電位点との間に接続している
ので、入力インピーダンスをほぼ一定にすることがで
き、広帯域にわたって平坦な周波数特性を有するマイク
ロ波増幅器を得ることができる。
【図1】本発明によるマイクロ波増幅器の1実施例の回
路図である。
路図である。
【図2】同実施例の部分省略平面図である。
【図3】図2の2−2線に沿う断面図である。
【図4】この実施例の製造過程を示す図である。
【図5】この実施例における接続点39からFET側を
見たインピーダンスの入力信号の周波数変化に従った変
化を示す。
見たインピーダンスの入力信号の周波数変化に従った変
化を示す。
【図6】この実施例においてインダクタ44及びキャパ
シタ42を除去した状態での接続点39からFET側を
見たインピーダンスの入力信号の周波数変化に従った変
化を示す。
シタ42を除去した状態での接続点39からFET側を
見たインピーダンスの入力信号の周波数変化に従った変
化を示す。
【図7】従来のマイクロ波増幅器の回路図である。
【図8】図7のマイクロ波増幅器の部分省略平面図であ
る。
る。
30 電界効果トランジスタ 36 インダクタ 40 直列回路 42 キャパシタ 44 インダクタ
Claims (2)
- 【請求項1】 ソースが接地された電界効果トランジス
タと、このトランジスタのドレインに接続された出力側
整合回路と、上記トランジスタのゲートにワイヤーを介
して接続された入力側整合回路と、この入力側接合回路
上に形成されており、入力側整合回路と上記ワイヤーと
の接続点と基準電位点との間に接続されたキャパシタと
インダクタとの直列回路とを、具備するマイクロ波増幅
器。 - 【請求項2】 基板上に入力側整合回路と基準電位部を
形成する過程と、上記入力側整合回路にキャパシタ形成
素子を形成する段階と、ソースが接地された電界効果ト
ランジスタのゲートをワイヤーによって上記入力側整合
回路に接続すると共に上記キャパシタ形成素子を別のワ
イヤーによって上記基準電位部に接続する過程とを、具
備するマイクロ波増幅器の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4194392A JPH0645810A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | マイクロ波増幅器及びその製造方法 |
US08/094,302 US5469107A (en) | 1992-07-22 | 1993-07-21 | Microwave amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4194392A JPH0645810A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | マイクロ波増幅器及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0645810A true JPH0645810A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16323835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4194392A Pending JPH0645810A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | マイクロ波増幅器及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5469107A (ja) |
JP (1) | JPH0645810A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5592122A (en) * | 1994-05-19 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio-frequency power amplifier with input impedance matching circuit based on harmonic wave |
JPH10242776A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-09-11 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波増幅器 |
US6121840A (en) * | 1996-12-24 | 2000-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency amplifier |
US5973568A (en) * | 1998-06-01 | 1999-10-26 | Motorola Inc. | Power amplifier output module for dual-mode digital systems |
US6597227B1 (en) * | 2000-01-21 | 2003-07-22 | Atheros Communications, Inc. | System for providing electrostatic discharge protection for high-speed integrated circuits |
JP2004228989A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4859633A (en) * | 1985-01-31 | 1989-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Process for fabricating monolithic microwave diodes |
US4658220A (en) * | 1985-09-06 | 1987-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Dual-gate, field-effect transistor low noise amplifier |
JPS62274806A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | Toshiba Corp | マイクロ波電界効果トランジスタ |
JPH0754889B2 (ja) * | 1987-01-28 | 1995-06-07 | 三菱電機株式会社 | Fet多段増幅器 |
JPS6490718A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-07 | Toyo Machinery & Metal | Molding machine provided with working state recording device |
JPH01117958A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Honda Motor Co Ltd | 内燃エンジンの空燃比フィードバック制御方法 |
US5023993A (en) * | 1988-09-30 | 1991-06-18 | Grumman Aerospace Corporation | Method for manufacturing a high-performance package for monolithic microwave integrated circuits |
JPH0732335B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1995-04-10 | 日本電信電話株式会社 | 高周波増幅器 |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP4194392A patent/JPH0645810A/ja active Pending
-
1993
- 1993-07-21 US US08/094,302 patent/US5469107A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5469107A (en) | 1995-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0309163B1 (en) | A monolithic microwave integrated circuit | |
US5343176A (en) | Radio frequency filter having a substrate with recessed areas | |
US5926078A (en) | Dielectric filter including various means of adjusting the coupling between resonators | |
JP2001111364A (ja) | マイクロ波増幅器 | |
JPH0645810A (ja) | マイクロ波増幅器及びその製造方法 | |
KR100228754B1 (ko) | 고주파 증폭 집적-회로 장치 | |
US5519233A (en) | Microchip capacitor and thin film resistor as circuit elements in internal impedance matching circuit of microwave transistor | |
JP2788838B2 (ja) | 高周波集積回路 | |
JPS63219150A (ja) | 能動インダクタ | |
JP3700439B2 (ja) | パッケージ基板およびそれを用いた電子装置 | |
JPH0653414A (ja) | マイクロ波集積回路 | |
JPH03261202A (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
JPH04261206A (ja) | 増幅器 | |
JP2590686B2 (ja) | 混成集積回路 | |
JP2001345606A (ja) | Mmic増幅器 | |
JP2564916B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JPH0775295B2 (ja) | 高周波トランジスタの整合回路 | |
JPH024496Y2 (ja) | ||
JPH0832308A (ja) | 誘電体フィルタとその特性調整方法 | |
JP2001060827A (ja) | マイクロストリップライン型電圧制御発振器 | |
JPH0218603B2 (ja) | ||
JPS63274202A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
JPH0775293B2 (ja) | 高周波トランジスタの整合回路 | |
JPH066150A (ja) | 高周波トランジスタ回路 | |
JP2004112466A (ja) | マイクロ波回路 |