JPH0644556A - 磁気記憶体 - Google Patents
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- JPH0644556A JPH0644556A JP4066634A JP6663492A JPH0644556A JP H0644556 A JPH0644556 A JP H0644556A JP 4066634 A JP4066634 A JP 4066634A JP 6663492 A JP6663492 A JP 6663492A JP H0644556 A JPH0644556 A JP H0644556A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 磁気ディスクの磁性媒体や保護膜上にフラー
レンと総称されるＣ６０、Ｃ７０およびＣ８４と、それ
らフラーレンのアルキル鎖またはアリール鎖付加物から
なる固体潤滑膜を被覆することを特徴とした磁気ディス
ク。 【効果】 従来の磁気ディスクに比較すると格段に優れ
た機械的耐久性、高い線記録密度を達成することができ
る。
レンと総称されるＣ６０、Ｃ７０およびＣ８４と、それ
らフラーレンのアルキル鎖またはアリール鎖付加物から
なる固体潤滑膜を被覆することを特徴とした磁気ディス
ク。 【効果】 従来の磁気ディスクに比較すると格段に優れ
た機械的耐久性、高い線記録密度を達成することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録装置に用いられ
る磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テープ等の磁気記憶
体に関する。
る磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テープ等の磁気記憶
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記憶装置に対する小型化、高
密度・大容量化の要求が益々高まっている。これらの要
求を同時に解決する手段は高記録密度の実現であり、従
来の長手記録に代わる垂直記録方式による磁気ディスク
装置の実用化も指向されている。高密度磁気記録を達成
するための技術的な課題は、磁気ヘッド／磁性媒体間の
分離長の低減であり、０．１μｍ以下の分離長を達成し
ない限り、前述した垂直記録方式の有効性が発揮されな
いことはよく知られている。長手記録方式においても分
離長の低減は線記録密度の向上には必須の技術である。
すなわち、磁気ヘッドスライダーの低浮上量化と、磁気
ディスクの磁性媒体や保護膜の薄膜化が高記録密度達成
のための重要な技術課題となっている。
密度・大容量化の要求が益々高まっている。これらの要
求を同時に解決する手段は高記録密度の実現であり、従
来の長手記録に代わる垂直記録方式による磁気ディスク
装置の実用化も指向されている。高密度磁気記録を達成
するための技術的な課題は、磁気ヘッド／磁性媒体間の
分離長の低減であり、０．１μｍ以下の分離長を達成し
ない限り、前述した垂直記録方式の有効性が発揮されな
いことはよく知られている。長手記録方式においても分
離長の低減は線記録密度の向上には必須の技術である。
すなわち、磁気ヘッドスライダーの低浮上量化と、磁気
ディスクの磁性媒体や保護膜の薄膜化が高記録密度達成
のための重要な技術課題となっている。
【０００３】現在実用化されている薄膜磁性媒体を用い
た磁気ディスクの基本的な膜構成を以下に示す。
た磁気ディスクの基本的な膜構成を以下に示す。
【０００４】潤滑膜（膜厚：１〜２ｎｍ）／保護膜（３
０〜５０ｎｍ）／金属磁性媒体（５０〜７０ｎｍ）／非
磁性ＮｉＰ層（２０〜３０μｍ）／Ａｌ合金基板 ここで、それぞれの膜に用いられる代表的な材料を挙げ
ると、潤滑膜には有機フッ素化合物系の液体潤滑剤が、
保護膜にはスパッタ法によって作製したカーボン膜やＳ
ｉＯ2 系の膜が、磁性媒体にはスパッタ法もしくは無電
解メッキ法により成膜したＣｏ系の合金薄膜がそれぞれ
用いられている。
０〜５０ｎｍ）／金属磁性媒体（５０〜７０ｎｍ）／非
磁性ＮｉＰ層（２０〜３０μｍ）／Ａｌ合金基板 ここで、それぞれの膜に用いられる代表的な材料を挙げ
ると、潤滑膜には有機フッ素化合物系の液体潤滑剤が、
保護膜にはスパッタ法によって作製したカーボン膜やＳ
ｉＯ2 系の膜が、磁性媒体にはスパッタ法もしくは無電
解メッキ法により成膜したＣｏ系の合金薄膜がそれぞれ
用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの薄膜を積層さ
せた従来の磁気ディスクが抱えている問題点を以下に列
挙する。 （１）磁気ディスク装置停止時に液体潤滑剤と磁気ヘッ
ドスライダーとの間に吸着力が作用するために、スライ
ダーがディスク表面に固着しやすい。この固着現象を回
避するためにディスク表面にテスクチャーと呼ばれるク
レバス状の傷が多数設けられている。このテスクチャー
の存在は、分離長の増加だけではなく、機械的耐久性に
関わる信頼性の低下をもたらしている。 （２）液体潤滑剤はディスク回転時に飛散消失（スピン
オフ現象と呼ばれる。）しやすく、この分の目減りを考
慮して厚めに被覆されるが、厚い液体潤滑膜は（１）項
に述べた吸着現象を起こしやすいといった矛盾した問題
がある。 （３）液体潤滑剤のスピンオフ特性や潤滑性能が潤滑剤
と保護膜表面との付着性に依存するため、保護膜材料の
選択範囲が極めて限定されている。特に、現在主流のフ
ッ素系潤滑剤は分子未端に付加された官能基によって分
子に付着性を与えているため、カーボン系や酸化物系の
非極性保護膜に対して良好な付着性を有さない。 上記の技術的な課題は潤滑剤が液体であることに主に起
因していることから、固体潤滑剤の検討も進められてい
る。しかし、固体潤滑剤では磁気ディスクの起動・停止
時に生じる接触摺動により固体潤滑剤が剥離し、剥離片
が磁気ディスク装置内を汚染するとともに、剥離片に起
因する信頼性低下の問題が指摘されている。また、固体
潤滑剤に液体潤滑剤が有する自己修復性（スライダー軌
跡上では液体潤滑膜の膜厚が薄くなるが、スライダーが
他の軌跡に移動すると、潤滑膜が薄くなった部分に周囲
から潤滑剤が集まるといった修復性がある。）を期待す
ることはできない。これら２つの問題点がネックとな
り、磁気ディスクへの固体潤滑剤の応用化はまったく進
展していないのが現状である。
せた従来の磁気ディスクが抱えている問題点を以下に列
挙する。 （１）磁気ディスク装置停止時に液体潤滑剤と磁気ヘッ
ドスライダーとの間に吸着力が作用するために、スライ
ダーがディスク表面に固着しやすい。この固着現象を回
避するためにディスク表面にテスクチャーと呼ばれるク
レバス状の傷が多数設けられている。このテスクチャー
の存在は、分離長の増加だけではなく、機械的耐久性に
関わる信頼性の低下をもたらしている。 （２）液体潤滑剤はディスク回転時に飛散消失（スピン
オフ現象と呼ばれる。）しやすく、この分の目減りを考
慮して厚めに被覆されるが、厚い液体潤滑膜は（１）項
に述べた吸着現象を起こしやすいといった矛盾した問題
がある。 （３）液体潤滑剤のスピンオフ特性や潤滑性能が潤滑剤
と保護膜表面との付着性に依存するため、保護膜材料の
選択範囲が極めて限定されている。特に、現在主流のフ
ッ素系潤滑剤は分子未端に付加された官能基によって分
子に付着性を与えているため、カーボン系や酸化物系の
非極性保護膜に対して良好な付着性を有さない。 上記の技術的な課題は潤滑剤が液体であることに主に起
因していることから、固体潤滑剤の検討も進められてい
る。しかし、固体潤滑剤では磁気ディスクの起動・停止
時に生じる接触摺動により固体潤滑剤が剥離し、剥離片
が磁気ディスク装置内を汚染するとともに、剥離片に起
因する信頼性低下の問題が指摘されている。また、固体
潤滑剤に液体潤滑剤が有する自己修復性（スライダー軌
跡上では液体潤滑膜の膜厚が薄くなるが、スライダーが
他の軌跡に移動すると、潤滑膜が薄くなった部分に周囲
から潤滑剤が集まるといった修復性がある。）を期待す
ることはできない。これら２つの問題点がネックとな
り、磁気ディスクへの固体潤滑剤の応用化はまったく進
展していないのが現状である。
【０００６】本発明は以上述べたような従来の問題点を
解決するためになされたもので、優れた機械的耐久性を
与える固体潤滑膜を備えた磁気記憶体を提供するもので
ある。
解決するためになされたもので、優れた機械的耐久性を
与える固体潤滑膜を備えた磁気記憶体を提供するもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決する手段は、下地体の上に磁性媒体、保護膜、固
体潤滑層がこの順に形成されていることを特徴とする磁
気記憶体で、その固体潤滑層がフラーレンと総称される
Ｃ６０、Ｃ７０およびＣ８４と、それらフラーレンのア
ルキル鎖またはアリール鎖付加物であり、かつ保護膜が
非磁性金属、非磁性酸化物、非磁性窒化物および非磁性
炭素質膜であることを特徴とする。
を解決する手段は、下地体の上に磁性媒体、保護膜、固
体潤滑層がこの順に形成されていることを特徴とする磁
気記憶体で、その固体潤滑層がフラーレンと総称される
Ｃ６０、Ｃ７０およびＣ８４と、それらフラーレンのア
ルキル鎖またはアリール鎖付加物であり、かつ保護膜が
非磁性金属、非磁性酸化物、非磁性窒化物および非磁性
炭素質膜であることを特徴とする。
【０００８】また、本発明において上記課題を解決する
もう１つの手段は、下地体の上に磁性媒体、固体潤滑層
がこの順に形成されていることを特徴とする磁気記憶体
で、固体潤滑層がフラーレンと総称されるＣ６０、Ｃ７
０およびＣ８４と、それらフラーレンのアルキル鎖また
はアリール鎖付加物であることを特徴とする。
もう１つの手段は、下地体の上に磁性媒体、固体潤滑層
がこの順に形成されていることを特徴とする磁気記憶体
で、固体潤滑層がフラーレンと総称されるＣ６０、Ｃ７
０およびＣ８４と、それらフラーレンのアルキル鎖また
はアリール鎖付加物であることを特徴とする。
【０００９】さらに、もう１つの手段は下地体の上に磁
性媒体、磁性媒体表面を熱酸化した層、固体潤滑層がこ
の順に形成されている磁気記憶体であり、固体潤滑層が
フラーレンと総称されるＣ６０、Ｃ７０およびＣ８４
と、それらフラーレンのアルキル鎖またはアリール鎖付
加物であることを特徴とする。
性媒体、磁性媒体表面を熱酸化した層、固体潤滑層がこ
の順に形成されている磁気記憶体であり、固体潤滑層が
フラーレンと総称されるＣ６０、Ｃ７０およびＣ８４
と、それらフラーレンのアルキル鎖またはアリール鎖付
加物であることを特徴とする。
【００１０】
【作用】フラーレンと総称されるＣ６０、Ｃ７０および
Ｃ８４はそれぞれ炭素原子６０個、７０個および８４個
で構成される球状または楕円状の中空分子で、直径は約
１ｎｍである。フラーレンそのものは半導体であり、カ
リウムをドーピングすることにより超伝導性を示すな
ど、工学的に興味あるいくつかの特性を有している。
Ｃ８４はそれぞれ炭素原子６０個、７０個および８４個
で構成される球状または楕円状の中空分子で、直径は約
１ｎｍである。フラーレンそのものは半導体であり、カ
リウムをドーピングすることにより超伝導性を示すな
ど、工学的に興味あるいくつかの特性を有している。
【００１１】この他に、フラーレンは中空分子であると
いう性格から弾性係数が低いが、その強固な分子構造か
ら分子自体は極めて破壊しにくいといった特異な機械的
性質を有することが知られている。高い機械的強度は優
れた耐摩耗性を、低い弾性件数は良好な摩擦特性を得る
ための必要条件である。
いう性格から弾性係数が低いが、その強固な分子構造か
ら分子自体は極めて破壊しにくいといった特異な機械的
性質を有することが知られている。高い機械的強度は優
れた耐摩耗性を、低い弾性件数は良好な摩擦特性を得る
ための必要条件である。
【００１２】また、フラーレンの化学的安定性は極めて
高く、化学的作用、すなわち酸化や腐食による劣化も生
じ難い。特異な機械的性質と高い化学的安定性は、フラ
ーレン系の材料に磁気ディスクなど磁気記憶体の保護潤
滑層として良好な特性を付与している。
高く、化学的作用、すなわち酸化や腐食による劣化も生
じ難い。特異な機械的性質と高い化学的安定性は、フラ
ーレン系の材料に磁気ディスクなど磁気記憶体の保護潤
滑層として良好な特性を付与している。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。Ｃ６
０、Ｃ７０およびＣ８４の製造方法は公知であるので省
略する。フラーレンのアルキル鎖またはアリール鎖付加
物は、フラーレンとハロゲン化アルキルまたはハロゲン
化アリールを有機溶媒中で加熱還流して作製した。例え
ば、７２０ｍｇ（１ミリモル）のＣ６０と、１８６０ｍ
ｇ（１０ミリモル）の３−ヨードプロピルアルコールを
ベンゼル１００ｍｌに溶解し、沸点温度で１０時間加熱
還流することによって、Ｃ６０のプロピルアルコール付
加物が形成される。ハロゲン化アルキルの例としては、
Ｉ−Ｃn Ｈ2n ＯＨやＩ−Ｃn Ｈ2 n −ＮＨ2 の構造式
で表される分子が挙げられる。前者のｎ＝３の例が３−
ヨードプロピルアルコールであり、後者でｎ＝６の例が
１−アミノー６−ヨードヘキサンに相当する。また、ハ
ロゲン化アリールの例としては、１−フェニール−９−
ヨードヘキサンや５−ヨードヘプタン酸−２，４ジェン
などが挙げられる。また、溶媒にはベンゼンの他に、ト
ルエル、フェノール、ニトロベンゼン、ピリジンなどを
用いることができる。なお、以下の説明ではＣ６０のプ
ロピルアルコール付加物をＣ６０−ＡＬ、１−アミノヘ
キサンの付加物をＣ６０−ＡＭ、１−フェニールヘキサ
ンの付加物をＣ６０−ＰＨと略記する。
０、Ｃ７０およびＣ８４の製造方法は公知であるので省
略する。フラーレンのアルキル鎖またはアリール鎖付加
物は、フラーレンとハロゲン化アルキルまたはハロゲン
化アリールを有機溶媒中で加熱還流して作製した。例え
ば、７２０ｍｇ（１ミリモル）のＣ６０と、１８６０ｍ
ｇ（１０ミリモル）の３−ヨードプロピルアルコールを
ベンゼル１００ｍｌに溶解し、沸点温度で１０時間加熱
還流することによって、Ｃ６０のプロピルアルコール付
加物が形成される。ハロゲン化アルキルの例としては、
Ｉ−Ｃn Ｈ2n ＯＨやＩ−Ｃn Ｈ2 n −ＮＨ2 の構造式
で表される分子が挙げられる。前者のｎ＝３の例が３−
ヨードプロピルアルコールであり、後者でｎ＝６の例が
１−アミノー６−ヨードヘキサンに相当する。また、ハ
ロゲン化アリールの例としては、１−フェニール−９−
ヨードヘキサンや５−ヨードヘプタン酸−２，４ジェン
などが挙げられる。また、溶媒にはベンゼンの他に、ト
ルエル、フェノール、ニトロベンゼン、ピリジンなどを
用いることができる。なお、以下の説明ではＣ６０のプ
ロピルアルコール付加物をＣ６０−ＡＬ、１−アミノヘ
キサンの付加物をＣ６０−ＡＭ、１−フェニールヘキサ
ンの付加物をＣ６０−ＰＨと略記する。
【００１４】これらのフラーレンやフラーレンのアルキ
ル鎖またはアリール鎖付加物は蒸着法によって磁気ディ
スク上に成膜した。蒸着法以外には、イオンクラスター
ビーム法やスピンコート法（ベンゼン、トルエル、フェ
ノール、ニトロベンゼン、ピリジンなどの溶媒にフラー
レンを溶かし、スピンコート被覆した後、溶媒を加熱乾
燥することによってフラーレンを磁気ディスク上に成膜
する。）を適用することができる。ただし、フラーレン
やフラーレンのアルキルまたはアリール鎖付加物の熱分
解温度の制約から熱分解温度を越える成膜法は適用でき
ない。
ル鎖またはアリール鎖付加物は蒸着法によって磁気ディ
スク上に成膜した。蒸着法以外には、イオンクラスター
ビーム法やスピンコート法（ベンゼン、トルエル、フェ
ノール、ニトロベンゼン、ピリジンなどの溶媒にフラー
レンを溶かし、スピンコート被覆した後、溶媒を加熱乾
燥することによってフラーレンを磁気ディスク上に成膜
する。）を適用することができる。ただし、フラーレン
やフラーレンのアルキルまたはアリール鎖付加物の熱分
解温度の制約から熱分解温度を越える成膜法は適用でき
ない。
【００１５】これらのフラーレンを設けた磁気ディスク
は次のようにして作製した。基板には直径３．５インチ
のガラスディスクを用いた。ガラスディスク上にはスパ
ッタ法によりＣｒ膜（膜厚：２００ｎｍ）を成膜した。
このＣｒ膜はその上に設けるＣｏＣｒＴａ磁性媒体薄膜
の結晶粒を緻密化することによってＣｏＣｒＴａ膜の磁
気特性向上に効果がある。Ｃｒ膜上には磁性媒体として
ＣｏＣｒＴａを５０ｎｍ被覆した。ＣｒとＣｏＣｒＴａ
の成膜条件はＡｒ放電ガス圧２０ｍＴｏｒｒ、スパッタ
パワー密度８．５Ｗ／ｃｍ2 である。以下に述べる実施
例および比較例の磁気ディスクにおいてはガラス基板か
ら磁性媒体までの構造は同一である。まお、本明細書で
はＣｏＣｒＴａとＣｒ膜を含めて磁性媒体と呼ぶことに
する。
は次のようにして作製した。基板には直径３．５インチ
のガラスディスクを用いた。ガラスディスク上にはスパ
ッタ法によりＣｒ膜（膜厚：２００ｎｍ）を成膜した。
このＣｒ膜はその上に設けるＣｏＣｒＴａ磁性媒体薄膜
の結晶粒を緻密化することによってＣｏＣｒＴａ膜の磁
気特性向上に効果がある。Ｃｒ膜上には磁性媒体として
ＣｏＣｒＴａを５０ｎｍ被覆した。ＣｒとＣｏＣｒＴａ
の成膜条件はＡｒ放電ガス圧２０ｍＴｏｒｒ、スパッタ
パワー密度８．５Ｗ／ｃｍ2 である。以下に述べる実施
例および比較例の磁気ディスクにおいてはガラス基板か
ら磁性媒体までの構造は同一である。まお、本明細書で
はＣｏＣｒＴａとＣｒ膜を含めて磁性媒体と呼ぶことに
する。
【００１６】表１に本発明の実施例と比較例について、
保護膜及び潤滑膜の種類と膜厚を示す。
保護膜及び潤滑膜の種類と膜厚を示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】実施例１ではスパッタ法によりカーボン膜
を１０ｎｍ成膜した。カーボン膜の成膜条件はＡｒ放電
ガス圧２０ｍＴｏｒｒ、スパッタパワー密度１７Ｗ／ｃ
ｍ2である。さらに、カーボン膜上にＣ６０を３ｎｍ
（約３分子層に相当する）蒸着法により成膜した。図１
に実施例１の磁気ディスクの部分断面図を示す。１は基
板、２は磁性媒体層である。実施例１〜６の保護膜３は
スパッタカーボン膜、実施例７〜１２の保護膜３はスパ
ッタＳｉＯ2 、実施例１３〜１８の保護膜３はスパッタ
Ｓｉ、実施例１９〜２４の保護膜３はスパッタＲｈであ
り、実施例１〜２４はすべて請求項１の発明に基づく磁
気ディスクである。４は潤滑膜で表１のとおりである。
を１０ｎｍ成膜した。カーボン膜の成膜条件はＡｒ放電
ガス圧２０ｍＴｏｒｒ、スパッタパワー密度１７Ｗ／ｃ
ｍ2である。さらに、カーボン膜上にＣ６０を３ｎｍ
（約３分子層に相当する）蒸着法により成膜した。図１
に実施例１の磁気ディスクの部分断面図を示す。１は基
板、２は磁性媒体層である。実施例１〜６の保護膜３は
スパッタカーボン膜、実施例７〜１２の保護膜３はスパ
ッタＳｉＯ2 、実施例１３〜１８の保護膜３はスパッタ
Ｓｉ、実施例１９〜２４の保護膜３はスパッタＲｈであ
り、実施例１〜２４はすべて請求項１の発明に基づく磁
気ディスクである。４は潤滑膜で表１のとおりである。
【００１９】図２は実施例２５〜３０のディスクの部分
断面図であり、実施例２５〜３０はＣｏＣｒＴａ磁性媒
体２上に直接フラーレン系固体潤滑膜１３（膜厚：３ｎ
ｍ）を設けた例であり、請求項４の発明に基づく磁気デ
ィスクである。
断面図であり、実施例２５〜３０はＣｏＣｒＴａ磁性媒
体２上に直接フラーレン系固体潤滑膜１３（膜厚：３ｎ
ｍ）を設けた例であり、請求項４の発明に基づく磁気デ
ィスクである。
【００２０】また、図３は実施例３１〜３６の磁気ディ
スクの部分断面図である。この実施例３１〜３６はＣｏ
ＣｒＴａ磁性媒体２の表面層に熱酸化処理を施し、熱酸
化保護膜２３を形成し、その上にフラーレン系固体潤滑
膜２４（膜厚：４ｎｍ）を設けた例であり、請求項６の
発明に基づく磁気ディスクである。ＣｏＣｒＴａ成膜
後、温度２５０℃、純Ｏ2 雰囲気に２時間磁気ディスク
を曝露することによって厚さ１０ｎｍの表面酸化層２３
を形成した。
スクの部分断面図である。この実施例３１〜３６はＣｏ
ＣｒＴａ磁性媒体２の表面層に熱酸化処理を施し、熱酸
化保護膜２３を形成し、その上にフラーレン系固体潤滑
膜２４（膜厚：４ｎｍ）を設けた例であり、請求項６の
発明に基づく磁気ディスクである。ＣｏＣｒＴａ成膜
後、温度２５０℃、純Ｏ2 雰囲気に２時間磁気ディスク
を曝露することによって厚さ１０ｎｍの表面酸化層２３
を形成した。
【００２１】比較例１および比較例２は保護膜３３にス
パッタカーボン膜をそれぞれ１０ｎｍおよび２０ｎｍ設
け、さらにその上に有機フッ素化合物系の液体潤滑剤３
４を２ｎｍ被覆した。比較例１および比較例２のガラス
基板１には液体潤滑剤を用いたために、スライダー吸着
防止用のテクスチャーが設けられており、ディスクの表
面あらさは実施例に用いたディスクのそれよりも大き
い。
パッタカーボン膜をそれぞれ１０ｎｍおよび２０ｎｍ設
け、さらにその上に有機フッ素化合物系の液体潤滑剤３
４を２ｎｍ被覆した。比較例１および比較例２のガラス
基板１には液体潤滑剤を用いたために、スライダー吸着
防止用のテクスチャーが設けられており、ディスクの表
面あらさは実施例に用いたディスクのそれよりも大き
い。
【００２２】上述の磁気ディスクについて、典型的な機
械的耐久性試験であるコンタクト・スタート・ストップ
試験（以下、ＣＳＳ試験と略記する。）により各磁気デ
ィスクの耐久性を評価した。本発明に基づく磁気ディス
ク実施例１〜３６はすべて１０万回以上のＣＳＳ回数に
耐えたのに対して、比較例１の磁気ディスクは５万回程
度でディスク表面に摩擦損傷が発生し、記録再生不能の
状態となった。なお、比較例２の磁気ディスクは１０万
回のＣＳＳ試験に耐えたが、若干の傷発生が認められ
た。Ｄ5 0 基準で測定した線記録密度は、実施例１〜３
６の磁気ディスクで８０〜１２０Ｋｂｐｉであるのに対
して、比較例１と比較例２では６０〜８０Ｋｂｐｉであ
り、本発明により高密度記録を達成できることがわかっ
た。この記録密度の向上は、保護膜厚が低減できること
と、テクスチャーを必要としないことの相乗効果によっ
てもたらされたと考えられる。
械的耐久性試験であるコンタクト・スタート・ストップ
試験（以下、ＣＳＳ試験と略記する。）により各磁気デ
ィスクの耐久性を評価した。本発明に基づく磁気ディス
ク実施例１〜３６はすべて１０万回以上のＣＳＳ回数に
耐えたのに対して、比較例１の磁気ディスクは５万回程
度でディスク表面に摩擦損傷が発生し、記録再生不能の
状態となった。なお、比較例２の磁気ディスクは１０万
回のＣＳＳ試験に耐えたが、若干の傷発生が認められ
た。Ｄ5 0 基準で測定した線記録密度は、実施例１〜３
６の磁気ディスクで８０〜１２０Ｋｂｐｉであるのに対
して、比較例１と比較例２では６０〜８０Ｋｂｐｉであ
り、本発明により高密度記録を達成できることがわかっ
た。この記録密度の向上は、保護膜厚が低減できること
と、テクスチャーを必要としないことの相乗効果によっ
てもたらされたと考えられる。
【００２３】
【発明の効果】実施例の項に述べたように、フラーレン
系の固体潤滑剤を被覆することにより、良好な機械的耐
久性と高い記録密度を有した磁気ディスクを作製するこ
とができる。
系の固体潤滑剤を被覆することにより、良好な機械的耐
久性と高い記録密度を有した磁気ディスクを作製するこ
とができる。
【図１】本発明の請求項１に基づく磁気ディスクの部分
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の請求項４に基づく磁気ディスクの部分
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の請求項６に基づく磁気ディスクの部分
断面図である。
断面図である。
【図４】比較例である磁気ディスクの部分断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 磁性媒体層 ３ 非磁性保護膜 ４、１３、２４ フラーレン系の固体潤滑膜 ２３ 磁性媒体表面層の熱酸化保護膜 ３３ スパッタカーボン保護膜 ３４ 有機フッ素化合物系の液体潤滑膜
Claims (7)
- 【請求項１】 下地体の上に磁性媒体、保護膜、固体潤
滑層がこの順に形成されていることを特徴とする磁気記
憶体。 - 【請求項２】 固体潤滑層がフラーレンと総称されるＣ
６０、Ｃ７０およびＣ８４と、それらフラーレンのアル
キル鎖またはアリール鎖付加物である請求項１記載の磁
気記憶体。 - 【請求項３】 保護膜が非磁性金属、非磁性酸化物、非
磁性窒化物および非磁性炭素質膜である請求項１記載の
磁気記憶体。 - 【請求項４】 下地体の上に磁性媒体、固体潤滑層がこ
の順に形成されていることを特徴とする磁気記憶体。 - 【請求項５】 固体潤滑層がフラーレンと総称されるＣ
６０、Ｃ７０およびＣ８４と、それらフラーレンのアル
キル鎖またはアリール鎖付加物である請求項４記載の磁
気記憶体。 - 【請求項６】 下地体の上に磁性媒体、磁性媒体表面を
熱酸化した層、固体潤滑層がこの順に形成されているこ
とを特徴とする磁性記憶体。 - 【請求項７】 固体潤滑層がフラーレンと総称されるＣ
６０、Ｃ７０およびＣ８４と、それらフラーレンのアル
キル鎖またはアリール鎖付加物である請求項６記載の磁
気記憶体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4066634A JP2817502B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 磁気記憶体 |
| US08/261,212 US5447796A (en) | 1992-03-25 | 1994-06-15 | Magnetic recording medium comprising a solid lubrication layer of fullerene carbon having an alkyl or allyl chain |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4066634A JP2817502B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0644556A true JPH0644556A (ja) | 1994-02-18 |
| JP2817502B2 JP2817502B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=13321526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4066634A Expired - Fee Related JP2817502B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 磁気記憶体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5447796A (ja) |
| JP (1) | JP2817502B2 (ja) |
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| WO2001080224A2 (en) * | 2000-04-14 | 2001-10-25 | Seagate Technology Llc | Ultrathin protective overcoats for magnetic materials |
| US6479111B2 (en) | 2000-06-02 | 2002-11-12 | Seagate Technology Llc | Process for production of ultrathin protective overcoats |
| US6743481B2 (en) | 2000-06-01 | 2004-06-01 | Seagate Technology Llc | Process for production of ultrathin protective overcoats |
| JP5600222B1 (ja) * | 2014-01-16 | 2014-10-01 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体用潤滑剤、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録再生装置 |
| JP5600202B1 (ja) * | 2013-12-05 | 2014-10-01 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体用潤滑剤、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録再生装置 |
| JP2015109130A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-06-11 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体用潤滑剤、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 |
| JP2015135716A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-07-27 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体用潤滑剤、磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 |
| JP2017101169A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 昭和電工株式会社 | 潤滑油組成物 |
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| US6677105B2 (en) | 2000-05-12 | 2004-01-13 | Toda Kogyo Corporation | Self-lubricating layer for data storage devices |
| US6430114B1 (en) | 2000-05-12 | 2002-08-06 | Toda Citron Technologies, Inc. | Self-lubricating layer for a data storage disk |
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1992
- 1992-03-25 JP JP4066634A patent/JP2817502B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-15 US US08/261,212 patent/US5447796A/en not_active Expired - Lifetime
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