JPH0643344A - 半導体−光学リンクおよびその作製方法 - Google Patents
半導体−光学リンクおよびその作製方法Info
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- JPH0643344A JPH0643344A JP5802993A JP5802993A JPH0643344A JP H0643344 A JPH0643344 A JP H0643344A JP 5802993 A JP5802993 A JP 5802993A JP 5802993 A JP5802993 A JP 5802993A JP H0643344 A JPH0643344 A JP H0643344A
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4239—Adhesive bonding; Encapsulation with polymer material
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体−光学リンクおよびその製作方法が示
される。 【構成】 半導体部品１４の一表面がヘッダ１６の一表
面に付着され、光入力／出力２５を有する部品１４の対
向面は、光ファイバ１２の一端に隣接して配置される。
部品１４と光ファイバ１２とは硬化性ゲル３０により、
ヒート・シンクとして機能するヘッダ１６に歪を起こさ
ずに固定される。ヘッダ１６上に形成されたリード線２
７および／または光ファイバ１２上に付着された導電性
皮膜２２により、部品１４に対して電気接触部が形成さ
れる。
される。 【構成】 半導体部品１４の一表面がヘッダ１６の一表
面に付着され、光入力／出力２５を有する部品１４の対
向面は、光ファイバ１２の一端に隣接して配置される。
部品１４と光ファイバ１２とは硬化性ゲル３０により、
ヒート・シンクとして機能するヘッダ１６に歪を起こさ
ずに固定される。ヘッダ１６上に形成されたリード線２
７および／または光ファイバ１２上に付着された導電性
皮膜２２により、部品１４に対して電気接触部が形成さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に、半導体−光
学リンクに関する。さらに詳しくは、光通信媒体に半導
体部品を取り付けて、半導体−光学リンクを作成する方
法に関する。
学リンクに関する。さらに詳しくは、光通信媒体に半導
体部品を取り付けて、半導体−光学リンクを作成する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在の光通信システムは、光通信媒体か
ら独立して分割されている半導体部品を利用している。
一例として、光ファイバは、光半導体部品を含む装置と
互換性をもたせるように接続されている。残念ながら、
この分割のためにコネクタと接続された装置との両方に
厳密な整合要件を課すので、費用のかかる手順となる。
従来、装置内で半導体光部品を整合して、光ファイバに
接続することは、困難な作業であった。通常、光学的整
合における２つの重要な段階が結合効率を最大限にし
て、整合がなされた後、光半導体部品を正確な位置に固
定する。結合効率を最大にする光学的整合は、能動整合
(active alignment)と呼ばれる過程により達成される。
この能動整合過程は、信号が通過される光ファイバをも
つ光半導体部品を配置する技術である。能動整合は、骨
の折れる作業であり、光カプラーの大量生産には適用で
きず、結果として高価になる。光半導体部品が光ファイ
バに対して整合されると、光半導体部品と光ファイバと
は、移動量が最小になるような位置に係止されなければ
ならない。現在の固定方法または過程には、エポキシ，
レーザ溶接および低融点ハンダなどがある。しかし、こ
れらの固定過程中に発生する熱により、光半導体と光フ
ァイバ部品の両方が膨張し、冷却中に収縮して、結果と
して不整合を起こし結合効率が下がる。
ら独立して分割されている半導体部品を利用している。
一例として、光ファイバは、光半導体部品を含む装置と
互換性をもたせるように接続されている。残念ながら、
この分割のためにコネクタと接続された装置との両方に
厳密な整合要件を課すので、費用のかかる手順となる。
従来、装置内で半導体光部品を整合して、光ファイバに
接続することは、困難な作業であった。通常、光学的整
合における２つの重要な段階が結合効率を最大限にし
て、整合がなされた後、光半導体部品を正確な位置に固
定する。結合効率を最大にする光学的整合は、能動整合
(active alignment)と呼ばれる過程により達成される。
この能動整合過程は、信号が通過される光ファイバをも
つ光半導体部品を配置する技術である。能動整合は、骨
の折れる作業であり、光カプラーの大量生産には適用で
きず、結果として高価になる。光半導体部品が光ファイ
バに対して整合されると、光半導体部品と光ファイバと
は、移動量が最小になるような位置に係止されなければ
ならない。現在の固定方法または過程には、エポキシ，
レーザ溶接および低融点ハンダなどがある。しかし、こ
れらの固定過程中に発生する熱により、光半導体と光フ
ァイバ部品の両方が膨張し、冷却中に収縮して、結果と
して不整合を起こし結合効率が下がる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そのため、光半導体部
品と光ファイバとの間の光学信号の結合を最適にして、
性能を向上させ製造コストを下げる方法を利用すること
が望ましい。
品と光ファイバとの間の光学信号の結合を最適にして、
性能を向上させ製造コストを下げる方法を利用すること
が望ましい。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記およびその他の問題
は、半導体−光学リンクを形成する方法を利用すること
により実質的に減少される。本方法は、光入力／出力と
第１および第２電気接続部とを有する半導体部品を設け
る段階，半導体部品の光入力／出力とほぼ同じ寸法の入
力／出力を有する光ファイバを設ける段階，導電材料を
少なくともいくらかその上にもつヘッダ(header)を設け
る段階，光入力／出力をヘッダから外側に向けた状態で
半導体部品をヘッダに固定する段階，光ファイバの入力
／出力を半導体部品の入力／出力に整合して配置し、そ
の間に光学接合部を形成する段階および硬化性ゲルを接
合部に塗布して、そのゲルを硬化させて光ファイバを半
導体部品に固定する段階により構成される。
は、半導体−光学リンクを形成する方法を利用すること
により実質的に減少される。本方法は、光入力／出力と
第１および第２電気接続部とを有する半導体部品を設け
る段階，半導体部品の光入力／出力とほぼ同じ寸法の入
力／出力を有する光ファイバを設ける段階，導電材料を
少なくともいくらかその上にもつヘッダ(header)を設け
る段階，光入力／出力をヘッダから外側に向けた状態で
半導体部品をヘッダに固定する段階，光ファイバの入力
／出力を半導体部品の入力／出力に整合して配置し、そ
の間に光学接合部を形成する段階および硬化性ゲルを接
合部に塗布して、そのゲルを硬化させて光ファイバを半
導体部品に固定する段階により構成される。
【０００５】上記およびその他の問題は、半導体−光学
リンクにより実質的に減少される。この半導体−光学リ
ンクには、光入力／出力と第１および第２電気接続部と
を有する半導体部品と、半導体部品の光入力／出力とほ
ぼ同じ寸法の入力／出力をもつ光ファイバと、その上に
少なくともいくらかの導電性材料を載せたヘッダであっ
て、半導体部品の光入力／出力がヘッダから外側に向く
ように半導体部品に固定されたヘッダとから構成され、
半導体部品に固定された光ファイバは、光ファイバの入
力／出力が半導体部品の入力／出力に整合するように固
定され、その間に硬化性ゲルにより光学接合部が形成さ
れる。
リンクにより実質的に減少される。この半導体−光学リ
ンクには、光入力／出力と第１および第２電気接続部と
を有する半導体部品と、半導体部品の光入力／出力とほ
ぼ同じ寸法の入力／出力をもつ光ファイバと、その上に
少なくともいくらかの導電性材料を載せたヘッダであっ
て、半導体部品の光入力／出力がヘッダから外側に向く
ように半導体部品に固定されたヘッダとから構成され、
半導体部品に固定された光ファイバは、光ファイバの入
力／出力が半導体部品の入力／出力に整合するように固
定され、その間に硬化性ゲルにより光学接合部が形成さ
れる。
【０００６】
【実施例】図１には、本発明による、半導体−光学リン
ク１０が示される。リンク１０には光ファイバ１２，半
導体部品１４およびヘッダ１６が含まれる。光ファイバ
１２には、コア１８または光透過部と、コアを囲んでそ
れを保護し光損失を小さくするための被覆部２０とが含
まれる。この特定の実施例においては、光ファイバ１２
は単モード・ファイバであって、コア１８は約１ミクロ
ンないし６ミクロンの直径を有し、被覆部２０は約１２
５ミクロンの外径を有する。この特定の実施例において
は、端部に隣接する光ファイバ１２の部分には、金属な
どの導電性材料の層２２によりあらかじめ被覆されてい
る。単モード型以外の光ファイバがいくぶん大きいこと
はもちろん当業者には理解されよう。また、単モード型
は、可能な完成リンクがきわめて小型であることを示す
ために利用される。
ク１０が示される。リンク１０には光ファイバ１２，半
導体部品１４およびヘッダ１６が含まれる。光ファイバ
１２には、コア１８または光透過部と、コアを囲んでそ
れを保護し光損失を小さくするための被覆部２０とが含
まれる。この特定の実施例においては、光ファイバ１２
は単モード・ファイバであって、コア１８は約１ミクロ
ンないし６ミクロンの直径を有し、被覆部２０は約１２
５ミクロンの外径を有する。この特定の実施例において
は、端部に隣接する光ファイバ１２の部分には、金属な
どの導電性材料の層２２によりあらかじめ被覆されてい
る。単モード型以外の光ファイバがいくぶん大きいこと
はもちろん当業者には理解されよう。また、単モード型
は、可能な完成リンクがきわめて小型であることを示す
ために利用される。
【０００７】この特定の実施例における半導体部品１４
は、縦型空洞表面放出レーザ(VCSEL: vertical cavity
surface emitting laser) であり、光入力／出力１５は
光ファイバ１２のコア１８の端部と光学的整合位置に置
かれている。このため、レーザは光ファイバ１２のコア
１８に直接光を放出する。さらに光入力／出力２５は、
コア１８とほぼ同じ寸法であり、部品１４の全体的な横
方向の寸法は、光ファイバ１２の横方向の寸法（直径）
とほぼ同じである。現在の技術においては、ＶＣＳＥＬ
は、約２５０ミクロンｘ２５０ミクロンで、これが１２
５ミクロンｘ１２５ミクロンまで小さくできることはす
でに予測されている。
は、縦型空洞表面放出レーザ(VCSEL: vertical cavity
surface emitting laser) であり、光入力／出力１５は
光ファイバ１２のコア１８の端部と光学的整合位置に置
かれている。このため、レーザは光ファイバ１２のコア
１８に直接光を放出する。さらに光入力／出力２５は、
コア１８とほぼ同じ寸法であり、部品１４の全体的な横
方向の寸法は、光ファイバ１２の横方向の寸法（直径）
とほぼ同じである。現在の技術においては、ＶＣＳＥＬ
は、約２５０ミクロンｘ２５０ミクロンで、これが１２
５ミクロンｘ１２５ミクロンまで小さくできることはす
でに予測されている。
【０００８】ヘッダ１６は、セラミックで構築され、金
属などの導電性材料の層２７が一面から他の面の端部を
囲んで付着される。層２７は、ヘッダ１６の主表面から
対向主表面であるもう一方の表面に対する電気接触部を
形成する。半導体部品１４は、ヘッダ１６の主表面の１
つに、ハンダ，溶接，接着剤などの便宜な方法により固
定的に付着される。この特定の実施例においては、半導
体部品１４は、１つの電気接触部がヘッダ１６に隣接す
る表面上にあって層２７と接触し、第２電気接触部は光
ファイバ１２に隣接する表面上にあって、層２２と接触
しているＶＣＳＥＬである（以下に説明される図２およ
び図４を参照のこと）。一般に、半導体部品１４がＶＣ
ＳＥＬであるときは、光放出面上にメサ(mesa)が形成さ
れ、隣接する接触部は、層２２と連続的に接触するリン
グの形をしている。さらに、層２２，２７の一方または
両方に対する電気接触部は、密接接触，バンプ・ボンデ
ィング，導電性ゲルなどにより形成することができるこ
とは当業者には理解いただけよう。このように外部の電
気接続部が、ヘッダ１６の層２７および光ファイバ１２
上の層２２に対して便宜的に作成される。
属などの導電性材料の層２７が一面から他の面の端部を
囲んで付着される。層２７は、ヘッダ１６の主表面から
対向主表面であるもう一方の表面に対する電気接触部を
形成する。半導体部品１４は、ヘッダ１６の主表面の１
つに、ハンダ，溶接，接着剤などの便宜な方法により固
定的に付着される。この特定の実施例においては、半導
体部品１４は、１つの電気接触部がヘッダ１６に隣接す
る表面上にあって層２７と接触し、第２電気接触部は光
ファイバ１２に隣接する表面上にあって、層２２と接触
しているＶＣＳＥＬである（以下に説明される図２およ
び図４を参照のこと）。一般に、半導体部品１４がＶＣ
ＳＥＬであるときは、光放出面上にメサ(mesa)が形成さ
れ、隣接する接触部は、層２２と連続的に接触するリン
グの形をしている。さらに、層２２，２７の一方または
両方に対する電気接触部は、密接接触，バンプ・ボンデ
ィング，導電性ゲルなどにより形成することができるこ
とは当業者には理解いただけよう。このように外部の電
気接続部が、ヘッダ１６の層２７および光ファイバ１２
上の層２２に対して便宜的に作成される。
【０００９】光ファイバ１２は硬化性ゲル３０により半
導体部品１４に固定付着される。ゲル３０は、通常室温
において、最小の発熱をともなって硬化することのでき
る便宜なゲルまたはポリマである。通常、この目的のた
めに利用される硬化性ゲル３０には、シリコン・ゲル，
セルローズ・ブチレート・アセテート，ポリメチル・メ
タクリレート，シアノアクリレートなどが含まれる。光
ファイバ１２と半導体部品１４とが整合され、ゲル３０
は、硬化中およびその後にゲル３０内に起こる歪が最小
限になるように塗布される。一般に、ゲルの硬化過程で
は接合部にほとんど熱を与えず、ヘッダ１６がヒート・
シンクとして動作して発生される熱を除去するのでこれ
が達成される。
導体部品１４に固定付着される。ゲル３０は、通常室温
において、最小の発熱をともなって硬化することのでき
る便宜なゲルまたはポリマである。通常、この目的のた
めに利用される硬化性ゲル３０には、シリコン・ゲル，
セルローズ・ブチレート・アセテート，ポリメチル・メ
タクリレート，シアノアクリレートなどが含まれる。光
ファイバ１２と半導体部品１４とが整合され、ゲル３０
は、硬化中およびその後にゲル３０内に起こる歪が最小
限になるように塗布される。一般に、ゲルの硬化過程で
は接合部にほとんど熱を与えず、ヘッダ１６がヒート・
シンクとして動作して発生される熱を除去するのでこれ
が達成される。
【００１０】図２ないし図５には、縦型空洞表面放出レ
ーザ（ＶＣＳＥＬ）に関するいくつかの異なる実施例が
図示されている。図２においては、光はレーザから上向
きに放出される（矢印で表される）。このレーザは、上
面の電気接触部（＋記号で示される）と、下面の電気接
触部（−記号で示される）とを有している。図３に示さ
れるレーザの実施例は、上向きに光を放出し、上面に両
方の接触部を有する。ＶＣＳＥＬの図３の実施例を用い
るある可能な構造は、層２７に類似の導電層を設ける
が、縦方向に分割されていて、光ファイバ被覆部の外端
に沿って２つの異なる導体を形成する。図４に示される
レーザの実施例は、下向きに光を放出し、図２の実施例
と同様に、上面および下面に電気接触部を有する。図５
に示されるレーザの実施例は、下向きに光を放出して、
上面に両方の電気接触部を有する。図６には、本発明に
よる半導体−光学リンク５０の別の実施例が示される。
リンク５０には、光ファイバ５２と、縦型表面放出レー
ザ５４と、ヘッダ５６とが含まれる。この特定の実施例
においては、レーザ５４は、図５に示される種類のＶＣ
ＳＥＬである。レーザ５４は、ヘッダ５６の第１表面に
固定付着され、その電気接触部は両方とも第１表面に接
触して、光放出面（光入力／出力）は光ファイバ５２の
コアに隣接している。また、ヘッダ５６はシリコンなど
の半導体材料で形成され、金属層５８がその上に付着さ
れていることが好ましい。層５８は、第１表面から、上
部を通り第１表面に対向する第２表面６０まで延在する
１対の別々の電気リード線を形成するように付着され
る。１対の電気接触部６２がヘッダ５６の表面６０に付
着されて、適切なソケットにプラグ接続するだけで、ア
センブリ全体が電気的に接続される。この特定の実施例
においては、光ファイバ上の金属皮膜は、レーザに対す
る電気接触部を完成させるために必要とされない点に留
意されたい。
ーザ（ＶＣＳＥＬ）に関するいくつかの異なる実施例が
図示されている。図２においては、光はレーザから上向
きに放出される（矢印で表される）。このレーザは、上
面の電気接触部（＋記号で示される）と、下面の電気接
触部（−記号で示される）とを有している。図３に示さ
れるレーザの実施例は、上向きに光を放出し、上面に両
方の接触部を有する。ＶＣＳＥＬの図３の実施例を用い
るある可能な構造は、層２７に類似の導電層を設ける
が、縦方向に分割されていて、光ファイバ被覆部の外端
に沿って２つの異なる導体を形成する。図４に示される
レーザの実施例は、下向きに光を放出し、図２の実施例
と同様に、上面および下面に電気接触部を有する。図５
に示されるレーザの実施例は、下向きに光を放出して、
上面に両方の電気接触部を有する。図６には、本発明に
よる半導体−光学リンク５０の別の実施例が示される。
リンク５０には、光ファイバ５２と、縦型表面放出レー
ザ５４と、ヘッダ５６とが含まれる。この特定の実施例
においては、レーザ５４は、図５に示される種類のＶＣ
ＳＥＬである。レーザ５４は、ヘッダ５６の第１表面に
固定付着され、その電気接触部は両方とも第１表面に接
触して、光放出面（光入力／出力）は光ファイバ５２の
コアに隣接している。また、ヘッダ５６はシリコンなど
の半導体材料で形成され、金属層５８がその上に付着さ
れていることが好ましい。層５８は、第１表面から、上
部を通り第１表面に対向する第２表面６０まで延在する
１対の別々の電気リード線を形成するように付着され
る。１対の電気接触部６２がヘッダ５６の表面６０に付
着されて、適切なソケットにプラグ接続するだけで、ア
センブリ全体が電気的に接続される。この特定の実施例
においては、光ファイバ上の金属皮膜は、レーザに対す
る電気接触部を完成させるために必要とされない点に留
意されたい。
【００１１】図７は、本発明による複数の半導体−光学
リンクをもつアセンブリ７０の上面図である。アセンブ
リ７０には、複数の光ファイバ７２が含まれ、これらは
個別のファイバでもファイバ・リボンでもよい。さらに
上記に示されるように、光ファイバ上の金属皮膜は、電
気接触部として利用してもよいし、しなくてもよいが、
これは利用される半導体部品の種類とその用途による。
ヘッダ・ユニット７６は、その上に電気リード線が付着
されていることが好ましい単独のヘッダでも、あるいは
ハウジングまたはその他の機械的な装着ユニットにより
結合されている複数の個別のヘッダでもよい。典型的な
例として、ヘッダ・ユニット７６は、成形されたプラス
チック・アセンブリがよい。１対の電気接触部８２は、
ユニット７６内でそれぞれのヘッダに連結された各半導
体部品に電気的に接続される。このように、アセンブリ
７０は、例えばイン・ライン半導体パッケージに類似の
ソケット内にプラグ接続して、すべての従来の装置の比
較して非常に小型になっている。
リンクをもつアセンブリ７０の上面図である。アセンブ
リ７０には、複数の光ファイバ７２が含まれ、これらは
個別のファイバでもファイバ・リボンでもよい。さらに
上記に示されるように、光ファイバ上の金属皮膜は、電
気接触部として利用してもよいし、しなくてもよいが、
これは利用される半導体部品の種類とその用途による。
ヘッダ・ユニット７６は、その上に電気リード線が付着
されていることが好ましい単独のヘッダでも、あるいは
ハウジングまたはその他の機械的な装着ユニットにより
結合されている複数の個別のヘッダでもよい。典型的な
例として、ヘッダ・ユニット７６は、成形されたプラス
チック・アセンブリがよい。１対の電気接触部８２は、
ユニット７６内でそれぞれのヘッダに連結された各半導
体部品に電気的に接続される。このように、アセンブリ
７０は、例えばイン・ライン半導体パッケージに類似の
ソケット内にプラグ接続して、すべての従来の装置の比
較して非常に小型になっている。
【００１２】上記の実施例はＶＣＳＥＬにより説明され
ているが、その他の任意の種類のレーザ，フォト・ダイ
オード，フォトン部品などを半導体部品として利用でき
ることを理解されたい。また、１つ以上の半導体部品
を、個別の部品ではなく単独の基板上に形成して、場合
によっては、ヘッダを半導体部品と一体型のユニットと
して形成することもできる。さらに、ヘッダは、任意の
便利な材料、例えばセラミック，半導体材料，金属など
で、所望の機能を達成する任意の形状に形成することが
できる。また、半導体基板を利用する場合は、高濃度に
ドーピングされた部分が、接続導体の一部または全部の
代替となることももちろん理解されよう。このように、
半導体−光学リンクと、リンクの作成方法とが開示され
た。開示されたリンクにおいては、アセンブリ全体の寸
法は単モード光ファイバの横方向の寸法とほぼ等しい。
半導体部品，光ファイバおよびヘッダは、共に固定され
るが、このとき部品間または部品を共に固定する材料上
にほとんど歪を起こさない。さらに、便利な電気接触部
が設けられるので、完成されたリンクは電気回路に容易
に利用される。完成リンクが小型であるために、以前は
可能でなかった、あるいは実際的でなかった他の用途
や、より密度の高い環境における用途にも利用すること
ができる。
ているが、その他の任意の種類のレーザ，フォト・ダイ
オード，フォトン部品などを半導体部品として利用でき
ることを理解されたい。また、１つ以上の半導体部品
を、個別の部品ではなく単独の基板上に形成して、場合
によっては、ヘッダを半導体部品と一体型のユニットと
して形成することもできる。さらに、ヘッダは、任意の
便利な材料、例えばセラミック，半導体材料，金属など
で、所望の機能を達成する任意の形状に形成することが
できる。また、半導体基板を利用する場合は、高濃度に
ドーピングされた部分が、接続導体の一部または全部の
代替となることももちろん理解されよう。このように、
半導体−光学リンクと、リンクの作成方法とが開示され
た。開示されたリンクにおいては、アセンブリ全体の寸
法は単モード光ファイバの横方向の寸法とほぼ等しい。
半導体部品，光ファイバおよびヘッダは、共に固定され
るが、このとき部品間または部品を共に固定する材料上
にほとんど歪を起こさない。さらに、便利な電気接触部
が設けられるので、完成されたリンクは電気回路に容易
に利用される。完成リンクが小型であるために、以前は
可能でなかった、あるいは実際的でなかった他の用途
や、より密度の高い環境における用途にも利用すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体−光学リンクの側面図であ
り、その一部が切断されて断面図が示される。
り、その一部が切断されて断面図が示される。
【図２】図１の半導体−光学リンクの利用される縦型空
洞表面放出レーザの実施例の縦断面図である。
洞表面放出レーザの実施例の縦断面図である。
【図３】図１の半導体−光学リンクの利用される縦型空
洞表面放出レーザの実施例の縦断面図である。
洞表面放出レーザの実施例の縦断面図である。
【図４】図１の半導体−光学リンクの利用される縦型空
洞表面放出レーザの実施例の縦断面図である。
洞表面放出レーザの実施例の縦断面図である。
【図５】図１の半導体−光学リンクの利用される縦型空
洞表面放出レーザの実施例の縦断面図である。
洞表面放出レーザの実施例の縦断面図である。
【図６】本発明による他の半導体−光学リンクの透視図
で、その一部が切断され断面図が示される。
で、その一部が切断され断面図が示される。
【図７】本発明による複数の、半導体−光学リンクの上
面図である。
面図である。
１０ 半導体−光学リンク １２ 光ファイバ １４ 半導体部品 １６ ヘッダ １８ コア ２０ 被覆部 ２２，２７ 導電性材料の層 ２５ 光入力／出力 ３０ 硬化性ゲル
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体−光学リンク（１２）を形成する
方法であって：光入力／出力（２５）と第１および第２
電気接続部とを有する半導体部品（１４）と、その上に
少なくともいくらかの導電性材料（２７）を有して、光
入力／出力がヘッダ（１６）から外側に向くように半導
体材料（１４）に固定されたヘッダ（１６）とを設ける
段階；前記半導体材料（１４）の前記光入力／出力（２
５）とほぼ同じ寸法の入力／出力を有する光ファイバ
（１２）を設ける段階；前記光ファイバ（１２）の前記
入力／出力を、前記半導体部品（１４）の入力／出力
（２５）と整合するように配置して、その間に光学接合
部を形成する段階；および前記接合部に硬化性ゲル（３
０）を塗布し、前記ゲルを硬化させて、前記光ファイバ
（１２）を前記半導体部品（１４）に固定する段階；に
よって構成されることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 半導体−光学リンク（１２）であって：
光入力／出力（２５）と第１および第２電気接続部とを
有する半導体部品（１４）と、前記光入力／出力（２
５）がヘッダ（１６）から外側に向くように前記半導体
部品（１４）に固定されヘッダ（１６）；前記半導体部
品（１４）の前記光入力／出力（２５）とほぼ同じ寸法
の入力／出力を有する光ファイバ（１２）；および前記
光ファイバ（１２）の前記入力／出力が、前記半導体部
品（１４）の入力／出力に整合するように前記光ファイ
バ（１２）を前記半導体（１４）に固定して、その間に
光学接合部を形成する硬化性ゲル（３０）；によって構
成されることを特徴とするリンク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/844,027 US5959315A (en) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | Semiconductor to optical link |
| US844027 | 1992-03-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0643344A true JPH0643344A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=25291590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5802993A Pending JPH0643344A (ja) | 1992-03-02 | 1993-02-24 | 半導体−光学リンクおよびその作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5959315A (ja) |
| JP (1) | JPH0643344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1022822A1 (en) * | 1998-08-05 | 2000-07-26 | Seiko Epson Corporation | Optical module and method of manufacture thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001042170A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Canon Inc | 光配線装置、その駆動方法およびそれを用いた電子機器 |
| US6542669B1 (en) * | 2000-09-21 | 2003-04-01 | International Business Machines Corporation | Enhanced coupling arrangement for an optoelectronic transducer |
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| US20030185269A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Gutin Mikhail A. | Fiber-coupled vertical-cavity surface emitting laser |
| GB2506408A (en) | 2012-09-28 | 2014-04-02 | Ibm | Aligning optical components with optical waveguides using a cavity and two step structures |
| GB2506406A (en) | 2012-09-28 | 2014-04-02 | Ibm | Optical adaptor with horizontal and vertical reference surfaces |
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| US4186996A (en) * | 1978-09-22 | 1980-02-05 | Amp Incorporated | Optic adaptor junction |
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-
1992
- 1992-03-02 US US07/844,027 patent/US5959315A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-02-24 JP JP5802993A patent/JPH0643344A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| EP1022822A1 (en) * | 1998-08-05 | 2000-07-26 | Seiko Epson Corporation | Optical module and method of manufacture thereof |
| EP1022822B1 (en) * | 1998-08-05 | 2007-12-12 | Seiko Epson Corporation | Optical module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5959315A (en) | 1999-09-28 |
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