JPH06349718A - Electron beam drawing device and method therefor - Google Patents

Electron beam drawing device and method therefor

Info

Publication number
JPH06349718A
JPH06349718A JP5137877A JP13787793A JPH06349718A JP H06349718 A JPH06349718 A JP H06349718A JP 5137877 A JP5137877 A JP 5137877A JP 13787793 A JP13787793 A JP 13787793A JP H06349718 A JPH06349718 A JP H06349718A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
exposure
exposed
proximity effect
beam drawing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP5137877A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuo Chijimatsu
達夫 千々松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP5137877A priority Critical patent/JPH06349718A/en
Publication of JPH06349718A publication Critical patent/JPH06349718A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To draw a pattern with a high dimensional accuracy also for an extremely thin and dense device pattern by setting an exposure evaluation point to a non-irradiation region of an electron beam and then reviewing its proximity effect compensation. CONSTITUTION:A data conversion means 11 for converting design data DIN to exposure data DOUT, an electron beam drawing means 12 for performing electron beam drawing processing based on the exposure data DOUT, and a control means 13 for controlling the input/output of the data conversion means 11 and the electron beam drawing means 12 are provided and the data conversion means 11 sets a first evaluation point (t) to a non-irradiation part Pa of a graphic target 14 to be exposed which is created based on the design data DIN. Also, a second evaluation point Sn is set to the irradiation part Pb and then the proximity effect compensation of the graphic target 14 to be exposed is subjected to review control based on the exposure intensity of the non- irradiation part Pa and the exposure intensity of the irradiation part Pb.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】〔目 次〕 産業上の利用分野 従来の技術（図８） 発明が解決しようとする課題（図９） 課題を解決するための手段（図１，２） 作用 実施例 （１）第１の実施例の説明（図３〜６） （２）第２の実施例の説明（図７（Ａ）） （３）第３の実施例の説明（図７（Ｂ）） 発明の効果[Table of Contents] Industrial Application Conventional Technology (FIG. 8) Problem to be Solved by the Invention (FIG. 9) Means for Solving the Problem (FIGS. 1 and 2) Action Embodiment (1) First Description of Embodiment 1 (FIGS. 3 to 6) (2) Description of Second Embodiment (FIG. 7A) (3) Description of Third Embodiment (FIG. 7B)

【０００２】[0002]

【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム描画装置及
び電子ビーム描画方法に関するものであり、更に詳しく
言えば、電子線を用いて被露光対象に高密度のＬＳＩパ
ターンを描画する装置及び方法の改善に関するものであ
る。近年，電子デバイス回路の集積度が益々高まり、サ
ブクオーターミクロンサイズの半導体デバイスを露光す
る技術が要求されている。電子ビーム露光は、高解像性
を有する描画技術として知られているが、被露光図形対
象の寸法精度を良くするために、隣接する図形間の近接
効果の補正処理が必須となる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam drawing apparatus and an electron beam drawing method, and more specifically, an apparatus and method for drawing a high density LSI pattern on an object to be exposed by using an electron beam. It is about the improvement of. In recent years, the degree of integration of electronic device circuits has been increasing more and more, and a technique for exposing a sub-quarter micron size semiconductor device has been required. Electron beam exposure is known as a drawing technique having a high resolution, but in order to improve the dimensional accuracy of an object to be exposed, it is essential to correct the proximity effect between adjacent figures.

【０００３】これによれば、電子ビーム露光装置の基本
図形上に評価点が設定され、その点の露光強度が算出さ
れ、隣接する図形間の露光強度を評価することにより近
接効果が補正される。しかし、設計ルールが厳しい半導
体記憶装置等のパターン描画では、各サンプル点による
露光強度の評価において、十分と判断された場合であっ
ても、実際に被露光対象に露光した場合、電子ビームの
照射領域が太って描画される場合がある。According to this, an evaluation point is set on the basic figure of the electron beam exposure apparatus, the exposure intensity at that point is calculated, and the proximity effect is corrected by evaluating the exposure intensity between adjacent figures. . However, in the pattern drawing of a semiconductor memory device or the like whose design rules are strict, when the exposure target is actually exposed, the electron beam irradiation is performed even when the exposure intensity at each sample point is judged to be sufficient. The area may be drawn thick.

【０００４】この結果、目的とするＬＳＩパターンの寸
法精度が劣化し、その最悪状態では隣接する露光パター
ン同士が重なり合う状態を招く。これにより、サブクオ
ーターミクロンの寸法、かつ、非常に高密度のデバイス
パターンから成る２５６Ｍビットの半導体記憶装置等の
パターン描画が要求された場合に、寸法精度の良い露光
処理を行うことが困難となる。As a result, the dimensional accuracy of the target LSI pattern deteriorates, and in the worst case, adjacent exposure patterns overlap each other. This makes it difficult to perform an exposure process with high dimensional accuracy when pattern drawing is required for a 256 Mbit semiconductor memory device or the like that has a sub-quarter micron size and a very high density device pattern. .

【０００５】そこで、電子ビームの非照射領域に露光評
価点を設定して、その近接効果補正を見直すことによ
り、高微細かつ高密度なデバイスパターンに対しても高
寸法精度のパターン描画をすることができる装置及び方
法が望まれている。Therefore, by setting an exposure evaluation point in a non-irradiated area of the electron beam and reviewing the proximity effect correction, it is possible to perform pattern drawing with high dimensional accuracy even on a highly fine and high density device pattern. An apparatus and method capable of achieving the above are desired.

【０００６】[0006]

【従来の技術】図８，９は、従来例に係る説明図であ
る。図８は従来例に係る電子ビーム描画装置の説明図で
あり、図９は、その問題点を説明するサンプル点の配置
図及び露光状態図をそれぞれ示している。例えば、電子
ビームＥＢを用いて被露光対象５に高密度のＬＳＩパタ
ーンを描画する装置は、図８において、データ変換装置
１，露光制御装置２及び電子ビーム露光装置３等から成
る。2. Description of the Related Art FIGS. 8 and 9 are explanatory views of a conventional example. FIG. 8 is an explanatory view of an electron beam writing apparatus according to a conventional example, and FIG. 9 shows a layout of sample points and an exposure state diagram for explaining the problems. For example, an apparatus for drawing a high-density LSI pattern on the exposure target 5 by using the electron beam EB comprises a data conversion apparatus 1, an exposure control apparatus 2, an electron beam exposure apparatus 3 and the like in FIG.

【０００７】当該装置の機能は、まず、データ変換装置
１によりＣＡＤ設計データＤINが露光データＤOUT に変
換され、該露光データＤOUT に基づいて露光制御装置２
により、電磁偏向器や静電偏向器等の偏向系４が制御さ
れる。これにより、被露光対象５に電子ビームＥＢが照
射偏向され、そこにＬＳＩパターンが描画される。ここ
で、データ変換装置１では図８の破線で囲んだ処理フロ
ーチャートに示すように、まず、ステップＰ１でＣＡＤ
設計データＤINの入力処理をし、次に、ステップＰ２で
図形処理プログラムに基づいて当該データＤINを露光デ
ータＤOUTに変換する。また、ステップＰ３で近接効果
補正プログラムに基づいて、隣接する図形間の近接効果
の補正処理をし、その後、ステップＰ４で露光データＤ
OUTの出力処理をする。The function of the apparatus is as follows. First, the CAD data DIN is converted into the exposure data DOUT by the data converter 1, and the exposure controller 2 is operated based on the exposure data DOUT.
Thus, the deflection system 4 such as an electromagnetic deflector or an electrostatic deflector is controlled. As a result, the electron beam EB is irradiated and deflected on the object to be exposed 5, and the LSI pattern is drawn there. Here, in the data conversion apparatus 1, as shown in the processing flowchart surrounded by the broken line in FIG.
The design data DIN is input, and then in step P2, the data DIN is converted into exposure data DOUT based on the graphic processing program. Further, in step P3, the proximity effect correction process between the adjacent figures is performed based on the proximity effect correction program, and then, in step P4, the exposure data D
Process OUT output.

【０００８】なお、ステップＰ３における近接効果の補
正方法としては、予め、電子ビーム露光装置３が有する
基本図形，例えば、矩形，三角形，平行四辺形等に分割
される。また、電子ビームＥＢの前方散乱，後方散乱を
表す２つの指数関数の和（近接効果関数）によって、パ
ターン内及びパターン間の近接効果の影響が考慮され、
それらの分割図形に対して、電子ビームＥＢの照射量が
調整される。As a method of correcting the proximity effect in step P3, basic figures included in the electron beam exposure apparatus 3, such as rectangles, triangles, and parallelograms, are divided in advance. Further, the influence of the proximity effect in the pattern and between the patterns is considered by the sum of the two exponential functions representing the forward scattering and the backward scattering of the electron beam EB (proximity effect function).
The irradiation amount of the electron beam EB is adjusted for these divided figures.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例によ
れば、電子ビーム露光装置３の基本図形上に評価点（以
下サンプル点という）が設定され、その点の露光強度が
算出さ、隣接する図形間の露光強度を評価することによ
り近接効果が補正される。すなわち、図９（Ａ）に示す
ような被露光図形対象１４となる２つの基本図形Ｘ，Ｙ
に対して当該図形Ｘ上に露光量を評価するサンプル点Ｓ
１〜Ｓ４を設定し、ある一定領域内に存在する全ての近
隣図形，例えば、基本図形Ｙのサンプル点Ｓ５〜Ｓ８が
基本図形Ｘのサンプル点Ｓ１〜Ｓ４に及ぼす電子の散乱
等の影響を計算する。その後、各図形Ｘ，Ｙにおける露
光量，例えば、８つのサンプル点Ｓ１〜Ｓ８の平均値等
で評価される量がほぼ同等になるように、各図形Ｘ，Ｙ
毎に、電子ビームＥＢの補正照射量が計算される。By the way, according to the conventional example, an evaluation point (hereinafter referred to as a sample point) is set on the basic figure of the electron beam exposure apparatus 3, the exposure intensity at that point is calculated, and the points are adjacent to each other. The proximity effect is corrected by evaluating the exposure intensity between the figures. That is, two basic figures X and Y to be exposed figure objects 14 as shown in FIG.
For the sample point S for evaluating the exposure amount on the figure X
1 to S4 are set, and the influence of electron scattering on all neighboring figures existing in a certain area, for example, the sample points S5 to S8 of the basic figure Y on the sample points S1 to S4 of the basic figure X is calculated. To do. After that, the exposure amount in each figure X, Y, for example, the quantity evaluated by the average value of the eight sample points S1 to S8, etc., is made substantially equal, each figure X, Y.
The corrected dose of the electron beam EB is calculated every time.

【００１０】なお、設計ルールが緩やかなＤＲＡＭのパ
ターン描画では、基本図形Ｘ，Ｙ間のスペース領域，す
なわち、電子ビームＥＢの非照射領域に付き、基本図形
Ｘのサンプル点Ｓ３からの近接効果や基本図形Ｙのサン
プル点Ｓ５からの近接効果の影響を特に考慮していない
状況である。しかし、設計ルールが厳しいＤＲＡＭのパ
ターン描画では、各サンプル点Ｓ１〜Ｓ８による露光強
度の評価において、十分と判断された場合であっても、
実際に被露光対象５に露光した結果、図９（Ｂ）に示す
ように、基本図形Ｘ，Ｙの露光領域，すなわち、電子ビ
ームＥＢの照射領域が太って描画される露光過多部分Ｄ
を発生する場合がある。In the pattern drawing of the DRAM whose design rule is loose, the space effect between the basic figures X and Y, that is, the non-irradiation area of the electron beam EB, causes the proximity effect from the sample point S3 of the basic figure X and the like. In this situation, the influence of the proximity effect from the sample point S5 of the basic figure Y is not particularly considered. However, in the pattern drawing of the DRAM whose design rule is strict, even when it is judged to be sufficient in the evaluation of the exposure intensity by each sample point S1 to S8,
As a result of actually exposing the object 5 to be exposed, as shown in FIG. 9B, the overexposure portion D in which the exposure area of the basic figures X and Y, that is, the irradiation area of the electron beam EB is drawn thickly.
May occur.

【００１１】その結果、目的とするＬＳＩパターンの寸
法精度が劣化し、その最悪状態では基本図形Ｘ，Ｙ間の
領域，すなわち、電子ビームＥＢの非照射領域の露光過
多部分Ｄが進展して、隣接する露光パターン同士が重合
する状態を招く。このような寸法精度の劣化は、パター
ンサイズが小さく、パターン密度が高いほど著しくな
る。As a result, the dimensional accuracy of the desired LSI pattern deteriorates, and in the worst case, the overexposed portion D of the area between the basic figures X and Y, that is, the non-irradiated area of the electron beam EB, develops, This causes a state in which adjacent exposure patterns are polymerized. Such deterioration of dimensional accuracy becomes more remarkable as the pattern size is smaller and the pattern density is higher.

【００１２】これにより、サブクオーターミクロンの寸
法、かつ、非常に高密度のデバイスパターンから成る２
５６ＭビットのＤＲＡＭのパターン描画が要求された場
合に、従来例のような近接効果補正方法では、寸法精度
の良い露光処理を行うことが困難となる。このことで、
直接描画及び精度良いレチクルやマスクの製造の妨げと
なるという問題がある。As a result, a device pattern having a sub-quarter micron size and a very high density is formed.
When pattern drawing of a 56 Mbit DRAM is required, it is difficult to perform exposure processing with high dimensional accuracy by the proximity effect correction method as in the conventional example. With this,
There is a problem that it interferes with direct drawing and manufacturing of a reticle or mask with high accuracy.

【００１３】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、電子ビームの非照射領域に露光評
価点を設定して、その近接効果補正を見直すことによ
り、高微細かつ高密度なデバイスパターンに対しても高
寸法精度のパターン描画をすることが可能となる電子ビ
ーム描画装置及び電子ビーム描画方法の提供を目的とす
る。The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and by setting an exposure evaluation point in a non-irradiation area of an electron beam and revising the proximity effect correction, a high fineness and high accuracy can be obtained. It is an object of the present invention to provide an electron beam drawing apparatus and an electron beam drawing method capable of drawing a pattern with high dimensional accuracy even on a dense device pattern.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】図１は、本発明に係る電
子ビーム描画装置の原理図であり、図２は、本発明に係
る電子ビーム描画方法の原理図をそれぞれ示している。
本発明の電子ビーム描画装置は図１に示すように、設計
データＤINを露光データＤOUT に変換するデータ変換手
段１１と、前記露光データＤOUT に基づいて電子ビーム
描画処理をする電子ビーム描画手段１２と、前記データ
変換手段１１及び電子ビーム描画手段１２の入出力を制
御する制御手段１３とを具備し、前記データ変換手段１
１が、設計データＤINに基づいて作成される被露光図形
対象１４の非照射部Ｐａに第１の評価点ｔを設定し、か
つ、該被露光図形対象１４の照射部Ｐｂに第２の評価点
Ｓｎを設定し、非照射部Ｐａの露光強度と照射部Ｐｂの
露光強度に基づいて被露光図形対象１４の近接効果補正
の見直し制御をすることを特徴とする。FIG. 1 is a principle view of an electron beam drawing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a principle view of an electron beam drawing method according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the electron beam drawing apparatus of the present invention comprises a data converting means 11 for converting design data DIN into exposure data DOUT, and an electron beam drawing means 12 for carrying out an electron beam drawing process based on the exposure data DOUT. And a control means 13 for controlling input / output of the data conversion means 11 and the electron beam drawing means 12, and the data conversion means 1
1 sets a first evaluation point t in the non-irradiated portion Pa of the exposed figure object 14 created based on the design data DIN, and sets a second evaluation in the irradiated portion Pb of the exposed figure object 14. The point Sn is set, and the proximity effect correction of the exposed figure target 14 is reviewed and controlled based on the exposure intensity of the non-irradiation part Pa and the exposure intensity of the irradiation part Pb.

【００１５】また、本発明の第１の電子ビーム描画方法
は、図２の処理フローチャートに示すように、まず、ス
テップＰ１で設計データＤINを変換して露光データＤOU
T の作成処理をし、次に、ステップＰ２で前記露光デー
タＤOUT に基づく被露光図形対象１４であって、電子ビ
ームＥＢを遮断するべき非照射部Ｐａに第１の評価点ｔ
の設定処理をし、かつ、ステップＰ３で前記電子ビーム
ＥＢを照射するべき照射部Ｐｂに第２の評価点Ｓｎ，
〔ｉ＝１〜ｉ，ｊ，ｎ〕の設定処理をし、その後、ステ
ップＰ４で前記非照射部Ｐａの露光強度と照射部Ｐｂの
露光強度との比率Ｒの算出処理をし、さらに、ステップ
Ｐ５で前記露光強度の算出結果に基づいて被露光図形対
象１４の近接効果の補正処理をし、次に、ステップＰ６
で前記近接効果が補正された露光データＤOUT に基づい
て電子ビーム描画処理をすることを特徴とする。In the first electron beam drawing method of the present invention, as shown in the process flow chart of FIG. 2, first, in step P1, the design data DIN is converted to the exposure data DOU.
Then, in step P2, the first evaluation point t is applied to the non-irradiated portion Pa, which is the exposed figure object 14 based on the exposure data DOUT and should be shielded from the electron beam EB.
And the second evaluation point Sn, at the irradiation portion Pb to be irradiated with the electron beam EB in step P3.
[I = 1 to i, j, n] is set, and then, in step P4, a calculation process of a ratio R between the exposure intensity of the non-irradiation part Pa and the exposure intensity of the irradiation part Pb is performed. In P5, the proximity effect correction process of the exposed figure target 14 is performed based on the calculation result of the exposure intensity, and then in Step P6.
The electron beam drawing process is performed based on the exposure data DOUT in which the proximity effect has been corrected.

【００１６】なお、本発明の第１の電子ビーム描画方法
において、前記被露光図形対象１４の近接効果の補正処
理の後に、先に算出された比率Ｒが、予め設定された基
準値Ｒ０を越える場合には、近接効果補正の見直し処理
をすることを特徴とする。また、本発明の第１の電子ビ
ーム描画方法において、前記被露光図形対象１４の非照
射部Ｐａにおける評価点ｔとして、該被露光図形対象１
４の白黒反転図形の作成処理をし、前記白黒反転図形の
重心を用いることを特徴とする。In the first electron beam drawing method of the present invention, the ratio R previously calculated after the correction processing of the proximity effect of the exposed figure object 14 exceeds the preset reference value R0. In this case, the proximity effect correction is reviewed. Further, in the first electron beam drawing method of the present invention, as the evaluation point t in the non-irradiated portion Pa of the exposed figure object 14, the exposed figure object 1 is selected.
It is characterized in that the black-and-white inverted figure 4 is created and the center of gravity of the black-and-white inverted figure is used.

【００１７】さらに、本発明の第１の電子ビーム描画方
法において、前記近接効果補正の見直し処理の際に、前
記非照射部Ｐａの評価点ｔに電子散乱の影響を及ぼす被
露光図形対象１４の寸法シフト補正を行うことを特徴と
する。また、本発明の第２の電子ビーム描画方法は、前
記近接効果補正の見直し処理の際に、前記非照射部Ｐａ
の評価点ｔに電子散乱の影響を及ぼす被露光図形対象１
４の再分割処理及び前記電子ビームＥＢのドーズ量補正
処理を行うことを特徴とする。Further, in the first electron beam drawing method of the present invention, when the proximity effect correction is reviewed, the exposed figure object 14 having an electron scattering influence on the evaluation point t of the non-irradiated portion Pa. The feature is that the size shift correction is performed. Further, according to the second electron beam writing method of the present invention, the non-irradiation part Pa is used during the review process of the proximity effect correction.
Object 1 to be exposed that is affected by electron scattering on evaluation point t
4 re-division processing and the electron beam EB dose correction processing.

【００１８】さらに、本発明の第３の電子ビーム描画方
法は、前記被露光図形対象１４の非照射部Ｐａにおける
評価点ｔとして、当該被露光図形対象１４の中で、最も
隣合う図形間で近接する評価点Ｓｉ，Ｓｊを結ぶ中心点
を用いることを特徴とし、上記目的を達成する。Further, in the third electron beam drawing method of the present invention, the evaluation point t in the non-irradiated portion Pa of the exposed figure object 14 is the figure between the adjacent figures in the exposed figure object 14. The above object is achieved by using a center point connecting the evaluation points Si and Sj that are close to each other.

【００１９】[0019]

【作 用】本発明の電子ビーム描画装置によれば、図１
に示すように、データ変換手段１１，電子ビーム描画手
段１２及び制御手段１３を具備し、該データ変換手段１
１により被露光図形対象１４の近接効果補正が見直し制
御される。例えば、設計データＤINがデータ変換手段１
１に入力されると、それが露光データＤOUT に変換され
る。また、データ変換手段１１では、設計データＤINに
基づいて作成した被露光図形対象１４の非照射部Ｐａに
第１の評価点ｔが設定され、かつ、該被露光図形対象１
４の照射部Ｐｂに第２の評価点Ｓｎが設定される。さら
に、非照射部Ｐａの露光強度と照射部Ｐｂの露光強度の
計算処理に基づいてデータ変換手段１１により被露光図
形対象１４の近接効果補正が見直し制御される。[Operation] According to the electron beam drawing apparatus of the present invention, FIG.
As shown in FIG. 1, the data conversion means 11, the electron beam drawing means 12 and the control means 13 are provided.
1, the proximity effect correction of the exposed figure object 14 is reviewed and controlled. For example, the design data DIN is the data conversion means 1
When it is input to 1, it is converted into exposure data DOUT. Further, in the data conversion means 11, the first evaluation point t is set in the non-irradiated portion Pa of the exposed figure object 14 created based on the design data DIN, and the exposed figure object 1
The second evaluation point Sn is set to the irradiation part Pb of No. 4. Further, the proximity conversion correction of the exposed graphic object 14 is reviewed and controlled by the data conversion means 11 based on the calculation processing of the exposure intensity of the non-irradiation part Pa and the exposure intensity of the irradiation part Pb.

【００２０】このため、設計ルールが厳しい被設計ＬＳ
Ｉのパターン描画要求があった場合であって、第２の評
価点Ｓｎ間による露光強度の評価において、近接効果補
正が十分と判断された場合にも、非照射部Ｐａに設定さ
れた第１の評価点ｔと第２の評価点Ｓｎ間との露光強度
の比率を計算し、近接効果補正の見直しをすることで、
その見直された露光データＤOUT に基づき、電子ビーム
描画手段１２により被露光対象に電子ビーム描画処理を
行うことが可能となる。Therefore, the LS to be designed having strict design rules
Even when a pattern drawing request of I is made and it is determined that the proximity effect correction is sufficient in the evaluation of the exposure intensity between the second evaluation points Sn, the first value set in the non-irradiation part Pa is set. By calculating the ratio of the exposure intensity between the evaluation point t of 2 and the second evaluation point Sn and reviewing the proximity effect correction,
Based on the reexamined exposure data DOUT, the electron beam drawing means 12 can perform the electron beam drawing process on the object to be exposed.

【００２１】これにより、従来例に比べて寸法精度の良
い露光処理を行うことが可能となり、サブクオーターミ
クロンの寸法、かつ、非常に高密度のデバイスパターン
を有する２５６ＭビットのＤＲＡＭ等のパターン描画を
行うことが可能となる。また、本発明の第１の電子ビー
ム描画方法によれば、図２の処理フローチャートに示す
ように、ステップＰ２で、例えば、被露光図形対象１４
の白黒反転図形が作成処理され、その図形の重心が非照
射部Ｐａにおける露光強度の評価点として、第１の評価
点ｔが設定処理され、かつ、ステップＰ３で該図形対象
１４の照射部Ｐｂに第２の評価点Ｓｎが設定処理され、
その後、ステップＰ４で非照射部Ｐａの露光強度と照射
部Ｐｂの露光強度との比率Ｒが算出処理される。As a result, it becomes possible to perform an exposure process with higher dimensional accuracy than the conventional example, and pattern drawing of a 256 Mbit DRAM or the like having a subquarter micron size and a very high density device pattern. It becomes possible to do. Further, according to the first electron beam drawing method of the present invention, as shown in the processing flowchart of FIG.
The black-and-white inverted figure is processed, the center of gravity of the figure is set as the evaluation point of the exposure intensity in the non-irradiated portion Pa, the first evaluation point t is set, and the irradiation portion Pb of the figure target 14 is processed in step P3. The second evaluation point Sn is set to
Then, in step P4, the ratio R of the exposure intensity of the non-irradiation part Pa and the exposure intensity of the irradiation part Pb is calculated.

【００２２】このため、ステップＰ５で被露光図形対象
１４の近接効果の補正処理の後に、例えば、ステップP5
Ａで予め設定された基準値Ｒ０と比率Ｒとが比較され、
当該比率Ｒが基準値Ｒ０を越える場合には、ステップP5
Ｂで近接効果補正の見直し処理に移行することができ
る。ここでは、被露光図形対象１４の非照射部Ｐａの評
価点ｔと、その照射部Ｐｂの評価点Ｓｉ，Ｓｊとの間で
寸法シフト補正が行われる。また、照射部Ｐｂへの電子
ビームＥＢの補正照射量が計算される。その後、ステッ
プＰ６で近接効果補正が見直された露光データＤOUT に
基づいて精度良い電子ビーム描画処理をすることが可能
となる。Therefore, after the proximity effect correction processing of the exposed figure object 14 is performed in Step P5, for example, in Step P5.
The reference value R0 preset in A is compared with the ratio R,
If the ratio R exceeds the reference value R0, step P5
With B, it is possible to shift to the review processing of the proximity effect correction. Here, the dimension shift correction is performed between the evaluation point t of the non-irradiated portion Pa of the exposed figure target 14 and the evaluation points Si and Sj of the irradiated portion Pb. Further, the corrected irradiation amount of the electron beam EB to the irradiation portion Pb is calculated. After that, it is possible to perform an accurate electron beam drawing process based on the exposure data DOUT whose proximity effect correction has been reviewed in step P6.

【００２３】これにより、従来例のような電子ビームＥ
Ｂの非照射領域に露光過多部分Ｄを発生することなく、
設計目的とするＬＳＩパターンを精度良く露光すること
が可能となる。また、本発明の第２の電子ビーム描画方
法によれば、ステップP5Ｂの近接効果補正の見直し処理
の際に、非照射部Ｐａの評価点ｔに電子散乱の影響を及
ぼす被露光図形対象１４が再分割処理され、また、電子
ビームＥＢのドーズ量が補正処理される。As a result, the electron beam E as in the conventional example is obtained.
Without generating the overexposed area D in the non-irradiated area of B,
It is possible to accurately expose the LSI pattern that is the design objective. Further, according to the second electron beam drawing method of the present invention, during the review process of the proximity effect correction in step P5B, the exposed figure object 14 which has an electron scattering influence on the evaluation point t of the non-irradiated portion Pa. Subdivision processing is performed, and the dose amount of the electron beam EB is corrected.

【００２４】例えば、第１の電子ビーム描画方法と同様
に、ステップP5Ａで比率Ｒが基準値Ｒ０を越える場合に
は、ステップP5Ｂで被露光図形対象１４の非照射部Ｐａ
の評価点ｔと、その照射部Ｐｂの評価点Ｓｉ，Ｓｊとの
間で当該図形対象１４が再分割処理される。このため、
非照射部Ｐａの評価点ｔに及ぼす電子散乱の影響を見込
んだ図形を縮小する寸法シフト補正を行うことができ
る。また、寸法シフト補正により変化した照射面積につ
き、電子ビームＥＢの再補正照射量が計算され、そのド
ーズ量が補正される。For example, like the first electron beam drawing method, when the ratio R exceeds the reference value R0 in step P5A, the non-irradiated portion Pa of the exposed figure object 14 is determined in step P5B.
The graphic object 14 is re-divided between the evaluation point t of 1 and the evaluation points Si and Sj of the irradiation portion Pb. For this reason,
Dimension shift correction can be performed to reduce the size of a figure that allows for the effect of electron scattering on the evaluation point t of the non-irradiated portion Pa. Further, the recorrected irradiation amount of the electron beam EB is calculated for the irradiation area changed by the dimension shift correction, and the dose amount is corrected.

【００２５】これにより、第１の電子ビーム描画方法に
比べて、より一層精度良く、ステップＰ６で近接効果補
正が見直された露光データＤOUT に基づいて寸法精度良
い電子ビーム描画処理をすることが可能となる。さら
に、本発明の第３の電子ビーム描画方法によれば、ステ
ップＰ２で被露光図形対象１４の中で、最も隣合う図形
間で近接する評価点Ｓｉ，Ｓｊを結ぶ中心点が非照射部
Ｐａの第１の評価点ｔに設定される。As a result, it is possible to perform electron beam drawing processing with higher accuracy than the first electron beam drawing method, and with high dimensional accuracy based on the exposure data DOUT for which the proximity effect correction has been reviewed in step P6. Becomes Furthermore, according to the third electron beam drawing method of the present invention, in step P2, the central point connecting the evaluation points Si and Sj that are closest to each other in the figure to be exposed 14 is the non-irradiated portion Pa. Is set to the first evaluation point t.

【００２６】このため、白黒反転図形の重心点を第１の
評価点ｔとする第１の電子ビーム描画方法に比べて、非
照射部Ｐａに簡易に露光強度の評価点を設定することが
できる。これにより、ステップＰ２で第１の評価点ｔの
設定処理の高速化が図れることから、以後のステップＰ
４で非照射部Ｐａの露光強度と照射部Ｐｂの露光強度か
ら比率Ｒを算出するデータ処理やステップＰ５で被露光
図形対象１４の近接効果の補正をするデータ処理等に素
早く着手することができ、近接効果補正の見直し処理の
高速化を図ることが可能となる。Therefore, as compared with the first electron beam drawing method in which the barycentric point of the black-and-white inverted figure is used as the first evaluation point t, the evaluation point of the exposure intensity can be easily set in the non-irradiated portion Pa. . As a result, since the setting process of the first evaluation point t can be speeded up in step P2, the subsequent step P
The data processing for calculating the ratio R from the exposure intensity of the non-irradiated portion Pa and the exposure intensity of the irradiated portion Pb in 4 and the data processing for correcting the proximity effect of the exposed figure object 14 in step P5 can be quickly started. It is possible to speed up the review process of the proximity effect correction.

【００２７】[0027]

【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図３〜７は、本発明の実施例に係る電
子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法を説明する図
である。 （１）第１の実施例の説明 図３は、本発明の各実施例に係る電子ビーム描画装置の
構成図であり、図４は、本発明の第１の実施例に係る電
子ビーム描画の処理フローチャートである。また、図５
は、そのサンプル点の配置説明図であり、図６は、その
寸法シフト補正及びドーズ量補正の説明図をそれぞれ示
している。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. 3 to 7 are diagrams for explaining an electron beam drawing apparatus and an electron beam drawing method according to an embodiment of the present invention. (1) Description of First Embodiment FIG. 3 is a configuration diagram of an electron beam drawing apparatus according to each embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows an electron beam drawing according to the first embodiment of the present invention. It is a processing flowchart. Also, FIG.
FIG. 6 is an explanatory diagram of the arrangement of the sample points, and FIG. 6 is an explanatory diagram of the dimension shift correction and the dose amount correction.

【００２８】例えば、ＣＡＤ設計データＤINを露光デー
タＤOUT に変換し、これに基づいて被露光対象５に高密
度のＬＳＩパターンを描画する装置は、図３において、
データ変換装置２１，電子ビーム露光系２２及びビーム
制御系２３から成る。すなわち、データ変換装置２１は
データ変換手段１１の一実施例であり、設計データＤIN
の一例となるＣＡＤ（Ｃomputer-Ａided Ｄesign ）設
計データを露光データＤOUT に変換する装置である。例
えば、データ変換装置２１は内部バス21Ｈに接続された
入力ポート21Ａ，ＣＰＵ21Ｂ，比較部21Ｃ，メモリ21
Ｄ，図形分割エディタ21Ｅ，補正処理エディタ21Ｆ及び
出力ポート21Ｇから成る。For example, an apparatus for converting CAD design data DIN into exposure data DOUT and drawing a high-density LSI pattern on an object to be exposed 5 based on this is shown in FIG.
It comprises a data converter 21, an electron beam exposure system 22 and a beam control system 23. That is, the data conversion device 21 is an embodiment of the data conversion means 11, and the design data DIN
It is an apparatus for converting CAD (Computer-Aided Design) design data as an example into exposure data DOUT. For example, the data converter 21 includes an input port 21A connected to an internal bus 21H, a CPU 21B, a comparison unit 21C, and a memory 21.
D, figure division editor 21E, correction processing editor 21F and output port 21G.

【００２９】入力ポート21ＡはＣＡＤ設計データＤINを
入力して、それをメモリ21Ｄに転送する。ＣＰＵ21Ｂは
入力ポート21Ａ，比較部21Ｃ，メモリ21Ｄ，図形分割エ
ディタ21Ｅ，補正処理エディタ21Ｆ及び出力ポート21Ｇ
の入出力を制御する。ＣＰＵ21Ｂは，例えば、ＣＡＤ設
計データＤINに基づいて作成される被露光図形対象１４
の非照射部（以下スペース部という）Ｐａに、図５に示
すような第１の評価点（以下単にサンプル点という）ｔ
を設定し、かつ、その照射部（以下ライン部という）Ｐ
ｂにサンプル点Ｓｎ，〔例えば、ｎ＝１〜８〕を設定
し、スペース部Ｐａの露光強度とライン部Ｐｂの露光強
度に基づいて被露光図形対象１４の近接効果補正の見直
し制御をする。The input port 21A inputs the CAD design data DIN and transfers it to the memory 21D. The CPU 21B has an input port 21A, a comparison unit 21C, a memory 21D, a graphic division editor 21E, a correction processing editor 21F and an output port 21G.
Control the input and output of. The CPU 21B uses, for example, the exposed figure object 14 created based on the CAD design data DIN.
In the non-irradiated portion (hereinafter referred to as the space portion) Pa, the first evaluation point (hereinafter simply referred to as the sample point) t as shown in FIG.
And the irradiation part (hereinafter referred to as the line part) P
A sample point Sn, [for example, n = 1 to 8] is set at b, and the proximity effect correction of the exposed figure object 14 is reviewed and controlled based on the exposure intensity of the space portion Pa and the exposure intensity of the line portion Pb.

【００３０】比較部21Ｃは露光データＤOUT の近接効果
の補正処理をする際に、予め設定された基準値Ｒ０と比
率Ｒとを比較する。メモリ21ＤはＣＡＤ設計データＤI
N，基準値Ｒ０に係るデータ，露光データＤOUT 及びそ
の他の制御データ等を格納する。図形分割エディタ21Ｅ
は、例えば、図形処理プログラムに基づいて、当該デー
タＤINにより形成される被露光図形対象１４をミラー反
転したり、拡大縮小等の図形処理する。また、当該分割
エディタ21Ｅは、電子ビーム露光系２２の持つ基本図形
への分割，被露光対象４のメインフィールド・サブフィ
ールドの分割等のデータフォーマット変換を行う。The comparator 21C compares the preset reference value R0 with the ratio R when correcting the proximity effect of the exposure data DOUT. The memory 21D is CAD design data DI
N, data relating to the reference value R0, exposure data DOUT and other control data are stored. Figure division editor 21E
For example, based on a graphic processing program, the exposed graphic object 14 formed by the data DIN is mirror-inverted, and graphic processing such as enlargement / reduction is performed. The division editor 21E also performs data format conversion such as division into basic figures of the electron beam exposure system 22 and division of the main field / subfield of the exposure target 4.

【００３１】補正処理エディタ21Ｆは、データフォーマ
ット変換された露光データＤOUT の寸法シフト補正，ビ
ーム照射量補正及び近接効果補正をする機能エディタで
ある。例えば、補正処理エディタ21Ｆは、被露光図形対
象１４のスペース部Ｐａに設定されたサンプル点ｔと、
そのライン部Ｐｂに設定されたサンプル点Ｓ１〜Ｓ８と
の露光強度に基づいて被露光図形対象１４の近接効果補
正をする。出力ポート21Ｇは近接効果が補正された露光
データＤOUT を露光制御装置23Ｄに転送する。The correction processing editor 21F is a function editor for performing size shift correction, beam irradiation amount correction, and proximity effect correction of the exposure data DOUT whose data format has been converted. For example, the correction processing editor 21F includes the sample points t set in the space portion Pa of the exposed figure object 14,
The proximity effect correction of the exposed graphic object 14 is performed based on the exposure intensity with the sample points S1 to S8 set in the line portion Pb. The output port 21G transfers the exposure data DOUT whose proximity effect has been corrected to the exposure controller 23D.

【００３２】電子ビーム露光系２２は電子ビーム描画手
段１２の一実施例であり、露光データＤOUT に基づいて
電子ビーム描画処理をするシステムである。例えば、電
子ビーム露光系２２は、電子銃22Ａ，電磁偏向器22Ｂ，
電子レンズ22Ｃ，静電偏向器22Ｄ，二次電子検出器22
Ｅ，ステージ22Ｆ等から成る。電子銃22Ａは電子ビーム
ＥＢを出射し、電磁偏向器22Ｂ，電子レンズ22Ｃ及び静
電偏向器22Ｄは偏向制御信号Ｓ１に基づいて電子ビーム
ＥＢを偏向する。また、二次電子検出器22Ｅは被露光対
象５に設けられた位置合わせマーク等を検出し、その検
出信号Ｓ２を位置検出部23Ｂに出力する。ステージ22Ｆ
は被露光対象５を載置し、ステージ制御信号Ｓ３に基づ
いて露光領域を移動する。The electron beam exposure system 22 is an embodiment of the electron beam drawing means 12 and is a system for performing an electron beam drawing process based on the exposure data DOUT. For example, the electron beam exposure system 22 includes an electron gun 22A, an electromagnetic deflector 22B,
Electron lens 22C, electrostatic deflector 22D, secondary electron detector 22
E, Stage 22F, etc. The electron gun 22A emits an electron beam EB, and the electromagnetic deflector 22B, the electron lens 22C and the electrostatic deflector 22D deflect the electron beam EB based on the deflection control signal S1. Further, the secondary electron detector 22E detects an alignment mark or the like provided on the exposure target 5 and outputs a detection signal S2 thereof to the position detector 23B. Stage 22F
Mounts the object to be exposed 5 and moves the exposure area based on the stage control signal S3.

【００３３】ビーム制御系２３は制御手段１３の一実施
例であり、データ変換装置２１及び電子ビーム露光系２
２の入出力を制御するシステムである。例えば、ビーム
制御系２３は、偏向制御部23Ａ，位置検出部23Ｂ，移動
制御部23Ｃ及び露光制御装置23Ｄから成る。偏向制御部
23Ａは偏向データＤ１を信号処理して偏向制御信号Ｓ１
を電磁偏向器22Ｂ，電子レンズ22Ｃ及び静電偏向器22Ｄ
等に出力する。The beam control system 23 is an example of the control means 13, and includes a data converter 21 and an electron beam exposure system 2.
It is a system that controls the input and output of the second. For example, the beam control system 23 includes a deflection controller 23A, a position detector 23B, a movement controller 23C, and an exposure controller 23D. Deflection control unit
23A performs signal processing on the deflection data D1 to perform deflection control signal S1.
Electromagnetic deflector 22B, electronic lens 22C and electrostatic deflector 22D
And output to.

【００３４】位置検出部23Ｂは検出信号Ｓ２を信号処理
してその検出データＤ２を露光制御装置23Ｄに出力す
る。移動制御部23Ｃは移動データＤ３を信号処理してス
テージ制御信号Ｓ３をステージ22Ｆに出力する。露光制
御装置23Ｄは露光データＤOUTに基づいて偏向データＤ
１及び移動データＤ３を発生し、検出データＤ２に基づ
いて、偏向制御部23Ａ及び移動制御部23Ｃの出力を制御
をする。The position detector 23B processes the detection signal S2 and outputs the detection data D2 to the exposure controller 23D. The movement controller 23C processes the movement data D3 and outputs a stage control signal S3 to the stage 22F. The exposure control device 23D determines the deflection data D based on the exposure data DOUT.
1 and the movement data D3 are generated, and the outputs of the deflection controller 23A and the movement controller 23C are controlled based on the detection data D2.

【００３５】このようにして、本発明の各実施例に係る
電子ビーム描画装置によれば、図３に示すように、デー
タ変換装置２１，電子ビーム露光系２２及びビーム制御
系２３を具備し、該データ変換装置２１により被露光図
形対象１４の近接効果補正が見直し制御される。例え
ば、設計データＤINがデータ変換装置２１に入力される
と、それが図形分割エディタ21Ｅを介して露光データＤ
OUT にデータフォーマット変換される。また、データ変
換装置２１では、設計データＤINに基づいて作成した被
露光図形対象１４のスペース部Ｐａにサンプル点ｔが設
定され、かつ、該被露光図形対象１４のライン部Ｐｂに
サンプル点Ｓｎが設定される。さらに、スペース部Ｐａ
の露光強度とライン部Ｐｂの露光強度の計算処理に基づ
いて補正処理エディタ21ＦやＣＰＵ21Ｂにより被露光図
形対象１４の近接効果補正が見直し制御される。As described above, according to the electron beam drawing apparatus according to each embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3, the data converter 21, the electron beam exposure system 22 and the beam control system 23 are provided. The data conversion device 21 reviews and controls the proximity effect correction of the exposed figure object 14. For example, when design data DIN is input to the data conversion device 21, it is exposed to the exposure data D via the graphic division editor 21E.
The data format is converted to OUT. In the data converter 21, the sample point t is set in the space portion Pa of the exposed figure object 14 created based on the design data DIN, and the sample point Sn is set in the line portion Pb of the exposed figure object 14. Is set. Furthermore, the space portion Pa
The proximity effect correction of the exposed graphic object 14 is reviewed and controlled by the correction processing editor 21F and the CPU 21B on the basis of the calculation processing of the exposure intensity and the exposure intensity of the line portion Pb.

【００３６】このため、設計ルールが厳しい被設計ＬＳ
Ｉのパターン描画要求があった場合であって、例えば、
サンプル点Ｓ３，Ｓ５間による露光強度の評価におい
て、近接効果補正が十分と判断された場合にも、スペー
ス部Ｐａに設定されたサンプル点ｔ，Ｓ３間及びサンプ
ル点ｔ，Ｓ５間の露光強度の各比率Ｒを計算し、近接効
果補正の見直しをすることで、その補正された露光デー
タＤOUT に基づき、電子ビーム露光系２２により被露光
対象に精度良い電子ビーム描画処理を行うことが可能と
なる。Therefore, the LS to be designed having strict design rules
When there is a pattern drawing request of I, for example,
In the evaluation of the exposure intensity between the sample points S3 and S5, even when it is determined that the proximity effect correction is sufficient, the exposure intensity between the sample points t and S3 and between the sample points t and S5 set in the space portion Pa is determined. By calculating each ratio R and reviewing the proximity effect correction, the electron beam exposure system 22 can perform an accurate electron beam drawing process on the object to be exposed based on the corrected exposure data DOUT. .

【００３７】これにより、従来例に比べて寸法精度の良
い露光処理を行うことが可能となり、サブクオーターミ
クロンの寸法、かつ、非常に高密度のデバイスパターン
を有する２５６ＭビットのＤＲＡＭ等のパターン描画を
行うことが可能となる。次に、本発明の第１の実施例に
係る電子ビーム描画方法について、本発明の実施例に係
る装置の動作を補足しながら説明をする。As a result, it becomes possible to perform exposure processing with higher dimensional accuracy than in the conventional example, and pattern drawing of a 256 Mbit DRAM or the like having a subquarter micron size and a very high density device pattern. It becomes possible to do. Next, an electron beam writing method according to the first embodiment of the present invention will be described while supplementing the operation of the apparatus according to the embodiment of the present invention.

【００３８】図４は、本発明の第１の実施例に係る電子
ビーム描画の処理フローチャートであり、図５（Ａ）
は、その被露光図形対象の状態図である。また、図５
（Ａ）は、その被露光図形対象に設定されたサンプル点
の配置説明図であり、図６（Ａ）は、その寸法シフト補
正の説明図であり、図６（Ｂ）は、その電子ビームのド
ーズ量の補正特性図をそれぞれ示している。FIG. 4 is a processing flowchart of electron beam drawing according to the first embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 4 is a state diagram of the exposed figure target. Also, FIG.
FIG. 6A is an explanatory diagram of the arrangement of sample points set for the exposed figure target, FIG. 6A is an explanatory diagram of the dimension shift correction, and FIG. 6B is the electron beam thereof. The respective correction characteristics of the dose amount are shown.

【００３９】例えば、図５（Ａ）に示すような基本図形
Ｘと細長い基本図形Ｙが接近する被露光図形対象１４を
含むＣＡＤ設計データＤINを露光データＤOUT に変換し
て、これに基づいて電子ビーム描画をする場合、図４の
処理フローチャートにおいて、まず、ステップＰ１でＣ
ＡＤ設計データＤINの入力処理をする。ここで、磁気デ
ィスク装置等からデータ変換装置２１の入力ポート21Ａ
にＣＡＤ設計データＤINが入力され、それが内部バス21
Ｈを介してメモリ21Ｄに転送される。For example, as shown in FIG. 5A, the CAD design data DIN including the exposed figure object 14 in which the basic figure X and the elongated basic figure Y are close to each other is converted into the exposure data DOUT, and based on this, electronic data is converted. In the case of beam drawing, in the processing flowchart of FIG. 4, first, at step P1, C
Input processing of AD design data DIN. Here, the input port 21A of the data converter 21 from the magnetic disk device or the like
CAD design data DIN is input to the internal bus 21
It is transferred to the memory 21D via H.

【００４０】次に、ステップＰ２でＣＡＤ設計データＤ
INのデータフォーマットの変換処理をする。例えば、メ
モリ21ＤからＣＡＤ設計データＤINが読み出され、それ
が図形分割エディタ21Ｅに転送される。図形分割エディ
タ21Ｅでは図形処理プログラムに基づいて、当該データ
ＤINにより形成される被露光図形対象１４にミラー反
転，拡大縮小等の図形処理が行われる。Next, in step P2, the CAD design data D
Performs IN data format conversion processing. For example, the CAD design data DIN is read from the memory 21D and transferred to the figure division editor 21E. In the figure division editor 21E, figure processing such as mirror inversion and enlargement / reduction is performed on the exposed figure object 14 formed by the data DIN based on the figure processing program.

【００４１】これにより、被露光図形対象１４が電子ビ
ーム露光系２２の持つ基本図形に分割され、また、被露
光対象５のメインフィールドやサブフィールドに分割さ
れ、それら分割された基本図形Ｘ，Ｙ等がデータフォー
マット変換される。次いで、ステップＰ３で被露光図形
対象１４のスペース部Ｐａにサンプル点ｔを設定する。
この際に、図５（Ｂ）に示すように被露光図形対象１４
の基本図形Ｘ，Ｙのスペース部Ｐａに係る白黒反転図形
Ｃが演算され、当該図形Ｃの重心が求められ、その重心
点がサンプル点ｔとして設定される。ここで、スペース
部Ｐａは、露光処理の際に、電子ビームＥＢを遮断する
領域であり、サンプル点ｔはスペース部Ｐａの露光強度
を比較する際の評価点である。As a result, the exposed figure object 14 is divided into the basic figures of the electron beam exposure system 22, and is also divided into main fields and subfields of the object to be exposed 5, and the divided basic figures X and Y. Etc. are converted into the data format. Next, in step P3, the sample point t is set in the space portion Pa of the exposed figure object 14.
At this time, as shown in FIG.
The black-and-white inverted figure C relating to the space portion Pa of the basic figures X and Y is calculated, the center of gravity of the figure C is obtained, and the center of gravity thereof is set as the sample point t. Here, the space portion Pa is an area that blocks the electron beam EB during the exposure processing, and the sample point t is an evaluation point when the exposure intensity of the space portion Pa is compared.

【００４２】ステップＰ４では、ステップＰ３に併せて
被露光図形対象１４のライン部Ｐｂにサンプル点Ｓ１〜
Ｓ８を設定する。この際に、図５（Ｂ）に示すように被
露光図形対象１４の基本図形Ｘの各辺にサンプル点Ｓ１
〜Ｓ４が設定され、基本図形Ｙの各辺にサンプル点Ｓ５
〜Ｓ８がそれぞれ設定される。ここで、ライン部Ｐｂ
は、露光処理の際に、電子ビームＥＢを照射する領域で
あり、サンプル点Ｓ１〜Ｓ８はサンプル点ｔの露光強度
を比較する際の評価点である。In step P4, in addition to step P3, sample points S1 to
Set S8. At this time, as shown in FIG. 5B, the sample points S1 are formed on the respective sides of the basic figure X of the exposed figure object 14.
To S4 are set, and sample points S5 are set on the respective sides of the basic figure Y.
~ S8 are set respectively. Here, the line portion Pb
Is an area irradiated with the electron beam EB during the exposure process, and the sample points S1 to S8 are evaluation points when comparing the exposure intensities of the sample points t.

【００４３】その後、ステップＰ５でスペース部Ｐａの
サンプル点ｔの露光強度とライン部Ｐｂのサンプル点Ｓ
３やＳ５の露光強度との比率（コントラスト）Ｒを算出
する。ここで、比率Ｒは光強度（輝度）の差であり、Ｃ
ＰＵ21Ａにより演算される。次に、ステップＰ６で基本
図形Ｘ，Ｙ間の近接効果の補正処理をする。この際に、
データフォーマット変換された露光データＤOUT が補正
処理エディタ21Ｆにより、近接効果補正用プログラムに
基づいて寸法シフト補正，ビーム照射量補正及び近接効
果補正される。例えば、被露光図形対象１４のスペース
部Ｐａに設定されたサンプル点ｔと、そのライン部Ｐｂ
に設定されたサンプル点Ｓ３やＳ５との露光強度に基づ
いて補正処理エディタ21Ｆにより、被露光図形対象１４
の近接効果が補正される。Then, in step P5, the exposure intensity at the sample point t in the space portion Pa and the sample point S in the line portion Pb are set.
The ratio (contrast) R with the exposure intensity of 3 or S5 is calculated. Here, the ratio R is a difference in light intensity (luminance), and C
It is calculated by PU21A. Next, in step P6, correction processing of the proximity effect between the basic figures X and Y is performed. At this time,
The exposure data DOUT whose data format has been converted is corrected by the correction processing editor 21F based on the proximity effect correction program, such as dimension shift correction, beam dose correction, and proximity effect correction. For example, the sample point t set in the space portion Pa of the exposed figure object 14 and its line portion Pb
Based on the exposure intensities of the sample points S3 and S5 set to
The proximity effect of is corrected.

【００４４】その後、ステップＰ７で各サンプル点ｔ−
Ｓ３，ｔ−Ｓ５の比率Ｒと、その基準値Ｒ０との比較判
定をする。この際に、その比率Ｒと基準値Ｒ０との関係
がＲ０＜Ｒとなる場合（ＹES）には、サンプル点ｔにお
いて、周辺の図形Ｘ，Ｙからの近接効果が大きく、従来
例のような「露光過多部分Ｄが生じる」と認識されるこ
とから、ステップＰ８に移行する。Then, at step P7, each sample point t-
A comparison is made between the ratio R of S3 and t-S5 and the reference value R0. At this time, when the relationship between the ratio R and the reference value R0 is R0 <R (YES), the proximity effect from the surrounding figures X and Y is large at the sample point t, which is similar to the conventional example. Since it is recognized that "overexposure portion D will occur", the process proceeds to step P8.

【００４５】ここで、基準値Ｒ０は予め実験，シミュレ
ーション等により定義して置く。また、比較判定はメモ
リ21Ｄから読み出された基準値Ｒ０と比率Ｒとが比較部
21Ｃにより比較される。また、ステップＰ７でサンプル
点ｔ，Ｓ３，Ｓ５に係る比率Ｒと基準値Ｒ０との関係が
Ｒ０≧Ｒとなる場合（ＮＯ）には、ステップＰ９に移行
して近接効果が補正された露光データＤOUT の出力処理
をする。具体的には、近接効果補正が見直された露光デ
ータＤOUT や近接効果が補正された露光データＤOUT が
出力ポート21Ｇから露光制御装置23Ｄに転送される。Here, the reference value R0 is defined in advance by experiments, simulations and the like. In the comparison determination, the reference value R0 read from the memory 21D and the ratio R are compared by
Compared by 21C. If the relationship between the ratio R related to the sample points t, S3, S5 and the reference value R0 is R0 ≧ R in step P7 (NO), the process moves to step P9 and the exposure data in which the proximity effect is corrected is corrected. Performs DOUT output processing. Specifically, the exposure data DOUT whose proximity effect correction has been reviewed and the exposure data DOUT whose proximity effect has been corrected are transferred from the output port 21G to the exposure controller 23D.

【００４６】なお、ステップＰ７で「露光過多部分Ｄが
生じる」と認識された場合には、ステップＰ８で近接効
果補正の見直し処理をする。この際に、ＣＰＵ21Ｂによ
り被露光図形対象１４の近接効果補正の見直し制御され
る。例えば、図６（Ａ）に示すように基本図形Ｘのサン
プル点Ｓ３がスペース部Ｐａのサンプル点ｔに電子散乱
の影響を及ぼすこととなるから、ＣＰＵ21Ｂにより各サ
ンプル点ｔ−Ｓ３，ｔ−Ｓ５の比率Ｒとその基準値Ｒ０
との関係がＲ０≧Ｒとなるまで、基本図形Ｘ１が寸法シ
フト補正され、その後、当該図形Ｘ１が基本図形Ｘ11に
縮小される。If it is recognized in step P7 that "overexposed portion D will occur", the proximity effect correction process is reviewed in step P8. At this time, the CPU 21B controls to review the proximity effect correction of the exposed figure object 14. For example, as shown in FIG. 6A, the sample point S3 of the basic figure X affects the sample point t of the space portion Pa due to electron scattering, so that the CPU 21B causes the sample points t-S3 and t-S5. Ratio R and its reference value R0
The basic figure X1 is subjected to the dimension shift correction until the relationship between and is R0 ≧ R, and then the figure X1 is reduced to the basic figure X11.

【００４７】また、電子ビームＥＢのドーズ量の補正を
行う場合には、例えば、図６（Ｂ）に示すようなドーズ
量Ｑ／Ｑ０の補正特性を選択する。図６（Ｂ）におい
て、縦軸は標準寸法比率であり、ＣＡＤ設計データＤIN
に基づく基本図形と制御目標図形との比率である。ま
た、横軸は電子ビームＥＢのドーズ量Ｑ（片対数表示）
であり、Ｃ１〜Ｃ４はその照射面積（パラメータ）であ
る（1981：ＥＢ＆ＩＢ，Ｔech 「電子線リソグラフィに
おけるネガレジストのための近接効果補正」.P 256よ
り）。When correcting the dose amount of the electron beam EB, for example, the correction characteristic of the dose amount Q / Q0 as shown in FIG. 6B is selected. In FIG. 6B, the vertical axis represents the standard size ratio, and CAD design data DIN
It is the ratio of the basic figure and the control target figure based on. Also, the horizontal axis shows the dose Q of the electron beam EB (one logarithmic display)
And C1 to C4 are the irradiation areas (parameters) (from 1981: EB & IB, Tech "Proximity effect correction for negative resist in electron beam lithography". P 256).

【００４８】そして、ステップＰ10で近接効果が補正さ
れた露光データＤOUT に基づいて電子ビーム描画処理を
する。この際に、電子ビーム露光系２２の露光制御装置
23Ｄでは露光データＤOUT に基づいて偏向データＤ１及
び移動データＤ３が発生され、これらのデータＤ１，Ｄ
３に基づいて偏向制御部23Ａ及び移動制御部23Ｃの出力
が制御される。Then, in step P10, electron beam drawing processing is performed based on the exposure data DOUT whose proximity effect has been corrected. At this time, the exposure control device of the electron beam exposure system 22
In 23D, deflection data D1 and movement data D3 are generated based on the exposure data DOUT, and these data D1, D
Based on 3, the outputs of the deflection control unit 23A and the movement control unit 23C are controlled.

【００４９】例えば、電子線レジストが塗布された被露
光対象５の位置合わせマークが二次電子検出器22Ｅによ
り検出され、その検出信号Ｓ２が位置検出部23Ｂに出力
される。これにより、位置検出部23Ｂで信号処理された
検出データＤ２がビーム制御系２３に出力される。ま
た、ビーム制御系２３から偏向制御部23Ａに偏向データ
Ｄ１が出力され、同様に、移動制御部23Ｃに移動データ
Ｄ１がそれぞれ出力される。For example, the alignment mark of the exposure target 5 coated with the electron beam resist is detected by the secondary electron detector 22E, and the detection signal S2 is output to the position detector 23B. As a result, the detection data D2 signal-processed by the position detector 23B is output to the beam control system 23. Further, the beam control system 23 outputs the deflection data D1 to the deflection control unit 23A, and similarly, the movement data D1 is output to the movement control unit 23C.

【００５０】さらに、偏向制御部23Ａでは偏向データＤ
１がＤ／Ａ変換等され、その偏向制御信号Ｓ１が電磁偏
向器22Ｂ，電子レンズ22Ｃ及び静電偏向器22Ｄ等に出力
される。また、移動制御部23Ｃでは、移動データＤ３が
Ｄ／Ａ変換され、そのステージ制御信号Ｓ３がステージ
22Ｆに出力される。これにより、電子銃22Ａから電子ビ
ームＥＢが出射されると、偏向制御信号Ｓ１に基づいて
電磁偏向器22Ｂ，電子レンズ22Ｃ及び静電偏向器22Ｄが
駆動制御され、該電子ビームＥＢが被露光対象５に偏向
照射される。また、被露光対象５を載置したステージ22
Ｆがステージ制御信号Ｓ３に基づいて露光領域下に移動
される。なお、被露光対象５にＬＳＩパターン等が露光
される。Further, in the deflection control section 23A, the deflection data D
1 is D / A converted, and the deflection control signal S1 is output to the electromagnetic deflector 22B, the electron lens 22C, the electrostatic deflector 22D, and the like. In the movement controller 23C, the movement data D3 is D / A converted, and the stage control signal S3 is transmitted to the stage.
It is output to 22F. As a result, when the electron beam EB is emitted from the electron gun 22A, the electromagnetic deflector 22B, the electron lens 22C, and the electrostatic deflector 22D are drive-controlled based on the deflection control signal S1, and the electron beam EB is exposed. 5 is polarized and illuminated. In addition, the stage 22 on which the exposure target 5 is placed
F is moved below the exposure area based on the stage control signal S3. The exposure target 5 is exposed with an LSI pattern or the like.

【００５１】このようにして、本発明の第１の実施例に
係る電子ビーム描画方法によれば、図４の処理フローチ
ャートに示すように、ステップＰ３で、被露光図形対象
１４のスペース部Ｐａに、その白黒反転図形の重心をサ
ンプル点ｔとする露光評価点が設定され、かつ、ステッ
プＰ４でその各基本図形Ｘ，Ｙのライン部Ｐｂにサンプ
ル点Ｓ１〜Ｓ８が設定処理され、その後、ステップＰ５
でスペース部Ｐａの露光強度とライン部Ｐｂの露光強度
との比率Ｒが算出処理される。As described above, according to the electron beam drawing method of the first embodiment of the present invention, as shown in the processing flow chart of FIG. , An exposure evaluation point with the center of gravity of the black-and-white inverted figure as the sample point t is set, and the sample points S1 to S8 are set in the line portion Pb of each basic figure X, Y in step P4, and then the step P5
Then, the ratio R between the exposure intensity of the space portion Pa and the exposure intensity of the line portion Pb is calculated.

【００５２】このため、ステップＰ６で被露光図形対象
１４の近接効果を補正した後に、ステップＰ７で予め設
定された基準値Ｒ０と比率Ｒとが比較され、当該比率Ｒ
が基準値Ｒ０を越える場合（ＹES）には、ステップＰ８
で近接効果補正の見直し処理に移行することができる。
ここでは、被露光図形対象１４のスペース部Ｐａのサン
プル点ｔと、そのライン部Ｐｂのサンプル点Ｓ３，Ｓ５
との間で寸法シフト補正が行われる。また、ライン部Ｐ
ｂへの電子ビームＥＢの補正照射量が計算される。その
後、ステップＰ10で近接効果補正が見直された露光デー
タＤOUT に基づいて精度良い電子ビーム描画処理をする
ことが可能となる。Therefore, after the proximity effect of the exposed figure object 14 is corrected in Step P6, the preset reference value R0 and the ratio R are compared in Step P7, and the ratio R
Is above the reference value R0 (YES), step P8
With, it is possible to shift to the review process of the proximity effect correction.
Here, the sample point t of the space portion Pa of the exposed figure target 14 and the sample points S3 and S5 of the line portion Pb thereof are used.
The dimensional shift correction is performed between and. Also, the line portion P
The corrected dose of the electron beam EB to b is calculated. After that, it is possible to perform an accurate electron beam drawing process based on the exposure data DOUT for which the proximity effect correction is reviewed in step P10.

【００５３】これにより、従来例のような近接効果補正
方法では補正しきれなかった寸法精度の保証が非常に難
しいスペース部Ｐａを指摘し、それに対処することがで
きる。特に、パターンサイズが小さく、パターン密度が
高い場合であっても、優れた寸法精度が得られる。ま
た、サブクオーターミクロンの寸法、かつ、非常に高密
度のデバイスパターンを有する２５６ＭビットのＤＲＡ
Ｍ等のパターン対しても、高い寸法精度を保った電子ビ
ーム描画を行うとが可能となる。このことで、直接描画
及び精度良いレチクルやマスクの製造に寄与するところ
が大きい。As a result, it is possible to point out and deal with the space portion Pa that is very difficult to guarantee the dimensional accuracy, which cannot be corrected by the proximity effect correction method as in the conventional example. In particular, even when the pattern size is small and the pattern density is high, excellent dimensional accuracy can be obtained. Also, 256 Mbit DRA with sub-quarter micron size and very high density device pattern
It is possible to perform electron beam writing with high dimensional accuracy even for patterns such as M. This greatly contributes to the direct drawing and the manufacture of the reticle and mask with high accuracy.

【００５４】（２）第２の実施例の説明 図７（Ａ）は、本発明の第２の実施例に係る電子ビーム
描画方法のサンプル点の配置説明図である。第２の実施
例では第１の実施例と異なり、近接効果補正の見直し処
理の際に、スペース部Ｐａのサンプル点ｔに電子散乱の
影響を及ぼすと判断された基本図形Ｘが再分割処理され
たり、また、その電子ビームＥＢのドーズ量が高精度に
補正されるものである。(2) Description of Second Embodiment FIG. 7A is an explanatory diagram of the arrangement of sample points in the electron beam writing method according to the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, unlike the first embodiment, when the proximity effect correction is reviewed, the basic figure X determined to have an electron scattering effect on the sample point t of the space portion Pa is subdivided. In addition, the dose amount of the electron beam EB is corrected with high accuracy.

【００５５】すなわち、第１の実施例と同様に、図４の
処理フローチャートにおいて、ステップＰ１〜Ｐ６を経
てＣＡＤ設計データＤINがフォーマット変換される。ま
た、変換された露光データＤOUT がデータ処理され、ス
テップＰ７で各サンプル点ｔ−Ｓ３，ｔ−Ｓ５の比率Ｒ
と、その基準値Ｒ０とが比較判定される。この際に、そ
の比率Ｒと基準値Ｒ０との関係がＲ０＜Ｒとなる場合
（ＹES）には、サンプル点ｔにおいて、周辺の図形Ｘ，
Ｙからの近接効果が大きく、従来例のような「露光過多
部分Ｄが生じる」と認識されることから、ステップＰ８
に移行する。That is, as in the first embodiment, the CAD design data DIN is format-converted through steps P1 to P6 in the processing flowchart of FIG. Further, the converted exposure data DOUT is data-processed, and the ratio R of the sample points t-S3 and t-S5 is processed in step P7.
And the reference value R0 are compared and determined. At this time, when the relationship between the ratio R and the reference value R0 is R0 <R (YES), the surrounding figure X,
Since the proximity effect from Y is large and it is recognized that “overexposure portion D occurs” as in the conventional example, step P8
Move to.

【００５６】ステップＰ８の近接効果補正の見直し処理
では、第１の実施例と異なり、図７（Ａ）に示すように
基本図形Ｘが図形，に分割される。また、図６
（Ｂ）に示すようなドーズ量Ｑ／Ｑ０の補正特性を選択
して、電子ビームＥＢのドーズ量の補正を行う。そし
て、ステップＰ10で近接効果補正が見直された露光デー
タＤOUT に基づいて電子ビーム描画処理をする。これに
より、第１の実施例と同様に被露光対象５にＬＳＩパタ
ーン等が露光される。In the review process of the proximity effect correction in step P8, unlike the first embodiment, the basic figure X is divided into figures as shown in FIG. 7 (A). In addition, FIG.
The correction characteristic of the dose amount Q / Q0 as shown in (B) is selected to correct the dose amount of the electron beam EB. Then, in step P10, electron beam drawing processing is performed based on the exposure data DOUT for which the proximity effect correction has been reviewed. As a result, the LSI pattern or the like is exposed on the exposure target 5 as in the first embodiment.

【００５７】このようにして、本発明の第２の実施例に
係る電子ビーム描画方法によれば、ステップＰ７でサン
プル点ｔに電子散乱の影響が及ぶと判断された場合に
は、ステップＰ８の近接効果補正の見直し処理の際に、
基本図形Ｘが図形，に再分割処理され、また、電子
ビームＥＢのドーズ量が補正処理される。このため、ス
ペース部Ｐａに及ぼす電子散乱の影響を見込んだ基本図
形Ｘを図形，に分割する寸法シフト補正を行うこと
ができる。また、寸法シフト補正による照射面積の変化
分につき、電子ビームＥＢの再補正照射量が計算され、
そのドーズ量が緻密に補正される。As described above, according to the electron beam writing method of the second embodiment of the present invention, when it is determined in step P7 that the electron scattering affects the sample point t, step P8 is performed. When reviewing the proximity effect correction,
The basic figure X is subdivided into figures and the dose amount of the electron beam EB is corrected. Therefore, it is possible to perform the dimension shift correction in which the basic figure X is divided into figures and the effect of electron scattering on the space portion Pa is expected. Further, the recorrected irradiation amount of the electron beam EB is calculated for the change in the irradiation area due to the dimension shift correction,
The dose amount is precisely corrected.

【００５８】これにより、第１の実施例に比べて、より
一層精度良く、ステップＰ10で近接効果補正が見直され
た露光データＤOUT に基づいて寸法精度良い電子ビーム
描画処理をすることが可能となる。 （３）第３の実施例の説明 図７（Ｂ）は、本発明の第３の実施例に係るサンプル点
の配置説明図である。第３の実施例では第１，第２の実
施例と異なり、被露光図形対象１４のスペース部Ｐａに
おけるサンプル点ｔとして、当該図形対象１４の中で、
最も隣合う図形Ｘ，Ｙ間で近接するサンプル点Ｓ３，Ｓ
５を結ぶ中心点を用いている。すなわち、第１の実施例
と同様に、図４の処理フローチャートにおいて、ステッ
プＰ１でＣＡＤ設計データＤINの入力処理をし、ステッ
プＰ２でＣＡＤ設計データＤINのデータフォーマットの
変換処理をする。次に、ミラー反転や拡大縮小等の図形
処理が行われた被露光図形対象１４がステップＰ３でそ
のスペース部Ｐａにサンプル点Ｓ１〜Ｓ８が設定され
る。この際に、図７（Ｂ）に示すように被露光図形対象
１４の中で、最も隣合う基本図形Ｘ，Ｙ間で近接するサ
ンプル点Ｓ３，Ｓ５を結ぶ中心点が求められる。また、
その中心点がサンプル点ｔとして設定される。なお、ス
テップＰ４〜Ｐ10は第１，第２の実施例と同様であるた
め、その説明を省略する。As a result, it is possible to perform electron beam drawing processing with higher accuracy than in the first embodiment and with higher dimensional accuracy based on the exposure data DOUT for which the proximity effect correction has been reviewed in step P10. . (3) Description of Third Embodiment FIG. 7B is an explanatory diagram of the arrangement of sample points according to the third embodiment of the present invention. In the third embodiment, unlike the first and second embodiments, the sample point t in the space portion Pa of the exposed figure object 14 is defined as
Sampling points S3, S that are closest to each other between the adjacent figures X, Y
The center point connecting 5 is used. That is, similar to the first embodiment, in the process flowchart of FIG. 4, the CAD design data DIN is input in step P1, and the data format conversion process of the CAD design data DIN is performed in step P2. Next, in step P3, sample points S1 to S8 are set in the space portion Pa of the exposed figure object 14 that has been subjected to figure processing such as mirror inversion and enlargement / reduction. At this time, as shown in FIG. 7B, the center point connecting the sample points S3 and S5 that are closest to each other between the adjacent basic figures X and Y in the exposed figure object 14 is obtained. Also,
The center point is set as the sample point t. Since steps P4 to P10 are the same as those in the first and second embodiments, their description will be omitted.

【００５９】このようにして、本発明の第３の実施例に
係る電子ビーム描画方法によれば、ステップＰ３で被露
光図形対象１４の中で、最も隣合う図形間で近接する評
価点Ｓ３，Ｓ５を結ぶ中心点がスペース部Ｐａのサンプ
ル点ｔとして設定される。このため、白黒反転図形の重
心をサンプル点ｔとする第１の実施例に比べてスペース
部Ｐａに簡易に露光強度の評価点を設定することができ
る。As described above, according to the electron beam drawing method of the third embodiment of the present invention, the evaluation points S3, which are the closest to each other in the exposed figure object 14 in step P3. The center point connecting S5 is set as the sample point t of the space portion Pa. Therefore, it is possible to easily set the exposure intensity evaluation point in the space portion Pa as compared with the first embodiment in which the center of gravity of the black-and-white inverted figure is used as the sample point t.

【００６０】これにより、ステップＰ３でサンプル点ｔ
の設定処理の高速化が図れることから、ステップＰ５で
スペース部Ｐａの露光強度とライン部Ｐｂの露光強度か
ら比率Ｒを算出するデータ処理やステップＰ８で被露光
図形対象１４の近接効果の補正をするデータ処理等に素
早く着手することができ、近接効果補正の見直し処理の
高速化を図ることが可能となる。As a result, in step P3, the sampling point t
Since the setting process can be speeded up, the data processing for calculating the ratio R from the exposure intensity of the space portion Pa and the exposure intensity of the line portion Pb in step P5 and the correction of the proximity effect of the exposed graphic object 14 in step P8. It is possible to quickly start data processing and the like, and speed up the review processing of the proximity effect correction.

【００６１】[0061]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子ビー
ム描画装置によれば、データ変換手段，電子ビーム描画
手段及び制御手段を具備し、該データ変換手段により被
露光図形対象の近接効果補正が見直し制御される。この
ため、設計ルールが厳しい被設計ＬＳＩのパターン描画
要求があった場合であって、第２の評価点の間における
露光強度の評価において、近接効果補正が十分と判断さ
れた場合にも、非照射部に設定された第１の評価点と、
照射部に設定された第２の評価点との間の露光強度の比
率を計算し、近接効果補正の見直しをすることで、その
見直された露光データに基づいて被露光対象に電子ビー
ム描画処理を行うことが可能となる。As described above, according to the electron beam drawing apparatus of the present invention, it is provided with the data converting means, the electron beam drawing means and the control means, and the data converting means corrects the proximity effect of the object to be exposed. Is reviewed and controlled. Therefore, even when there is a pattern drawing request for the LSI to be designed with a strict design rule and it is determined that the proximity effect correction is sufficient in the evaluation of the exposure intensity between the second evaluation points, The first evaluation point set in the irradiation unit,
By calculating the ratio of the exposure intensity with the second evaluation point set in the irradiation unit and reviewing the proximity effect correction, an electron beam drawing process is performed on the exposure target based on the reviewed exposure data. It becomes possible to do.

【００６２】また、本発明の電子ビーム描画方法によれ
ば、被露光図形対象の白黒反転図形が作成処理され、そ
の図形の重心点が非照射部における露光強度の評価点
（第１の評価点）として設定処理され、かつ、該図形対
象の照射部に第２の評価点が設定処理され、その後、非
照射部の露光強度と照射部の露光強度との比率が算出処
理される。Further, according to the electron beam drawing method of the present invention, the black-and-white inverted figure of the figure to be exposed is created, and the center of gravity of the figure is the evaluation point of the exposure intensity in the non-irradiated portion (first evaluation point). ) Is set and the second evaluation point is set in the irradiation part of the graphic object, and then the ratio between the exposure intensity of the non-irradiation part and the exposure intensity of the irradiation part is calculated.

【００６３】このため、被露光図形対象の近接効果の補
正処理をした後に、予め設定された基準値と比率とが比
較され、当該比率が基準値を越える場合には、近接効果
補正の見直し処理に移行することができる。このこと
で、近接効果補正が見直された露光データに基づいて精
度良い電子ビーム描画処理をすることが可能となる。ま
た、本発明の電子ビーム描画方法によれば、近接効果補
正の見直し処理の際に、非照射部の評価点に電子散乱の
影響を及ぼす被露光図形対象が再分割処理され、また、
電子ビームのドーズ量が補正処理される。For this reason, after the proximity effect correction process for the exposed figure object is performed, the preset reference value is compared with the ratio, and if the ratio exceeds the reference value, the proximity effect correction review process is performed. Can be moved to. This makes it possible to perform an accurate electron beam drawing process based on the exposure data for which the proximity effect correction has been reviewed. Further, according to the electron beam drawing method of the present invention, during the review process of the proximity effect correction, the exposed figure object that the electron scattering affects the evaluation points of the non-irradiated portion is redivided, and
The dose amount of the electron beam is corrected.

【００６４】このため、非照射部の評価点に及ぼす電子
散乱の影響を見込んだ図形を寸法シフト補正を行うこと
ができる。また、寸法シフト補正により変化したドーズ
量につき、電子ビームの再補正照射量を計算することに
より、そのドーズ量を補正することができる。さらに、
本発明の電子ビーム描画方法によれば、被露光図形対象
の中で、最も隣合う図形間で近接する評価点を結ぶ中心
点が非照射部の第１の評価点に設定される。Therefore, it is possible to perform the dimension shift correction on the figure considering the influence of electron scattering on the evaluation point of the non-irradiated portion. Further, the dose amount can be corrected by calculating the re-correction irradiation dose of the electron beam for the dose amount changed by the dimension shift correction. further,
According to the electron beam writing method of the present invention, the center point connecting the evaluation points that are closest to each other in the figure to be exposed is set as the first evaluation point of the non-irradiated portion.

【００６５】このため、白黒反転図形の重心を第１の評
価点とする電子ビーム描画方法に比べて、非照射部に簡
易に露光強度の評価点を設定することができる。このこ
とで、以後のデータ処理の高速化を図ることが可能とな
る。これにより、近接効果補正が見直された露光データ
に基づいて寸法精度良い電子ビーム描画処理を行うこと
が可能となる。このことで、直接描画及び精度良いレチ
クルやマスク等を製造することが可能となる。また、２
５６ＭビットのＤＲＡＭ等のパターン描画をする電子ビ
ーム露光装置の機能向上に寄与するところが大きい。Therefore, as compared with the electron beam drawing method in which the center of gravity of the black-and-white inverted pattern is used as the first evaluation point, the evaluation point of the exposure intensity can be easily set in the non-irradiated portion. This makes it possible to speed up the subsequent data processing. This makes it possible to perform electron beam drawing processing with good dimensional accuracy based on the exposure data for which the proximity effect correction has been reviewed. This makes it possible to directly draw and manufacture a reticle, a mask, or the like with high accuracy. Also, 2
It greatly contributes to the improvement of the function of an electron beam exposure apparatus that draws a pattern such as a 56 Mbit DRAM.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明に係る電子ビーム描画装置の原理図であ
る。FIG. 1 is a principle diagram of an electron beam drawing apparatus according to the present invention.

【図２】本発明に係る電子ビーム描画方法の原理図であ
る。FIG. 2 is a principle diagram of an electron beam drawing method according to the present invention.

【図３】本発明の各実施例に係る電子ビーム描画装置の
構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of an electron beam drawing apparatus according to each embodiment of the present invention.

【図４】本発明の第１の実施例に係る電子ビーム描画の
処理フローチャートである。FIG. 4 is a processing flowchart of electron beam drawing according to the first embodiment of the present invention.

【図５】本発明の第１の実施例に係る被露光図形対象及
びそのサンプル点の配置説明図である。FIG. 5 is a layout explanatory diagram of an exposed graphic object and its sample points according to the first embodiment of the present invention.

【図６】本発明の各実施例に係る寸法シフト補正及びド
ーズ量補正の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of dimensional shift correction and dose amount correction according to each embodiment of the present invention.

【図７】本発明の第２，第３の実施例に係るサンプル点
の配置説明図である。FIG. 7 is an arrangement explanatory diagram of sample points according to second and third embodiments of the present invention.

【図８】従来例に係る電子ビーム描画装置の説明図であ
る。FIG. 8 is an explanatory diagram of an electron beam drawing apparatus according to a conventional example.

【図９】従来例に係る問題点を説明するサンプル点の配
置図及び露光状態図である。9A and 9B are an arrangement diagram of sample points and an exposure state diagram for explaining problems in the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１…データ変換手段、 １２…電子ビーム描画手段、 １３…制御手段、 ＤIN…設計データ、 ＤOUT …露光データ、 ＥＢ…電子ビーム、 ｔ…第１の評価点、 Ｓｎ，〔ｎ＝１，２，…ｉ，ｊ…ｎ〕…第２の評価点、 Ｐａ…非照射部、 Ｐｂ…照射部、 Ｒ…比率、 Ｒ０…基準値。 11 ... Data conversion means, 12 ... Electron beam drawing means, 13 ... Control means, DIN ... Design data, DOUT ... Exposure data, EB ... Electron beam, t ... First evaluation point, Sn, [n = 1, 2, ... i, j ... n] ... second evaluation point, Pa ... non-irradiation portion, Pb ... irradiation portion, R ... ratio, R0 ... reference value.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/305 9172−5Ｅ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H01J 37/305 9172-5E

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 設計データ（ＤIN）を露光データ（ＤOU
T ）に変換するデータ変換手段（１１）と、前記露光デ
ータ（ＤOUT ）に基づいて電子ビーム描画処理をする電
子ビーム描画手段（１２）と、前記データ変換手段（１
１）及び電子ビーム描画手段（１２）の入出力を制御す
る制御手段（１３）とを具備し、前記データ変換手段
（１１）が、設計データ（ＤIN）に基づいて作成される
被露光図形対象（１４）の非照射部（Ｐａ）に、少なく
とも、１つの第１の評価点（ｔ）を設定し、かつ、該被
露光図形対象（１４）の照射部（Ｐｂ）に第２の評価点
（Ｓｎ，〔ｉ＝１〜ｉ，ｊ，ｎ〕）を設定し、前記非照
射部（Ｐａ）の露光強度と照射部（Ｐｂ）の露光強度と
の算出結果に基づいて被露光図形対象（１４）の近接効
果補正の見直し制御をすることを特徴とする電子ビーム
描画装置。1. Design data (DIN) is transferred to exposure data (DOU).
Data conversion means (11) for converting into T), electron beam drawing means (12) for performing electron beam drawing processing based on the exposure data (DOUT), and the data conversion means (1)
1) and a control means (13) for controlling the input / output of the electron beam drawing means (12), and the data conversion means (11) is an object to be exposed that is created based on design data (DIN). At least one first evaluation point (t) is set in the non-irradiation part (Pa) of (14), and a second evaluation point is set in the irradiation part (Pb) of the exposed graphic object (14). (Sn, [i = 1 to i, j, n]) is set, and based on the calculation result of the exposure intensity of the non-irradiation part (Pa) and the exposure intensity of the irradiation part (Pb), the exposed figure target ( 14) An electron beam drawing apparatus characterized by performing a review control of the proximity effect correction of 14). 【請求項２】 設計データ（ＤIN）を変換して露光デー
タ（ＤOUT ）の作成処理をし、前記露光データ（ＤOUT
）に基づく被露光図形対象（１４）であって、電子ビ
ーム（ＥＢ）を遮断するべき非照射部（Ｐａ）に少なく
とも、１つの第１の評価点（ｔ）の設定処理をし、か
つ、前記電子ビーム（ＥＢ）を照射するべき照射部（Ｐ
ｂ）に第２の評価点（Ｓｎ，〔ｉ＝１〜ｉ，ｊ，ｎ〕）
の設定処理をし、前記非照射部（Ｐａ）の露光強度と照
射部（Ｐｂ）の露光強度との比率（Ｒ）の算出処理を
し、前記露光強度の算出結果に基づいて被露光図形対象
（１４）の近接効果の補正処理をし、前記近接効果が補
正された露光データ（ＤOUT ）に基づいて電子ビーム描
画処理をすることを特徴とする電子ビーム描画方法。2. The exposure data (DOUT) is created by converting the design data (DIN).
), Which is an exposed figure object (14) based on (4), and at least one first evaluation point (t) is set in a non-irradiation part (Pa) for blocking the electron beam (EB), and An irradiator (P) for irradiating the electron beam (EB)
The second evaluation point (Sn, [i = 1 to i, j, n]) in b)
Setting process is performed to calculate the ratio (R) between the exposure intensity of the non-irradiation part (Pa) and the exposure intensity of the irradiation part (Pb), and based on the calculation result of the exposure intensity An electron beam drawing method comprising: performing the proximity effect correction process of (14), and performing the electron beam drawing process based on the exposure data (DOUT) in which the proximity effect is corrected. 【請求項３】 前記被露光図形対象（１４）の近接効果
の補正処理の後に、先に算出された比率（Ｒ）が、予め
設定された基準値（Ｒ０）を越える場合には、近接効果
補正の見直し処理をすることを特徴とする請求項２記載
の電子ビーム描画方法。3. If the ratio (R) calculated previously after the correction processing of the proximity effect of the exposed figure object (14) exceeds a preset reference value (R0), the proximity effect is obtained. 3. The electron beam drawing method according to claim 2, wherein the correction review process is performed. 【請求項４】 前記被露光図形対象（１４）の非照射部
（Ｐａ）における評価点（ｔ）として、該被露光図形対
象（１４）の白黒反転図形の作成処理をし、前記白黒反
転図形の重心を用いることを特徴とする請求項２記載の
電子ビーム描画方法。4. The black-and-white inverted pattern is created as the evaluation point (t) in the non-irradiated portion (Pa) of the exposed pattern target (14), and the black-and-white inverted pattern is created. 3. The electron beam drawing method according to claim 2, wherein the center of gravity is used. 【請求項５】 前記近接効果補正の見直し処理の際に、
前記非照射部（Ｐａ）の評価点（ｔ）に電子散乱の影響
を及ぼす被露光図形対象（１４）の寸法シフト補正を行
うことを特徴とする電子ビーム描画方法。5. When reviewing the proximity effect correction,
An electron beam drawing method, characterized in that a dimension shift correction of an exposed figure target (14) having an electron scattering effect on an evaluation point (t) of the non-irradiated portion (Pa) is performed. 【請求項６】 前記近接効果補正の見直し処理の際に、
前記非照射部（Ｐａ）の評価点（ｔ）に電子散乱の影響
を及ぼす被露光図形対象（１４）の再分割処理及び前記
電子ビーム（ＥＢ）のドーズ量補正処理を行うことを特
徴とする電子ビーム描画方法。6. When reviewing the proximity effect correction,
It is characterized by performing a subdivision process of the exposed figure object (14) and a dose amount correction process of the electron beam (EB), which influences electron scattering on the evaluation point (t) of the non-irradiation part (Pa). Electron beam drawing method. 【請求項７】 前記被露光図形対象（１４）の非照射部
（Ｐａ）における評価点（ｔ）として、当該被露光図形
対象（１４）の中で、最も隣合う図形間で近接する評価
点（Ｓｉ，Ｓｊ）を結ぶ中心点を用いることを特徴とす
る請求項２記載の電子ビーム描画方法。7. The evaluation points (t) in the non-irradiated part (Pa) of the exposed figure object (14) are evaluation points that are closest to each other in the exposed figure object (14). The electron beam writing method according to claim 2, wherein a center point connecting (Si, Sj) is used.
JP5137877A 1993-06-08 1993-06-08 Electron beam drawing device and method therefor Withdrawn JPH06349718A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5137877A JPH06349718A (en) 1993-06-08 1993-06-08 Electron beam drawing device and method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5137877A JPH06349718A (en) 1993-06-08 1993-06-08 Electron beam drawing device and method therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06349718A true JPH06349718A (en) 1994-12-22

Family

ID=15208787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5137877A Withdrawn JPH06349718A (en) 1993-06-08 1993-06-08 Electron beam drawing device and method therefor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06349718A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120682A (en) * 2004-10-19 2006-05-11 Fujitsu Ltd Method and program for creating drawing data
JP2008177604A (en) * 1998-06-30 2008-07-31 Toshiba Corp Electron beam drawing system and control method thereof
JP2012150410A (en) * 2011-01-21 2012-08-09 Fujitsu Semiconductor Ltd Method for correcting mask pattern, mask pattern correction device, circuit design device, and program for correcting mask pattern
JP2013197244A (en) * 2012-03-19 2013-09-30 Dainippon Printing Co Ltd Method of determining electron beam irradiation amount

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008177604A (en) * 1998-06-30 2008-07-31 Toshiba Corp Electron beam drawing system and control method thereof
JP2006120682A (en) * 2004-10-19 2006-05-11 Fujitsu Ltd Method and program for creating drawing data
JP2012150410A (en) * 2011-01-21 2012-08-09 Fujitsu Semiconductor Ltd Method for correcting mask pattern, mask pattern correction device, circuit design device, and program for correcting mask pattern
JP2013197244A (en) * 2012-03-19 2013-09-30 Dainippon Printing Co Ltd Method of determining electron beam irradiation amount

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3454983B2 (en) Charged beam drawing method
US10199200B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
JP3466900B2 (en) Electron beam writing apparatus and electron beam writing method
US11789372B2 (en) Writing data generating method and multi charged particle beam writing apparatus
US20100237469A1 (en) Photomask, semiconductor device, and charged beam writing apparatus
US6200710B1 (en) Methods for producing segmented reticles
JP2004140311A (en) Exposure method and aligner
JPH06349718A (en) Electron beam drawing device and method therefor
KR102366045B1 (en) Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus
CN111913362B (en) Charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing apparatus
JP2862532B2 (en) Charged particle beam drawing method and apparatus
JPH10261557A (en) Pattern-drawing method and device
JPH06267833A (en) Electron beam lithography
JP2016027609A (en) Charged particle beam lithography system and charged particle beam lithographic method
JP3321220B2 (en) Electron beam writing method and writing apparatus
JP2862825B2 (en) Charged particle beam drawing equipment
JP3330306B2 (en) Charged beam drawing method
JPH05226235A (en) Data conversion method of electron-beam lithography
JP2016219829A (en) Charged particle beam drawing device and charged particle beam drawing method
JP2000306827A (en) Charged particle beam drawing apparatus and pattern formation method
JP2606576B2 (en) Charged particle beam exposure method
JPH09246153A (en) Forming method for electron beam image drawing data
JP2885782B1 (en) Electron beam writing apparatus, electron beam writing proximity effect correction method, and recording medium storing the method
JPH0661127A (en) Electron beam lithographing method
JPH065502A (en) Method and equipment for conversion of exposure data

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20000905