JPH06348153A

JPH06348153A - 加熱定着装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH06348153A
Application number: JP13353693A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Taniguchi; 靖谷口
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-06-03
Filing date: 1993-06-03
Publication date: 1994-12-22

Abstract

(57)【要約】【目的】通電により発熱する発熱抵抗体からなるヒー
ターを有する加熱定着装置において、フィルムやこれと
摺動する発熱抵抗体等の摩耗を低減してその長寿命化を
図ること。【構成】絶縁性基板２上に通電により発熱する発熱抵
抗体３を設け、該発熱抵抗体により被加熱体とともに移
動するフィルムを介して該被加熱体を加熱し、熱定着に
よる画像形成装置で使用される熱定着用ヒーターにおい
て、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護膜６あ
るいは発熱抵抗体３上、もしくはフィルム上に硬質炭素
膜１８を潤滑保護膜として形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複写機、レーザービー
ムプリンタ等の画像形成装置に用いられるヒーターに関
し、特に未定着画像の加熱定着に用いられるヒーターに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、特開昭６３−３１３１８２号公報
等で固定ヒーターと、このヒーターと摺動する薄膜フィ
ルムを用いた加熱装置が提案されている。

【０００３】このようなヒーターに関し、本発明に係る
ヒーターを示す図１、図２を参照して説明する。ヒータ
ー１は、電気絶縁性・耐熱性・低熱容量の細長い基板２
と、この基板２の一方面側（表面側）の基板幅方向中央
部に基板長手に沿って直線細帯状に形成した通電発熱体
３と、この通電発熱抵抗体の両端部にそれぞれ通電させ
て基板面に形成した電極端子（接続端子）４・５と、基
板２の通電発熱抵抗体形成面を被覆させたヒーター表面
保護層としてのガラス等の電気絶縁性保護層６と、基板
２の他方面側（背面側）に設けたサーミスター等の温度
検出素子７を有する。基板２は、例えば、幅１０ｍｍ・
厚さ１ｍｍ・長さ２４０ｍｍのＡｌ₂Ｏ₃、ＡＩＮ、Ｓ
ｉＣ等のセラミック板等がある。通電発熱抵抗体３は、
例えば、厚さ１０μｍ・幅１ｍｍの、スクリーン印刷等
で塗工したＡｇ／Ｐｄ（銀パラジウム合金）、Ｒｕ
Ｏ₂、Ｔａ₂Ｎ等を大気焼成して形成したパターン層で
ある。電極端子（接続端子）４・５は、通常厚さ１０μ
ｍのスクリーン印刷等で塗工したＡｇを大気焼成して形
成したパターン層であり、この電極４・５に通常は、コ
ネクター（不図示）を介して電線を接続し給電する。

【０００４】ヒーター１は定着面の温度を管理・制御す
るために装置の横断面において、通電発熱抵抗体３を定
着ニップ部１５（合接ニップ部、加圧部）の幅領域の略
中央部に位置させる構造となっている。ヒーター１の絶
縁保護層６側がフィルム接触摺動面側である。ヒーター
１は通電発熱抵抗体３の両端電極端子４・５間に交流電
源１２より電圧印加され、該通電発熱抵抗体３が発熱す
ることで昇温する。

【０００５】ヒーター１の温度は、基板背面の温度検出
素子７で検出されて、その検出情報が通電制御回路へフ
ィードバックされて、交流電源１２から通電発熱抵抗体
３への通電が制御され、ヒーター１が所定の温度に温度
制御される。ヒーター１の温度検出装置７は熱応答性の
最も良い定着面、つまりヒーター基板表面側の通電発熱
抵抗体３の形成位置に対応する基板背面側部分位置（通
電発熱抵抗体３の直下に対応する基板背面側部分位置）
に配設される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】未定着画像を定着する
ためには、ヒーター上の絶縁性保護層並びにフィルム接
触摺動面を介してヒーターの熱を伝熱させて熱定着す
る。しかしながら、絶縁性保護層とフィルムとの接触摺
動時の摩耗により、接触摺動距離が約６０ｋｍに達する
とフィルムの摩耗が激しくなってくる。この時生じる摩
耗粉が、フィルムを起動するローラーに不均一に付着す
ることから、フィルムの駆動速度が不規則となり、結果
として未定着画像の定着が不均一になるという問題が発
生する。絶縁性保護膜に用いられるガラス質層は、低軟
化点ガラスを印刷、焼成することにより形成される。こ
のガラス質層とフィルムの表面形状差（摩擦係数）と硬
度差により、フィルムの磨耗が生じるものと考えられ
る。そこで、ポリイミド等の耐熱性フィルムの摩耗を防
ぐために、絶縁性保護膜との摩擦係数を小さくする目的
からポリイミド・フィルムにフィラーを混入したり、テ
フロン（登録商標）コーティング等を施している。しか
しながら、熱定着方式による定着のより高度化と定着ボ
リュームの増大に対応することはできず、ヒーターの寿
命（接触摺動距離）をできるだけ長くすることが必要と
されている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、ヒーターの絶
縁保護膜あるいは発熱抵抗体上、もしくはフィルム上に
硬質炭素膜を形成することにより、上述の問題を解決し
たものである。

【０００８】以下、本発明に関して詳細に説明する。本
発明に係る硬質炭素膜は、巨視的にはアモルファス構造
でｓｐ²、ｓｐ³結合の炭素からなり、膜中に水素をほ
とんど含有していない。含有する場合でもその量は１ａ
ｔ％よりも少ない。硬質炭素膜の密度は、グラファイト
の密度（２．２６ｇ／ｃｍ³）よりも大きくダイヤモン
ドの密度（３．５１ｇ／ｃｍ³）よりも小さい範囲にあ
る。また、硬質炭素膜は、度２０００〜５０００ｋｇ
／ｍｍ²、摩擦係数μ＜０．２、電気抵抗（体積抵抗
率）１０⁵〜１０¹¹Ωｃｍ等に代表される物理的性質を
有するものである。

【０００９】本発明で用いる硬質炭素膜は、プラズマ・
スパッタ法、イオンビーム・スパッタ法、イオンビーム
蒸着法、イオンビーム・ミキシング法、イオンプレーテ
ィング法、クラスターイオンビーム法、イオン注入法、
アーク放電法、レーザー蒸着法等により形成される。こ
のとき用いる固体炭素源としては、高純度のグラファイ
トやガラス状炭素等を挙げることができる。あるいは気
体炭素源として含炭素ガスであるメタン、エタン、プロ
パン、エチレン、ベンゼン、アセチレン等の単化水素；
塩化メチレン、四塩化炭素、クロロホルム、トリクロル
エタン等のハロゲン化炭化水素；メチルアルコール、エ
チルアルコール等のアルコール類；（ＣＨ₃）₂ＣＯ、
（Ｃ₆Ｈ₅）₂ＣＯ等のケトン類；ＣＯ、ＣＯ₂等を用
いる場合には、質量分離後炭素イオンビームとして使用
する。また、アシスト・イオンビーム用の原料ガスとし
て、Ｈｅ、Ｎ₂、Ｈ₂、Ｏ₂、Ｈ₂Ｏ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋ
ｒ、Ｘｅ等のガスが挙げられる。

【００１０】ヒーターの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体
上に形成される硬質炭素膜の膜厚は、数ｎｍ〜数１０μ
ｍの範囲であれば良く、特に数１０ｎｍ〜数μｍが好適
である。これは、膜厚が数ｎｍより薄いときには、十分
な潤滑性能や絶縁性能が得られず、数１０μｍよりも厚
い時には膜応力により膜が基板から剥離し易いからであ
る。なお、発熱抵抗体上に直接形成する場合には、十分
な絶縁性が確保できる高電気抵抗の膜を使用する必要が
ある。フィルム上に形成する場合には、数ｎｍ〜数１０
０ｎｍの膜厚が好適である。膜厚が数ｎｍより薄い場合
には十分な潤滑性能が得られず、数１００ｎｍよりも厚
い場合には膜応力により膜がフィルムから剥離したりフ
ィルムがカールしてしまうためである。なお、前述の好
適な膜厚範囲で膜を形成した場合でも、フィルムがカー
ルするときにはフィルムの両面に硬質炭素膜を形成すれ
ば良い。

【００１１】硬質炭素膜の密度は、前述のようにグラフ
ァイトとダイヤモンドの間にあるが、実用上は２．０ｇ
／ｃｍ³以上であれば良い。密度が２．０ｇ／ｃｍ³よ
りも小さい膜は、ｓｐ²結合（グラファイト）成分が増
加するため、低硬度、低電気抵抗、低密着性であり、本
発明の潤滑保護膜としては適していない。

【００１２】なお、本発明の潤滑保護膜は、ヒーターの
絶縁保護膜や発熱抵抗体上あるいはフィルム上に形成す
るだけでなく、フィルムと接触するヒーターホルダー部
に形成することにより、ヒーター、フィルム間の接触摺
動特性をより向上させることができる。

【００１３】本発明は、フィルムと接触摺動するヒータ
ーの絶縁保護膜あるいは発熱抵抗体上、もしくはフィル
ム上に気相合成法により硬質炭素膜を潤滑保護層として
形成することにより、ヒーターとフィルム間の耐摩耗性
と摺動性を改善し、長寿命のヒーターを実現するもので
ある。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の具体的実
施例を説明する。

【００１５】＜実施例１＞図３は、本発明の実施例のヒ
ーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。
ヒーター１は、断熱性のヒーターホルダー８を介してヒ
ーター支持部９に固定支持されている。１０は、例えば
厚さ４０μｍ程度のポリイミド等のエンドレスベルト
状、あるいは長尺ウェブ状の耐熱性フィルム、１１はこ
のフィルムをヒーター１に対して押圧する加圧部材とし
ての回転加圧ローラーである。フィルム１０は、不図示
の駆動部材により或は加圧ローラー１１の回転力によ
り、所定の速度で矢印の方向にヒーターホルダー８のエ
ッジ部に接触しながら、ヒーター１面に密着した状態で
ヒーター１面を摺動しながら回転或は走行移動する。ヒ
ーター１の通電発熱抵抗体３に対する通電によりヒータ
ー１を所定温度に昇温させ、またフィルム１０を移動駆
動させた状態である定着ニップ部１５に被加熱材として
記録材１６を未定着トナー画像面をフィルム１０面側に
して導入することで、記録材１６がフィルム１０面に密
着してフィルム１０と共に定着ニップ部１５を移動通過
し、その移動通過過程でヒーター１からフィルム１０を
介して記録材１６に熱エネルギーが付与されて記録材１
６上の未定着トナー画像１７が加熱溶融定着される。

【００１６】図４は、第１実施例を示すヒーター部の断
面模式図である。図中１はヒーター、２はセラミックス
基板、３はＡｇ／Ｐｄからなる発熱抵抗体、４、５はＣ
ｕからなる電極端子部、６はガラス質の絶縁保護層、１
８は硬質炭素膜、８はヒーターホルダー、１２は電極タ
ブ、１３はＡｕＳｉからなるロウ材、１４はワイヤーで
ある。

【００１７】本実施例におけるヒーターは、まずＡｌ₂
Ｏ₃基板２上にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗
体３となるようにスクリーン印刷により塗工し、大気焼
成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるよう
にトリミングした。次に、Ｃｕペーストをスクリーン印
刷により塗工し、電極端子部４、５を酸素分圧に注意し
ながら焼成、形成した（図４の（ａ））。この後、絶縁
性保護膜６としてケイ酸鉛系の低軟化点ガラスをスクリ
ーン印刷により塗工し、大気焼成して形成した（図４の
（ｂ））。この後、硬質炭素膜１８をＤＣスパッタリン
グ法により５００ｎｍ形成した（図４の（ｃ））。図５
は、硬質炭素膜を形成するために用いたＤＣマグネトロ
ン・スパッタリング装置の模式図である。図中４０は真
空槽、４１は基板、４２は純度９９．９９％のグラファ
イト・ターゲット、４３はガス導入系、４４はＤＣ電
源、４５は排気系である。真空槽を１×１０^-7Ｔｏｒｒ
まで排気した後、ガス導入系よりＡｒを導入しガス圧を
０．９Ｐａとした。この時、基板温度を室温、放電パワ
ー５０Ｗ、基板ターゲット間距離を４０ｍｍとした。な
お、成膜に先立ち、３００Ｗで２０ｍｉｎ．間ターゲッ
トのプレスパッタリングを行った。同一条件で作製した
膜をＨＦＳ（ＨｙｄｒｏｇｅｎＦｏｗａｒｄｓｃａｔ
ｔｅｒｉｎｇＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）法により水
素濃度を分析したところ水素含有量は０ａｔ％であっ
た。膜硬度を薄膜硬度計で測定した結果、ビッカース硬
度換算で２２００ｋｇ／ｍｍ²であった。ピン・オン・
ディスク法により摩擦特性を評価した。測定は相対湿度
４５％の空気中で行い、ピンとして軸受け鋼（ＳＵＪ
２）の球（直径５ｍｍ）を用い加重２．２Ｎ、摺動速度
０．０４ｍ／ｓで行った結果、摩擦係数は０．１０であ
った。なお、ＲＢＳ（ＲｕｔｈｅｒｆｏｒｄＢａｃｋ
ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で
評価した密度は、２．８ｇ／ｃｍ³であった。

【００１８】次に、ＡｕＳｉからなるロウ材１３を用い
て銅合金からなる電極タブ１２と、セラミックス基板２
とをロウ付けした（図４の（ｃ））。引き続き、電極タ
ブ１２にワイヤー１４を圧接しヒーター１をヒーターホ
ルダー８に接着した（図４の（ｄ）、（ｅ））。なお、
ヒーター１の製作時に電極端子部４、５の表面にＡｕを
フラッシュメッキすることにより、ロウ付け時のロウ材
の濡れ性を向上させ、安定した接続信頼性を得ることが
できた。電極タブ材料としては、銅合金のほかにコバー
ル、４２アロイ、リン青銅等の金属が使用できる。ロウ
材は、融点２５０℃以上のものが好ましく、ＡｕＳｉの
ほかにＡｕＧｅ、ＡｕＳｕ等を用いることができる。ま
た、Ｃｕ電極端子部の表面にロウ付けまでの表面酸化防
止や汚染を防ぐ目的から、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｕ／Ｎｉをフ
ラッシュメッキ等で形成することにより、より安定した
ロウ付けが実現できた。この時、Ｎｉ層を形成する目的
は、ロウ材中にＣｕが過度に拡散することを防ぐためで
ある。

【００１９】以上のようにして得られた加熱定着装置
は、ヒーターとフィルム間の摩擦、摺動に対してもフィ
ルムの摩耗粉の発生がなく、安定した摺動性能を長期間
保持することができた。

【００２０】＜実施例２＞実施例１と同様のＡｌ₂Ｏ₃
基板に発熱抵抗体層を形成する溝を機械的に加工した。
溝の形状は、３５０ｍｍ×２ｍｍ×１２μｍとした。こ
の溝にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体３とな
るようにスクリーン印刷により１１μｍ塗工し、大気焼
成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるよう
トリミングした。次に、不図示のスパッタリング装置に
基板を設置し、抵抗体層上にＷを１μｍ形成した。Ｗ
は、Ａｇ／ＰｄとＣの相互拡散を防止する目的で形成し
た。引き続き、図６のデュアルイオンビーム・スパッタ
リング装置によって硬質炭素膜を６００ｎｍ形成した。
図中２０は真空槽、２１はスパッタ・イオン源、２２は
アシスト・イオン源、２３はグラファイト・ターゲッ
ト、２４は基板、２５はガス導入系、２６は排気系であ
る。真空槽を１×１０^-7Ｔｏｒｒまで排気した後、スパ
ッタ・イオン源、アシスト・イオン源にガス導入系より
Ａｒ：２０ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を４×１０^-4Ｔｏ
ｒｒとし、スパッタ・イオン源ではイオンエネルギー１
ｋｅＶ、イオン電流密度４ｍＡ／ｃｍ²のＡｒイオンビ
ームでグラファイト・ターゲットをスパッタリングする
と同時に、アシストイオン源を用いてイオンエネルギー
２００ｅＶ、イオン電流密度０．１ｍＡ／ｃｍ²のＡｒ
イオンビームを基板にアシスト照射した。この時基板温
度は１５０℃とした。実施例１と同様に、膜の硬度を薄
膜硬度計で測定した結果、ビッカース硬度換算で２５０
０ｋｇ／ｍｍ²であった。また、ピン・オン・ディスク
法により摩擦特性を評価した。測定は相対湿度５０％の
空気中で行い、ピンとして軸受け鋼（ＳＵＪ２）の球
（直径５ｍｍ）を用い、加重１．０Ｎ、摺動速度０．０
４ｍ／ｓで行った結果、摩擦係数は０．０８であった。
なお、ＲＢＳ（ＲｕｔｈｅｒｆｏｒｄＢａｃｋｓｃａ
ｔｔｅｒｉｎｇＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で評価し
た密度は２．６ｇ／ｃｍ³で、膜中の水素濃度はＨＦＳ
（ＨｙｄｒｏｇｅｎＦｏｗａｒｄｓｃａｔｔｅｒｉｎ
ｇＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）分析の結果、１ａｔｏ
ｍ％未満であった。この後、実施例１と同様にして電極
端子部に、電極タブ、ワイヤーを接続した後、ヒーター
ホルダー部に接着してヒーターを完成した。図３は、本
発明の実施例のヒーターを用いた加熱定着装置の部分拡
大断面図である。図３において、図３と同一部分は同一
符号を付して、具体的な説明は省略する。図３におい
て、Ｇは溝、１８は硬質炭素膜を示す。

【００２１】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例１と同様に記録材の熱
定着を行った結果、実施例１と同様の安定した定着と耐
久性が得られた。

【００２２】＜実施例３＞実施例１と同様にして、絶縁
保護層上に潤滑保護膜として硬質炭素膜を形成した。図
８は、実施例１で用いたＤＣマグネトロン・スパッタリ
ング装置にアシスト・イオン源を備えた装置の模式図で
ある。図中３０は真空槽、３１はアシスト・イオンビー
ム源、３２はイオン化室、３３はガス導入系、３４はイ
オンビーム引き出し電極、３５は基体、３６はグラファ
イト・ターゲット、３７は排気系、３８はＤＣ電源であ
る。真空槽１×１０^-7Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導
入系より真空槽内とアシスト・イオン源内にそれぞれ１
００ｓｃｃｍ、３５ｓｃｃｍｍ導入し、ガス圧を６×１
０^-2Ｐａとした。放電パワー１ｋＷでグラファイトのス
パッタリングを行うと同時に、アシスト・イオン源より
イオンエネルギー３００ｅＶ、イオン電流密度０．２ｍ
Ａ／ｃｍ²のＡｒイオンビームを基板に照射して、５０
０ｎｍの硬質炭素膜を形成した。

【００２３】実施例１と同様に、膜の硬度を薄膜硬度計
で測定した結果、ビッカース硬度換算で２７００ｋｇ／
ｍｍ²であった。また、ピン・オン・ディスク法により
摩擦特性を評価した。測定は相対湿度４５％の空気中で
行い、ピンとして軸受け鋼（ＳＵＪ２）の球（直径５ｍ
ｍ）を用い、加重１．０Ｎ、摺動速度０．０４ｍ／ｓで
行った結果、摩擦係数は０．０７であった。なお、ＲＢ
Ｓ（ＲｕｔｈｅｒｆｏｒｄＢａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉ
ｎｇＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で評価した密度は
２．８ｇ／ｃｍ³で、膜中の水素濃度はＨＦＳ（Ｈｙｄ
ｒｏｇｅｎＦｏｗａｒｄｓｃａｔｔｅｒｉｎｇＳｐ
ｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）分析の結果、１ａｔｏｍ％未満
であった。この後、実施例１と同様にして電極端子部
に、電極タブ、ワイヤーを接続した後、ヒーターホルダ
ー部に接着してヒーターを完成した。以上のようにして
得られたヒーターを装着した加熱定着装置を用い、実施
例１と同様に記録材の熱定着を行った結果、実施例１と
同様の安定した定着と耐久性が得られた。

【００２４】＜実施例４＞実施例３と同様にしてヒータ
ーの絶縁保護膜上に硬質炭素膜を４５０ｎｍ形成した。
この時、アシスト・イオン源によるＡｒイオンビームの
イオン電流密度を０．２ｍＡ／ｃｍ²に固定し、イオン
エネルギーを０〜５００ｅＶの範囲で変えた以外は同一
条件とした。以上のようにして作製したヒーターをサン
プル１〜４とし、水素濃度、膜密度、膜硬度、電気抵抗
（体積抵抗率）、摩擦係数を評価した結果を表１に示し
た。この時、水素濃度はＨＦＳ分析、密度はＲＢＳ分
析、硬度は薄膜硬度計、電気抵抗は四端針法、摩擦係数
は実施例３と同一条件で評価した。

【００２５】

【表１】

【００２６】以上のようにして得られたヒーターを装着
した加熱定着装置を用い、実施例１と同様に記録材の熱
定着を行った結果、試料１〜３は実施例１と同様の安定
した定着と耐久性が得られた。試料４は定着回数の増加
に伴い部分的に微妙な膜剥離を生じた。

【００２７】＜実施例５＞実施例１と同様にして、ポリ
イミド・フィルムの両面に硬質炭素膜を５０ｎｍ形成し
た。この時の成膜条件は、実施例１と同一とした。ま
た、同様にヒーターホルダーでフィルムと接触摺動する
部分に、硬質炭素膜を２００ｎｍ形成した。以上のよう
にして得られたヒーターとフィルムからなる加熱定着装
置を用い、実施例１と同様に記録材の熱定着を行った結
果、実施例１と同様の安定した定着と耐久性が得られ
た。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、熱定着
による画像形成装置で使用される熱定着用ヒーターにお
いて、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護層あ
るいは発熱抵抗体層上、もしくはフィルム上に高硬度、
低摩擦係数である硬質炭素膜を潤滑保護膜として形成す
るものである。本発明の潤滑保護膜は、使用環境（特に
湿度）や使用時間（摺動距離）に因って摩擦係数が変化
せず、基板に対する密着性も良好である。

【００２９】本発明のヒーターによれば、ヒーターとフ
ィルム間で生じる接触摺動に対して、フィルムの摩耗を
生じることなく、安定した摺動特性を保持する極めて信
頼性、耐久性に優れたヒーターを提供することができ
る。この結果、定着スピードの高速化、定着サイズの大
型化が可能となり、ランニング・コストの低減も実現で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るヒーターの発熱抵抗体側の平面
図。

【図２】本発明に係るヒーターの背面側の平面図。

【図３】本発明の実施例におけるヒーターを用いた定着
装置の断面図。

【図４】本発明の実施例におけるヒーターの部分断面
図。

【図５】本発明の実施例で硬質炭素膜形成に用いたＤＣ
マグネトロン・スパッタ装置。

【図６】本発明の実施例２で硬質炭素膜形成に用いたデ
ュアルイオンビーム・スパッタリング装置の模式図。

【図７】本発明の実施例２におけるヒーターを用いた定
着装置の断面図。

【図８】本発明の実施例３で硬質炭素膜形成に用いたＤ
Ｃマグネトロン・スパッタ装置にアシストイオン源を具
備した成膜装置の模式図。

【符号の説明】

１：ヒーター２：セラミックス基
板３：発熱抵抗体４：電極端子部５：電極端子部６：絶縁保護層７：温度測定素子８：ヒーターホルダ
ー９：裏面断熱層１０：耐熱性フィル
ム１１：加圧ローラー１２：電極タブ１３：ロウ材１４：ワイヤー１５：定着ニップ１６：記録材１７：未定着トナー１８：硬質炭素膜２０：真空槽２１：スパッタ・イ
オン源２２：アシスト・イオン源２３：グラファイト
・ターゲット２４：基板２５：ガス導入系２６：排気系３０：真空槽３１：アシスト・イオン源３２：イオン化室３３：ガス導入系３４：イオンビーム
引き出し電極３５：基板３６：グラファイト
・ターゲット３７：排気系３８：ＤＣ電源４０：真空槽４１：基板４２：ターゲット４３：ガス導入系４４：ＤＣ電源４５：排気系

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上に通電により発熱する発熱
抵抗体を設け、該発熱抵抗体により被加熱体とともに移
動するフィルムを介して該被加熱体を加熱し、熱定着に
よる画像形成装置で使用される熱定着用ヒーターにおい
て、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護膜ある
いは発熱抵抗体上、もしくはフィルム上に硬質炭素膜を
潤滑保護膜として形成したことを特徴とする加熱定着装
置。
【請求項２】前記、硬質炭素膜における膜中水素濃度
が１ａｔ％よりも小さく、密度が２．０ｇ／ｃｍ³以上
であることを特徴とする請求項１記載の加熱定着装置。
【請求項３】絶縁性基板上に通電により発熱する発熱
抵抗体を設け、該発熱抵抗体により被加熱体とともに移
動するフィルムを介して該被加熱体を加熱し、熱定着に
よる画像形成装置で使用される熱定着用ヒーターにおい
て、フィルムと接触摺動するヒーターの絶縁保護膜ある
いは発熱抵抗体上、もしくはフィルム上に水素濃度１ａ
ｔ％未満、密度２．０ｇ／ｃｍ³以上の硬質炭素膜を潤
滑保護膜として形成することを特徴とする加熱定着装置
の製造方法。