JPH06338624A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH06338624A JPH06338624A JP5151129A JP15112993A JPH06338624A JP H06338624 A JPH06338624 A JP H06338624A JP 5151129 A JP5151129 A JP 5151129A JP 15112993 A JP15112993 A JP 15112993A JP H06338624 A JPH06338624 A JP H06338624A
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- JP
- Japan
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- thin film
- solar cell
- insulating layer
- electrode
- semiconductor thin
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造プロセス上再現性に優れ、高エネルギー
変換効率の薄膜太陽電池を提供する。 【構成】 ショットキー電極として用いる透明導電膜と
ｐ型吸収層の間に、吸収層の電子親和力と同程度あるい
はそれ以上の電子親和力をもつ高抵抗層を設けた透明電
極／絶縁層／吸収層で構成する太陽電池。
変換効率の薄膜太陽電池を提供する。 【構成】 ショットキー電極として用いる透明導電膜と
ｐ型吸収層の間に、吸収層の電子親和力と同程度あるい
はそれ以上の電子親和力をもつ高抵抗層を設けた透明電
極／絶縁層／吸収層で構成する太陽電池。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エネルギー変換効率の
高い太陽電池の構成に関する。
高い太陽電池の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の化合物薄膜を用いた太陽電池は、
図５に示すように広いバンドギャップを持つ化合物半導
体薄膜６（窓層として機能する）と狭いバンドギャップ
を持つ化合物薄膜７（吸収層として機能する）のヘテロ
接合で構成されている。通常は、太陽電池の窓層に適し
た２．４ｅＶ以上の広いバンドギャップを持つｐ型半導
体薄膜があまり存在しないことや少数キャリアの拡散長
は電子の方が長いことから、窓層としてｎ型半導体を、
また吸収層としてｐ型半導体をそれぞれ用いる。
図５に示すように広いバンドギャップを持つ化合物半導
体薄膜６（窓層として機能する）と狭いバンドギャップ
を持つ化合物薄膜７（吸収層として機能する）のヘテロ
接合で構成されている。通常は、太陽電池の窓層に適し
た２．４ｅＶ以上の広いバンドギャップを持つｐ型半導
体薄膜があまり存在しないことや少数キャリアの拡散長
は電子の方が長いことから、窓層としてｎ型半導体を、
また吸収層としてｐ型半導体をそれぞれ用いる。
【０００３】より高いエネルギー変換効率を得るために
必要とされる条件は、より多くの光電流を得るための光
学的な最適設計と界面あるいは特に吸収層においてキャ
リアの再結合のない高品質のヘテロ接合及び薄膜を作る
ことである。高品質のヘテロ界面は、窓層と吸収層の組
合せと関係が深く、従来ＣｄＳ／ＣｄＴｅ系やＣｄＳ／
ＣｕＩｎＳｅ2系において優れたヘテロ接合が得られて
いる。また、太陽電池の高効率化の試みとして、より広
いバンドギャップをもつ半導体、たとえば、図５に示し
た窓層の半導体薄膜６としてＣｄＺｎＳ等を用いること
によって、太陽光の短波長光の感度向上が図られてい
る。
必要とされる条件は、より多くの光電流を得るための光
学的な最適設計と界面あるいは特に吸収層においてキャ
リアの再結合のない高品質のヘテロ接合及び薄膜を作る
ことである。高品質のヘテロ界面は、窓層と吸収層の組
合せと関係が深く、従来ＣｄＳ／ＣｄＴｅ系やＣｄＳ／
ＣｕＩｎＳｅ2系において優れたヘテロ接合が得られて
いる。また、太陽電池の高効率化の試みとして、より広
いバンドギャップをもつ半導体、たとえば、図５に示し
た窓層の半導体薄膜６としてＣｄＺｎＳ等を用いること
によって、太陽光の短波長光の感度向上が図られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来構成の化合物薄膜
ヘテロ接合型太陽電池に共通する課題の１つは、窓層の
バンドギャップによってその太陽電池における短波長感
度がほとんど決まることである。図６のａは、図５に示
した構成の太陽電池において、ＣｄＳの窓層を用いた場
合のバンドギャップ付近における量子効率を示してい
る。またｂは、図５に示した構成の太陽電池におけるＣ
ｄＺｎＳの窓層を用いた場合のバンドギャップ付近にお
ける量子効率を示している。後者の場合においては、窓
層の広バンドギャップ化によって得られる光電流を向上
させることはできるが、窓層としてＣｄＳを用いた場合
に比べて、得られる開放端電圧は少し低下する傾向にあ
り、結果として変換効率を大きく向上させることに成功
していない。この原因は、ＣｄＺｎＳ薄膜と光吸収層半
導体で形成されたヘテロ接合の品質がＣｄＳ薄膜とその
光吸収層半導体とのものに比べて低下してしまうことに
あると考えられる。
ヘテロ接合型太陽電池に共通する課題の１つは、窓層の
バンドギャップによってその太陽電池における短波長感
度がほとんど決まることである。図６のａは、図５に示
した構成の太陽電池において、ＣｄＳの窓層を用いた場
合のバンドギャップ付近における量子効率を示してい
る。またｂは、図５に示した構成の太陽電池におけるＣ
ｄＺｎＳの窓層を用いた場合のバンドギャップ付近にお
ける量子効率を示している。後者の場合においては、窓
層の広バンドギャップ化によって得られる光電流を向上
させることはできるが、窓層としてＣｄＳを用いた場合
に比べて、得られる開放端電圧は少し低下する傾向にあ
り、結果として変換効率を大きく向上させることに成功
していない。この原因は、ＣｄＺｎＳ薄膜と光吸収層半
導体で形成されたヘテロ接合の品質がＣｄＳ薄膜とその
光吸収層半導体とのものに比べて低下してしまうことに
あると考えられる。
【０００５】さらに、バンドギャップが３．０ｅＶ以上
のＳｎＯ2やＩＴＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜と吸収層
とのショットキー接合の太陽電池も考えられる。この太
陽電池の場合は、図６のｃに示したように短波長の感度
は飛躍的に向上するが、ＣｄＳを窓層に用いた場合に比
べ、開放端電圧が若干低下するとともに製造プロセス上
の再現性にも難点がある。このことは、半導体薄膜の表
面状態や幾何学的形状に起因する。ショットキー接合
は、接合を作る半導体薄膜の相手が非常に電気伝導性の
高い膜であるために、表面状態が不均一であったりある
いはゴミなどの付着等により半導体薄膜表面に激しい凹
凸があったりすると、非常に敏感で、局部的な短絡が生
じやすく、そのことが素子全体の特性を大きく悪化させ
る原因となる。
のＳｎＯ2やＩＴＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜と吸収層
とのショットキー接合の太陽電池も考えられる。この太
陽電池の場合は、図６のｃに示したように短波長の感度
は飛躍的に向上するが、ＣｄＳを窓層に用いた場合に比
べ、開放端電圧が若干低下するとともに製造プロセス上
の再現性にも難点がある。このことは、半導体薄膜の表
面状態や幾何学的形状に起因する。ショットキー接合
は、接合を作る半導体薄膜の相手が非常に電気伝導性の
高い膜であるために、表面状態が不均一であったりある
いはゴミなどの付着等により半導体薄膜表面に激しい凹
凸があったりすると、非常に敏感で、局部的な短絡が生
じやすく、そのことが素子全体の特性を大きく悪化させ
る原因となる。
【０００６】そこで本発明は、以上のような従来技術の
問題点に鑑み、光電流および開放端電圧を共に大きくと
ることができるとともに、製造プロセス上の再現性に優
れ、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供すること
を目的とする。
問題点に鑑み、光電流および開放端電圧を共に大きくと
ることができるとともに、製造プロセス上の再現性に優
れ、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記に述べた課題は、絶
縁性基板上に形成された半導体薄膜の入光側に透明絶縁
層を介して透明電極を形成し、前記半導体薄膜の透明電
極とは反対側に非整流性の電極を形成することを特徴と
する太陽電池によって解決できる。さらに、詳しくいえ
ば、前記絶縁性基板上に形成された半導体薄膜の伝導型
がｐ型であり、かつ前記入光側に設けた絶縁層の電子親
和力が、前記半導体薄膜のそれと同程度かそれ以上とす
る。具体的には前記半導体薄膜がｐ型のＣｕＩｎＳｅ2
よりなり、前記入光側に設けた絶縁層がＺｎＯよりな
り、前記透明電極が低抵抗ＺｎＯあるいはＩＴＯ薄膜よ
りなる。また、前記半導体薄膜がｐ型のＣｄＴｅよりな
り、前記入光側に設けた絶縁層がＳｎＯ2よりなり、前
記透明電極が低抵抗ＳｎＯ2あるいはＩＴＯよりなる太
陽電池である。
縁性基板上に形成された半導体薄膜の入光側に透明絶縁
層を介して透明電極を形成し、前記半導体薄膜の透明電
極とは反対側に非整流性の電極を形成することを特徴と
する太陽電池によって解決できる。さらに、詳しくいえ
ば、前記絶縁性基板上に形成された半導体薄膜の伝導型
がｐ型であり、かつ前記入光側に設けた絶縁層の電子親
和力が、前記半導体薄膜のそれと同程度かそれ以上とす
る。具体的には前記半導体薄膜がｐ型のＣｕＩｎＳｅ2
よりなり、前記入光側に設けた絶縁層がＺｎＯよりな
り、前記透明電極が低抵抗ＺｎＯあるいはＩＴＯ薄膜よ
りなる。また、前記半導体薄膜がｐ型のＣｄＴｅよりな
り、前記入光側に設けた絶縁層がＳｎＯ2よりなり、前
記透明電極が低抵抗ＳｎＯ2あるいはＩＴＯよりなる太
陽電池である。
【０００８】
【作用】太陽電池の吸収層である半導体薄膜の入光側に
絶縁層を介して透明電極を形成する構成によって、半導
体薄膜表面の状態に大きく左右されるという従来からの
製造プロセスの安定性における困難を取り除き、ショッ
トキー接合による太陽電池の製造を容易にし、かつ３．
０ｅＶ以上の短波長光を取り込める構造を実現し、結果
として高いエネルギー変換効率を得ることが可能とな
る。
絶縁層を介して透明電極を形成する構成によって、半導
体薄膜表面の状態に大きく左右されるという従来からの
製造プロセスの安定性における困難を取り除き、ショッ
トキー接合による太陽電池の製造を容易にし、かつ３．
０ｅＶ以上の短波長光を取り込める構造を実現し、結果
として高いエネルギー変換効率を得ることが可能とな
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１およ
び図２は本発明の太陽電池の構成例を示している。図１
と図２は、太陽光の入射が上部電極側から行なわれる構
成か下部電極側から行なわれる構成かの相違だけで本質
的な違いはない。以下に図１の構成について説明する。
絶縁性基板としてガラス基板を用いる。この基板１に形
成したＭｏ電極２の上にＣｕ、ＩｎおよびＳｅの三源蒸
着法によってｐ型の半導体ＣｕＩｎＳｅ2薄膜３を２−
３μｍ程度の膜厚に形成する。そのあと、スパッタ法に
よって絶縁層４として高抵抗のＺｎＯ薄膜を形成し、続
いて透明導電膜５とショットキー電極を兼ねるＡｌをド
ープした低抵抗ＺｎＯ薄膜あるいはＩＴＯ薄膜をスパッ
タ法等により形成する。ＺｎＯの電子親和力は、ＣｕＩ
ｎＳｅ2と同程度であり、本発明の構成を実現する材料
としては、好適である。高抵抗ＺｎＯ薄膜の厚さは、太
陽電池の特性に敏感である。安定した太陽電池特性を得
るためには、その膜厚として５００オングストローム程
度以上必要であり、５００オングストローム程度以上
０．５μｍ以下の膜厚において最適な太陽電池特性を得
ることができる。その膜厚がさらに厚くなると、太陽電
池特性における短絡光電流の低下と曲線因子の劣化が生
じ、エネルギー変換効率が低下する。
び図２は本発明の太陽電池の構成例を示している。図１
と図２は、太陽光の入射が上部電極側から行なわれる構
成か下部電極側から行なわれる構成かの相違だけで本質
的な違いはない。以下に図１の構成について説明する。
絶縁性基板としてガラス基板を用いる。この基板１に形
成したＭｏ電極２の上にＣｕ、ＩｎおよびＳｅの三源蒸
着法によってｐ型の半導体ＣｕＩｎＳｅ2薄膜３を２−
３μｍ程度の膜厚に形成する。そのあと、スパッタ法に
よって絶縁層４として高抵抗のＺｎＯ薄膜を形成し、続
いて透明導電膜５とショットキー電極を兼ねるＡｌをド
ープした低抵抗ＺｎＯ薄膜あるいはＩＴＯ薄膜をスパッ
タ法等により形成する。ＺｎＯの電子親和力は、ＣｕＩ
ｎＳｅ2と同程度であり、本発明の構成を実現する材料
としては、好適である。高抵抗ＺｎＯ薄膜の厚さは、太
陽電池の特性に敏感である。安定した太陽電池特性を得
るためには、その膜厚として５００オングストローム程
度以上必要であり、５００オングストローム程度以上
０．５μｍ以下の膜厚において最適な太陽電池特性を得
ることができる。その膜厚がさらに厚くなると、太陽電
池特性における短絡光電流の低下と曲線因子の劣化が生
じ、エネルギー変換効率が低下する。
【００１０】図３は高抵抗ＺｎＯ薄膜の厚さを変えた場
合の太陽電池特性を示している。図中ｂは、高抵抗Ｚｎ
Ｏ薄膜層の厚さが５００オングストローム程度以上０．
５μｍ以下の場合の太陽電池特性を示しており、開放端
電圧、短絡光電流、曲線因子のいずれにおいても特性が
安定しており、エネルギー変換効率も１２〜１３％と高
い。図中ａは、高抵抗ＺｎＯ薄膜層の厚さが５００オン
グストローム未満の薄い場合の太陽電池特性を示してお
り、逆バイアス時における漏れ電流が大きく、従ってシ
ャント抵抗が小さく、開放端電圧、短絡光電流、曲線因
子のいずれにおいても特性が不十分である。図中ｃは、
高抵抗ＺｎＯ薄膜層の厚さが０．５μｍを越える膜厚の
場合の太陽電池特性を示しており、先に述べたように、
ＺｎＯ高抵抗層の直列抵抗のために短絡光電流の低下と
曲線因子の劣化が生じている。
合の太陽電池特性を示している。図中ｂは、高抵抗Ｚｎ
Ｏ薄膜層の厚さが５００オングストローム程度以上０．
５μｍ以下の場合の太陽電池特性を示しており、開放端
電圧、短絡光電流、曲線因子のいずれにおいても特性が
安定しており、エネルギー変換効率も１２〜１３％と高
い。図中ａは、高抵抗ＺｎＯ薄膜層の厚さが５００オン
グストローム未満の薄い場合の太陽電池特性を示してお
り、逆バイアス時における漏れ電流が大きく、従ってシ
ャント抵抗が小さく、開放端電圧、短絡光電流、曲線因
子のいずれにおいても特性が不十分である。図中ｃは、
高抵抗ＺｎＯ薄膜層の厚さが０．５μｍを越える膜厚の
場合の太陽電池特性を示しており、先に述べたように、
ＺｎＯ高抵抗層の直列抵抗のために短絡光電流の低下と
曲線因子の劣化が生じている。
【００１１】次に図２の構成について説明する。まず、
透明な絶縁性基板としてのガラス基板１１上に透明導電
膜１５およびショットキー電極として０．３μｍ厚のＩ
ＴＯ電極を形成する。そのあと、スパッタ法によって絶
縁層１４として高抵抗のＳｎＯ2薄膜を形成し、その上
に蒸着法によりｐ型の半導体ＣｄＴｅ薄膜１３を３−５
μｍ程度の膜厚に形成する。薄膜１３上にはＭｏ電極１
２を形成する。ＳｎＯ2の電子親和力は、ＣｄＴｅと同
程度であり、本発明の構成を実現する材料としては、好
適である。高抵抗ＳｎＯ2薄膜の厚さは、太陽電池の特
性に敏感である。安定した太陽電池特性を得るために
は、その膜厚として５００オングストローム程度以上必
要であり、５００オングストローム程度以上０．５μｍ
以下の膜厚において最適な太陽電池特性を得ることがで
きる。その膜厚がさらに厚くなると、太陽電池特性にお
ける短絡光電流の低下と曲線因子の劣化が生じ、エネル
ギー変換効率が低下する。
透明な絶縁性基板としてのガラス基板１１上に透明導電
膜１５およびショットキー電極として０．３μｍ厚のＩ
ＴＯ電極を形成する。そのあと、スパッタ法によって絶
縁層１４として高抵抗のＳｎＯ2薄膜を形成し、その上
に蒸着法によりｐ型の半導体ＣｄＴｅ薄膜１３を３−５
μｍ程度の膜厚に形成する。薄膜１３上にはＭｏ電極１
２を形成する。ＳｎＯ2の電子親和力は、ＣｄＴｅと同
程度であり、本発明の構成を実現する材料としては、好
適である。高抵抗ＳｎＯ2薄膜の厚さは、太陽電池の特
性に敏感である。安定した太陽電池特性を得るために
は、その膜厚として５００オングストローム程度以上必
要であり、５００オングストローム程度以上０．５μｍ
以下の膜厚において最適な太陽電池特性を得ることがで
きる。その膜厚がさらに厚くなると、太陽電池特性にお
ける短絡光電流の低下と曲線因子の劣化が生じ、エネル
ギー変換効率が低下する。
【００１２】図５は高抵抗ＳｎＯ2薄膜の厚さに関する
太陽電池特性の依存性を示している。図中ｂは、高抵抗
ＳｎＯ2薄膜層の厚さが５００オングストローム程度以
上０．５μｍ以下の膜厚における場合の太陽電池特性を
示しており、開放端電圧、短絡光電流、曲線因子のいず
れにおいても特性が安定しており、エネルギー変換効率
も１２〜１３％と高い。図中ａは、高抵抗ＳｎＯ2薄膜
層の厚さが５００オングストローム未満の薄い場合の太
陽電池特性を示しており、逆バイアス時における漏れ電
流が大きく、従ってシャント抵抗が小さく、開放端電
圧、短絡光電流、曲線因子のいずれにおいても特性が不
十分である。図中ｃは、高抵抗ＳｎＯ2薄膜層の厚さが
０．５μｍを越える膜厚の場合の太陽電池特性を示して
おり、先に述べたように、ＳｎＯ2高抵抗層の直列抵抗
のために短絡光電流の低下と曲線因子の劣化が生じてい
る。
太陽電池特性の依存性を示している。図中ｂは、高抵抗
ＳｎＯ2薄膜層の厚さが５００オングストローム程度以
上０．５μｍ以下の膜厚における場合の太陽電池特性を
示しており、開放端電圧、短絡光電流、曲線因子のいず
れにおいても特性が安定しており、エネルギー変換効率
も１２〜１３％と高い。図中ａは、高抵抗ＳｎＯ2薄膜
層の厚さが５００オングストローム未満の薄い場合の太
陽電池特性を示しており、逆バイアス時における漏れ電
流が大きく、従ってシャント抵抗が小さく、開放端電
圧、短絡光電流、曲線因子のいずれにおいても特性が不
十分である。図中ｃは、高抵抗ＳｎＯ2薄膜層の厚さが
０．５μｍを越える膜厚の場合の太陽電池特性を示して
おり、先に述べたように、ＳｎＯ2高抵抗層の直列抵抗
のために短絡光電流の低下と曲線因子の劣化が生じてい
る。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、製造プロ
セス上の再現性に優れ、エネルギー変換効率の高い太陽
電池を得ることができる。
セス上の再現性に優れ、エネルギー変換効率の高い太陽
電池を得ることができる。
【図１】本発明の実施例の太陽電池の構成を示す縦断面
図である。
図である。
【図２】本発明の他の実施例の太陽電池の構成を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図３】ＣｕＩｎＳｅ2を用いた太陽電池の特性の比較
を示す図である。
を示す図である。
【図４】ＣｄＴｅを用いた太陽電池の特性の比較を示す
図である。
図である。
【図５】従来の太陽電池の接合部の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】従来の太陽電池の量子効率を示す図である。
【符号の説明】 １、１１ 絶縁性基板 ２、１２ 透明導電膜 ３、１３ 吸収層（ｐ型半導体） ４、１４ 窓層（ｎ型半導体） ５、１５ 透明絶縁層
フロントページの続き (72)発明者 和田 隆博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性基板、前記基板上に形成された半
導体薄膜、前記半導体薄膜の入光側に透明絶縁層を介し
て形成された透明電極および前記半導体薄膜の透明電極
とは反対側に形成された非整流性の電極を具備すること
を特徴とする太陽電池。 - 【請求項２】 前記半導体薄膜の伝導型がｐ型であり、
かつ前記入光側に設けた絶縁層の電子親和力が、前記半
導体薄膜のそれと同程度かそれ以上である請求項１記載
の太陽電池。 - 【請求項３】 前記半導体薄膜がｐ型のＣｕＩｎＳｅ2
よりなり、前記入光側に設けた絶縁層がＺｎＯよりな
り、前記透明電極が低抵抗ＺｎＯあるいはＩＴＯ薄膜よ
りなる請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項４】 前記入光側に設けた絶縁層のＺｎＯの厚
さが５００オングストローム以上０．５μｍ以下である
請求項３記載の太陽電池。 - 【請求項５】 前記半導体薄膜がｐ型のＣｄＴｅよりな
り、前記入光側に設けた絶縁層がＳｎＯ2よりなり、前
記透明電極が低抵抗ＳｎＯ2あるいはＩＴＯよりなる請
求項１記載の太陽電池。 - 【請求項６】 前記入光側に設けた絶縁層のＳｎＯ2の
厚さが５００オングストローム以上０．５μｍ以下であ
る請求項５記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5151129A JPH06338624A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5151129A JPH06338624A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338624A true JPH06338624A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15512004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5151129A Pending JPH06338624A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10475939B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-11-12 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive oxide film, photoelectric conversion element, and method for producing photoelectric conversion element |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP5151129A patent/JPH06338624A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10475939B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-11-12 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive oxide film, photoelectric conversion element, and method for producing photoelectric conversion element |
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