JPH06333906A - 超音波洗浄装置 - Google Patents
超音波洗浄装置Info
- Publication number
- JPH06333906A JPH06333906A JP14431793A JP14431793A JPH06333906A JP H06333906 A JPH06333906 A JP H06333906A JP 14431793 A JP14431793 A JP 14431793A JP 14431793 A JP14431793 A JP 14431793A JP H06333906 A JPH06333906 A JP H06333906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- vibrator
- tank
- ultrasonic
- cleaning tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄槽内に生ずる定在波のキャビテーション
発生位置を変化させることにより、パーティクルの発生
を抑止し、被洗浄物の洗浄むらを低減する。 【構成】 洗浄槽１と、この洗浄槽１の底部に設けられ
た振動子２と、前記振動子２に対向して設けられ、前記
洗浄槽１内の洗浄液中で前記振動子２に接近または離間
する方向へ移動する反射板３とで構成し、反射板３の移
動によって洗浄槽１内に生ずる定在波の波長を変化させ
る。
発生位置を変化させることにより、パーティクルの発生
を抑止し、被洗浄物の洗浄むらを低減する。 【構成】 洗浄槽１と、この洗浄槽１の底部に設けられ
た振動子２と、前記振動子２に対向して設けられ、前記
洗浄槽１内の洗浄液中で前記振動子２に接近または離間
する方向へ移動する反射板３とで構成し、反射板３の移
動によって洗浄槽１内に生ずる定在波の波長を変化させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの洗浄
などに使用される超音波洗浄装置に関する。
などに使用される超音波洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおける洗浄工程で
は、半導体ウェーハの表面に付着した粒子、有機物、金
属不純物などの汚れを除去するために、超音波洗浄装置
が用いられている。従来の超音波洗浄装置は、図３に示
すように、底部１ａに振動子２が取り付けられた筺形の
洗浄槽１によって構成されていた。この超音波洗浄装置
によると、洗浄槽１内に充填された洗浄液中に半導体ウ
ェーハを浸漬し、振動子２で発生した超音波振動を洗浄
液に伝え、この振動によって半導体ウェーハの表面を洗
浄することができる。ここで、洗浄液中に伝わった超音
波振動は、洗浄液の液面で反射して共振状態を形成す
る。したがって、洗浄槽内には一定の定在波ａが生じて
いる。
は、半導体ウェーハの表面に付着した粒子、有機物、金
属不純物などの汚れを除去するために、超音波洗浄装置
が用いられている。従来の超音波洗浄装置は、図３に示
すように、底部１ａに振動子２が取り付けられた筺形の
洗浄槽１によって構成されていた。この超音波洗浄装置
によると、洗浄槽１内に充填された洗浄液中に半導体ウ
ェーハを浸漬し、振動子２で発生した超音波振動を洗浄
液に伝え、この振動によって半導体ウェーハの表面を洗
浄することができる。ここで、洗浄液中に伝わった超音
波振動は、洗浄液の液面で反射して共振状態を形成す
る。したがって、洗浄槽内には一定の定在波ａが生じて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の超音波
洗浄装置は、液面が超音波振動の反射面であったが、こ
の液面は洗浄作業中ほぼ一定の位置となっている。した
がって、洗浄槽内に生じた定在波の波長は一定であるた
め、洗浄液中でのキャビテーションｃの発生位置も常に
一定となる。その結果、洗浄槽内に設置されているヒー
タなどの治具が常に同じ状態でキャビテーションを受
け、これがパーティクル（微粒子）発生の原因となり、
洗浄むらを引き起こしていた。本発明は、このような従
来技術の課題を解決するためになされたもので、キャビ
テーションの発生位置を変化させることによりパーティ
クルの発生を抑止し、被洗浄物の洗浄むらを低減できる
超音波洗浄装置の提供を目的とする。
洗浄装置は、液面が超音波振動の反射面であったが、こ
の液面は洗浄作業中ほぼ一定の位置となっている。した
がって、洗浄槽内に生じた定在波の波長は一定であるた
め、洗浄液中でのキャビテーションｃの発生位置も常に
一定となる。その結果、洗浄槽内に設置されているヒー
タなどの治具が常に同じ状態でキャビテーションを受
け、これがパーティクル（微粒子）発生の原因となり、
洗浄むらを引き起こしていた。本発明は、このような従
来技術の課題を解決するためになされたもので、キャビ
テーションの発生位置を変化させることによりパーティ
クルの発生を抑止し、被洗浄物の洗浄むらを低減できる
超音波洗浄装置の提供を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の超音波洗浄装置は、洗浄槽と、この洗浄槽
の底部に設けられた振動子と、前記振動子に対向して設
けられ、前記洗浄槽内の洗浄液中で前記振動子に接近ま
たは離間する方向へ移動する反射板とを備えている。
に、本発明の超音波洗浄装置は、洗浄槽と、この洗浄槽
の底部に設けられた振動子と、前記振動子に対向して設
けられ、前記洗浄槽内の洗浄液中で前記振動子に接近ま
たは離間する方向へ移動する反射板とを備えている。
【０００５】
【作用】本発明の超音波洗浄装置では、振動子から発射
した超音波振動は、洗浄液中に設けられた反射板で反射
を繰り返す。この反射板は振動子に接近または離間する
方向へ移動するため、その移動にともない反射板と振動
子の間の距離が変化する。したがって、この間に形成さ
れる定在波の波長が変わるため、キャビテーションの発
生位置を変化させることができる。
した超音波振動は、洗浄液中に設けられた反射板で反射
を繰り返す。この反射板は振動子に接近または離間する
方向へ移動するため、その移動にともない反射板と振動
子の間の距離が変化する。したがって、この間に形成さ
れる定在波の波長が変わるため、キャビテーションの発
生位置を変化させることができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の実施例に係る超音波洗浄
装置を示す断面正面図である。この超音波洗浄装置は、
筺形の洗浄槽１、振動子２、反射板３によって主要部分
が構成されている。洗浄槽１の上部は開口しており、こ
の開口部１ｂからバスケット４に装着された半導体ウェ
ーハ５が挿入される。洗浄槽１の内底部付近には、加熱
用のヒータ６が設置されており、洗浄槽１内に充填され
る洗浄液を所望の温度に調節できるようになっている。
振動子２は、洗浄槽１の底部１ａに固定して設けられて
おり、所定振動数の超音波を発生する。振動子２の超音
波発射面２ａは洗浄槽１内に充填される洗浄液と接触
し、超音波振動を洗浄液中に伝える。
して説明する。図１は本発明の実施例に係る超音波洗浄
装置を示す断面正面図である。この超音波洗浄装置は、
筺形の洗浄槽１、振動子２、反射板３によって主要部分
が構成されている。洗浄槽１の上部は開口しており、こ
の開口部１ｂからバスケット４に装着された半導体ウェ
ーハ５が挿入される。洗浄槽１の内底部付近には、加熱
用のヒータ６が設置されており、洗浄槽１内に充填され
る洗浄液を所望の温度に調節できるようになっている。
振動子２は、洗浄槽１の底部１ａに固定して設けられて
おり、所定振動数の超音波を発生する。振動子２の超音
波発射面２ａは洗浄槽１内に充填される洗浄液と接触
し、超音波振動を洗浄液中に伝える。
【０００７】反射板３は、少なくとも反射面３ａが超音
波振動を反射する材料（例えば、石英ガラス）で構成さ
れており、振動子２の超音波発射面２ａに対向して洗浄
槽１内の洗浄液中に配置される。ここで、反射板３の反
射面３ａは、振動子２の超音波発射面２ａに対してわず
かな傾きを設けておくことが好ましい。このように傾き
を設けることにより、部分的なキャビテーションの発生
を防止し、特定の部位に強度が集中することを防止する
ことができる。反射板３の上面中央部には駆動ロッド７
が取り付けてあり、カム装置などの駆動装置（図示せ
ず）と連結している。この駆動装置の駆動力によって、
反射板３は振動子２に対して接近または離間する方向へ
往復運動する。なお、往復運動が洗浄槽１内に充填され
た洗浄液中で行われるように、反射板３の移動距離を設
定しておく。この移動距離は、洗浄液中に生じる定在波
の最大波長の１／２程度で十分である。
波振動を反射する材料（例えば、石英ガラス）で構成さ
れており、振動子２の超音波発射面２ａに対向して洗浄
槽１内の洗浄液中に配置される。ここで、反射板３の反
射面３ａは、振動子２の超音波発射面２ａに対してわず
かな傾きを設けておくことが好ましい。このように傾き
を設けることにより、部分的なキャビテーションの発生
を防止し、特定の部位に強度が集中することを防止する
ことができる。反射板３の上面中央部には駆動ロッド７
が取り付けてあり、カム装置などの駆動装置（図示せ
ず）と連結している。この駆動装置の駆動力によって、
反射板３は振動子２に対して接近または離間する方向へ
往復運動する。なお、往復運動が洗浄槽１内に充填され
た洗浄液中で行われるように、反射板３の移動距離を設
定しておく。この移動距離は、洗浄液中に生じる定在波
の最大波長の１／２程度で十分である。
【０００８】次に、上述した超音波洗浄装置の作用を説
明する。洗浄槽１内には、あらかじめ純水または薬液等
の洗浄液を上端近くまで充填しておく。次いで、バスケ
ット４に装着した半導体ウェーハ５を洗浄槽１内に挿入
し、振動子２を作動させる。振動子２で発生した超音波
振動は、超音波発射面２ａから洗浄槽１内の洗浄液中に
伝わり、半導体ウェーハ５の表面に付着していた粒子、
有機物、金属不純物等の汚れを除去する。
明する。洗浄槽１内には、あらかじめ純水または薬液等
の洗浄液を上端近くまで充填しておく。次いで、バスケ
ット４に装着した半導体ウェーハ５を洗浄槽１内に挿入
し、振動子２を作動させる。振動子２で発生した超音波
振動は、超音波発射面２ａから洗浄槽１内の洗浄液中に
伝わり、半導体ウェーハ５の表面に付着していた粒子、
有機物、金属不純物等の汚れを除去する。
【０００９】振動子２から発射された超音波振動は、反
射板３と超音波発射面２ａとの間で反射を繰り返し、洗
浄液中で共振状態を形成する。このため洗浄槽１内に
は、図２に示すように一定の定在波ａが生じる。この定
在波ａの波長は、振動子２の励振周波数と、反射板３と
超音波発射面２ａとの間の距離によって決まる。洗浄作
業中、反射板３は図示しない駆動装置によって洗浄液中
を往復運動しており、振動子２に対して接近、離間を繰
り返す。このため、洗浄液中の定在波の波長が変わり
（図２のａ，ｂ参照）、それにともないキャビテーショ
ンｃの発生位置も変化する。ゆえに、洗浄槽１内に設け
られたヒータ６等の治具がキャビテーションを受ける位
置にも変化が生じ、その結果、パーティクルの発生が抑
止される。なお、本発明は上述した実施例に限定される
ものではなく、要旨を変更しない範囲で種々の変形また
は応用が可能である。例えば、半導体ウェーハを装着し
たバスケットを洗浄槽内で上下に移動させれば、半導体
ウェーハに対するキャビテーションの作用位置も変化さ
せることができ、一層効果的に洗浄むらを防止すること
ができる。
射板３と超音波発射面２ａとの間で反射を繰り返し、洗
浄液中で共振状態を形成する。このため洗浄槽１内に
は、図２に示すように一定の定在波ａが生じる。この定
在波ａの波長は、振動子２の励振周波数と、反射板３と
超音波発射面２ａとの間の距離によって決まる。洗浄作
業中、反射板３は図示しない駆動装置によって洗浄液中
を往復運動しており、振動子２に対して接近、離間を繰
り返す。このため、洗浄液中の定在波の波長が変わり
（図２のａ，ｂ参照）、それにともないキャビテーショ
ンｃの発生位置も変化する。ゆえに、洗浄槽１内に設け
られたヒータ６等の治具がキャビテーションを受ける位
置にも変化が生じ、その結果、パーティクルの発生が抑
止される。なお、本発明は上述した実施例に限定される
ものではなく、要旨を変更しない範囲で種々の変形また
は応用が可能である。例えば、半導体ウェーハを装着し
たバスケットを洗浄槽内で上下に移動させれば、半導体
ウェーハに対するキャビテーションの作用位置も変化さ
せることができ、一層効果的に洗浄むらを防止すること
ができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の超音波洗
浄装置によれば、超音波振動の反射板を洗浄液内で移動
させることにより、キャビテーションの発生位置を変化
させることができ、その結果、パーティクルの発生を抑
止し、被洗浄物の洗浄むらを低減できる
浄装置によれば、超音波振動の反射板を洗浄液内で移動
させることにより、キャビテーションの発生位置を変化
させることができ、その結果、パーティクルの発生を抑
止し、被洗浄物の洗浄むらを低減できる
【図１】本発明の実施例に係る超音波洗浄装置を示す断
面正面図である。
面正面図である。
【図２】同装置の洗浄槽内に発生する定在波の変化を示
す断面正面図である。
す断面正面図である。
【図３】従来技術を示す断面正面図である。
１ 洗浄槽 ２ 振動子 ３ 反射板 ５ 半導体ウェーハ
Claims (1)
- 【請求項１】 洗浄槽と、この洗浄槽の底部に設けられ
た振動子と、前記振動子に対向して設けられ、前記洗浄
槽内の洗浄液中で前記振動子に接近または離間する方向
へ移動する反射板とを備えたことを特徴とする超音波洗
浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14431793A JPH06333906A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 超音波洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14431793A JPH06333906A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 超音波洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333906A true JPH06333906A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=15359281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14431793A Pending JPH06333906A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 超音波洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333906A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007125516A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Denso Corp | 超音波洗浄方法及び超音波洗浄装置 |
| CN102513305A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片的清洗装置及其清洗方法 |
| US8685168B2 (en) | 2008-06-06 | 2014-04-01 | Industrial Technology Research Institute | Method for removing micro-debris and device of the same |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP14431793A patent/JPH06333906A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007125516A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Denso Corp | 超音波洗浄方法及び超音波洗浄装置 |
| US7757701B2 (en) | 2005-11-07 | 2010-07-20 | Denso Corporation | Ultrasonic cleaning method and device |
| JP4591316B2 (ja) * | 2005-11-07 | 2010-12-01 | 株式会社デンソー | 超音波洗浄方法及び超音波洗浄装置 |
| US8685168B2 (en) | 2008-06-06 | 2014-04-01 | Industrial Technology Research Institute | Method for removing micro-debris and device of the same |
| CN102513305A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片的清洗装置及其清洗方法 |
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