JPH06333891A - 基板研磨装置および基板保持台 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】研磨レートの均一性を向上させる基板研磨装置
および基板保持台を提供する。 【構成】支持台２に基板１を支持し、該基板面および／
又は該基板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被研
磨部として研磨する基板研磨装置において、前記被研磨
部を研磨する研磨プレート６を複数の領域３６ａ〜３６
ｉに分け、前記基板１への前記研磨プレート６の押し付
け圧力を各領域においてコントロール可能にせしめる。
一方、基板保持台２には基板１を収容する凹部２ａを設
ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板研磨装置および基
板保持台に係り、特に多層配線を有する半導体装置での
複雑な段差を有する基板や、その上に形成された薄膜を
均一性良く研磨して平坦化するのに好適な基板研磨装置
および基板保持台に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造において、半導体基板
等の基板上に生じた凹凸を平坦化するための研磨技術
は、重要な技術の一つである。

【０００３】近年、半導体装置の分野ではデバイスの大
容量化が進んでいるが、そのデバイスを構成するチップ
面積をなるべく小さくして大容量化を図るためには多層
配線技術が必要である。この多層配線技術においては、
多層配線の段切れを防止するため下地の平坦化が重要で
ある。なぜならば下地に凹凸があると、これにより段差
が生じ、この段差上に形成される配線が切れる、いわゆ
る段切れ等の不具合が発生するからである。この平坦化
を良好に行うには、初期工程からの平坦化が重要とな
る。

【０００４】次世代以降の０．３５μｍルール以下とい
う半導体装置の微細化に伴い、リソグラフィープロセス
におけるＤＯＦ（Ｄepth of Ｆocus：焦点深度）が減少
し、絶対膜厚段差をなくす必要性が出てきた。このよう
な要請にはグローバルな平坦化をめざすデバイスプロセ
スが必須である。

【０００５】しかしながら、従来平坦化に用いられてい
たＣＶＤ法（化学的気相成長法）では、単に段差を有す
る溝等に単にＳｉＯ₂等をＣＶＤ法により埋め込み、全
体的な凹凸をゆるめるようにして平坦化がなされている
が、全体的には完全な平坦化がなされない。このよう
に、従来のＣＶＤ法を用いた平坦化法ではグローバル平
坦化が原理的に困難であった。そのためにグローバル平
坦化が行えるポリッシュプロセスが注目されている。

【０００６】この平坦化のため、半導体基板の一面に溝
（トレンチ）を堀り、その溝を絶縁物で埋め込んで素子
分離を行う、いわゆるトレンチアイソレーション構造が
知られている。このトレンチアイソレーション構造は、
絶縁物を溝に埋め込んだ後、溝部以外に形成された余分
な絶縁物からなる凸部を除去して基板面を平坦化する必
要がある。ただし、このトレンチアイソレーション技術
を実用化することは、溝幅の広狭によっても平坦化の良
否が変わる。例えば、溝をポリシリコン（ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ）あるいは二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等の絶縁物で
埋め込む場合、溝幅が狭い所では表面が平坦な位置に埋
めることができるが、溝幅が広い所、特に深さに比べて
幅が広い所では溝部以外の余分な埋め込み材料をエッチ
バックしても溝の中央部に凹みが残る。

【０００７】図６は従来のウェハー保持装置および研磨
装置断面図である。図６に示すように、ウェハーを研磨
するための装置はウェハー１を保持するためのウェハー
保持装置１０と、ウェハー１表面を研磨するウェハー研
磨装置１１とから構成されている。ウェハー保持装置１
０はウェハー１を吸着保持するための金属からなるウェ
ハー保持台２とウェハー１を回転するためのウェハー保
持台回転軸３とから構成されている。一方、ウェハー研
磨装置１１は研磨材としてのスラリー４を載置するため
の研磨パッド５と、この研磨パッド５を支持するための
研磨プレート６と、研磨プレート６を回転するための研
磨プレート回転軸７と、スラリー４を研磨パッド５に供
給するためのスラリー導入管８とから構成されている。

【０００８】以下、上述した平坦化のためのトレンチア
イソレーション工程を図７のトレンチアイソレーション
工程断面図を用いて説明する。

【０００９】まず図７（ａ）に示すように、シリコン等
からなる半導体基板２１上に薄いパッド酸化膜２２およ
び薄いシリコン窒化膜２３を形成した後、フォトリソグ
ラフィおよびＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により
溝２５を形成し、その後、熱酸化により溝２５の表面お
よび側面に熱酸化膜２４を形成する。

【００１０】その後、図７（ｂ）に示すように、基板２
１の上方全面に溝の埋め込み材料である有機金属化合物
のプラズマ反応により層間膜２６を形成する。次に図６
に示した研磨装置を用いて溝２５以外の領域の層間膜２
６をシリコン窒化膜２３をストッパーとして研磨除去し
て、図７（ｃ）に示すように層間膜２６ａを平坦化す
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】図６に示した従来のウ
ェハー研磨装置１１では、ウェハー１より十分広い研磨
プレート６（パッド）上に、ウェハー保持台２に密着し
たウェハー１を所定の圧力で押し付けながら研磨を行っ
ている。

【００１２】実際にウェハー研磨時にウェハーにかかる
圧力を考慮すれば、ウェハーの中心部より周辺部の方が
圧力が高い。この理由は研磨パッド５がウェハー１の押
し付け圧力により摩耗、変形するためである。

【００１３】また、図６に示したウェハー保持装置１０
によりウェハー１は一定の回転数で回転するので、ウェ
ハー１の内周よりも外周の方が回転速度が速くなり、し
かも研磨材としてのスラリー４がウェハー１の中央部に
行き渡り難く面内分布が悪化するので、ウェハー周辺部
の研磨レートが速くなる。特に、最近のウェハーの大口
径化に伴い、ウェハーの中心と周辺の圧力差が更に増大
し、そのため研磨レートがウェハー周辺部と中央部で極
端に差がつく。

【００１４】従って、図６に示した研磨装置では、図７
（ｃ）の層間膜２６ａの平坦化の均一性が保たれず、半
導体装置の特性上問題となる。

【００１５】そこで本発明は、研磨レートの均一性を向
上させる基板研磨装置および基板保持台を提供すること
を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題は請求項１の本
発明によれば、支持台に基板を支持し、該基板面および
／又は該基板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被
研磨部として研磨する基板研磨装置において、前記被研
磨部を研磨する研磨プレートの直径が該基板の直径の１
／２以下であり、且つ該研磨プレートを一つの基板に対
して複数具備してなることを特徴とする基板研磨装置に
よって解決される。

【００１７】更に、上記課題は請求項２の本発明によれ
ば、支持台に基板を支持し、該基板面および／又は該基
板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被研磨部とし
て研磨する基板研磨装置において、前記被研磨部を研磨
する研磨プレートを複数の領域に分け、前記基板への前
記研磨プレートの押し付け圧力を各領域においてコント
ロール可能にせしめたことを特徴とする基板研磨装置に
よって解決される。

【００１８】上述した請求項２の発明において、複数の
領域が同心円状に配設されてなるのが有効である。

【００１９】また、上記課題は請求項４の本発明によれ
ば、被研磨材としての基板を保持する基板保持台であっ
て、該基板保持台に該基板を収容するための凹部を設け
たことを特徴とする基板保持台によって解決される。

【００２０】上述した請求項４の発明において、凹部の
深さが前記基板の厚さに対応して変えられるように構成
されているのが好ましい。

【００２１】

【作用】請求項１の発明によれば、被研磨部を研磨する
研磨プレート６ａ，６ｂの直径が該基板の直径の１／２
以下であり、且つ該研磨プレートを一つの基板（ウェハ
ー）１に対して複数具備してなっている。すなわち、研
磨プレート６ａ，６ｂを基板１より小さくすることによ
り研磨プレート内の周辺部と中心部の圧力差を小さくす
ることができる。研磨プレートによるウェハーに対する
押し付け圧力に差が生じる原因は、研磨プレート上に設
けられた研磨パッド５ａ，５ｂの表面形状の変形による
ものであるが、その変形を研磨プレート６ａ，６ｂを小
さくし、ほとんどパッドがウェハー１の外にはみ出さな
いようにすることにより防止できる。特に、本発明では
研磨プレートが複数より好ましくは偶数（対をなし
て）、点対称位置に配されているため、研磨パッド５
ａ，５ｂ従って研磨プレート６ａ，６ｂの押し付け圧力
が均一化できる。このように、本発明では研磨パッドの
変形による圧力差をより低減することができ、ポリッシ
ュレートの分布を向上させることができる。本発明で
は、当然のことながら小さな研磨プレート６ａ，６ｂは
研磨プレート押え機構３１の回転軸３０の回転移動によ
りウェハー１上を均等に動き回ることが必要である。

【００２２】次に、請求項２の発明によれば、被研磨部
を研磨する研磨プレート６を複数の領域３６ａ〜３６ｉ
に分け、基板（ウェハー）１への研磨プレートの押し付
け圧力を各領域においてコントロール可能にせしめてい
る。この発明では、上述した研磨パッド５の変形による
ウェハー１への圧力差を考慮して周辺の圧力を予め少な
くした後に研磨を行い、ポリッシュレート分布を向上さ
せることができる。

【００２３】請求項３の発明では、上述した請求項２の
発明において、上記複数の領域が同心円状に配設されて
いる。すなわち、この発明では複数領域（研磨圧力内部
コントロールゾーン４０と研磨圧力外部コントロールゾ
ーン４１の二重）を同心円状にすることにより領域の数
が減少せしめられ、その機構を単純化させることができ
る。

【００２４】更に、請求項４の発明では、基板１を保持
する基板保持台２に基板１を収容するための凹部２ａを
設けている。この発明ではウェハー１の周辺部に生じて
いたウェハーの厚みによるウェハーと保持台の段差によ
る研磨圧力の増大を抑制し、ポリッシュレート分布を向
上させることができる。

【００２５】請求項５の発明では上述した請求項４の発
明において、前記凹部の深さが基板１の厚さに対応して
変えられるように構成されている。

【００２６】そのため、基板（ウェハー）の厚さが異な
っても保持台を取り替える必要がない。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。

【００２８】実施例１ 図１は本発明の請求項１に係る基板研磨装置の実施例を
示す。図１に示すように、基本的構成は図６に示した従
来の基板研磨装置においてウェハー保持台と研磨プレー
トの配置を上下逆さにし、しかも研磨プレートを複数
（本実施例では２セット）点対称に具備したものであ
る。

【００２９】すなわち、本実施例ではウェハー１が円形
のウェハー保持台２上に載置されており、ウェハー保持
台２上方にはウェハー１表面を研磨するための２つの研
磨プレート（６ａ，６ｂ）がその表面に研磨パッド５
ａ，５ｂを具備してウェハー保持台２の回転軸３に対し
て点対称位置に配され、しかも各々が回転し得るように
構成されている。研磨プレート６ａ，６ｂはそれぞれ回
転軸７ａ，７ｂを有し、それらの回転軸７ａ，７ｂは研
磨プレートを回転軸３０を中心に備えた研磨プレート押
え機構３１に支承されている。また、各研磨プレート６
ａ，６ｂの大きさ（直径）はウェハー１の直径の１／２
以下として点対称による複数配置を容易とし、しかも従
来装置より研磨パッド内の圧力差を減少させた。

【００３０】上記ウェハー保持台２の回転軸３の回転数
（ウェハー１の回転数）は１５〜３０ｒｐｍ、研磨プレ
ート６ａ，６ｂの回転軸７ａ，７ｂの回転数は２０〜５
０ｒｐｍ、研磨時のウェハー１への加圧力Ｆは５〜６×
１０³（Ｐａ）とした。

【００３１】以下、上記構成の研磨装置を用いてウェハ
ーを研磨する動作方法を説明する。

【００３２】まず、研磨すべきウェハー１をウェハー保
持台２上にその中心軸をウェハー保持台回転軸３と一致
させるように載置し、ウェハー保持台２を２０ｒｐｍで
回転させ、その上方からスラリー供給管（図示せず）を
介してスラリー４例えばシリカ、ＫＯＨを混合した研磨
材を供給流量２２５ｍｌ／分でウェハー１面に塗布す
る。その後、研磨プレート６ａ，６ｂを回転軸７ａ，７
ｂを中心に３０ｒｐｍの回転数で各々回転させながらウ
ェハー１上に徐々に降下し接触させ、５×１０³Ｐａの
加圧力でウェハー１の研磨（ポリッシュ）を開始する。
ウェハー１の研磨時、各研磨プレート６ａ，６ｂはそれ
ぞれ回転軸７ａ，７ｂの回転による自転と、研磨プレー
ト押え機構３１の回転軸３０の回転によるウェハー１表
面を動き回る公転との両方の回転動作を同時に行いなが
ら、ウェハー１面の研磨を完了した。本研磨装置では上
述した研磨プレート６ａ，６ｂの自転と、その研磨プレ
ート６ａ，６ｂを支承する研磨プレート押え機構３１の
公転を同時に行っているため、ウェハー１面内の研磨プ
レートが略均一に維持された。

【００３３】実施例２ 本実施例は、請求項２に示した基板研磨装置の実施例で
ある。

【００３４】図２は本発明の請求項２に係る基板研磨装
置の実施例模式断面図である。図２に示した基板研磨装
置によれば、ウェハー１を表面に配したウェハー保持台
２の下方に研磨パッド５を表面に配した研磨プレート６
が配されており、その研磨プレート６を複数の研磨圧力
コントロールゾーン３６ａ〜３６ｉに区分け（分割）し
て、それぞれのゾーンにぞれぞれ独立してばね３７ａ〜
３７ｉを設けて、研磨圧力を一定にする機構を具備した
構成となっている。この装置ではウェハー１が研磨パッ
ド５に接触していない場合には研磨圧力がかからない。
本実施例では、各研磨圧力コントロールゾーン３６ａ〜
３６ｉで研磨圧力を一定にする機構は、研磨パッド５の
上下矢印方向の動作可能範囲をばね３７ａ〜３７ｉを介
して限定する機構を付加してその機構を実現している。

【００３５】本実施例のウェハー保持台２の回転軸３の
回転数は１５〜３０ｒｐｍ、研磨プレート６の回転軸３
２の回転数は２０〜５０ｒｐｍ、研磨時のウェハーへの
加圧力Ｆは５〜６×１０³Ｐａとした。

【００３６】以下、上記構成の研磨装置を用いてウェハ
ーを研磨する方法を説明する。

【００３７】研磨すべきウェハー１をウェハー保持台２
上にその中心軸を回転軸３と一致させるように載置し、
複数の研磨圧力コントロールゾーン３６ａ〜３６ｉを有
する研磨プレート６を約２５ｒｐｍの回転数で回転させ
る。その上方からスラリー供給管を介してスラリー例え
ばシリカ、ＫＯＨを混合した研磨材を供給流量２２５ｍ
ｌ／分で研磨パッド５面に塗布する。次に、ウェハー１
を載置したウェハー保持台２を約３０ｒｐｍの回転数で
回転させながら研磨プレート６に徐々に降下し接触さ
せ、５×１０³Ｐａの加圧力でウェハー１の研磨を開始
する。ウェハー１の研磨時、上記ウェハー１に対する加
圧力が一定となるように、加圧力一定保持機構により保
持されながら研磨処理が完了した。

【００３８】このように、加圧力を略一定にし得る研磨
プレートおよび研磨パッドのゾーン分割機構を有する実
施例により、研磨パッドの歪みによって生じる研磨圧力
の増加を抑制することができる。従って、本実施例によ
るポリッシュレートの面内均一性が向上する。

【００３９】実施例３ 本実施例は請求項３に示した基板研磨装置の実施例であ
る。図３はその研磨装置の模式断面図である。図３に示
した研磨装置は、上記図２に関する装置における研磨圧
力コントロールゾーンを同心円状に分割した構成とした
ものである。すなわち、研磨パッド５の下方には円形の
研磨圧力内部コントロールゾーン４０と、その内部コン
トロールゾーン４０の周囲に上面がドーナツ状の同心の
研磨圧力外部コントロールゾーン４１を有する研磨プレ
ート６が設けられている。本実施例ではウェハー保持台
２と研磨プレート６が同心配置されており、ウェハー保
持台２上に載置されたウェハー１は内部コントロールゾ
ーン４０の全てと外部コントロールゾーン４１の少なく
とも一部を被う。各研磨圧力コントロールゾーン４０，
４１の裏側には所定本数のばね４０ａ，４１ａがそれぞ
れ設けられており、所定の部位に固定されている。各研
磨圧力コントロールゾーン４０，４１はそのばねの伸縮
により上下矢印方向に可動し得るように構成されてい
る。本実施例ではばねの本数は研磨圧力内部コントロー
ルゾーンは中央に１ヶ所、研磨圧力外部コントロールゾ
ーンは６ヶ所設けられている。

【００４０】以下、上記同心円状の研磨圧力コントロー
ルゾーンを有する研磨装置を用いてウェハーを研磨する
方法を説明する。

【００４１】実施例２と同様に、研磨すべきウェハー１
をウェハー保持台２上に載置し、同心円状の研磨圧力コ
ントロールゾーン４０，４１を有する研磨プレート６を
約１０〜３０ｒｐｍの回転数で回転させる。また、実施
例２と同様に、スラリー供給管を介して研磨材を供給流
量２２５ｍｌ／分で研磨パッド５面に塗布する。次に、
ウェハー１を載置したウェハー保持台２を約１５ｒｐｍ
の回転数で回転させながら研磨プレート６に徐々に降下
させ接触させ、５×１０³Ｐａの加圧力でウェハー１の
研磨を開始する。ウェハー１の研磨時、上記ウェハー１
に対する加圧力が一定となるように研磨圧力内部コント
ロールゾーン４０と研磨圧力外部コントロールゾーン４
１で保持しながら研磨処理を完了させた。

【００４２】本実施例でも実施例１，２と同様にポリッ
シュレートの面内均一性をより向上させることができ
た。

【００４３】実施例４ 本実施例は本発明の請求項４に示した基板保持台を使用
した研磨装置の実施例を示す。

【００４４】図４は本発明の請求項４に係る基板保持台
の模式断面図である。図４に示した基板保持台によれ
ば、図６に示した従来の研磨装置において、ウェハーを
載置するウェハー保持台表面にウェハー表面が丁度平坦
に納まるようなウェハーの厚さ分の深さを有する凹部２
ａを配設する。

【００４５】本実施例において、例えばウェハー１とし
てサイズが直径２００ｍｍ、厚さが８００μｍのものを
用いる場合は、ウェハー保持台２の凹部２ａのサイズは
直径を２００ｍｍ＋（０．２ｍｍ±５０％）とし、深さ
を８００μｍ−（１０μｍ±５０％）に設定する。上記
以外の研磨条件は従来装置（図６）で用いた条件と同様
の条件を用いることができるが、上記実施例と組み合わ
せて用いることもできる。本実施例の場合、ウェハー１
はウェハー保持台２表面の凹部２ａに表面が全体的に平
坦に収納されているため、ウェハーとウェハー保持台の
段差がほぼなくなり、ウェハー１の周辺部に生じた研磨
パッドの変形歪みからくるウェハー表面にかかる研磨圧
力の増大を抑制することができる。

【００４６】実施例５ 本実施例は請求項５に示した基板保持台の実施例であ
り、図５はその基板保持台の模式断面図である。本実施
例は、実施例４の研磨装置のウェハー保持台において、
ウェハー保持台に設けた凹部の深さ調整機能を具備した
例である。図５に示されたウェハー保持台によれば、ウ
ェハー１を載置するウェハー載置台４５とその周辺に上
下可動なウェハー凹部調整側壁部材４６が設けられ、そ
のウェハー載置台４５とウェハー凹部調整側壁部材４６
とでウェハー（基板）保持台を構成している。当然のこ
とながら、ウェハー１が載置されるウェハー載置台４５
の表面はウェハーの直径と略同一直径の円形状であり、
ウェハー凹部調整側壁部材４６はウェハー載置台４５と
同心のドーナツ状を有する。ウェハー載置台４５の裏面
には凹部深さ調整用ねじ４８が設けられ、その凹部深さ
調整用ねじ４８に嵌合する調整ねじ押え金具４９がウェ
ハー凹部調整側壁部材４６の裏面に取り付けられてい
る。このようなウェハー保持台の構成により、凹部深さ
調整用ねじ４８の回転によりウェハー凹部調整側壁部材
４６を上下させることにより自由にウェハーの深さに対
応した凹部を形成することができる。本実施例は一例と
して凹部深さ調整用ねじ４８を用いた凹部形成ウェハー
保持装置であるが、本発明の主旨に反しない限り如何な
る方法でもよい。

【００４７】ウェハーの厚さはウェハーの種類によって
異なるが、本実施例を用いればウェハーの種類に応じて
最適な研磨状態とすることができ、従ってどのような厚
さのウェハーでも均一なポリッシュレートを得ることが
できる。

【００４８】なお、本実施例では特に示してないが、請
求項４および５に示した基板保持台を、請求項１〜３に
示した基板研磨装置に有効に利用することができる。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ポ
リッシュレートのウェハー面内の均一性を向上させるこ
とができる。特に、請求項１の発明によれば、研磨プレ
ートが小さくなっているため、研磨材であるスラリーの
分布を研磨パッド上で向上させることができ、しかも基
板研磨装置そのものの大きさを縮小することが可能とな
り、装置コストを低減することができる。

【００５０】また特に請求項２および３の発明によれ
ば、研磨プレートに設けた複数の各領域の圧力が所定の
圧力にコントロールすることができるため、研磨プレー
トのポリッシュレートの分散を最小限に抑制することが
できる。

【００５１】更にまた、特に請求項３および４の発明に
よれば、ウェハー保持台（プレート）を少なくともウェ
ハーより大きくし、その保持台にウェハーの厚さに対応
した凹部（溝）を形成し、そのウェハー周辺における押
え付け圧力の増大を防止でき、ポリッシュレートの面内
分布が向上する。

【００５２】また、本発明の基板保持台は従来の基板保
持台の容易な改造によって実現することができるためコ
ストも少なくすませることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板研磨装置の第１実施例を示す
模式断面図である。

【図２】本発明に係る基板研磨装置の第２実施例を示す
模式断面図である。

【図３】本発明に係る基板研磨装置の第３実施例を示す
模式断面図である。

【図４】本発明に係る基板保持台の第１実施例を示す模
式断面図である。

【図５】本発明に係る基板保持台の第２実施例を示す模
式断面図である。

【図６】従来の基板研磨装置の模式断面図である。

【図７】トレンチアイソレーション工程断面図である。

【符号の説明】 １ ウェハー（基板） ２ ウェハー保持台 ３ ウェハー保持台回転軸 ４ スラリー ５，５ａ，５ｂ 研磨パッド ６，６ａ，６ｂ 研磨プレート ７，７ａ，７ｂ 研磨プレート回転軸 ８ スラリー導入管 １０ ウェハー保持装置 １１ ウェハー研磨装置 ２１ 半導体基板 ２２ パッド酸化膜 ２３ シリコン窒化膜 ２４ 熱酸化膜 ２５ 溝（トレンチ） ２６，２６ａ 層間膜 ３０ 研磨プレート主回転軸 ３１ 研磨プレート押え機構 ３６ａ，３６ｂ，・・・，３６ｉ 研磨圧力コントロー
ルゾーン ３７ａ，３７ｂ，・・・，３７ｉ ばね

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持台に基板を支持し、該基板面および
   ／又は該基板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被
   研磨部として研磨する基板研磨装置において、 前記被研磨部を研磨する研磨プレートの直径が該基板の
   直径の１／２以下であり、且つ該研磨プレートを一つの
   基板に対して複数具備してなることを特徴とする基板研
   磨装置。
2. 【請求項２】 支持台に基板を支持し、該基板面および
   ／又は該基板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被
   研磨部として研磨する基板研磨装置において、 前記被研磨部を研磨する研磨プレートを複数の領域に分
   け、前記基板への前記研磨プレートの押し付け圧力を各
   領域においてコントロール可能にせしめたことを特徴と
   する基板研磨装置。
3. 【請求項３】 前記複数の領域が同心円状に配設されて
   なることを特徴とする請求項２記載の基板研磨装置。
4. 【請求項４】 被研磨材としての基板を保持する基板保
   持台であって、 前記基板保持台に該基板を収容するための凹部を設けた
   ことを特徴とする基板保持台。
5. 【請求項５】 前記凹部の深さが前記基板の厚さに対応
   して変えられるように構成されたことを特徴とする請求
   項４記載の基板保持台。