JPH06333891A - 基板研磨装置および基板保持台 - Google Patents
基板研磨装置および基板保持台Info
- Publication number
- JPH06333891A JPH06333891A JP12130093A JP12130093A JPH06333891A JP H06333891 A JPH06333891 A JP H06333891A JP 12130093 A JP12130093 A JP 12130093A JP 12130093 A JP12130093 A JP 12130093A JP H06333891 A JPH06333891 A JP H06333891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- substrate
- holding table
- polishing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】研磨レートの均一性を向上させる基板研磨装置
および基板保持台を提供する。 【構成】支持台2に基板1を支持し、該基板面および/
又は該基板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被研
磨部として研磨する基板研磨装置において、前記被研磨
部を研磨する研磨プレート6を複数の領域36a〜36
iに分け、前記基板1への前記研磨プレート6の押し付
け圧力を各領域においてコントロール可能にせしめる。
一方、基板保持台2には基板1を収容する凹部2aを設
ける。
および基板保持台を提供する。 【構成】支持台2に基板1を支持し、該基板面および/
又は該基板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被研
磨部として研磨する基板研磨装置において、前記被研磨
部を研磨する研磨プレート6を複数の領域36a〜36
iに分け、前記基板1への前記研磨プレート6の押し付
け圧力を各領域においてコントロール可能にせしめる。
一方、基板保持台2には基板1を収容する凹部2aを設
ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板研磨装置および基
板保持台に係り、特に多層配線を有する半導体装置での
複雑な段差を有する基板や、その上に形成された薄膜を
均一性良く研磨して平坦化するのに好適な基板研磨装置
および基板保持台に関するものである。
板保持台に係り、特に多層配線を有する半導体装置での
複雑な段差を有する基板や、その上に形成された薄膜を
均一性良く研磨して平坦化するのに好適な基板研磨装置
および基板保持台に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造において、半導体基板
等の基板上に生じた凹凸を平坦化するための研磨技術
は、重要な技術の一つである。
等の基板上に生じた凹凸を平坦化するための研磨技術
は、重要な技術の一つである。
【0003】近年、半導体装置の分野ではデバイスの大
容量化が進んでいるが、そのデバイスを構成するチップ
面積をなるべく小さくして大容量化を図るためには多層
配線技術が必要である。この多層配線技術においては、
多層配線の段切れを防止するため下地の平坦化が重要で
ある。なぜならば下地に凹凸があると、これにより段差
が生じ、この段差上に形成される配線が切れる、いわゆ
る段切れ等の不具合が発生するからである。この平坦化
を良好に行うには、初期工程からの平坦化が重要とな
る。
容量化が進んでいるが、そのデバイスを構成するチップ
面積をなるべく小さくして大容量化を図るためには多層
配線技術が必要である。この多層配線技術においては、
多層配線の段切れを防止するため下地の平坦化が重要で
ある。なぜならば下地に凹凸があると、これにより段差
が生じ、この段差上に形成される配線が切れる、いわゆ
る段切れ等の不具合が発生するからである。この平坦化
を良好に行うには、初期工程からの平坦化が重要とな
る。
【0004】次世代以降の0.35μmルール以下とい
う半導体装置の微細化に伴い、リソグラフィープロセス
におけるDOF(Depth of Focus:焦点深度)が減少
し、絶対膜厚段差をなくす必要性が出てきた。このよう
な要請にはグローバルな平坦化をめざすデバイスプロセ
スが必須である。
う半導体装置の微細化に伴い、リソグラフィープロセス
におけるDOF(Depth of Focus:焦点深度)が減少
し、絶対膜厚段差をなくす必要性が出てきた。このよう
な要請にはグローバルな平坦化をめざすデバイスプロセ
スが必須である。
【0005】しかしながら、従来平坦化に用いられてい
たCVD法(化学的気相成長法)では、単に段差を有す
る溝等に単にSiO2等をCVD法により埋め込み、全
体的な凹凸をゆるめるようにして平坦化がなされている
が、全体的には完全な平坦化がなされない。このよう
に、従来のCVD法を用いた平坦化法ではグローバル平
坦化が原理的に困難であった。そのためにグローバル平
坦化が行えるポリッシュプロセスが注目されている。
たCVD法(化学的気相成長法)では、単に段差を有す
る溝等に単にSiO2等をCVD法により埋め込み、全
体的な凹凸をゆるめるようにして平坦化がなされている
が、全体的には完全な平坦化がなされない。このよう
に、従来のCVD法を用いた平坦化法ではグローバル平
坦化が原理的に困難であった。そのためにグローバル平
坦化が行えるポリッシュプロセスが注目されている。
【0006】この平坦化のため、半導体基板の一面に溝
(トレンチ)を堀り、その溝を絶縁物で埋め込んで素子
分離を行う、いわゆるトレンチアイソレーション構造が
知られている。このトレンチアイソレーション構造は、
絶縁物を溝に埋め込んだ後、溝部以外に形成された余分
な絶縁物からなる凸部を除去して基板面を平坦化する必
要がある。ただし、このトレンチアイソレーション技術
を実用化することは、溝幅の広狭によっても平坦化の良
否が変わる。例えば、溝をポリシリコン(poly−S
i)あるいは二酸化シリコン(SiO2)等の絶縁物で
埋め込む場合、溝幅が狭い所では表面が平坦な位置に埋
めることができるが、溝幅が広い所、特に深さに比べて
幅が広い所では溝部以外の余分な埋め込み材料をエッチ
バックしても溝の中央部に凹みが残る。
(トレンチ)を堀り、その溝を絶縁物で埋め込んで素子
分離を行う、いわゆるトレンチアイソレーション構造が
知られている。このトレンチアイソレーション構造は、
絶縁物を溝に埋め込んだ後、溝部以外に形成された余分
な絶縁物からなる凸部を除去して基板面を平坦化する必
要がある。ただし、このトレンチアイソレーション技術
を実用化することは、溝幅の広狭によっても平坦化の良
否が変わる。例えば、溝をポリシリコン(poly−S
i)あるいは二酸化シリコン(SiO2)等の絶縁物で
埋め込む場合、溝幅が狭い所では表面が平坦な位置に埋
めることができるが、溝幅が広い所、特に深さに比べて
幅が広い所では溝部以外の余分な埋め込み材料をエッチ
バックしても溝の中央部に凹みが残る。
【0007】図6は従来のウェハー保持装置および研磨
装置断面図である。図6に示すように、ウェハーを研磨
するための装置はウェハー1を保持するためのウェハー
保持装置10と、ウェハー1表面を研磨するウェハー研
磨装置11とから構成されている。ウェハー保持装置1
0はウェハー1を吸着保持するための金属からなるウェ
ハー保持台2とウェハー1を回転するためのウェハー保
持台回転軸3とから構成されている。一方、ウェハー研
磨装置11は研磨材としてのスラリー4を載置するため
の研磨パッド5と、この研磨パッド5を支持するための
研磨プレート6と、研磨プレート6を回転するための研
磨プレート回転軸7と、スラリー4を研磨パッド5に供
給するためのスラリー導入管8とから構成されている。
装置断面図である。図6に示すように、ウェハーを研磨
するための装置はウェハー1を保持するためのウェハー
保持装置10と、ウェハー1表面を研磨するウェハー研
磨装置11とから構成されている。ウェハー保持装置1
0はウェハー1を吸着保持するための金属からなるウェ
ハー保持台2とウェハー1を回転するためのウェハー保
持台回転軸3とから構成されている。一方、ウェハー研
磨装置11は研磨材としてのスラリー4を載置するため
の研磨パッド5と、この研磨パッド5を支持するための
研磨プレート6と、研磨プレート6を回転するための研
磨プレート回転軸7と、スラリー4を研磨パッド5に供
給するためのスラリー導入管8とから構成されている。
【0008】以下、上述した平坦化のためのトレンチア
イソレーション工程を図7のトレンチアイソレーション
工程断面図を用いて説明する。
イソレーション工程を図7のトレンチアイソレーション
工程断面図を用いて説明する。
【0009】まず図7(a)に示すように、シリコン等
からなる半導体基板21上に薄いパッド酸化膜22およ
び薄いシリコン窒化膜23を形成した後、フォトリソグ
ラフィおよびRIE(反応性イオンエッチング)により
溝25を形成し、その後、熱酸化により溝25の表面お
よび側面に熱酸化膜24を形成する。
からなる半導体基板21上に薄いパッド酸化膜22およ
び薄いシリコン窒化膜23を形成した後、フォトリソグ
ラフィおよびRIE(反応性イオンエッチング)により
溝25を形成し、その後、熱酸化により溝25の表面お
よび側面に熱酸化膜24を形成する。
【0010】その後、図7(b)に示すように、基板2
1の上方全面に溝の埋め込み材料である有機金属化合物
のプラズマ反応により層間膜26を形成する。次に図6
に示した研磨装置を用いて溝25以外の領域の層間膜2
6をシリコン窒化膜23をストッパーとして研磨除去し
て、図7(c)に示すように層間膜26aを平坦化す
る。
1の上方全面に溝の埋め込み材料である有機金属化合物
のプラズマ反応により層間膜26を形成する。次に図6
に示した研磨装置を用いて溝25以外の領域の層間膜2
6をシリコン窒化膜23をストッパーとして研磨除去し
て、図7(c)に示すように層間膜26aを平坦化す
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】図6に示した従来のウ
ェハー研磨装置11では、ウェハー1より十分広い研磨
プレート6(パッド)上に、ウェハー保持台2に密着し
たウェハー1を所定の圧力で押し付けながら研磨を行っ
ている。
ェハー研磨装置11では、ウェハー1より十分広い研磨
プレート6(パッド)上に、ウェハー保持台2に密着し
たウェハー1を所定の圧力で押し付けながら研磨を行っ
ている。
【0012】実際にウェハー研磨時にウェハーにかかる
圧力を考慮すれば、ウェハーの中心部より周辺部の方が
圧力が高い。この理由は研磨パッド5がウェハー1の押
し付け圧力により摩耗、変形するためである。
圧力を考慮すれば、ウェハーの中心部より周辺部の方が
圧力が高い。この理由は研磨パッド5がウェハー1の押
し付け圧力により摩耗、変形するためである。
【0013】また、図6に示したウェハー保持装置10
によりウェハー1は一定の回転数で回転するので、ウェ
ハー1の内周よりも外周の方が回転速度が速くなり、し
かも研磨材としてのスラリー4がウェハー1の中央部に
行き渡り難く面内分布が悪化するので、ウェハー周辺部
の研磨レートが速くなる。特に、最近のウェハーの大口
径化に伴い、ウェハーの中心と周辺の圧力差が更に増大
し、そのため研磨レートがウェハー周辺部と中央部で極
端に差がつく。
によりウェハー1は一定の回転数で回転するので、ウェ
ハー1の内周よりも外周の方が回転速度が速くなり、し
かも研磨材としてのスラリー4がウェハー1の中央部に
行き渡り難く面内分布が悪化するので、ウェハー周辺部
の研磨レートが速くなる。特に、最近のウェハーの大口
径化に伴い、ウェハーの中心と周辺の圧力差が更に増大
し、そのため研磨レートがウェハー周辺部と中央部で極
端に差がつく。
【0014】従って、図6に示した研磨装置では、図7
(c)の層間膜26aの平坦化の均一性が保たれず、半
導体装置の特性上問題となる。
(c)の層間膜26aの平坦化の均一性が保たれず、半
導体装置の特性上問題となる。
【0015】そこで本発明は、研磨レートの均一性を向
上させる基板研磨装置および基板保持台を提供すること
を目的とする。
上させる基板研磨装置および基板保持台を提供すること
を目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記課題は請求項1の本
発明によれば、支持台に基板を支持し、該基板面および
/又は該基板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被
研磨部として研磨する基板研磨装置において、前記被研
磨部を研磨する研磨プレートの直径が該基板の直径の1
/2以下であり、且つ該研磨プレートを一つの基板に対
して複数具備してなることを特徴とする基板研磨装置に
よって解決される。
発明によれば、支持台に基板を支持し、該基板面および
/又は該基板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被
研磨部として研磨する基板研磨装置において、前記被研
磨部を研磨する研磨プレートの直径が該基板の直径の1
/2以下であり、且つ該研磨プレートを一つの基板に対
して複数具備してなることを特徴とする基板研磨装置に
よって解決される。
【0017】更に、上記課題は請求項2の本発明によれ
ば、支持台に基板を支持し、該基板面および/又は該基
板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被研磨部とし
て研磨する基板研磨装置において、前記被研磨部を研磨
する研磨プレートを複数の領域に分け、前記基板への前
記研磨プレートの押し付け圧力を各領域においてコント
ロール可能にせしめたことを特徴とする基板研磨装置に
よって解決される。
ば、支持台に基板を支持し、該基板面および/又は該基
板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被研磨部とし
て研磨する基板研磨装置において、前記被研磨部を研磨
する研磨プレートを複数の領域に分け、前記基板への前
記研磨プレートの押し付け圧力を各領域においてコント
ロール可能にせしめたことを特徴とする基板研磨装置に
よって解決される。
【0018】上述した請求項2の発明において、複数の
領域が同心円状に配設されてなるのが有効である。
領域が同心円状に配設されてなるのが有効である。
【0019】また、上記課題は請求項4の本発明によれ
ば、被研磨材としての基板を保持する基板保持台であっ
て、該基板保持台に該基板を収容するための凹部を設け
たことを特徴とする基板保持台によって解決される。
ば、被研磨材としての基板を保持する基板保持台であっ
て、該基板保持台に該基板を収容するための凹部を設け
たことを特徴とする基板保持台によって解決される。
【0020】上述した請求項4の発明において、凹部の
深さが前記基板の厚さに対応して変えられるように構成
されているのが好ましい。
深さが前記基板の厚さに対応して変えられるように構成
されているのが好ましい。
【0021】
【作用】請求項1の発明によれば、被研磨部を研磨する
研磨プレート6a,6bの直径が該基板の直径の1/2
以下であり、且つ該研磨プレートを一つの基板(ウェハ
ー)1に対して複数具備してなっている。すなわち、研
磨プレート6a,6bを基板1より小さくすることによ
り研磨プレート内の周辺部と中心部の圧力差を小さくす
ることができる。研磨プレートによるウェハーに対する
押し付け圧力に差が生じる原因は、研磨プレート上に設
けられた研磨パッド5a,5bの表面形状の変形による
ものであるが、その変形を研磨プレート6a,6bを小
さくし、ほとんどパッドがウェハー1の外にはみ出さな
いようにすることにより防止できる。特に、本発明では
研磨プレートが複数より好ましくは偶数(対をなし
て)、点対称位置に配されているため、研磨パッド5
a,5b従って研磨プレート6a,6bの押し付け圧力
が均一化できる。このように、本発明では研磨パッドの
変形による圧力差をより低減することができ、ポリッシ
ュレートの分布を向上させることができる。本発明で
は、当然のことながら小さな研磨プレート6a,6bは
研磨プレート押え機構31の回転軸30の回転移動によ
りウェハー1上を均等に動き回ることが必要である。
研磨プレート6a,6bの直径が該基板の直径の1/2
以下であり、且つ該研磨プレートを一つの基板(ウェハ
ー)1に対して複数具備してなっている。すなわち、研
磨プレート6a,6bを基板1より小さくすることによ
り研磨プレート内の周辺部と中心部の圧力差を小さくす
ることができる。研磨プレートによるウェハーに対する
押し付け圧力に差が生じる原因は、研磨プレート上に設
けられた研磨パッド5a,5bの表面形状の変形による
ものであるが、その変形を研磨プレート6a,6bを小
さくし、ほとんどパッドがウェハー1の外にはみ出さな
いようにすることにより防止できる。特に、本発明では
研磨プレートが複数より好ましくは偶数(対をなし
て)、点対称位置に配されているため、研磨パッド5
a,5b従って研磨プレート6a,6bの押し付け圧力
が均一化できる。このように、本発明では研磨パッドの
変形による圧力差をより低減することができ、ポリッシ
ュレートの分布を向上させることができる。本発明で
は、当然のことながら小さな研磨プレート6a,6bは
研磨プレート押え機構31の回転軸30の回転移動によ
りウェハー1上を均等に動き回ることが必要である。
【0022】次に、請求項2の発明によれば、被研磨部
を研磨する研磨プレート6を複数の領域36a〜36i
に分け、基板(ウェハー)1への研磨プレートの押し付
け圧力を各領域においてコントロール可能にせしめてい
る。この発明では、上述した研磨パッド5の変形による
ウェハー1への圧力差を考慮して周辺の圧力を予め少な
くした後に研磨を行い、ポリッシュレート分布を向上さ
せることができる。
を研磨する研磨プレート6を複数の領域36a〜36i
に分け、基板(ウェハー)1への研磨プレートの押し付
け圧力を各領域においてコントロール可能にせしめてい
る。この発明では、上述した研磨パッド5の変形による
ウェハー1への圧力差を考慮して周辺の圧力を予め少な
くした後に研磨を行い、ポリッシュレート分布を向上さ
せることができる。
【0023】請求項3の発明では、上述した請求項2の
発明において、上記複数の領域が同心円状に配設されて
いる。すなわち、この発明では複数領域(研磨圧力内部
コントロールゾーン40と研磨圧力外部コントロールゾ
ーン41の二重)を同心円状にすることにより領域の数
が減少せしめられ、その機構を単純化させることができ
る。
発明において、上記複数の領域が同心円状に配設されて
いる。すなわち、この発明では複数領域(研磨圧力内部
コントロールゾーン40と研磨圧力外部コントロールゾ
ーン41の二重)を同心円状にすることにより領域の数
が減少せしめられ、その機構を単純化させることができ
る。
【0024】更に、請求項4の発明では、基板1を保持
する基板保持台2に基板1を収容するための凹部2aを
設けている。この発明ではウェハー1の周辺部に生じて
いたウェハーの厚みによるウェハーと保持台の段差によ
る研磨圧力の増大を抑制し、ポリッシュレート分布を向
上させることができる。
する基板保持台2に基板1を収容するための凹部2aを
設けている。この発明ではウェハー1の周辺部に生じて
いたウェハーの厚みによるウェハーと保持台の段差によ
る研磨圧力の増大を抑制し、ポリッシュレート分布を向
上させることができる。
【0025】請求項5の発明では上述した請求項4の発
明において、前記凹部の深さが基板1の厚さに対応して
変えられるように構成されている。
明において、前記凹部の深さが基板1の厚さに対応して
変えられるように構成されている。
【0026】そのため、基板(ウェハー)の厚さが異な
っても保持台を取り替える必要がない。
っても保持台を取り替える必要がない。
【0027】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【0028】実施例1 図1は本発明の請求項1に係る基板研磨装置の実施例を
示す。図1に示すように、基本的構成は図6に示した従
来の基板研磨装置においてウェハー保持台と研磨プレー
トの配置を上下逆さにし、しかも研磨プレートを複数
(本実施例では2セット)点対称に具備したものであ
る。
示す。図1に示すように、基本的構成は図6に示した従
来の基板研磨装置においてウェハー保持台と研磨プレー
トの配置を上下逆さにし、しかも研磨プレートを複数
(本実施例では2セット)点対称に具備したものであ
る。
【0029】すなわち、本実施例ではウェハー1が円形
のウェハー保持台2上に載置されており、ウェハー保持
台2上方にはウェハー1表面を研磨するための2つの研
磨プレート(6a,6b)がその表面に研磨パッド5
a,5bを具備してウェハー保持台2の回転軸3に対し
て点対称位置に配され、しかも各々が回転し得るように
構成されている。研磨プレート6a,6bはそれぞれ回
転軸7a,7bを有し、それらの回転軸7a,7bは研
磨プレートを回転軸30を中心に備えた研磨プレート押
え機構31に支承されている。また、各研磨プレート6
a,6bの大きさ(直径)はウェハー1の直径の1/2
以下として点対称による複数配置を容易とし、しかも従
来装置より研磨パッド内の圧力差を減少させた。
のウェハー保持台2上に載置されており、ウェハー保持
台2上方にはウェハー1表面を研磨するための2つの研
磨プレート(6a,6b)がその表面に研磨パッド5
a,5bを具備してウェハー保持台2の回転軸3に対し
て点対称位置に配され、しかも各々が回転し得るように
構成されている。研磨プレート6a,6bはそれぞれ回
転軸7a,7bを有し、それらの回転軸7a,7bは研
磨プレートを回転軸30を中心に備えた研磨プレート押
え機構31に支承されている。また、各研磨プレート6
a,6bの大きさ(直径)はウェハー1の直径の1/2
以下として点対称による複数配置を容易とし、しかも従
来装置より研磨パッド内の圧力差を減少させた。
【0030】上記ウェハー保持台2の回転軸3の回転数
(ウェハー1の回転数)は15〜30rpm、研磨プレ
ート6a,6bの回転軸7a,7bの回転数は20〜5
0rpm、研磨時のウェハー1への加圧力Fは5〜6×
103(Pa)とした。
(ウェハー1の回転数)は15〜30rpm、研磨プレ
ート6a,6bの回転軸7a,7bの回転数は20〜5
0rpm、研磨時のウェハー1への加圧力Fは5〜6×
103(Pa)とした。
【0031】以下、上記構成の研磨装置を用いてウェハ
ーを研磨する動作方法を説明する。
ーを研磨する動作方法を説明する。
【0032】まず、研磨すべきウェハー1をウェハー保
持台2上にその中心軸をウェハー保持台回転軸3と一致
させるように載置し、ウェハー保持台2を20rpmで
回転させ、その上方からスラリー供給管(図示せず)を
介してスラリー4例えばシリカ、KOHを混合した研磨
材を供給流量225ml/分でウェハー1面に塗布す
る。その後、研磨プレート6a,6bを回転軸7a,7
bを中心に30rpmの回転数で各々回転させながらウ
ェハー1上に徐々に降下し接触させ、5×103Paの
加圧力でウェハー1の研磨(ポリッシュ)を開始する。
ウェハー1の研磨時、各研磨プレート6a,6bはそれ
ぞれ回転軸7a,7bの回転による自転と、研磨プレー
ト押え機構31の回転軸30の回転によるウェハー1表
面を動き回る公転との両方の回転動作を同時に行いなが
ら、ウェハー1面の研磨を完了した。本研磨装置では上
述した研磨プレート6a,6bの自転と、その研磨プレ
ート6a,6bを支承する研磨プレート押え機構31の
公転を同時に行っているため、ウェハー1面内の研磨プ
レートが略均一に維持された。
持台2上にその中心軸をウェハー保持台回転軸3と一致
させるように載置し、ウェハー保持台2を20rpmで
回転させ、その上方からスラリー供給管(図示せず)を
介してスラリー4例えばシリカ、KOHを混合した研磨
材を供給流量225ml/分でウェハー1面に塗布す
る。その後、研磨プレート6a,6bを回転軸7a,7
bを中心に30rpmの回転数で各々回転させながらウ
ェハー1上に徐々に降下し接触させ、5×103Paの
加圧力でウェハー1の研磨(ポリッシュ)を開始する。
ウェハー1の研磨時、各研磨プレート6a,6bはそれ
ぞれ回転軸7a,7bの回転による自転と、研磨プレー
ト押え機構31の回転軸30の回転によるウェハー1表
面を動き回る公転との両方の回転動作を同時に行いなが
ら、ウェハー1面の研磨を完了した。本研磨装置では上
述した研磨プレート6a,6bの自転と、その研磨プレ
ート6a,6bを支承する研磨プレート押え機構31の
公転を同時に行っているため、ウェハー1面内の研磨プ
レートが略均一に維持された。
【0033】実施例2 本実施例は、請求項2に示した基板研磨装置の実施例で
ある。
ある。
【0034】図2は本発明の請求項2に係る基板研磨装
置の実施例模式断面図である。図2に示した基板研磨装
置によれば、ウェハー1を表面に配したウェハー保持台
2の下方に研磨パッド5を表面に配した研磨プレート6
が配されており、その研磨プレート6を複数の研磨圧力
コントロールゾーン36a〜36iに区分け(分割)し
て、それぞれのゾーンにぞれぞれ独立してばね37a〜
37iを設けて、研磨圧力を一定にする機構を具備した
構成となっている。この装置ではウェハー1が研磨パッ
ド5に接触していない場合には研磨圧力がかからない。
本実施例では、各研磨圧力コントロールゾーン36a〜
36iで研磨圧力を一定にする機構は、研磨パッド5の
上下矢印方向の動作可能範囲をばね37a〜37iを介
して限定する機構を付加してその機構を実現している。
置の実施例模式断面図である。図2に示した基板研磨装
置によれば、ウェハー1を表面に配したウェハー保持台
2の下方に研磨パッド5を表面に配した研磨プレート6
が配されており、その研磨プレート6を複数の研磨圧力
コントロールゾーン36a〜36iに区分け(分割)し
て、それぞれのゾーンにぞれぞれ独立してばね37a〜
37iを設けて、研磨圧力を一定にする機構を具備した
構成となっている。この装置ではウェハー1が研磨パッ
ド5に接触していない場合には研磨圧力がかからない。
本実施例では、各研磨圧力コントロールゾーン36a〜
36iで研磨圧力を一定にする機構は、研磨パッド5の
上下矢印方向の動作可能範囲をばね37a〜37iを介
して限定する機構を付加してその機構を実現している。
【0035】本実施例のウェハー保持台2の回転軸3の
回転数は15〜30rpm、研磨プレート6の回転軸3
2の回転数は20〜50rpm、研磨時のウェハーへの
加圧力Fは5〜6×103Paとした。
回転数は15〜30rpm、研磨プレート6の回転軸3
2の回転数は20〜50rpm、研磨時のウェハーへの
加圧力Fは5〜6×103Paとした。
【0036】以下、上記構成の研磨装置を用いてウェハ
ーを研磨する方法を説明する。
ーを研磨する方法を説明する。
【0037】研磨すべきウェハー1をウェハー保持台2
上にその中心軸を回転軸3と一致させるように載置し、
複数の研磨圧力コントロールゾーン36a〜36iを有
する研磨プレート6を約25rpmの回転数で回転させ
る。その上方からスラリー供給管を介してスラリー例え
ばシリカ、KOHを混合した研磨材を供給流量225m
l/分で研磨パッド5面に塗布する。次に、ウェハー1
を載置したウェハー保持台2を約30rpmの回転数で
回転させながら研磨プレート6に徐々に降下し接触さ
せ、5×103Paの加圧力でウェハー1の研磨を開始
する。ウェハー1の研磨時、上記ウェハー1に対する加
圧力が一定となるように、加圧力一定保持機構により保
持されながら研磨処理が完了した。
上にその中心軸を回転軸3と一致させるように載置し、
複数の研磨圧力コントロールゾーン36a〜36iを有
する研磨プレート6を約25rpmの回転数で回転させ
る。その上方からスラリー供給管を介してスラリー例え
ばシリカ、KOHを混合した研磨材を供給流量225m
l/分で研磨パッド5面に塗布する。次に、ウェハー1
を載置したウェハー保持台2を約30rpmの回転数で
回転させながら研磨プレート6に徐々に降下し接触さ
せ、5×103Paの加圧力でウェハー1の研磨を開始
する。ウェハー1の研磨時、上記ウェハー1に対する加
圧力が一定となるように、加圧力一定保持機構により保
持されながら研磨処理が完了した。
【0038】このように、加圧力を略一定にし得る研磨
プレートおよび研磨パッドのゾーン分割機構を有する実
施例により、研磨パッドの歪みによって生じる研磨圧力
の増加を抑制することができる。従って、本実施例によ
るポリッシュレートの面内均一性が向上する。
プレートおよび研磨パッドのゾーン分割機構を有する実
施例により、研磨パッドの歪みによって生じる研磨圧力
の増加を抑制することができる。従って、本実施例によ
るポリッシュレートの面内均一性が向上する。
【0039】実施例3 本実施例は請求項3に示した基板研磨装置の実施例であ
る。図3はその研磨装置の模式断面図である。図3に示
した研磨装置は、上記図2に関する装置における研磨圧
力コントロールゾーンを同心円状に分割した構成とした
ものである。すなわち、研磨パッド5の下方には円形の
研磨圧力内部コントロールゾーン40と、その内部コン
トロールゾーン40の周囲に上面がドーナツ状の同心の
研磨圧力外部コントロールゾーン41を有する研磨プレ
ート6が設けられている。本実施例ではウェハー保持台
2と研磨プレート6が同心配置されており、ウェハー保
持台2上に載置されたウェハー1は内部コントロールゾ
ーン40の全てと外部コントロールゾーン41の少なく
とも一部を被う。各研磨圧力コントロールゾーン40,
41の裏側には所定本数のばね40a,41aがそれぞ
れ設けられており、所定の部位に固定されている。各研
磨圧力コントロールゾーン40,41はそのばねの伸縮
により上下矢印方向に可動し得るように構成されてい
る。本実施例ではばねの本数は研磨圧力内部コントロー
ルゾーンは中央に1ヶ所、研磨圧力外部コントロールゾ
ーンは6ヶ所設けられている。
る。図3はその研磨装置の模式断面図である。図3に示
した研磨装置は、上記図2に関する装置における研磨圧
力コントロールゾーンを同心円状に分割した構成とした
ものである。すなわち、研磨パッド5の下方には円形の
研磨圧力内部コントロールゾーン40と、その内部コン
トロールゾーン40の周囲に上面がドーナツ状の同心の
研磨圧力外部コントロールゾーン41を有する研磨プレ
ート6が設けられている。本実施例ではウェハー保持台
2と研磨プレート6が同心配置されており、ウェハー保
持台2上に載置されたウェハー1は内部コントロールゾ
ーン40の全てと外部コントロールゾーン41の少なく
とも一部を被う。各研磨圧力コントロールゾーン40,
41の裏側には所定本数のばね40a,41aがそれぞ
れ設けられており、所定の部位に固定されている。各研
磨圧力コントロールゾーン40,41はそのばねの伸縮
により上下矢印方向に可動し得るように構成されてい
る。本実施例ではばねの本数は研磨圧力内部コントロー
ルゾーンは中央に1ヶ所、研磨圧力外部コントロールゾ
ーンは6ヶ所設けられている。
【0040】以下、上記同心円状の研磨圧力コントロー
ルゾーンを有する研磨装置を用いてウェハーを研磨する
方法を説明する。
ルゾーンを有する研磨装置を用いてウェハーを研磨する
方法を説明する。
【0041】実施例2と同様に、研磨すべきウェハー1
をウェハー保持台2上に載置し、同心円状の研磨圧力コ
ントロールゾーン40,41を有する研磨プレート6を
約10〜30rpmの回転数で回転させる。また、実施
例2と同様に、スラリー供給管を介して研磨材を供給流
量225ml/分で研磨パッド5面に塗布する。次に、
ウェハー1を載置したウェハー保持台2を約15rpm
の回転数で回転させながら研磨プレート6に徐々に降下
させ接触させ、5×103Paの加圧力でウェハー1の
研磨を開始する。ウェハー1の研磨時、上記ウェハー1
に対する加圧力が一定となるように研磨圧力内部コント
ロールゾーン40と研磨圧力外部コントロールゾーン4
1で保持しながら研磨処理を完了させた。
をウェハー保持台2上に載置し、同心円状の研磨圧力コ
ントロールゾーン40,41を有する研磨プレート6を
約10〜30rpmの回転数で回転させる。また、実施
例2と同様に、スラリー供給管を介して研磨材を供給流
量225ml/分で研磨パッド5面に塗布する。次に、
ウェハー1を載置したウェハー保持台2を約15rpm
の回転数で回転させながら研磨プレート6に徐々に降下
させ接触させ、5×103Paの加圧力でウェハー1の
研磨を開始する。ウェハー1の研磨時、上記ウェハー1
に対する加圧力が一定となるように研磨圧力内部コント
ロールゾーン40と研磨圧力外部コントロールゾーン4
1で保持しながら研磨処理を完了させた。
【0042】本実施例でも実施例1,2と同様にポリッ
シュレートの面内均一性をより向上させることができ
た。
シュレートの面内均一性をより向上させることができ
た。
【0043】実施例4 本実施例は本発明の請求項4に示した基板保持台を使用
した研磨装置の実施例を示す。
した研磨装置の実施例を示す。
【0044】図4は本発明の請求項4に係る基板保持台
の模式断面図である。図4に示した基板保持台によれ
ば、図6に示した従来の研磨装置において、ウェハーを
載置するウェハー保持台表面にウェハー表面が丁度平坦
に納まるようなウェハーの厚さ分の深さを有する凹部2
aを配設する。
の模式断面図である。図4に示した基板保持台によれ
ば、図6に示した従来の研磨装置において、ウェハーを
載置するウェハー保持台表面にウェハー表面が丁度平坦
に納まるようなウェハーの厚さ分の深さを有する凹部2
aを配設する。
【0045】本実施例において、例えばウェハー1とし
てサイズが直径200mm、厚さが800μmのものを
用いる場合は、ウェハー保持台2の凹部2aのサイズは
直径を200mm+(0.2mm±50%)とし、深さ
を800μm−(10μm±50%)に設定する。上記
以外の研磨条件は従来装置(図6)で用いた条件と同様
の条件を用いることができるが、上記実施例と組み合わ
せて用いることもできる。本実施例の場合、ウェハー1
はウェハー保持台2表面の凹部2aに表面が全体的に平
坦に収納されているため、ウェハーとウェハー保持台の
段差がほぼなくなり、ウェハー1の周辺部に生じた研磨
パッドの変形歪みからくるウェハー表面にかかる研磨圧
力の増大を抑制することができる。
てサイズが直径200mm、厚さが800μmのものを
用いる場合は、ウェハー保持台2の凹部2aのサイズは
直径を200mm+(0.2mm±50%)とし、深さ
を800μm−(10μm±50%)に設定する。上記
以外の研磨条件は従来装置(図6)で用いた条件と同様
の条件を用いることができるが、上記実施例と組み合わ
せて用いることもできる。本実施例の場合、ウェハー1
はウェハー保持台2表面の凹部2aに表面が全体的に平
坦に収納されているため、ウェハーとウェハー保持台の
段差がほぼなくなり、ウェハー1の周辺部に生じた研磨
パッドの変形歪みからくるウェハー表面にかかる研磨圧
力の増大を抑制することができる。
【0046】実施例5 本実施例は請求項5に示した基板保持台の実施例であ
り、図5はその基板保持台の模式断面図である。本実施
例は、実施例4の研磨装置のウェハー保持台において、
ウェハー保持台に設けた凹部の深さ調整機能を具備した
例である。図5に示されたウェハー保持台によれば、ウ
ェハー1を載置するウェハー載置台45とその周辺に上
下可動なウェハー凹部調整側壁部材46が設けられ、そ
のウェハー載置台45とウェハー凹部調整側壁部材46
とでウェハー(基板)保持台を構成している。当然のこ
とながら、ウェハー1が載置されるウェハー載置台45
の表面はウェハーの直径と略同一直径の円形状であり、
ウェハー凹部調整側壁部材46はウェハー載置台45と
同心のドーナツ状を有する。ウェハー載置台45の裏面
には凹部深さ調整用ねじ48が設けられ、その凹部深さ
調整用ねじ48に嵌合する調整ねじ押え金具49がウェ
ハー凹部調整側壁部材46の裏面に取り付けられてい
る。このようなウェハー保持台の構成により、凹部深さ
調整用ねじ48の回転によりウェハー凹部調整側壁部材
46を上下させることにより自由にウェハーの深さに対
応した凹部を形成することができる。本実施例は一例と
して凹部深さ調整用ねじ48を用いた凹部形成ウェハー
保持装置であるが、本発明の主旨に反しない限り如何な
る方法でもよい。
り、図5はその基板保持台の模式断面図である。本実施
例は、実施例4の研磨装置のウェハー保持台において、
ウェハー保持台に設けた凹部の深さ調整機能を具備した
例である。図5に示されたウェハー保持台によれば、ウ
ェハー1を載置するウェハー載置台45とその周辺に上
下可動なウェハー凹部調整側壁部材46が設けられ、そ
のウェハー載置台45とウェハー凹部調整側壁部材46
とでウェハー(基板)保持台を構成している。当然のこ
とながら、ウェハー1が載置されるウェハー載置台45
の表面はウェハーの直径と略同一直径の円形状であり、
ウェハー凹部調整側壁部材46はウェハー載置台45と
同心のドーナツ状を有する。ウェハー載置台45の裏面
には凹部深さ調整用ねじ48が設けられ、その凹部深さ
調整用ねじ48に嵌合する調整ねじ押え金具49がウェ
ハー凹部調整側壁部材46の裏面に取り付けられてい
る。このようなウェハー保持台の構成により、凹部深さ
調整用ねじ48の回転によりウェハー凹部調整側壁部材
46を上下させることにより自由にウェハーの深さに対
応した凹部を形成することができる。本実施例は一例と
して凹部深さ調整用ねじ48を用いた凹部形成ウェハー
保持装置であるが、本発明の主旨に反しない限り如何な
る方法でもよい。
【0047】ウェハーの厚さはウェハーの種類によって
異なるが、本実施例を用いればウェハーの種類に応じて
最適な研磨状態とすることができ、従ってどのような厚
さのウェハーでも均一なポリッシュレートを得ることが
できる。
異なるが、本実施例を用いればウェハーの種類に応じて
最適な研磨状態とすることができ、従ってどのような厚
さのウェハーでも均一なポリッシュレートを得ることが
できる。
【0048】なお、本実施例では特に示してないが、請
求項4および5に示した基板保持台を、請求項1〜3に
示した基板研磨装置に有効に利用することができる。
求項4および5に示した基板保持台を、請求項1〜3に
示した基板研磨装置に有効に利用することができる。
【0049】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ポ
リッシュレートのウェハー面内の均一性を向上させるこ
とができる。特に、請求項1の発明によれば、研磨プレ
ートが小さくなっているため、研磨材であるスラリーの
分布を研磨パッド上で向上させることができ、しかも基
板研磨装置そのものの大きさを縮小することが可能とな
り、装置コストを低減することができる。
リッシュレートのウェハー面内の均一性を向上させるこ
とができる。特に、請求項1の発明によれば、研磨プレ
ートが小さくなっているため、研磨材であるスラリーの
分布を研磨パッド上で向上させることができ、しかも基
板研磨装置そのものの大きさを縮小することが可能とな
り、装置コストを低減することができる。
【0050】また特に請求項2および3の発明によれ
ば、研磨プレートに設けた複数の各領域の圧力が所定の
圧力にコントロールすることができるため、研磨プレー
トのポリッシュレートの分散を最小限に抑制することが
できる。
ば、研磨プレートに設けた複数の各領域の圧力が所定の
圧力にコントロールすることができるため、研磨プレー
トのポリッシュレートの分散を最小限に抑制することが
できる。
【0051】更にまた、特に請求項3および4の発明に
よれば、ウェハー保持台(プレート)を少なくともウェ
ハーより大きくし、その保持台にウェハーの厚さに対応
した凹部(溝)を形成し、そのウェハー周辺における押
え付け圧力の増大を防止でき、ポリッシュレートの面内
分布が向上する。
よれば、ウェハー保持台(プレート)を少なくともウェ
ハーより大きくし、その保持台にウェハーの厚さに対応
した凹部(溝)を形成し、そのウェハー周辺における押
え付け圧力の増大を防止でき、ポリッシュレートの面内
分布が向上する。
【0052】また、本発明の基板保持台は従来の基板保
持台の容易な改造によって実現することができるためコ
ストも少なくすませることができる。
持台の容易な改造によって実現することができるためコ
ストも少なくすませることができる。
【図1】本発明に係る基板研磨装置の第1実施例を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
【図2】本発明に係る基板研磨装置の第2実施例を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
【図3】本発明に係る基板研磨装置の第3実施例を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
【図4】本発明に係る基板保持台の第1実施例を示す模
式断面図である。
式断面図である。
【図5】本発明に係る基板保持台の第2実施例を示す模
式断面図である。
式断面図である。
【図6】従来の基板研磨装置の模式断面図である。
【図7】トレンチアイソレーション工程断面図である。
【符号の説明】 1 ウェハー(基板) 2 ウェハー保持台 3 ウェハー保持台回転軸 4 スラリー 5,5a,5b 研磨パッド 6,6a,6b 研磨プレート 7,7a,7b 研磨プレート回転軸 8 スラリー導入管 10 ウェハー保持装置 11 ウェハー研磨装置 21 半導体基板 22 パッド酸化膜 23 シリコン窒化膜 24 熱酸化膜 25 溝(トレンチ) 26,26a 層間膜 30 研磨プレート主回転軸 31 研磨プレート押え機構 36a,36b,・・・,36i 研磨圧力コントロー
ルゾーン 37a,37b,・・・,37i ばね
ルゾーン 37a,37b,・・・,37i ばね
Claims (5)
- 【請求項1】 支持台に基板を支持し、該基板面および
/又は該基板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被
研磨部として研磨する基板研磨装置において、 前記被研磨部を研磨する研磨プレートの直径が該基板の
直径の1/2以下であり、且つ該研磨プレートを一つの
基板に対して複数具備してなることを特徴とする基板研
磨装置。 - 【請求項2】 支持台に基板を支持し、該基板面および
/又は該基板上に形成した材料膜の少なくとも一部を被
研磨部として研磨する基板研磨装置において、 前記被研磨部を研磨する研磨プレートを複数の領域に分
け、前記基板への前記研磨プレートの押し付け圧力を各
領域においてコントロール可能にせしめたことを特徴と
する基板研磨装置。 - 【請求項3】 前記複数の領域が同心円状に配設されて
なることを特徴とする請求項2記載の基板研磨装置。 - 【請求項4】 被研磨材としての基板を保持する基板保
持台であって、 前記基板保持台に該基板を収容するための凹部を設けた
ことを特徴とする基板保持台。 - 【請求項5】 前記凹部の深さが前記基板の厚さに対応
して変えられるように構成されたことを特徴とする請求
項4記載の基板保持台。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12130093A JPH06333891A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 基板研磨装置および基板保持台 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12130093A JPH06333891A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 基板研磨装置および基板保持台 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06333891A true JPH06333891A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14807847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12130093A Pending JPH06333891A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 基板研磨装置および基板保持台 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06333891A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19652839A1 (de) * | 1996-07-09 | 1998-01-22 | Lg Semicon Co Ltd | Pegelsensorvorrichtung und -verfahren für Halbleiterwafer für chemisch-mechanisches Poliergerät |
US5762539A (en) * | 1996-02-27 | 1998-06-09 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
WO1999000831A1 (fr) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Hitachi, Ltd. | Procede servant a fabriquer des composants a semi-conducteur |
US5985090A (en) * | 1995-05-17 | 1999-11-16 | Ebara Corporation | Polishing cloth and polishing apparatus having such polishing cloth |
US6015337A (en) * | 1995-07-20 | 2000-01-18 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
KR100283479B1 (ko) * | 1998-01-10 | 2001-04-02 | 한신혁 | 반도체 소자의 연마장치 |
US6234876B1 (en) | 1997-09-01 | 2001-05-22 | United Microelectronics Corp | Chemical-mechanical polish machines and fabrication process using the same |
KR100342845B1 (ko) * | 1999-11-12 | 2002-07-10 | 박철호 | 최소형 피. 씨. 비 기판의 접속부 연마방법 및 그 장치 |
USRE38854E1 (en) | 1996-02-27 | 2005-10-25 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
US6998013B2 (en) * | 2002-10-10 | 2006-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | CMP apparatus polishing head with concentric pressure zones |
JP2011079131A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Lg Chem Ltd | フロートガラス研磨システム及びその方法 |
US9060452B2 (en) | 2009-02-06 | 2015-06-16 | Lg Chem, Ltd. | Method for manufacturing insulated conductive pattern and laminate |
KR20170034404A (ko) * | 2014-07-18 | 2017-03-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 두께 프로파일들의 수정 |
JP2018051679A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社ディスコ | 研磨ユニット |
CN110216577A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-10 | 吴丰平 | 一种用于硅片减薄机的砂轮自适应调节装置 |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP12130093A patent/JPH06333891A/ja active Pending
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5985090A (en) * | 1995-05-17 | 1999-11-16 | Ebara Corporation | Polishing cloth and polishing apparatus having such polishing cloth |
US6015337A (en) * | 1995-07-20 | 2000-01-18 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
USRE39471E1 (en) * | 1996-02-27 | 2007-01-16 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
US5762539A (en) * | 1996-02-27 | 1998-06-09 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
USRE38854E1 (en) | 1996-02-27 | 2005-10-25 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
USRE38826E1 (en) | 1996-02-27 | 2005-10-11 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
DE19652839C2 (de) * | 1996-07-09 | 2002-04-18 | Lg Semicon Co Ltd | Nivelliersensorvorrichtung und -verfahren für Halbleiterwafer für ein chemisch-mechanisches Poliergerät |
DE19652839A1 (de) * | 1996-07-09 | 1998-01-22 | Lg Semicon Co Ltd | Pegelsensorvorrichtung und -verfahren für Halbleiterwafer für chemisch-mechanisches Poliergerät |
WO1999000831A1 (fr) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Hitachi, Ltd. | Procede servant a fabriquer des composants a semi-conducteur |
US6241582B1 (en) | 1997-09-01 | 2001-06-05 | United Microelectronics Corp. | Chemical mechanical polish machines and fabrication process using the same |
US6293850B1 (en) | 1997-09-01 | 2001-09-25 | United Microelectronics Corp. | Chemical-mechanical polish machines and fabrication process using the same |
US6234876B1 (en) | 1997-09-01 | 2001-05-22 | United Microelectronics Corp | Chemical-mechanical polish machines and fabrication process using the same |
KR100283479B1 (ko) * | 1998-01-10 | 2001-04-02 | 한신혁 | 반도체 소자의 연마장치 |
KR100342845B1 (ko) * | 1999-11-12 | 2002-07-10 | 박철호 | 최소형 피. 씨. 비 기판의 접속부 연마방법 및 그 장치 |
US6998013B2 (en) * | 2002-10-10 | 2006-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | CMP apparatus polishing head with concentric pressure zones |
US9060452B2 (en) | 2009-02-06 | 2015-06-16 | Lg Chem, Ltd. | Method for manufacturing insulated conductive pattern and laminate |
JP2011079131A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Lg Chem Ltd | フロートガラス研磨システム及びその方法 |
US8602848B2 (en) | 2009-10-08 | 2013-12-10 | Lg Chem, Ltd. | Method and system for polishing float glass |
KR20170034404A (ko) * | 2014-07-18 | 2017-03-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 두께 프로파일들의 수정 |
JP2017527107A (ja) * | 2014-07-18 | 2017-09-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板の厚さプロファイルの調節 |
JP2018051679A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社ディスコ | 研磨ユニット |
CN110216577A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-10 | 吴丰平 | 一种用于硅片减薄机的砂轮自适应调节装置 |
CN110216577B (zh) * | 2019-06-14 | 2021-06-18 | 蒋祥初 | 一种用于硅片减薄机的砂轮自适应调节装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3334139B2 (ja) | 研磨装置 | |
JPH06333891A (ja) | 基板研磨装置および基板保持台 | |
US6251785B1 (en) | Apparatus and method for polishing a semiconductor wafer in an overhanging position | |
KR20040093443A (ko) | 최적화 홈을 갖는 연마 패드 및 그 형성 방법 | |
KR20100074044A (ko) | 고속 홈 패턴 | |
JPH0950975A (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
TW424032B (en) | Differential temperature control in a chemical mechanical polishing process for the manufacture of semiconductor integrated circuits and an apparatus used therein | |
JP2969071B2 (ja) | 研摩装置 | |
JPH10180618A (ja) | Cmp装置の研磨パッドの調整方法 | |
TWI797501B (zh) | 在拋光墊中使用溝槽的晶圓邊緣不對稱校正 | |
JP2870537B1 (ja) | 研磨装置及び該装置を用いる半導体装置の製造方法 | |
EP0860238B1 (en) | Polishing apparatus | |
CN114473855A (zh) | 一种研磨垫及化学机械抛光设备 | |
JP2003526527A (ja) | ウェーハ研磨ヘッド及び研磨方法 | |
JP2000334655A (ja) | Cmp加工装置 | |
US20050136804A1 (en) | Method for polishing workpiece, polishing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
JP3360488B2 (ja) | 研磨装置およびこれを用いた研磨方法 | |
JP2001237206A (ja) | 平坦化加工方法 | |
JP2004502311A (ja) | 投射型ジンバルポイント駆動 | |
JP3489272B2 (ja) | 研磨装置およびこれを用いた研磨方法 | |
JP2004505435A (ja) | オービタル研磨装置 | |
JP2000094310A (ja) | 被研磨基板の保持装置、基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 | |
KR100252765B1 (ko) | 웨이퍼 가장자리에 대응하는 함몰부를 구비하는 연마장치 및 그를 이용한 연마방법 | |
US20220388117A1 (en) | Polishing pad surface cooling by compressed gas | |
KR20220108432A (ko) | 반도체 제조용 연마 패드 및 이를 이용한 반도체 제조 장치 |