JPH06333850A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH06333850A JPH06333850A JP5140031A JP14003193A JPH06333850A JP H06333850 A JPH06333850 A JP H06333850A JP 5140031 A JP5140031 A JP 5140031A JP 14003193 A JP14003193 A JP 14003193A JP H06333850 A JPH06333850 A JP H06333850A
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- processing
- plasma
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理ガスが流出する時の抵抗を高めることに
よりヘッダ内のプラズマ放電を抑制したプラズマ処理装
置を提供する。 【構成】 処理ガス供給ヘッダ51を有する電極20に
形成した第1のガス孔70を介して処理空間Sに処理ガ
スを供給しつつ対向する電極22に保持した被処理体W
にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記
ヘッダより流出する処理ガスに抵抗を付与する抵抗付与
手段72を設け、これによりヘッダ内雰囲気をパッシェ
ンの法則の放電領域外の状態にし、プロセス圧力が0.
5Torr以下の場合でもヘッダ内にプラズマ微小放電
が発生しないようにする。
よりヘッダ内のプラズマ放電を抑制したプラズマ処理装
置を提供する。 【構成】 処理ガス供給ヘッダ51を有する電極20に
形成した第1のガス孔70を介して処理空間Sに処理ガ
スを供給しつつ対向する電極22に保持した被処理体W
にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記
ヘッダより流出する処理ガスに抵抗を付与する抵抗付与
手段72を設け、これによりヘッダ内雰囲気をパッシェ
ンの法則の放電領域外の状態にし、プロセス圧力が0.
5Torr以下の場合でもヘッダ内にプラズマ微小放電
が発生しないようにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置の改
良に関する。
良に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体製品の製造工程において
は、半導体ウエハにCVD処理、エッチング処理、スパ
ッタ処理等を施すことが行われるが、このような各種の
処理を施す装置としてプラズマ処理装置が用いられる場
合がある。この種の従来のプラズマ処理装置の一例とし
ては、例えばアルミニウム等よりなる処理容器内に2つ
の平板型の電極を平行に設置し、その内の上部電極を接
地し、他方、下部電極に高周波電源としてRFパワーを
印加すると共にこれにウエハを支持させるようになって
いる。そして、両電極間にエッチングガスを導入してプ
ラズマを誘起し、ウエハにプラズマ処理を施すようにな
っている。
は、半導体ウエハにCVD処理、エッチング処理、スパ
ッタ処理等を施すことが行われるが、このような各種の
処理を施す装置としてプラズマ処理装置が用いられる場
合がある。この種の従来のプラズマ処理装置の一例とし
ては、例えばアルミニウム等よりなる処理容器内に2つ
の平板型の電極を平行に設置し、その内の上部電極を接
地し、他方、下部電極に高周波電源としてRFパワーを
印加すると共にこれにウエハを支持させるようになって
いる。そして、両電極間にエッチングガスを導入してプ
ラズマを誘起し、ウエハにプラズマ処理を施すようにな
っている。
【0003】これを図4に基づいて説明すると、アルミ
ニウム等よりなる処理容器2内に上部電極4が配置され
ると共にその下方にはサセプタとしての下部電極6が設
置され、この下部電極6には高周波電源8が接続されて
いる。この下部電極6の上面には、静電チャック10が
設けられており、この表面に半導体ウエハWを静電吸着
するようになっている。下部電極6は、冷却ジャケット
12を有するサセプタ支持台14上に支持され、プラズ
マ処理時に加熱した下部電極6を冷却するようになって
いる。
ニウム等よりなる処理容器2内に上部電極4が配置され
ると共にその下方にはサセプタとしての下部電極6が設
置され、この下部電極6には高周波電源8が接続されて
いる。この下部電極6の上面には、静電チャック10が
設けられており、この表面に半導体ウエハWを静電吸着
するようになっている。下部電極6は、冷却ジャケット
12を有するサセプタ支持台14上に支持され、プラズ
マ処理時に加熱した下部電極6を冷却するようになって
いる。
【0004】また、上部電極4には、処理ガスを処理空
間Sへ供給するための処理ガス供給ヘッダ16が設けら
れており、ここに形成した多数のガス孔18から処理空
間Sへシャワー状に処理ガスを供給するようになってい
る。プラズマ処理を行う場合には、上下の電極4、6間
に高周波電力を供給しつつ処理空間Sに処理ガスを供給
し、所定の減圧下に維持することによりこの処理空間S
にプラズマが立ち、ウエハ表面にエッチング等のプラズ
マ処理が施されることになる。
間Sへ供給するための処理ガス供給ヘッダ16が設けら
れており、ここに形成した多数のガス孔18から処理空
間Sへシャワー状に処理ガスを供給するようになってい
る。プラズマ処理を行う場合には、上下の電極4、6間
に高周波電力を供給しつつ処理空間Sに処理ガスを供給
し、所定の減圧下に維持することによりこの処理空間S
にプラズマが立ち、ウエハ表面にエッチング等のプラズ
マ処理が施されることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、プラズマ処
理として例えばエッチングを行う場合を例にとると、こ
のエッチング処理にあっては処理空間Sにおけるガス雰
囲気の圧力(プロセス圧力)は低ければ低い程、微細加
工に適していることが知られており、例えば4MDRA
Mのメモリを形成する場合には線幅が0.8μm程度の
エッチングを行う必要があることからプロセス圧力は約
1.7Torr程度に維持されている。そして、加工の
微細化に伴って、例えば16MDRAMのメモリの製造
を行う場合には線幅が約0.5μm程度の微細加工を行
わなければならず、この場合にはプロセス圧力を約0.
25Torr程度に設定する必要がある。
理として例えばエッチングを行う場合を例にとると、こ
のエッチング処理にあっては処理空間Sにおけるガス雰
囲気の圧力(プロセス圧力)は低ければ低い程、微細加
工に適していることが知られており、例えば4MDRA
Mのメモリを形成する場合には線幅が0.8μm程度の
エッチングを行う必要があることからプロセス圧力は約
1.7Torr程度に維持されている。そして、加工の
微細化に伴って、例えば16MDRAMのメモリの製造
を行う場合には線幅が約0.5μm程度の微細加工を行
わなければならず、この場合にはプロセス圧力を約0.
25Torr程度に設定する必要がある。
【0006】通常、処理ガスが処理ガス供給ヘッダ16
からガス孔8を介して処理空間Sに流出する際には、ガ
ス孔18等より受ける抵抗によりヘッダ16内のガス圧
力が処理空間S側よりもある程度高くなってはいるが、
しかしながら上述のようにプロセス圧力を約0.25T
orrもの低圧にするとヘッダ16内の雰囲気圧力もそ
れに対応してかなり低圧となり、このためにプラズマ放
電が処理空間Sのみならずヘッダ16内においても生ず
るようになってしまう。このように、ヘッダ16内にて
プラズマの微小放電が生ずるとヘッダ16を構成するア
ルミニウム材表面がプラズマによる活性イオン等により
たたかれてパーティクルが発生し、これが処理空間S側
へ流れてウエハに付着するという問題点があった。本発
明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決
すべく創案されたものである。本発明の目的は、処理ガ
スが流出する時の抵抗を高めることによりヘッダ内のプ
ラズマ放電を抑制したプラズマ処理装置を提供すること
にある。
からガス孔8を介して処理空間Sに流出する際には、ガ
ス孔18等より受ける抵抗によりヘッダ16内のガス圧
力が処理空間S側よりもある程度高くなってはいるが、
しかしながら上述のようにプロセス圧力を約0.25T
orrもの低圧にするとヘッダ16内の雰囲気圧力もそ
れに対応してかなり低圧となり、このためにプラズマ放
電が処理空間Sのみならずヘッダ16内においても生ず
るようになってしまう。このように、ヘッダ16内にて
プラズマの微小放電が生ずるとヘッダ16を構成するア
ルミニウム材表面がプラズマによる活性イオン等により
たたかれてパーティクルが発生し、これが処理空間S側
へ流れてウエハに付着するという問題点があった。本発
明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決
すべく創案されたものである。本発明の目的は、処理ガ
スが流出する時の抵抗を高めることによりヘッダ内のプ
ラズマ放電を抑制したプラズマ処理装置を提供すること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、処理ガス供給ヘッダを有する電極に形
成した第1のガス孔を介して処理空間に処理ガスを供給
しつつ対向する電極に保持した被処理体に対してプラズ
マ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガス
供給ヘッダから前記ガス孔を介して前記処理空間に流通
する処理ガスに対して、前記処理空間の処理圧力を0.
5Torr以下に設定した時に前記供給ヘッダ内にプラ
ズマ放電が生じないように抵抗を付与する抵抗付与手段
を形成するように構成したものである。
解決するために、処理ガス供給ヘッダを有する電極に形
成した第1のガス孔を介して処理空間に処理ガスを供給
しつつ対向する電極に保持した被処理体に対してプラズ
マ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガス
供給ヘッダから前記ガス孔を介して前記処理空間に流通
する処理ガスに対して、前記処理空間の処理圧力を0.
5Torr以下に設定した時に前記供給ヘッダ内にプラ
ズマ放電が生じないように抵抗を付与する抵抗付与手段
を形成するように構成したものである。
【0008】
【作用】本発明は、以上のように構成したので、処理ガ
ス供給ヘッダからは処理ガスが抵抗付与手段によりその
圧力が抑制された状態で第1のガス孔を介して処理空間
内に流出することになる。この抵抗付与手段は例えば第
2のガス孔を有する冷却板よりなり、この冷却板の厚さ
や第2のガス孔或いは第1のガス孔の孔径等を変化させ
ることにより流出する処理ガスに対する抵抗を任意に選
択することができる。この場合、微細加工を行うために
処理空間Sにおけるプロセスガス圧を0.5Torr以
下に設定しても、抵抗付与手段による抵抗により上記ヘ
ッダ内の圧力は0.5Torrよりも僅かに高い値とな
ってこのヘッダ内の状態が、プラズマ放電を生ずるため
の状態を示すパッシェン(Paschen)の法則から
外れることとなり、このヘッダ内でのプラズマの発生を
抑制することが可能となる。
ス供給ヘッダからは処理ガスが抵抗付与手段によりその
圧力が抑制された状態で第1のガス孔を介して処理空間
内に流出することになる。この抵抗付与手段は例えば第
2のガス孔を有する冷却板よりなり、この冷却板の厚さ
や第2のガス孔或いは第1のガス孔の孔径等を変化させ
ることにより流出する処理ガスに対する抵抗を任意に選
択することができる。この場合、微細加工を行うために
処理空間Sにおけるプロセスガス圧を0.5Torr以
下に設定しても、抵抗付与手段による抵抗により上記ヘ
ッダ内の圧力は0.5Torrよりも僅かに高い値とな
ってこのヘッダ内の状態が、プラズマ放電を生ずるため
の状態を示すパッシェン(Paschen)の法則から
外れることとなり、このヘッダ内でのプラズマの発生を
抑制することが可能となる。
【0009】
【実施例】以下に、本発明に係るプラズマ処理装置の一
実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に
係るプラズマ処理装置の一実施例を示す断面図、図2は
図1に示す装置の上部電極の近傍を示す拡大断面図、図
3は図2に示す抵抗付与手段を示す平面図である。本実
施例においては、プラズマ処理装置としてプラズマエッ
チング装置を例にとって説明する。
実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に
係るプラズマ処理装置の一実施例を示す断面図、図2は
図1に示す装置の上部電極の近傍を示す拡大断面図、図
3は図2に示す抵抗付与手段を示す平面図である。本実
施例においては、プラズマ処理装置としてプラズマエッ
チング装置を例にとって説明する。
【0010】図示するようにこのプラズマエッチング装
置は、例えばアルミニウム等の導体により筒体状に成形
された処理容器18を有しており、この処理容器18は
接地されている。この処理容器18内には、上下方向に
例えば20〜30mm程度離間された一対の電極、すな
わち上部電極20と下部電極22とが平行に配置されて
おり、これら電極間がプラズマ処理空間Sとして構成さ
れる。サセプタとしての下部電極22は、例えばアルマ
イト処理したアルミニウム等により略円柱状に成形され
ており、その上端平面部に被処理体である、例えば半導
体ウエハWを載置し得るようになされている。そして、
この下部電極22の上部周辺部にはリング状のクランパ
部材24が設けられており、ウエハWの周縁部と係合し
てこれを下部電極22へ固定し得るように構成されてい
る。
置は、例えばアルミニウム等の導体により筒体状に成形
された処理容器18を有しており、この処理容器18は
接地されている。この処理容器18内には、上下方向に
例えば20〜30mm程度離間された一対の電極、すな
わち上部電極20と下部電極22とが平行に配置されて
おり、これら電極間がプラズマ処理空間Sとして構成さ
れる。サセプタとしての下部電極22は、例えばアルマ
イト処理したアルミニウム等により略円柱状に成形され
ており、その上端平面部に被処理体である、例えば半導
体ウエハWを載置し得るようになされている。そして、
この下部電極22の上部周辺部にはリング状のクランパ
部材24が設けられており、ウエハWの周縁部と係合し
てこれを下部電極22へ固定し得るように構成されてい
る。
【0011】この下部電極22には、処理容器の下部よ
り貫通された例えば絶縁性の管26が連結されており、
この中に下部電極22に接続した配線28を挿通させる
と共にこの配線28にマッチングユニット30及び例え
ば13.56MHzの第1の高周波電源32が接続され
る。尚、この絶縁性の管26自体を導体で形成し、これ
に表皮効果により高周波電力を流すようにしてもよい。
この場合には、この管26と管26が貫通する各部材と
の間の絶縁性を確保するように構成する。そして、下部
電極22の下部は、例えば厚さが数10mmのセラミッ
クス等よりなる絶縁体34を介して接地強化用の第1の
接地電極36が設けられ、この電極36は確実に接地さ
れる。この第1の接地電極36は、例えば厚さが数10
mmの良導体のアルミニウム等よりなり、下部電極22
の略下部全体を、上記絶縁体34を介して被うように容
器状に成形される。
り貫通された例えば絶縁性の管26が連結されており、
この中に下部電極22に接続した配線28を挿通させる
と共にこの配線28にマッチングユニット30及び例え
ば13.56MHzの第1の高周波電源32が接続され
る。尚、この絶縁性の管26自体を導体で形成し、これ
に表皮効果により高周波電力を流すようにしてもよい。
この場合には、この管26と管26が貫通する各部材と
の間の絶縁性を確保するように構成する。そして、下部
電極22の下部は、例えば厚さが数10mmのセラミッ
クス等よりなる絶縁体34を介して接地強化用の第1の
接地電極36が設けられ、この電極36は確実に接地さ
れる。この第1の接地電極36は、例えば厚さが数10
mmの良導体のアルミニウム等よりなり、下部電極22
の略下部全体を、上記絶縁体34を介して被うように容
器状に成形される。
【0012】また、絶縁体34の下面と第1の接地電極
36の上面との間には、僅かな間隙S1が形成され、こ
の絶縁体34の周縁部下面と第1の接地電極36の周縁
部上端との間にはOリング38が環状に介在されて間隙
S1内をシールしている。そして、この間隙S1には、
その下方より絶縁用気体を導入するための気体導入通路
40が連結されており、この間隙S1に例えば1気圧の
空気を充填することにより上記下部電極22と第1の接
地電極36との間の絶縁性を向上させるための絶縁気体
層42が形成される。
36の上面との間には、僅かな間隙S1が形成され、こ
の絶縁体34の周縁部下面と第1の接地電極36の周縁
部上端との間にはOリング38が環状に介在されて間隙
S1内をシールしている。そして、この間隙S1には、
その下方より絶縁用気体を導入するための気体導入通路
40が連結されており、この間隙S1に例えば1気圧の
空気を充填することにより上記下部電極22と第1の接
地電極36との間の絶縁性を向上させるための絶縁気体
層42が形成される。
【0013】この下部電極22の下部には金属製のサセ
プタ支持台44が介設されると共にこの下部は、容器に
取り付けられた環状のチャンバボトムリング46により
支持されている。サセプタ支持台44は例えば導電性部
材であるアルミニウム部材を、相互に面接触となるよう
に複数個組み合わせて構成されており、全体として接地
ラインにおけるインピーダンスを可能な限り小さくして
接地を強力なものとしている。また、上記下部電極22
内には、その周方向に沿って冷媒を流すための下部冷却
ジャケット48が形成されており、このジャケット48
には、下方より冷却用の冷媒を導入及び排出するための
冷媒導入通路50及び冷媒排出通路(図示せず)が接続
されている。
プタ支持台44が介設されると共にこの下部は、容器に
取り付けられた環状のチャンバボトムリング46により
支持されている。サセプタ支持台44は例えば導電性部
材であるアルミニウム部材を、相互に面接触となるよう
に複数個組み合わせて構成されており、全体として接地
ラインにおけるインピーダンスを可能な限り小さくして
接地を強力なものとしている。また、上記下部電極22
内には、その周方向に沿って冷媒を流すための下部冷却
ジャケット48が形成されており、このジャケット48
には、下方より冷却用の冷媒を導入及び排出するための
冷媒導入通路50及び冷媒排出通路(図示せず)が接続
されている。
【0014】一方、上部電極20は、例えばアモルファ
スカーボン或いはアルミニウム等により円板状に成形さ
れると共に、その上部には例えばアルミニウムよりなる
処理ガス供給ヘッダ51が設けられ、その側部には係合
凹部52が形成されている。そして、この上部電極20
及び供給ヘッダ51の側部全体は、例えばセラミック或
いは石英等よりなる電気的絶縁体54により被われてお
り、上部電極全体が処理容器18側に支持されている。
スカーボン或いはアルミニウム等により円板状に成形さ
れると共に、その上部には例えばアルミニウムよりなる
処理ガス供給ヘッダ51が設けられ、その側部には係合
凹部52が形成されている。そして、この上部電極20
及び供給ヘッダ51の側部全体は、例えばセラミック或
いは石英等よりなる電気的絶縁体54により被われてお
り、上部電極全体が処理容器18側に支持されている。
【0015】この上部電極20は、例えば可変コンデン
サ等を含むマッチングユニット56を介して例えば40
MHzの高周波を発生する第2の高周波電源58が接続
されており、上部電極20に対して高周波電力を印加す
るように構成されている。従って、本実施例にあっては
上部電極20と下部電極22の両方に高周波電力が供給
されて、いわゆるトップアンドボトム方式のプラズマ処
理装置として構成される。また、この上部電極20の側
部には、絶縁体54を介して例えばアルミニウム等より
なるリング状の接地強化用の第2の接地電極60が処理
容器18の側壁との間で設けられており、この接地電極
60は確実に接地されている。
サ等を含むマッチングユニット56を介して例えば40
MHzの高周波を発生する第2の高周波電源58が接続
されており、上部電極20に対して高周波電力を印加す
るように構成されている。従って、本実施例にあっては
上部電極20と下部電極22の両方に高周波電力が供給
されて、いわゆるトップアンドボトム方式のプラズマ処
理装置として構成される。また、この上部電極20の側
部には、絶縁体54を介して例えばアルミニウム等より
なるリング状の接地強化用の第2の接地電極60が処理
容器18の側壁との間で設けられており、この接地電極
60は確実に接地されている。
【0016】この第2の接地電極60の下面であって処
理空間Sに臨む面は、例えばアルマイト処理が施されて
おり、プラズマ放電によりこの接地電極60がダメージ
を受けることを防止するために、耐食性、絶縁性の良好
な例えばAl2 O3 よりなる保護層62が形成されてい
る。そして、この接地電極60の下端部は、その内側に
位置する上部電極20の下端部と略同一平面となるよう
に設定されており、不要な付着物が発生することを防止
している。
理空間Sに臨む面は、例えばアルマイト処理が施されて
おり、プラズマ放電によりこの接地電極60がダメージ
を受けることを防止するために、耐食性、絶縁性の良好
な例えばAl2 O3 よりなる保護層62が形成されてい
る。そして、この接地電極60の下端部は、その内側に
位置する上部電極20の下端部と略同一平面となるよう
に設定されており、不要な付着物が発生することを防止
している。
【0017】また、この第2の接地電極60は、処理容
器18の天井部18Aを取り外すことにより、上方向へ
挿脱可能になされており、必要時にはこの接地電極60
を容易に交換し得るように構成されている。また、前記
処理ガス供給ヘッダ51は、前記プラズマ処理空間Sへ
処理ガス(プロセスガス)を供給するためのものであ
り、これにはエッチングガス源66からエッチングガス
を導入するためのガス導入通路68が連結される。ま
た、このヘッダ51の先端には板状の上部電極20の広
がりに沿って水平方向へ拡大された中空のヘッダ室64
が形成されている。図2にも示すようにこのヘッダ室6
4の下端開口端には、上記板状の上部電極20が取り付
けられており、上部電極20に等ピッチで多数形成した
第1のガス孔70を介してヘッダ室64から処理空間S
に向けて流出するようになっている。
器18の天井部18Aを取り外すことにより、上方向へ
挿脱可能になされており、必要時にはこの接地電極60
を容易に交換し得るように構成されている。また、前記
処理ガス供給ヘッダ51は、前記プラズマ処理空間Sへ
処理ガス(プロセスガス)を供給するためのものであ
り、これにはエッチングガス源66からエッチングガス
を導入するためのガス導入通路68が連結される。ま
た、このヘッダ51の先端には板状の上部電極20の広
がりに沿って水平方向へ拡大された中空のヘッダ室64
が形成されている。図2にも示すようにこのヘッダ室6
4の下端開口端には、上記板状の上部電極20が取り付
けられており、上部電極20に等ピッチで多数形成した
第1のガス孔70を介してヘッダ室64から処理空間S
に向けて流出するようになっている。
【0018】本実施例においては、例えば16MDRA
Mを製造するために必要とされる超微細加工を行うため
に処理空間Sの雰囲気圧力を0.5Torr以下に設定
するが、この場合にヘッダ室64内の圧力低下を防止す
るために流出する処理ガスに抵抗を付与する本発明の特
長とする抵抗付与手段72が形成される。具体的にはこ
の抵抗付与手段72は、例えばアルミニウム等よりなる
板状の抵抗プレート74を有し、このプレート74は上
記ヘッダ室64の開口端縁と上部電極20との間に介設
されて、ボルト76等により取り付け固定される。この
抵抗プレート74には、上記上部電極20に形成された
第1のガス孔70と対応して連通するように等ピッチに
なされた多数の第2のガス孔78が形成されている。こ
の時の平面図は図3に示される。第1のガス孔70及び
第2のガス孔78はそれぞれ上部電極20及び抵抗プレ
ート74の略全面に渡って等ピッチで形成されており、
これを流通する処理ガスに対する抵抗は、第1のガス孔
70の直径D1、第2のガス孔78及び抵抗プレート7
4の厚さH1等により決定され、これらの値を適宜選択
することにより処理空間Sのプロセス圧力よりもヘッダ
室64内の圧力を所定の圧力差だけ高く設定することが
できる。
Mを製造するために必要とされる超微細加工を行うため
に処理空間Sの雰囲気圧力を0.5Torr以下に設定
するが、この場合にヘッダ室64内の圧力低下を防止す
るために流出する処理ガスに抵抗を付与する本発明の特
長とする抵抗付与手段72が形成される。具体的にはこ
の抵抗付与手段72は、例えばアルミニウム等よりなる
板状の抵抗プレート74を有し、このプレート74は上
記ヘッダ室64の開口端縁と上部電極20との間に介設
されて、ボルト76等により取り付け固定される。この
抵抗プレート74には、上記上部電極20に形成された
第1のガス孔70と対応して連通するように等ピッチに
なされた多数の第2のガス孔78が形成されている。こ
の時の平面図は図3に示される。第1のガス孔70及び
第2のガス孔78はそれぞれ上部電極20及び抵抗プレ
ート74の略全面に渡って等ピッチで形成されており、
これを流通する処理ガスに対する抵抗は、第1のガス孔
70の直径D1、第2のガス孔78及び抵抗プレート7
4の厚さH1等により決定され、これらの値を適宜選択
することにより処理空間Sのプロセス圧力よりもヘッダ
室64内の圧力を所定の圧力差だけ高く設定することが
できる。
【0019】そして、この場合、ヘッダ室64内の雰囲
気状態は、プラズマ放電が生ずる限界を示すパッシェン
(Paschen)の法則を外れるような状態に設定さ
れる。このパッシェンの法則は、放電開始電圧Vと、放
電空間の圧力Pと電極から放電空間までの距離Lとの関
係を示すものであり、これらの関係で表される放電発生
領域外となるように上記パラメータを設定する。具体的
には、ヘッダ室64内の圧力を上昇させるために第1の
ガス孔70の直径D1は0.5mmに、第2のガス孔7
8の直径D2は2.0mm程度に設定されると共に第2
のガス孔78のピッチL1は6.35mm程度に設定さ
れ、また、上部電極20からの距離を決定する抵抗プレ
ート74の厚さH1は17mm程度に設定され、プラズ
マ放電が生じないように構成している。また、この抵抗
プレート74は、冷媒を流すために処理ガス供給ヘッダ
51に設けた上部冷却ジャケット80からの冷熱によ
り、上部電極20を冷却するためのクーリングプレート
としての機能も有するように構成されている。また、ヘ
ッダ室64内には、多数の流通孔82を有して水平方向
に配置された2枚のバッフル板84が上下に適宜離間さ
せて設けられており、ガス導入通路68より導入した処
理ガスをヘッダ室64内にて均一拡散するようになって
いる。
気状態は、プラズマ放電が生ずる限界を示すパッシェン
(Paschen)の法則を外れるような状態に設定さ
れる。このパッシェンの法則は、放電開始電圧Vと、放
電空間の圧力Pと電極から放電空間までの距離Lとの関
係を示すものであり、これらの関係で表される放電発生
領域外となるように上記パラメータを設定する。具体的
には、ヘッダ室64内の圧力を上昇させるために第1の
ガス孔70の直径D1は0.5mmに、第2のガス孔7
8の直径D2は2.0mm程度に設定されると共に第2
のガス孔78のピッチL1は6.35mm程度に設定さ
れ、また、上部電極20からの距離を決定する抵抗プレ
ート74の厚さH1は17mm程度に設定され、プラズ
マ放電が生じないように構成している。また、この抵抗
プレート74は、冷媒を流すために処理ガス供給ヘッダ
51に設けた上部冷却ジャケット80からの冷熱によ
り、上部電極20を冷却するためのクーリングプレート
としての機能も有するように構成されている。また、ヘ
ッダ室64内には、多数の流通孔82を有して水平方向
に配置された2枚のバッフル板84が上下に適宜離間さ
せて設けられており、ガス導入通路68より導入した処
理ガスをヘッダ室64内にて均一拡散するようになって
いる。
【0020】そして、処理容器18の側壁の一部には、
容器内の雰囲気を排出するための排気通路86が接続さ
れている。また、この容器の他の側壁には、ゲートベン
88を介して内部に搬送アーム90を有するロードロッ
ク室92が連通されており、上記処理容器18内の真空
を破ることなくウエハWの搬入及び搬出を行い得るよう
に構成されている。また、このロードロック室92の反
対側壁にもゲートベン94が設けられており、図示しな
いウエハ搬送系との間でウエハの受け渡しを行うように
なっている。
容器内の雰囲気を排出するための排気通路86が接続さ
れている。また、この容器の他の側壁には、ゲートベン
88を介して内部に搬送アーム90を有するロードロッ
ク室92が連通されており、上記処理容器18内の真空
を破ることなくウエハWの搬入及び搬出を行い得るよう
に構成されている。また、このロードロック室92の反
対側壁にもゲートベン94が設けられており、図示しな
いウエハ搬送系との間でウエハの受け渡しを行うように
なっている。
【0021】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、ロードロック室92内及
び処理容器18内はともに真空状態になされており、ロ
ードロック室92内の搬送アーム90に保持された未処
理のウエハWは、ゲートベン88を介して処理容器18
内に搬入され、このウエハWは下部電極22上にクラン
パ部材24により確実に固定される。
動作について説明する。まず、ロードロック室92内及
び処理容器18内はともに真空状態になされており、ロ
ードロック室92内の搬送アーム90に保持された未処
理のウエハWは、ゲートベン88を介して処理容器18
内に搬入され、このウエハWは下部電極22上にクラン
パ部材24により確実に固定される。
【0022】そして、ガス導入通路68へエッチングガ
スを送り込むことにより処理ガス供給ヘッダ51のヘッ
ダ室60へ供給された処理ガスを抵抗プレート74に設
けた第2のガス孔78及び上部電極20に設けた第1の
ガス孔70を介して処理容器18内へ導入させると共に
排気通路86を介して処理容器18内を真空引きしてこ
の容器18内を所定の低圧雰囲気に維持しつつ上部電極
20に第2の高周波電源58より例えば40MHzの高
周波を、下部電極22に第1の高周波電源32より、例
えば13.56MHzの高周波電力をそれぞれ印加す
る。これにより、上部電極20と下部電極22との間に
プラズマ放電が発生し、処理空間S内にエッチングガス
からプラズマが誘起され、生成したプラズマ中のラジカ
ルをウエハWの表面に付着させて化学的反応によるエッ
チングを行うと共にプラズマ中で分解したイオンを両電
極20、22間に形成される電界によって加速してウエ
ハWに衝突させ、例えばポリシリコン膜のエッチングを
行う。
スを送り込むことにより処理ガス供給ヘッダ51のヘッ
ダ室60へ供給された処理ガスを抵抗プレート74に設
けた第2のガス孔78及び上部電極20に設けた第1の
ガス孔70を介して処理容器18内へ導入させると共に
排気通路86を介して処理容器18内を真空引きしてこ
の容器18内を所定の低圧雰囲気に維持しつつ上部電極
20に第2の高周波電源58より例えば40MHzの高
周波を、下部電極22に第1の高周波電源32より、例
えば13.56MHzの高周波電力をそれぞれ印加す
る。これにより、上部電極20と下部電極22との間に
プラズマ放電が発生し、処理空間S内にエッチングガス
からプラズマが誘起され、生成したプラズマ中のラジカ
ルをウエハWの表面に付着させて化学的反応によるエッ
チングを行うと共にプラズマ中で分解したイオンを両電
極20、22間に形成される電界によって加速してウエ
ハWに衝突させ、例えばポリシリコン膜のエッチングを
行う。
【0023】ところで、上部及び下部電極20、22間
に放電を生ぜしめてプラズマを立ち上げるときには、各
高周波電源32、58の有するインピーダンスと放電
系、例えば上部及び下部電極間で形成される容量性のイ
ンピーダンス、上部電極20とこの外周側に配置した第
2の接地電極60との間に形成される容量性のインピー
ダンス、下部電極32とこの外周側に配置した第1の接
地電極36との間に形成される容量性のインピーダンス
或いは更に遠い所に位置する容器壁との間に形成される
容量性のインピーダンス等の結合インピーダンスが等し
くなければ安定して放電が生じないので、放電開始時に
おいては各高周波電源32、58に直列接続した例えば
可変コンデンサよりなるマッチングユニット30、56
を適宜調整し、インピーダンスのマッチングが行われ
る。この場合、メインの放電は従来装置と同様に上部及
び下部電極20、22間において生ずるが、避けること
のできない好ましくない不要な放電は、上部電極20と
容器壁よりも近くに設けられた第2の接地電極60との
間及び下部電極22と容器壁よりも近くに設けられた第
1の接地電極36との間でそれぞれ生じることになる。
に放電を生ぜしめてプラズマを立ち上げるときには、各
高周波電源32、58の有するインピーダンスと放電
系、例えば上部及び下部電極間で形成される容量性のイ
ンピーダンス、上部電極20とこの外周側に配置した第
2の接地電極60との間に形成される容量性のインピー
ダンス、下部電極32とこの外周側に配置した第1の接
地電極36との間に形成される容量性のインピーダンス
或いは更に遠い所に位置する容器壁との間に形成される
容量性のインピーダンス等の結合インピーダンスが等し
くなければ安定して放電が生じないので、放電開始時に
おいては各高周波電源32、58に直列接続した例えば
可変コンデンサよりなるマッチングユニット30、56
を適宜調整し、インピーダンスのマッチングが行われ
る。この場合、メインの放電は従来装置と同様に上部及
び下部電極20、22間において生ずるが、避けること
のできない好ましくない不要な放電は、上部電極20と
容器壁よりも近くに設けられた第2の接地電極60との
間及び下部電極22と容器壁よりも近くに設けられた第
1の接地電極36との間でそれぞれ生じることになる。
【0024】このように、上部電極20及び下部電極2
2の近傍に容器内壁よりも近い所にそれぞれ第1及び第
2の接地電極36、60を配置して接地を強化すること
により、これらの間に不要な放電を発生させるようにし
たので、放電開始時におけるマッチングのリターン効率
が良好となり、インピーダンスが変動することなくこれ
を迅速に安定化させることが可能となる。従って、マッ
チングユニット30、56によるインピーダンス調整を
従来装置の場合と比較して迅速に行うことができ、直ち
にエッチング処理に移行することができるので、エッチ
ング処理効率を大幅に向上させることができる。
2の近傍に容器内壁よりも近い所にそれぞれ第1及び第
2の接地電極36、60を配置して接地を強化すること
により、これらの間に不要な放電を発生させるようにし
たので、放電開始時におけるマッチングのリターン効率
が良好となり、インピーダンスが変動することなくこれ
を迅速に安定化させることが可能となる。従って、マッ
チングユニット30、56によるインピーダンス調整を
従来装置の場合と比較して迅速に行うことができ、直ち
にエッチング処理に移行することができるので、エッチ
ング処理効率を大幅に向上させることができる。
【0025】また、下部電極22に関しては、上述のよ
うに絶縁体34を介してその下部を第1の接地電極36
で被ってグランドを強化しているので、下部電極22の
不要な電荷が所定の誘電率を有するセラミック製の絶縁
体34を介して或いは不要な放電として両部材間に直接
放電が生じることにより第1の接地電極36から逃げる
ことになる。従って、インピーダンス調整を迅速に行う
ことができるのみならず、安定したプラズマ放電を維持
することが可能となる。また、絶縁体34とこの下部を
被う第1の接地電極36との間隙S1には、例えば1気
圧の気体(空気)を充填した絶縁気体層42を介在させ
たのでこれらの間の絶縁性を一層良好にすることが可能
となる。
うに絶縁体34を介してその下部を第1の接地電極36
で被ってグランドを強化しているので、下部電極22の
不要な電荷が所定の誘電率を有するセラミック製の絶縁
体34を介して或いは不要な放電として両部材間に直接
放電が生じることにより第1の接地電極36から逃げる
ことになる。従って、インピーダンス調整を迅速に行う
ことができるのみならず、安定したプラズマ放電を維持
することが可能となる。また、絶縁体34とこの下部を
被う第1の接地電極36との間隙S1には、例えば1気
圧の気体(空気)を充填した絶縁気体層42を介在させ
たのでこれらの間の絶縁性を一層良好にすることが可能
となる。
【0026】更に、本実施例にあっては、例えば16M
DRAMを製造するために必要とされる超微細加工を行
うために処理空間Sの雰囲気圧力を、従来のプロセスの
場合よりも低い例えば0.5Torr以下に設定する
が、このため第1及び第2のガス孔70、78を介して
連通するヘッダ室64内もそれに対応してプロセス圧力
よりも僅かに高い圧力ではあるが減圧状態となり、この
ヘッダ室64内でもプラズマ微小放電が生ずる恐れが発
生する。しかしながら、本実施例においては、上部電極
20に形成した第1のガス孔70や抵抗プレート74に
形成した第2のガス孔78の直径D1、D2、これらガ
ス孔70、78のピッチL1、抵抗プレート74の厚さ
H1等の値を適宜選択することにより、ガス流に抵抗を
付与してヘッダ室64内の雰囲気圧を僅かに高め、しか
もこのガス状態をパッシェンの法則によるプラズマ放電
領域から外れた所に位置させている。これにより、ヘッ
ダ室64内にてプラズマ微小放電が生ずることがなく、
従って従来装置によればヘッダ室内のプラズマ放電に起
因して発生していた容器内壁材料であるアルミニウムの
パーティクルも発生することはなく、製品の歩留まりも
向上させることができる。
DRAMを製造するために必要とされる超微細加工を行
うために処理空間Sの雰囲気圧力を、従来のプロセスの
場合よりも低い例えば0.5Torr以下に設定する
が、このため第1及び第2のガス孔70、78を介して
連通するヘッダ室64内もそれに対応してプロセス圧力
よりも僅かに高い圧力ではあるが減圧状態となり、この
ヘッダ室64内でもプラズマ微小放電が生ずる恐れが発
生する。しかしながら、本実施例においては、上部電極
20に形成した第1のガス孔70や抵抗プレート74に
形成した第2のガス孔78の直径D1、D2、これらガ
ス孔70、78のピッチL1、抵抗プレート74の厚さ
H1等の値を適宜選択することにより、ガス流に抵抗を
付与してヘッダ室64内の雰囲気圧を僅かに高め、しか
もこのガス状態をパッシェンの法則によるプラズマ放電
領域から外れた所に位置させている。これにより、ヘッ
ダ室64内にてプラズマ微小放電が生ずることがなく、
従って従来装置によればヘッダ室内のプラズマ放電に起
因して発生していた容器内壁材料であるアルミニウムの
パーティクルも発生することはなく、製品の歩留まりも
向上させることができる。
【0027】ここで、プロセス圧力(処理空間Sの圧
力)を0.57Torrに設定した場合における、従来
装置と本実施例の装置のヘッダ室内の圧力をシュミレー
トした時の結果を記す。設定条件は、従来装置におい
て、上部電極の板厚、ガス孔の直径はそれぞれ3mm、
0.8mm、抵抗プレートの板厚、ガス孔の直径はそれ
ぞれ7mm、1.8mmになされ、本実施例において
は、上部電極の板厚、ガス孔の直径はそれぞれ3mm、
0.5mm、抵抗プレートの板厚、ガス孔の直径はそれ
ぞれ17mm、2.0mmになされた。ガス流量を50
〜600SCCMまで種々変化させたところ、下記の表
1に示すような結果を得た。
力)を0.57Torrに設定した場合における、従来
装置と本実施例の装置のヘッダ室内の圧力をシュミレー
トした時の結果を記す。設定条件は、従来装置におい
て、上部電極の板厚、ガス孔の直径はそれぞれ3mm、
0.8mm、抵抗プレートの板厚、ガス孔の直径はそれ
ぞれ7mm、1.8mmになされ、本実施例において
は、上部電極の板厚、ガス孔の直径はそれぞれ3mm、
0.5mm、抵抗プレートの板厚、ガス孔の直径はそれ
ぞれ17mm、2.0mmになされた。ガス流量を50
〜600SCCMまで種々変化させたところ、下記の表
1に示すような結果を得た。
【0028】
【表1】
【0029】表1においてカッコ内は、プロセス圧力に
対する昇圧値(差圧)を示す。これによれば、本実施例
は各流量において、プロセス圧力に対するヘッダ室内の
差圧は、従来装置の場合よりも全てにおいてかなり高く
なっており、プラズマ微小放電が発生し難い状態となっ
ているのが判明する。
対する昇圧値(差圧)を示す。これによれば、本実施例
は各流量において、プロセス圧力に対するヘッダ室内の
差圧は、従来装置の場合よりも全てにおいてかなり高く
なっており、プラズマ微小放電が発生し難い状態となっ
ているのが判明する。
【0030】また、実際に従来装置と本実施例の装置を
用いて試験をしたところ、以下に示す結果を得た。試験
条件は、従来装置の場合は、ガス孔の直径を120m
m、ガス孔のピッチを3.175mm、抵抗プレートの
厚さを11mmとし、本実施例の装置の場合は、ガス孔
の直径を従来装置と同じ120mm、ガス孔のピッチを
2倍の6.35mm、抵抗プレートの厚さを僅かに大き
くして17mmにそれぞれ設定した。そして、プロセス
圧力を0.25Torrに設定し、処理ガスとしてCH
F3 を20SCCM、CF4 を20SCCM、Arを4
00SCCMそれぞれ流し、ウエハギャップを0.9c
mにして800Wの高周波電力で3分間プラズマ処理を
行った。
用いて試験をしたところ、以下に示す結果を得た。試験
条件は、従来装置の場合は、ガス孔の直径を120m
m、ガス孔のピッチを3.175mm、抵抗プレートの
厚さを11mmとし、本実施例の装置の場合は、ガス孔
の直径を従来装置と同じ120mm、ガス孔のピッチを
2倍の6.35mm、抵抗プレートの厚さを僅かに大き
くして17mmにそれぞれ設定した。そして、プロセス
圧力を0.25Torrに設定し、処理ガスとしてCH
F3 を20SCCM、CF4 を20SCCM、Arを4
00SCCMそれぞれ流し、ウエハギャップを0.9c
mにして800Wの高周波電力で3分間プラズマ処理を
行った。
【0031】この結果、アルミニウムの不純物濃度は、
従来装置の場合は1350×1010atoms/cm2
であったが、本実施例の場合は62×1010atoms
/cm2 であった。この結果、本実施例の汚染量は従来
装置と比較して2桁下がっており、プラズマの微小放電
が抑制された結果、パーティクル発生の抑制効果が顕著
に表れたことが判明した。上記実施例においては、各ガ
ス孔の直径、これらガス孔のピッチ、抵抗プレートの厚
さ等は単に一例を示したにすぎず、ヘッダ室内にプラズ
マ微小放電が生じないような数値を種々選択できるのは
勿論である。
従来装置の場合は1350×1010atoms/cm2
であったが、本実施例の場合は62×1010atoms
/cm2 であった。この結果、本実施例の汚染量は従来
装置と比較して2桁下がっており、プラズマの微小放電
が抑制された結果、パーティクル発生の抑制効果が顕著
に表れたことが判明した。上記実施例においては、各ガ
ス孔の直径、これらガス孔のピッチ、抵抗プレートの厚
さ等は単に一例を示したにすぎず、ヘッダ室内にプラズ
マ微小放電が生じないような数値を種々選択できるのは
勿論である。
【0032】また、上記実施例にあっては、上部電極2
0に40MHzの高周波を、下部電極22に13.56
MHzの高周波をそれぞれ印加したが、これらの周波数
の組は限定されず、例えば、上部電極の周波数と下部電
極の周波数の組をそれぞれ、例えば1MHzと380K
Hz、13.56MHzと13.56MHz、380K
Hzと380KHz等のように種々変更することができ
る。
0に40MHzの高周波を、下部電極22に13.56
MHzの高周波をそれぞれ印加したが、これらの周波数
の組は限定されず、例えば、上部電極の周波数と下部電
極の周波数の組をそれぞれ、例えば1MHzと380K
Hz、13.56MHzと13.56MHz、380K
Hzと380KHz等のように種々変更することができ
る。
【0033】更に、上記実施例にあっては、上部電極2
0と下部電極22の相方に高周波電源を印加する、いわ
ゆるトップアンドボトム方式の場合について説明した
が、これに限定されず、例えば下部電極22のみに高周
波電源を印加して上部電極20は接地する、いわゆるボ
トムオンリー方式や、この逆に上部電極20のみに高周
波電源を印加して下部電極22は接地する、いわゆるト
ップオンリー方式にも適用し得るのは勿論である。
0と下部電極22の相方に高周波電源を印加する、いわ
ゆるトップアンドボトム方式の場合について説明した
が、これに限定されず、例えば下部電極22のみに高周
波電源を印加して上部電極20は接地する、いわゆるボ
トムオンリー方式や、この逆に上部電極20のみに高周
波電源を印加して下部電極22は接地する、いわゆるト
ップオンリー方式にも適用し得るのは勿論である。
【0034】尚、上記実施例においては、プラズマ処理
装置としてプラズマエッチング装置を例にとって説明し
たが、本発明はこれに限定されず、他のプラズマ処理装
置、例えばプラズマアッシング装置、プラズマCVD装
置、プラズマスパッタ装置等にも適用し得るのは勿論で
ある。
装置としてプラズマエッチング装置を例にとって説明し
たが、本発明はこれに限定されず、他のプラズマ処理装
置、例えばプラズマアッシング装置、プラズマCVD装
置、プラズマスパッタ装置等にも適用し得るのは勿論で
ある。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
処理装置によれば次のような優れた作用効果を発揮させ
ることができる。抵抗付与手段を設けて供給ヘッダ内の
圧力を処理空間よりも高くしたので、処理空間の圧力を
0.5Torr以下に設定しても供給ヘッダ内にプラズ
マ微小放電が生ずることを抑制することができ、パーテ
ィクルの発生を大幅に抑制することができる。
処理装置によれば次のような優れた作用効果を発揮させ
ることができる。抵抗付与手段を設けて供給ヘッダ内の
圧力を処理空間よりも高くしたので、処理空間の圧力を
0.5Torr以下に設定しても供給ヘッダ内にプラズ
マ微小放電が生ずることを抑制することができ、パーテ
ィクルの発生を大幅に抑制することができる。
【図1】本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図2】図1に示す装置の上部電極の近傍を示す拡大断
面図である。
面図である。
【図3】図2に示す抵抗付与手段を示す平面図である。
【図4】従来のプラズマ処理装置を示す概略断面図であ
る。
る。
18 処理容器 20 上部電極 22 下部電極 32 第1の高周波電源 51 処理ガス供給ヘッダ 58 第2の高周波電源 64 ヘッダ室 66 エッチングガス源 68 ガス導入通路 70 第1のガス孔 72 抵抗付与手段 74 抵抗プレート 78 第2のガス孔 82 バッフル板 S 処理空間 W 被処理体(半導体ウエハ)
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05H 1/46 9014−2G (72)発明者 三浦 豊 東京都新宿区西新宿2丁目3番1号 東京 エレクトロン株式会社内 (72)発明者 細田 正蔵 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 処理ガス供給ヘッダを有する電極に形成
した第1のガス孔を介して処理空間に処理ガスを供給し
つつ対向する電極に保持した被処理体に対してプラズマ
処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガス供
給ヘッダから前記ガス孔を介して前記処理空間に流通す
る処理ガスに対して、前記処理空間の処理圧力を0.5
Torr以下に設定した時に前記供給ヘッダ内にプラズ
マ放電が生じないように抵抗を付与する抵抗付与手段を
形成するように構成したことを特徴とするプラズマ処理
装置。 - 【請求項2】 前記抵抗付与手段は、第2のガス孔を有
する電極の前記処理ガス供給ヘッダ側に設けられた抵抗
プレートを有することを特徴とする請求項1記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項3】 前記抵抗付与手段は、少なくとも前記抵
抗プレートの厚さ、前記第1または第2のガス孔のピッ
チ及び前記第1または第2のガス孔の穴径を変化させる
ことにより前記流通する処理ガスに対する抵抗を変化さ
せるように構成したことを特徴とする請求項1または請
求項2記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05140031A JP3086362B2 (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | プラズマ処理装置 |
KR1019940006705A KR100324792B1 (ko) | 1993-03-31 | 1994-03-31 | 플라즈마처리장치 |
US08/843,129 US6110287A (en) | 1993-03-31 | 1997-04-28 | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05140031A JP3086362B2 (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06333850A true JPH06333850A (ja) | 1994-12-02 |
JP3086362B2 JP3086362B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=15259352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05140031A Expired - Lifetime JP3086362B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-05-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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